JPH0528558A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0528558A JPH0528558A JP18668691A JP18668691A JPH0528558A JP H0528558 A JPH0528558 A JP H0528558A JP 18668691 A JP18668691 A JP 18668691A JP 18668691 A JP18668691 A JP 18668691A JP H0528558 A JPH0528558 A JP H0528558A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い温度に長時間保存したり、記録を何度も
おこなっても、書込・読出特性が変化しない光磁気記録
媒体の製造方法を提供する。 【構成】 光磁気層成膜工程にひきつづき、真空中で基
板加熱する工程ｉを行ない、しかる後に保護層成膜工程
ｊを行なう。
おこなっても、書込・読出特性が変化しない光磁気記録
媒体の製造方法を提供する。 【構成】 光磁気層成膜工程にひきつづき、真空中で基
板加熱する工程ｉを行ない、しかる後に保護層成膜工程
ｊを行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の書込・読出を行う光磁気ディ
スク等の光磁気記録媒体の製造方法に関する。
てレーザー光により情報の書込・読出を行う光磁気ディ
スク等の光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の書込・読出を行
う光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記憶
装置として優れた特徴を有している。
う光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記憶
装置として優れた特徴を有している。
【０００３】一般に書換可能な光ディスク等の光記録媒
体としては、磁気カー効果を利用した光磁気形のものが
用いられている。
体としては、磁気カー効果を利用した光磁気形のものが
用いられている。
【０００４】代表的な光磁気記録媒体を図１９に従来の
一例として示す。
一例として示す。
【０００５】図１９に示す光磁気記録媒体は、基板１の
上に透明干渉層１９０、その上に鉄族遷移金属と希土類
遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂直磁
化可能な光磁気層１９１、その上に保護層１９２を順に
設けたものである。
上に透明干渉層１９０、その上に鉄族遷移金属と希土類
遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂直磁
化可能な光磁気層１９１、その上に保護層１９２を順に
設けたものである。
【０００６】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、光磁気層１９１の近傍でおよそφ１．４
μm になるようにフォーカシング・サーボにより集光さ
れる。レーザー光源としては波長８３００オングストロ
ーム前後の半導体レーザーが用いられる。
通して入射し、光磁気層１９１の近傍でおよそφ１．４
μm になるようにフォーカシング・サーボにより集光さ
れる。レーザー光源としては波長８３００オングストロ
ーム前後の半導体レーザーが用いられる。
【０００７】情報の書込は、情報に対応させて高パワー
のレーザー光を照射することにより、光磁気層１９１に
レーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギ
ーに変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せし
めることにより情報の書込を行う。
のレーザー光を照射することにより、光磁気層１９１に
レーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギ
ーに変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せし
めることにより情報の書込を行う。
【０００８】情報の読出は、直線偏光した集束レーザー
光を光磁気層１９１に照射し、そこからの反射光を検光
子を介して光学的に検出することによる。光磁気膜は磁
気カー効果により反射光の偏向面を回転させる効果があ
るので、反射光の偏向面の回転角θk が光磁気層１９１
の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、反射光
が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向きに対応
した情報を光量変化として読出すことができる。
光を光磁気層１９１に照射し、そこからの反射光を検光
子を介して光学的に検出することによる。光磁気膜は磁
気カー効果により反射光の偏向面を回転させる効果があ
るので、反射光の偏向面の回転角θk が光磁気層１９１
の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、反射光
が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向きに対応
した情報を光量変化として読出すことができる。
【０００９】光磁気層１９１の材料としては、ＴｂＦｅ
Ｃｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金（特公平１−
２３９２７）等種々の材料が提案されている。このよう
な光磁気材料は非常に酸化しやすいので、透明干渉層１
９０と保護層１９２とで挾みこむことにより光磁気層１
９１が酸化することを防いでいる。通常、透明干渉層１
９０や保護層１９２としては、窒化シリコン膜が用いら
れている。
Ｃｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金（特公平１−
２３９２７）等種々の材料が提案されている。このよう
な光磁気材料は非常に酸化しやすいので、透明干渉層１
９０と保護層１９２とで挾みこむことにより光磁気層１
９１が酸化することを防いでいる。通常、透明干渉層１
９０や保護層１９２としては、窒化シリコン膜が用いら
れている。
【００１０】図１９のような光磁気記録媒体の製造は図
１４のような製造方法で行われる。
１４のような製造方法で行われる。
【００１１】図１４は従来の光磁気記録媒体の製造工程
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
【００１２】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層１９０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を光磁気層スパッタ室に送り込
み光磁気層１９１を成膜する（光磁気層成膜工程ｄ）。
次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込
み保護層１９２を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しか
る後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大
気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出す（基板取
出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、
基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板１
と透明干渉層１９０との接着力を高める工程を入れる場
合もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層１９０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を光磁気層スパッタ室に送り込
み光磁気層１９１を成膜する（光磁気層成膜工程ｄ）。
次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込
み保護層１９２を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しか
る後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大
気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出す（基板取
出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、
基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板１
と透明干渉層１９０との接着力を高める工程を入れる場
合もある。
【００１３】以上述べた光磁気記録媒体では、低い記録
パワーでかつ高速で書込むことはできないという欠点が
あるので、記憶装置の用途によっては上記光磁気記録媒
体は使用出来ないという問題がある。
パワーでかつ高速で書込むことはできないという欠点が
あるので、記憶装置の用途によっては上記光磁気記録媒
体は使用出来ないという問題がある。
【００１４】この課題を解決する方法として、図２０の
ような交換結合を用いる光磁気記録媒体がある（例え
ば、特公平２−３５３７１）。図２０の交換結合を用い
る光磁気記録媒体は、基板１の上に透明干渉層２００を
設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶
質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の光磁気
層２０１、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との
非晶質合金のフェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化
可能な第２の光磁気層２０２を設け、その上に保護層２
０３を設けたものである。低いキュリー温度を有し読出
温度で高保磁力の第２の光磁気層２０２に小さな記録パ
ワーで書込むことができ、この書込まれた記録マークが
高いキュリー温度を有し読出温度で低保磁力の第１の光
磁気層２０１に転写されるので、この転写された記録マ
ークを読出すことにより、磁気カー効果の大きな読出を
行うことができるというものである。
ような交換結合を用いる光磁気記録媒体がある（例え
ば、特公平２−３５３７１）。図２０の交換結合を用い
る光磁気記録媒体は、基板１の上に透明干渉層２００を
設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶
質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の光磁気
層２０１、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との
非晶質合金のフェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化
可能な第２の光磁気層２０２を設け、その上に保護層２
０３を設けたものである。低いキュリー温度を有し読出
温度で高保磁力の第２の光磁気層２０２に小さな記録パ
ワーで書込むことができ、この書込まれた記録マークが
高いキュリー温度を有し読出温度で低保磁力の第１の光
磁気層２０１に転写されるので、この転写された記録マ
ークを読出すことにより、磁気カー効果の大きな読出を
行うことができるというものである。
【００１５】図２０のような光磁気記録媒体の製造は図
１５のような製造方法で行われる。
１５のような製造方法で行われる。
【００１６】図１５は従来の光磁気記録媒体の製造工程
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
【００１７】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２００を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２０１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２０２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層２０
３を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成
膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、ス
パッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。
ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパ
ッタしたり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層
２００との接着力を高める工程を入れる場合もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２００を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２０１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２０２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層２０
３を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成
膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、ス
パッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。
ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパ
ッタしたり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層
２００との接着力を高める工程を入れる場合もある。
【００１８】一方、光磁気記録媒体への他の付加機能と
して書込済み情報の有無にかかわらずに新たな情報をそ
の場で書込むことができるオーバーライト機能の要求も
強まってきている。オーバーライト可能な光磁気記録媒
体としては数々提案されている（例えば、特開平２−１
５８９３９公報）。このオーバーライト可能な光磁気記
録媒体は垂直磁化可能な記録層と垂直磁化可能な補助層
とを積層し、先行補助磁界により記録層の磁化はそのま
まにして補助層の磁化のみを書込の直前までに「Ａ向
き」に揃えるものである。（層平面に対して磁化の向き
が「上向き」又は「下向き」の何れか一方を「Ａ向き」
とし、他方を「逆Ａ向き」と定義する）。そして、情報
に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調されたレ
ーザー光が記録層に照射された場合に、（１） 高レベ
ルのレーザー光によって、室温に戻った状態でいうと、
補助層が「逆Ａ向き」の磁化であり、記録層がＰタイプ
の場合には「逆Ａ向き」、Ａタイプの場合には「Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが形成され、（２） 低
レベルのレーザー光によって、室温に戻った状態でいう
と、補助層が「Ａ向き」の磁化であり、記録層がＰタイ
プの場合には「Ａ向き」、Ａタイプの場合には「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが形成される。ここでＰ
タイプとは、補助層の鉄族遷移金属のスピンと希土類遷
移金属のスピンとが全体の磁化に対して優勢なほうの金
属と記録層のそれとが同じである場合であり、Ａタイプ
とは異なる場合である。
して書込済み情報の有無にかかわらずに新たな情報をそ
の場で書込むことができるオーバーライト機能の要求も
強まってきている。オーバーライト可能な光磁気記録媒
体としては数々提案されている（例えば、特開平２−１
５８９３９公報）。このオーバーライト可能な光磁気記
録媒体は垂直磁化可能な記録層と垂直磁化可能な補助層
とを積層し、先行補助磁界により記録層の磁化はそのま
まにして補助層の磁化のみを書込の直前までに「Ａ向
き」に揃えるものである。（層平面に対して磁化の向き
が「上向き」又は「下向き」の何れか一方を「Ａ向き」
とし、他方を「逆Ａ向き」と定義する）。そして、情報
に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調されたレ
ーザー光が記録層に照射された場合に、（１） 高レベ
ルのレーザー光によって、室温に戻った状態でいうと、
補助層が「逆Ａ向き」の磁化であり、記録層がＰタイプ
の場合には「逆Ａ向き」、Ａタイプの場合には「Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが形成され、（２） 低
レベルのレーザー光によって、室温に戻った状態でいう
と、補助層が「Ａ向き」の磁化であり、記録層がＰタイ
プの場合には「Ａ向き」、Ａタイプの場合には「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが形成される。ここでＰ
タイプとは、補助層の鉄族遷移金属のスピンと希土類遷
移金属のスピンとが全体の磁化に対して優勢なほうの金
属と記録層のそれとが同じである場合であり、Ａタイプ
とは異なる場合である。
【００１９】図２１に示すオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は、基板１の上に透明干渉層２１０を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な第
１の光磁気層２１１を設け、その上に鉄族遷移金属と希
土類金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での
保磁力が第１の光磁気層よりも低い垂直磁化可能な第２
の光磁気層２１２を設け、その上に保護層２１３を設け
たものである。第１の光磁気層は記録層として機能し、
第２の光磁気層は補助層として機能する。
記録媒体は、基板１の上に透明干渉層２１０を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な第
１の光磁気層２１１を設け、その上に鉄族遷移金属と希
土類金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での
保磁力が第１の光磁気層よりも低い垂直磁化可能な第２
の光磁気層２１２を設け、その上に保護層２１３を設け
たものである。第１の光磁気層は記録層として機能し、
第２の光磁気層は補助層として機能する。
【００２０】図２１のようなオーバーライト可能な光磁
気記録媒体は、第１の光磁気層と第２の光磁気層との交
換結合力を制御することが重要である。この交換結合力
を制御するために、図２２のようなオーバーライト可能
な光磁気記録媒体が用いられる場合もある。
気記録媒体は、第１の光磁気層と第２の光磁気層との交
換結合力を制御することが重要である。この交換結合力
を制御するために、図２２のようなオーバーライト可能
な光磁気記録媒体が用いられる場合もある。
【００２１】図２２に示すオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は、基板１の上に透明干渉層２２０を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な第
１の光磁気層２２１を設け、その上に鉄族遷移金属と希
土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体の第２の光
磁気層２２２を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での保
磁力が第１の光磁気層よりも低い垂直磁化可能な第３の
光磁気層２２３を設け、その上に保護層２２４を設けた
ものである。第１の光磁気層２２１は記録層として機能
し、第３の光磁気層２２３は補助層として機能し、第２
の光磁気層２２２は第１の光磁気層２２１と第３の光磁
気層２２３との交換結合力を制御する制御層として機能
する。
記録媒体は、基板１の上に透明干渉層２２０を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な第
１の光磁気層２２１を設け、その上に鉄族遷移金属と希
土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体の第２の光
磁気層２２２を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での保
磁力が第１の光磁気層よりも低い垂直磁化可能な第３の
光磁気層２２３を設け、その上に保護層２２４を設けた
ものである。第１の光磁気層２２１は記録層として機能
し、第３の光磁気層２２３は補助層として機能し、第２
の光磁気層２２２は第１の光磁気層２２１と第３の光磁
気層２２３との交換結合力を制御する制御層として機能
する。
【００２２】図２１のような光磁気記録媒体の製造は図
１５のような製造方法で行われる。
１５のような製造方法で行われる。
【００２３】図１５は従来の光磁気記録媒体の製造工程
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
【００２４】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２１０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２１１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２１２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層２１
３を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成
膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、ス
パッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。
ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパ
ッタしたり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層
２１０との接着力を高める工程を入れる場合もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２１０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２１１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２１２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層２１
３を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成
膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、ス
パッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。
ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパ
ッタしたり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層
２１０との接着力を高める工程を入れる場合もある。
【００２５】また、図２２のような光磁気記録媒体の製
造は図１６のような製造方法で行われる。
造は図１６のような製造方法で行われる。
【００２６】図１６は従来の光磁気記録媒体の製造工程
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
【００２７】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２２０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２２１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２２２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第
３の光磁気層２２３を成膜する（第３の光磁気層成膜工
程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ室
に送り込み保護層２２４を成膜する（保護層成膜工程
ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、
この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出
す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃ
の前には、基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたり
して基板１と透明干渉層２２０との接着力を高める工程
を入れる場合もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２２０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２２１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２２２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第
３の光磁気層２２３を成膜する（第３の光磁気層成膜工
程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ室
に送り込み保護層２２４を成膜する（保護層成膜工程
ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、
この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出
す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃ
の前には、基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたり
して基板１と透明干渉層２２０との接着力を高める工程
を入れる場合もある。
【００２８】又、先行補助磁界を必要としないオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている（第１３
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号２３ａＣ
−４（１９８９））。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている（第１３
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号２３ａＣ
−４（１９８９））。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。
【００２９】図２３の先行補助磁界を必要としないオー
バーライト可能な光磁気記録媒体は、基板１の上に透明
干渉層２３０を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度で高保
磁力の垂直磁化可能な第１の光磁気層２３１を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層よ
りも低い垂直磁化可能な第２の光磁気層２３２を設け、
その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で垂直磁化可能な第３の光磁気層２３３
を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非
晶質合金のフェリ磁性体でかつ上記３つの光磁気層のキ
ュリー温度よりも高いキュリー温度の垂直磁化可能な第
４の光磁気層２３４を設け、その上に保護層２３５を設
けたものである。第１の光磁気層２３１は記録層として
機能し、第２の光磁気層２３２は補助層として機能し、
第４の光磁気層２３４の磁化は高レベルのレーザー光の
照射によっても反転しないようにし、低レベルのレーザ
ー光照射のときに第２の光磁気層２３２（補助層）の磁
化が第４の光磁気層２３４の磁化にそろうような初期化
層として機能し、第３の光磁気層２３３は高レベルのレ
ーザー光照射のときには第４の光磁気層２３４（初期化
層）の磁化が第２の光磁気層２３２（補助層）に影響を
与えないようなスイッチ層として機能する。
バーライト可能な光磁気記録媒体は、基板１の上に透明
干渉層２３０を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度で高保
磁力の垂直磁化可能な第１の光磁気層２３１を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層よ
りも低い垂直磁化可能な第２の光磁気層２３２を設け、
その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で垂直磁化可能な第３の光磁気層２３３
を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非
晶質合金のフェリ磁性体でかつ上記３つの光磁気層のキ
ュリー温度よりも高いキュリー温度の垂直磁化可能な第
４の光磁気層２３４を設け、その上に保護層２３５を設
けたものである。第１の光磁気層２３１は記録層として
機能し、第２の光磁気層２３２は補助層として機能し、
第４の光磁気層２３４の磁化は高レベルのレーザー光の
照射によっても反転しないようにし、低レベルのレーザ
ー光照射のときに第２の光磁気層２３２（補助層）の磁
化が第４の光磁気層２３４の磁化にそろうような初期化
層として機能し、第３の光磁気層２３３は高レベルのレ
ーザー光照射のときには第４の光磁気層２３４（初期化
層）の磁化が第２の光磁気層２３２（補助層）に影響を
与えないようなスイッチ層として機能する。
【００３０】図２４の先行補助磁界を必要としないオー
バーライト可能な光磁気記録媒体は、基板１の上に透明
干渉層２４０を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度で高保
磁力の垂直磁化可能な第１の光磁気層２４１を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体の第２の光磁気層２４２を設け、その上に
鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ
磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層よりも低
い垂直磁化可能な第３の光磁気層２４３を設け、その上
に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体で垂直磁化可能な第４の光磁気層２４４を設
け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質
合金のフェリ磁性体でかつ上記４つの光磁気層のキュリ
ー温度よりも高いキュリー温度の垂直磁化可能な第５の
光磁気層２４５を設け、その上に保護層２４６を設けた
ものである。第１の光磁気層２４１は記録層として機能
し、第３の光磁気層２４３は補助層として機能し、第２
の光磁気層２４２は第１の光磁気層２４１（記録層）と
第３の光磁気層２４３（補助層）との交換結合力を制御
する制御層として機能し、第５の光磁気層２４５の磁化
は高レベルのレーザー光の照射によっても反転しないよ
うにし、低レベルのレーザー光照射のときに第３の光磁
気層２４３（補助層）の磁化が第５の光磁気層２４５の
磁化にそろうような初期化層として機能し、第４の光磁
気層２４４は高レベルのレーザー光照射のときには第５
の光磁気層２４５（初期化層）の磁化が第３の光磁気層
２４３（補助層）に影響を与えないようなスイッチ層と
して機能する。
バーライト可能な光磁気記録媒体は、基板１の上に透明
干渉層２４０を設け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度で高保
磁力の垂直磁化可能な第１の光磁気層２４１を設け、そ
の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金の
フェリ磁性体の第２の光磁気層２４２を設け、その上に
鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ
磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層よりも低
い垂直磁化可能な第３の光磁気層２４３を設け、その上
に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体で垂直磁化可能な第４の光磁気層２４４を設
け、その上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質
合金のフェリ磁性体でかつ上記４つの光磁気層のキュリ
ー温度よりも高いキュリー温度の垂直磁化可能な第５の
光磁気層２４５を設け、その上に保護層２４６を設けた
ものである。第１の光磁気層２４１は記録層として機能
し、第３の光磁気層２４３は補助層として機能し、第２
の光磁気層２４２は第１の光磁気層２４１（記録層）と
第３の光磁気層２４３（補助層）との交換結合力を制御
する制御層として機能し、第５の光磁気層２４５の磁化
は高レベルのレーザー光の照射によっても反転しないよ
うにし、低レベルのレーザー光照射のときに第３の光磁
気層２４３（補助層）の磁化が第５の光磁気層２４５の
磁化にそろうような初期化層として機能し、第４の光磁
気層２４４は高レベルのレーザー光照射のときには第５
の光磁気層２４５（初期化層）の磁化が第３の光磁気層
２４３（補助層）に影響を与えないようなスイッチ層と
して機能する。
【００３１】図２３のような光磁気記録媒体の製造は図
１７のような製造方法で行われる。
１７のような製造方法で行われる。
【００３２】図１７は従来の光磁気記録媒体の製造工程
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
【００３３】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２３０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２３１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２３２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第
３の光磁気層２３３を成膜する（第３の光磁気層成膜工
程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を第４の光磁気層ス
パッタ室に送り込み第４の光磁気層２３４を成膜する
（第４の光磁気層成膜工程ｇ）。次に、この成膜用搬送
治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層２３５を成膜
する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送
治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装
置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、
透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタした
り、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層２３０と
の接着力を高める工程を入れる場合もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２３０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２３１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２３２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第
３の光磁気層２３３を成膜する（第３の光磁気層成膜工
程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を第４の光磁気層ス
パッタ室に送り込み第４の光磁気層２３４を成膜する
（第４の光磁気層成膜工程ｇ）。次に、この成膜用搬送
治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層２３５を成膜
する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送
治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装
置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、
透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタした
り、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層２３０と
の接着力を高める工程を入れる場合もある。
【００３４】また、図２４のような光磁気記録媒体の製
造は図１８のような製造方法で行われる。
造は図１８のような製造方法で行われる。
【００３５】図１８は従来の光磁気記録媒体の製造工程
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
図であり、スパッタ装置関係を特に示している。
【００３６】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２４０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２４１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２４２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第
３の光磁気層２４３を成膜する（第３の光磁気層成膜工
程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を第４の光磁気層ス
パッタ室に送り込み第４の光磁気層２４４を成膜する
（第４の光磁気層成膜工程ｇ）。次に、この成膜用搬送
治具を第５の光磁気層スパッタ室に送り込み第５の光磁
気層２４５を成膜する（第５の光磁気層成膜工程ｈ）。
次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込
み保護層２４６を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しか
る後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大
気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出す（基板取
出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、
基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板１
と透明干渉層２４０との接着力を高める工程を入れる場
合もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２４０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次
に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に
送り込み第１の光磁気層２４１を成膜する（第１の光磁
気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の
光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層２４２を
成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成
膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第
３の光磁気層２４３を成膜する（第３の光磁気層成膜工
程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を第４の光磁気層ス
パッタ室に送り込み第４の光磁気層２４４を成膜する
（第４の光磁気層成膜工程ｇ）。次に、この成膜用搬送
治具を第５の光磁気層スパッタ室に送り込み第５の光磁
気層２４５を成膜する（第５の光磁気層成膜工程ｈ）。
次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込
み保護層２４６を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しか
る後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大
気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出す（基板取
出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、
基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板１
と透明干渉層２４０との接着力を高める工程を入れる場
合もある。
【００３７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光磁気記録媒体は、高い温度に長時間保存して
おいたり、情報の記録を何度もおこなったりすると、書
込・読出特性が変化するという問題がある。
た従来の光磁気記録媒体は、高い温度に長時間保存して
おいたり、情報の記録を何度もおこなったりすると、書
込・読出特性が変化するという問題がある。
【００３８】本発明の目的は書込・読出特性が変化する
ことのない光磁気記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
ことのない光磁気記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
【００３９】
【問題点を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒
体の製造方法は、基板の上に透明干渉層を形成する透明
干渉層成膜工程と、該透明干渉層の上に光磁気層を形成
する光磁気層成膜工程と、該光磁気層の上に保護層を形
成する保護層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことな
く真空中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法であ
って、前記光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜
工程の前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を
行うことを特徴としている。
体の製造方法は、基板の上に透明干渉層を形成する透明
干渉層成膜工程と、該透明干渉層の上に光磁気層を形成
する光磁気層成膜工程と、該光磁気層の上に保護層を形
成する保護層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことな
く真空中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法であ
って、前記光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜
工程の前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を
行うことを特徴としている。
【００４０】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に保護層を形成する保護層成膜工程とを、該
基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁気
記録媒体の製造方法であって、前記第２の光磁気層成膜
工程の後でかつ前記保護層成膜工程の前に真空中で前記
基板を加熱する基板加熱工程を行うことを特徴としてい
る。
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に保護層を形成する保護層成膜工程とを、該
基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁気
記録媒体の製造方法であって、前記第２の光磁気層成膜
工程の後でかつ前記保護層成膜工程の前に真空中で前記
基板を加熱する基板加熱工程を行うことを特徴としてい
る。
【００４１】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に第３の光磁気層を形成する第３の光磁気層
成膜工程と、該第３の光磁気層の上に保護層を形成する
保護層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことなく真空
中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜
工程の前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を
行うことを特徴としている。
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に第３の光磁気層を形成する第３の光磁気層
成膜工程と、該第３の光磁気層の上に保護層を形成する
保護層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことなく真空
中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜
工程の前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を
行うことを特徴としている。
【００４２】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に第３の光磁気層を形成する第３の光磁気層
成膜工程と、該第３の光磁気層の上に第４の光磁気層を
形成する第４の光磁気層成膜工程と、該第４の光磁気層
の上に保護層を形成する保護層成膜工程とを、該基板を
大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第４の光磁気層成膜工程の
後でかつ前記保護層成膜工程の前に真空中で前記基板を
加熱する基板加熱工程を行うことを特徴としている。
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に第３の光磁気層を形成する第３の光磁気層
成膜工程と、該第３の光磁気層の上に第４の光磁気層を
形成する第４の光磁気層成膜工程と、該第４の光磁気層
の上に保護層を形成する保護層成膜工程とを、該基板を
大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第４の光磁気層成膜工程の
後でかつ前記保護層成膜工程の前に真空中で前記基板を
加熱する基板加熱工程を行うことを特徴としている。
【００４３】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に第３の光磁気層を形成する第３の光磁気層
成膜工程と、該第３の光磁気層の上に第４の光磁気層を
形成する第４の光磁気層成膜工程と、該第４の光磁気層
の上に第５の光磁気層を形成する第５の光磁気層成膜工
程と、該第５の光磁気層の上に保護層を形成する保護層
成膜工程とを、該基板を大気に曝すことなく真空中で連
続して行う光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第
５の光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜工程の
前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を行うこ
とを特徴としている。
板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工程と、
該透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１の光
磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層の上に第２の光磁
気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、該第２の光
磁気層の上に第３の光磁気層を形成する第３の光磁気層
成膜工程と、該第３の光磁気層の上に第４の光磁気層を
形成する第４の光磁気層成膜工程と、該第４の光磁気層
の上に第５の光磁気層を形成する第５の光磁気層成膜工
程と、該第５の光磁気層の上に保護層を形成する保護層
成膜工程とを、該基板を大気に曝すことなく真空中で連
続して行う光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第
５の光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜工程の
前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を行うこ
とを特徴としている。
【００４４】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００４５】図１は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図６は図１に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図６は図１に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００４６】図６に示す光磁気記録媒体は、基板１の上
に透明干渉層６０を設け、その上に光磁気層６１を設け
る。次に基板１を真空中で加熱し、しかる後保護層６２
を設けたものである。すなわち、図１の製造工程図を用
いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治
具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具を
スパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する
（真空排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した
後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り
込み透明干渉層６０を成膜する（透明干渉層成膜工程
ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を光磁気層スパッタ室
に送り込み光磁気層６１を成膜する（光磁気層成膜工程
ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する
（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護
層スパッタ室に送り込み保護層６２を成膜する（保護層
成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出室
に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から基
板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成
膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着層を
設けたりして基板１と透明干渉層６０との接着力を高め
る工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパッタ
室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けたほうが
望ましい。
に透明干渉層６０を設け、その上に光磁気層６１を設け
る。次に基板１を真空中で加熱し、しかる後保護層６２
を設けたものである。すなわち、図１の製造工程図を用
いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治
具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具を
スパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する
（真空排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した
後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り
込み透明干渉層６０を成膜する（透明干渉層成膜工程
ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を光磁気層スパッタ室
に送り込み光磁気層６１を成膜する（光磁気層成膜工程
ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する
（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護
層スパッタ室に送り込み保護層６２を成膜する（保護層
成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出室
に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から基
板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成
膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着層を
設けたりして基板１と透明干渉層６０との接着力を高め
る工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパッタ
室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けたほうが
望ましい。
【００４７】光磁気記録媒体は図６のような構成のまま
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層６２の上に
ホットメルト剤を塗布することにより図６の光磁気記録
媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込・読出
を行う場合もある。このとき、保護層６２の上にはＵＶ
硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合わせても
よい。
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層６２の上に
ホットメルト剤を塗布することにより図６の光磁気記録
媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込・読出
を行う場合もある。このとき、保護層６２の上にはＵＶ
硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合わせても
よい。
【００４８】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、光磁気層６１の近傍でおよそφ１．４μ
m になるようにフォーカシング・サーボにより集光す
る。レーザー光源としては波長６７００〜８３００オン
グストローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、光磁気層６１の近傍でおよそφ１．４μ
m になるようにフォーカシング・サーボにより集光す
る。レーザー光源としては波長６７００〜８３００オン
グストローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００４９】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【００５０】透明干渉層６０の材料としては窒化シリコ
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）が望まし
い。透明干渉層６０は多層膜で形成してもかまわない。
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）が望まし
い。透明干渉層６０は多層膜で形成してもかまわない。
【００５１】光磁気層６１の材料としては、ＴｂＦｅ，
ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，ＴｂＦｅ
ＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，ＴｂＦｅＰ
ｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＧ
ｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅ
ＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣ
ｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔ
等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフ
ェリ磁性体が望ましい。
ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，ＴｂＦｅ
ＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，ＴｂＦｅＰ
ｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＧ
ｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅ
ＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣ
ｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔ
等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフ
ェリ磁性体が望ましい。
【００５２】保護層６２の材料としては窒化シリコン，
硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属窒化
物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，硫化
亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホウ化
物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合物、
高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化酸
化シリコン，サイアロンが望ましい。保護層６２は多層
膜で形成してもかまわない。
硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属窒化
物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，硫化
亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホウ化
物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合物、
高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化酸
化シリコン，サイアロンが望ましい。保護層６２は多層
膜で形成してもかまわない。
【００５３】この具体例について図７を用いて以下に説
明する。
明する。
【００５４】案内溝が形成されている直径１３０mm，厚
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより９５０オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層７０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンガスでスパッタすることにより２００オ
ングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の光磁気
層７１を形成した。次に、基板１を９０℃に１時間保持
した後、シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合
ガスでスパッタすることにより２５０オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層７２を設け、その上にＡｌＮ
ｉ合金ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることに
より３００オングストローム厚のＡｌＮｉの反射層７３
を設け、図７のような構成にした。この後、スパッタ装
置から基板１を大気中に取り出した。次に、この反射層
７３の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射す
ることによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護膜を
形成し、このような２枚のディスクを、基板１が外側で
各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。こ
のようにして作製した光磁気記録媒体を３６００rpm で
回転させ、波長７８００オングストロームの半導体レー
ザー光を基板１を通して光磁気層７１上でおよそφ１．
４μm に絞って照射した。半径３０mmのところで記録周
波数２．１２MHz の信号をデューティ５０％，記録パワ
ー９mW，記録バイアス磁界３５０エルステッドで書込を
おこない、１．５mWで読出をおこなったところ、４６dB
のＣ／Ｎが得られ、良好な特性の光磁気記録媒体である
ことが確認された。この光磁気記録媒体に書込を１００
万回おこなった後に読出をおこなっても特性に変化はな
かった。また、この光磁気記録媒体を８０℃という高温
の環境に５００時間保存した後でも特性に変化はなく、
良好な光磁気記録媒体が製造されたことが確認された。
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより９５０オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層７０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンガスでスパッタすることにより２００オ
ングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の光磁気
層７１を形成した。次に、基板１を９０℃に１時間保持
した後、シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合
ガスでスパッタすることにより２５０オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層７２を設け、その上にＡｌＮ
ｉ合金ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることに
より３００オングストローム厚のＡｌＮｉの反射層７３
を設け、図７のような構成にした。この後、スパッタ装
置から基板１を大気中に取り出した。次に、この反射層
７３の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射す
ることによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護膜を
形成し、このような２枚のディスクを、基板１が外側で
各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。こ
のようにして作製した光磁気記録媒体を３６００rpm で
回転させ、波長７８００オングストロームの半導体レー
ザー光を基板１を通して光磁気層７１上でおよそφ１．
４μm に絞って照射した。半径３０mmのところで記録周
波数２．１２MHz の信号をデューティ５０％，記録パワ
ー９mW，記録バイアス磁界３５０エルステッドで書込を
おこない、１．５mWで読出をおこなったところ、４６dB
のＣ／Ｎが得られ、良好な特性の光磁気記録媒体である
ことが確認された。この光磁気記録媒体に書込を１００
万回おこなった後に読出をおこなっても特性に変化はな
かった。また、この光磁気記録媒体を８０℃という高温
の環境に５００時間保存した後でも特性に変化はなく、
良好な光磁気記録媒体が製造されたことが確認された。
【００５５】図２は本発明の他の一実施例を説明するた
めの製造工程図であり、図８は図２に示す実施例を用い
て製造された低い記録パワーでかつ高速で書込める光磁
気記録媒体の概略断面図である。
めの製造工程図であり、図８は図２に示す実施例を用い
て製造された低い記録パワーでかつ高速で書込める光磁
気記録媒体の概略断面図である。
【００５６】図８に示す光磁気記録媒体は、基板１の上
に透明干渉層８０を設け、その上に第１の光磁気層８１
を設け、その上に第２の光磁気層８２を設ける。次に基
板１を真空中で加熱し、しかる後保護層８３を設けたも
のである。すなわち、図２の製造工程図を用いて説明す
ると、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に装着し
（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装
置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空排気工
程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この成膜用
搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層
８０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、この
成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込み
第１の光磁気層８１を成膜する（第１の光磁気層成膜工
程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気層ス
パッタ室に送り込み第２の光磁気層８２を成膜する（第
２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成膜用搬送治具
を真空中で加熱する（基板加熱工程ｉ）。次に、この成
膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層８３
を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜
用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、スパ
ッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。こ
こで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッ
タしたり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層８
０との接着力を高める工程を入れる場合もある。基板加
熱工程ｉはスパッタ室でおこなってもよいが、専用の真
空室を設けたほうが望ましい。
に透明干渉層８０を設け、その上に第１の光磁気層８１
を設け、その上に第２の光磁気層８２を設ける。次に基
板１を真空中で加熱し、しかる後保護層８３を設けたも
のである。すなわち、図２の製造工程図を用いて説明す
ると、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に装着し
（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装
置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空排気工
程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この成膜用
搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層
８０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、この
成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込み
第１の光磁気層８１を成膜する（第１の光磁気層成膜工
程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気層ス
パッタ室に送り込み第２の光磁気層８２を成膜する（第
２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成膜用搬送治具
を真空中で加熱する（基板加熱工程ｉ）。次に、この成
膜用搬送治具を保護層スパッタ室に送り込み保護層８３
を成膜する（保護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜
用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、スパ
ッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程ｋ）。こ
こで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッ
タしたり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層８
０との接着力を高める工程を入れる場合もある。基板加
熱工程ｉはスパッタ室でおこなってもよいが、専用の真
空室を設けたほうが望ましい。
【００５７】光磁気記録媒体は図８のような構成のまま
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層８３の上に
ホットメルト剤を塗布することにより図８の光磁気記録
媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込・読出
を行う場合もある。このとき、保護層８３の上にはＵＶ
硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合わせても
よい。
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層８３の上に
ホットメルト剤を塗布することにより図８の光磁気記録
媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込・読出
を行う場合もある。このとき、保護層８３の上にはＵＶ
硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合わせても
よい。
【００５８】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、第１の光磁気層８１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、第１の光磁気層８１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００５９】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【００６０】透明干渉層８０の材料としては窒化シリコ
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干渉層８
０は多層膜で形成してもかまわない。
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干渉層８
０は多層膜で形成してもかまわない。
【００６１】保護層８３の材料としては窒化シリコン，
硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属窒化
物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，硫化
亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホウ化
物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合物、
高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化酸
化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコンが
とくに望ましい。保護層８３は多層膜で形成してもかま
わない。
硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属窒化
物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，硫化
亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホウ化
物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合物、
高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化酸
化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコンが
とくに望ましい。保護層８３は多層膜で形成してもかま
わない。
【００６２】第１の光磁気層８１の材料としては、Ｇｄ
ＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏＣｒ，Ｇｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＴ
ａ，ＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＦｅＣｏＰｔ，ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷
移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体
で高キュリー温度のものが望ましく、第２の光磁気層８
２の材料としては、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅ
Ｃｒ，ＴｂＦｅＮｉ，ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴ
ａ，ＴｂＦｅＮｂ，ＴｂＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，
ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ
等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能なものが望
ましい。このように第１の光磁気層と第２の光磁気層の
材料を選ぶことにより、低い記録パワーでかつ書込むこ
とのできる光磁気記録媒体が得られる。
ＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏＣｒ，Ｇｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＴ
ａ，ＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＦｅＣｏＰｔ，ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷
移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体
で高キュリー温度のものが望ましく、第２の光磁気層８
２の材料としては、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅ
Ｃｒ，ＴｂＦｅＮｉ，ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴ
ａ，ＴｂＦｅＮｂ，ＴｂＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，
ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ
等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能なものが望
ましい。このように第１の光磁気層と第２の光磁気層の
材料を選ぶことにより、低い記録パワーでかつ書込むこ
とのできる光磁気記録媒体が得られる。
【００６３】この具体例について図９を用いて以下に説
明する。
明する。
【００６４】フォトポリマーによって案内溝が形成され
ている直径２００mm，厚さ１．１８mmのガラスディスク
基板１をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下
に真空排気した後、フォトポリマー層をおよそ１０オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより７５０オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層９０を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット
をアルゴンガスでスパッタすることにより２００オング
ストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気層
９１を形成し、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲットをア
ルゴンガスでスパッタすることにより６００オングスト
ローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第２の光磁気層９２
を形成した。次に、基板１を９０℃に１時間保持した
後、シリコンターゲットをアルゴンガスと窒素との混合
ガスでスパッタすることにより１５００オングストロー
ム厚の窒化シリコンの保護層９３を設けた。その上にＡ
ｌＮｉ合金ターゲットをアルゴンガスでスパッタするこ
とにより１０００オングストローム厚のＡｌＮｉ放熱層
９４を設け、図９のような構成にした。この後、スパッ
タ装置から基板１を大気中に取り出した。次に、この放
熱層９４の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照
射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護
膜を形成し、このような２枚のディスクを、基板１が外
側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせ
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００
rpm で回転させ、波長８３００オングストロームの半導
体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層９１上で
およそφ１．４μm に絞って照射した。半径８７．５mm
のところで記録周波数１０MHz の信号をデューティ５０
％の２値の光変調で記録パワー１０mWで、記録磁界４０
０エルステッドで書込を行ったところ、５６dBのＣ／Ｎ
が得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記
録媒体であることが確認された。この光磁気記録媒体に
書込を１０万回おこなった後に読出をおこなっても特性
に変化はなかった。また、この光磁気記録媒体を８０℃
という高温の環境に５００時間保存した後でも特性に変
化はなく、良好な光磁気記録媒体が製造されたことが確
認された。
ている直径２００mm，厚さ１．１８mmのガラスディスク
基板１をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下
に真空排気した後、フォトポリマー層をおよそ１０オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより７５０オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層９０を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット
をアルゴンガスでスパッタすることにより２００オング
ストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気層
９１を形成し、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲットをア
ルゴンガスでスパッタすることにより６００オングスト
ローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第２の光磁気層９２
を形成した。次に、基板１を９０℃に１時間保持した
後、シリコンターゲットをアルゴンガスと窒素との混合
ガスでスパッタすることにより１５００オングストロー
ム厚の窒化シリコンの保護層９３を設けた。その上にＡ
ｌＮｉ合金ターゲットをアルゴンガスでスパッタするこ
とにより１０００オングストローム厚のＡｌＮｉ放熱層
９４を設け、図９のような構成にした。この後、スパッ
タ装置から基板１を大気中に取り出した。次に、この放
熱層９４の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照
射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護
膜を形成し、このような２枚のディスクを、基板１が外
側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせ
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００
rpm で回転させ、波長８３００オングストロームの半導
体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層９１上で
およそφ１．４μm に絞って照射した。半径８７．５mm
のところで記録周波数１０MHz の信号をデューティ５０
％の２値の光変調で記録パワー１０mWで、記録磁界４０
０エルステッドで書込を行ったところ、５６dBのＣ／Ｎ
が得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記
録媒体であることが確認された。この光磁気記録媒体に
書込を１０万回おこなった後に読出をおこなっても特性
に変化はなかった。また、この光磁気記録媒体を８０℃
という高温の環境に５００時間保存した後でも特性に変
化はなく、良好な光磁気記録媒体が製造されたことが確
認された。
【００６５】図２は本発明の他の一実施例を説明するた
めの製造工程図であり、図１０は図２に示す実施例を用
いて製造されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の
概略断面図である。
めの製造工程図であり、図１０は図２に示す実施例を用
いて製造されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の
概略断面図である。
【００６６】図１０に示す光磁気記録媒体は、基板１の
上に透明干渉層１００を設け、その上に第１の光磁気層
１０１を設け、その上に第２の光磁気層１０２を設け
る。次に基板１を真空中で加熱し、しかる後保護層１０
３を設けたものである。すなわち、図２の製造工程図を
用いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送
治具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具
をスパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する
（真空排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した
後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り
込み透明干渉層１００を成膜する（透明干渉層成膜工程
ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパ
ッタ室に送り込み第１の光磁気層１０１を成膜する（第
１の光磁気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具
を第２の光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層
１０２を成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次
に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する（基板加熱
工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ
室に送り込み保護層１０３を成膜する（保護層成膜工程
ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、
この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出
す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃ
の前には、基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたり
して基板１と透明干渉層１００との接着力を高める工程
を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパッタ室でお
こなってもよいが、専用の真空室を設けたほうが望まし
い。
上に透明干渉層１００を設け、その上に第１の光磁気層
１０１を設け、その上に第２の光磁気層１０２を設け
る。次に基板１を真空中で加熱し、しかる後保護層１０
３を設けたものである。すなわち、図２の製造工程図を
用いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送
治具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具
をスパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する
（真空排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した
後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り
込み透明干渉層１００を成膜する（透明干渉層成膜工程
ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパ
ッタ室に送り込み第１の光磁気層１０１を成膜する（第
１の光磁気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具
を第２の光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層
１０２を成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次
に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する（基板加熱
工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護層スパッタ
室に送り込み保護層１０３を成膜する（保護層成膜工程
ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、
この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から基板を取出
す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃ
の前には、基板を逆スパッタしたり、付着層を設けたり
して基板１と透明干渉層１００との接着力を高める工程
を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパッタ室でお
こなってもよいが、専用の真空室を設けたほうが望まし
い。
【００６７】光磁気記録媒体は図１０のような構成のま
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１０３の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１０の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１０３の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１０３の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１０の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１０３の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
【００６８】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、第１の光磁気層１０１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、第１の光磁気層１０１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００６９】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【００７０】透明干渉層１００の材料としては窒化シリ
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１００は多層膜で形成してもかまわない。
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１００は多層膜で形成してもかまわない。
【００７１】保護層１０３の材料としては窒化シリコ
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金
属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化
シリコンがとくに望ましい。保護層１０３は多層膜で形
成してもかまわない。
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金
属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化
シリコンがとくに望ましい。保護層１０３は多層膜で形
成してもかまわない。
【００７２】第１の光磁気層１０１の材料としては、Ｔ
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第２の光磁気層１０２の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ等
の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層１０１
よりも低い垂直磁化可能なものが望ましい。
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第２の光磁気層１０２の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ等
の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層１０１
よりも低い垂直磁化可能なものが望ましい。
【００７３】この具体例について図１０を用いて以下に
説明する。
説明する。
【００７４】案内溝が形成されている直径１３０mm，厚
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１００を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１０１を形成した。次に、ＧｄＴｂＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り８００オングストローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの
非晶質の第２の光磁気層１０２を形成した。次に基板１
を９０℃に１時間保持した後、シリコンターゲットをア
ルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより８
００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層１０３
を設け、図１０のような構成にした。この後、スパッタ
装置から基板１を大気中に取り出した。次に、この保護
層１０３の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照
射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護
膜を形成し、このような２枚のディスクを、基板１が外
側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせ
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００
rpm で回転させ、波長８３００オングストロームの半導
体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層１０１上
でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径３０mmの
ところで記録周波数２．１２MHzの信号を３値の光変調
で高レベル記録パワー９mW，低レベル記録パワー４．５
mWで、先行補助磁界６．５ｋエルステッド，記録磁界３
５０エルステッドでオーバーライト書込を行ったとこ
ろ、４６dBのＣ／Ｎが得られ、良好な特性のオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であることが確認された。こ
の光磁気記録媒体に書込を１０万回おこなった後に読出
をおこなっても特性に変化はなかった。また、この光磁
気記録媒体を８０℃という高温の環境に５００時間保存
した後でも特性に変化はなく、良好な光磁気記録媒体が
製造されたことが確認された。
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１００を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１０１を形成した。次に、ＧｄＴｂＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り８００オングストローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの
非晶質の第２の光磁気層１０２を形成した。次に基板１
を９０℃に１時間保持した後、シリコンターゲットをア
ルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより８
００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層１０３
を設け、図１０のような構成にした。この後、スパッタ
装置から基板１を大気中に取り出した。次に、この保護
層１０３の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照
射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護
膜を形成し、このような２枚のディスクを、基板１が外
側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせ
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００
rpm で回転させ、波長８３００オングストロームの半導
体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層１０１上
でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径３０mmの
ところで記録周波数２．１２MHzの信号を３値の光変調
で高レベル記録パワー９mW，低レベル記録パワー４．５
mWで、先行補助磁界６．５ｋエルステッド，記録磁界３
５０エルステッドでオーバーライト書込を行ったとこ
ろ、４６dBのＣ／Ｎが得られ、良好な特性のオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であることが確認された。こ
の光磁気記録媒体に書込を１０万回おこなった後に読出
をおこなっても特性に変化はなかった。また、この光磁
気記録媒体を８０℃という高温の環境に５００時間保存
した後でも特性に変化はなく、良好な光磁気記録媒体が
製造されたことが確認された。
【００７５】図３は本発明の他の一実施例を説明するた
めの製造工程図であり、図１１は図３に示す実施例を用
いて製造されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の
概略断面図である。
めの製造工程図であり、図１１は図３に示す実施例を用
いて製造されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の
概略断面図である。
【００７６】図１１に示す光磁気記録媒体は、基板１の
上に透明干渉層１１０を設け、その上に第１の光磁気層
１１１を設け、その上に第２の光磁気層１１２を設け、
その上に第３の光磁気層１１３を設ける。次に基板１を
真空中で加熱し、しかる後保護層１１４を設けたもので
ある。すなわち、図３の製造工程図を用いて説明する
と、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に装着し
（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装
置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空排気工
程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この成膜用
搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層
１１０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、こ
の成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込
み第１の光磁気層１１１を成膜する（第１の光磁気層成
膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気
層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層１１２を成膜す
る（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成膜用搬
送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第３の光
磁気層１１３を成膜する（第３の光磁気層成膜工程
ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する
（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護
層スパッタ室に送り込み保護層１１４を成膜する（保護
層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出
室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から
基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層
成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着層
を設けたりして基板１と透明干渉層１１０との接着力を
高める工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパ
ッタ室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けたほ
うが望ましい。
上に透明干渉層１１０を設け、その上に第１の光磁気層
１１１を設け、その上に第２の光磁気層１１２を設け、
その上に第３の光磁気層１１３を設ける。次に基板１を
真空中で加熱し、しかる後保護層１１４を設けたもので
ある。すなわち、図３の製造工程図を用いて説明する
と、基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に装着し
（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装
置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空排気工
程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この成膜用
搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層
１１０を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、こ
の成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込
み第１の光磁気層１１１を成膜する（第１の光磁気層成
膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気
層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層１１２を成膜す
る（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。次に、この成膜用搬
送治具を第３の光磁気層スパッタ室に送り込み第３の光
磁気層１１３を成膜する（第３の光磁気層成膜工程
ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する
（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護
層スパッタ室に送り込み保護層１１４を成膜する（保護
層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出
室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から
基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層
成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着層
を設けたりして基板１と透明干渉層１１０との接着力を
高める工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパ
ッタ室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けたほ
うが望ましい。
【００７７】光磁気記録媒体は図１１のような構成のま
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１１４の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１１の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１１４の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１１４の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１１の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１１４の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
【００７８】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、第１の光磁気層１１１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、第１の光磁気層１１１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００７９】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【００８０】透明干渉層１００の材料としては窒化シリ
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１１０は多層膜で形成してもかまわない。
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１１０は多層膜で形成してもかまわない。
【００８１】保護層１１４の材料としては窒化シリコ
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコ
ンがとくに望ましい。保護層１１４は多層膜で形成して
もかまわない。
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコ
ンがとくに望ましい。保護層１１４は多層膜で形成して
もかまわない。
【００８２】第１の光磁気層１１１の材料としては、Ｔ
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第３の光磁気層１１３の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ等
の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層１１１
よりも低い垂直磁化可能なものが望ましく、第２の光磁
気層１１２の材料を選としては、ＮｄＧｄＦｅＣＯ，Ｎ
ｄＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＮｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＮｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＮｄＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏ
Ｃｒ，ＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，Ｇｄ
ＦｅＣｏＴａ，ＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＦｅＣｏＰｔ等
の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体が望ましい。
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第３の光磁気層１１３の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ等
の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体で読出温度での保磁力が第１の光磁気層１１１
よりも低い垂直磁化可能なものが望ましく、第２の光磁
気層１１２の材料を選としては、ＮｄＧｄＦｅＣＯ，Ｎ
ｄＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＮｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＮｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＮｄＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏ
Ｃｒ，ＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，Ｇｄ
ＦｅＣｏＴａ，ＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＦｅＣｏＰｔ等
の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェ
リ磁性体が望ましい。
【００８３】この具体例について図１１を用いて以下に
説明する。
説明する。
【００８４】案内溝が形成されている直径１３０mm，厚
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１１０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１１１を形成した。次に、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り５０オングストローム厚のＮｂＧｄＦｅＣｏＴｉの第
２の光磁気層１１２を形成した。次に、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＴｉターゲットをアルゴンガスでスパッタするこによ
り８００オングストローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの
非晶質の第３の光磁気層１１３を形成した。次に、基板
１を９０℃に１時間保持した後、シリコンターゲットを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより
８００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層１１
４を設け、図１１のような構成にした。この後、スパッ
タ装置から基板１を大気中に取り出した。次に、この保
護層１１４の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保
護膜を形成し、このような２枚のディスクを、基板１が
外側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせ
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００
rpm で回転させ、波長８３００オングストロームの半導
体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層１１１上
でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径３０mmの
ところで記録周波数２．１２MHz の信号を３値の光変調
で高レベル記録パワー９mW，低レベル記録パワー４．５
mWで、先行補助磁界６．５ｋエルステッド，記録磁界３
５０エルステッドでオーバーライト書込を行ったとこ
ろ、４６dBのＣ／Ｎが得られ、良好な特性のオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であることが確認された。こ
の光磁気記録媒体に書込を１０万回おこなった後に読出
をおこなっても特性に変化はなかった。また、この光磁
気記録媒体を８０℃という高温の環境に５００時間保存
した後でも特性に変化はなく、良好な光磁気記録媒体が
製造されたことが確認された。
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１１０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１１１を形成した。次に、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り５０オングストローム厚のＮｂＧｄＦｅＣｏＴｉの第
２の光磁気層１１２を形成した。次に、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＴｉターゲットをアルゴンガスでスパッタするこによ
り８００オングストローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの
非晶質の第３の光磁気層１１３を形成した。次に、基板
１を９０℃に１時間保持した後、シリコンターゲットを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより
８００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層１１
４を設け、図１１のような構成にした。この後、スパッ
タ装置から基板１を大気中に取り出した。次に、この保
護層１１４の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保
護膜を形成し、このような２枚のディスクを、基板１が
外側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせ
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００
rpm で回転させ、波長８３００オングストロームの半導
体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層１１１上
でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径３０mmの
ところで記録周波数２．１２MHz の信号を３値の光変調
で高レベル記録パワー９mW，低レベル記録パワー４．５
mWで、先行補助磁界６．５ｋエルステッド，記録磁界３
５０エルステッドでオーバーライト書込を行ったとこ
ろ、４６dBのＣ／Ｎが得られ、良好な特性のオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であることが確認された。こ
の光磁気記録媒体に書込を１０万回おこなった後に読出
をおこなっても特性に変化はなかった。また、この光磁
気記録媒体を８０℃という高温の環境に５００時間保存
した後でも特性に変化はなく、良好な光磁気記録媒体が
製造されたことが確認された。
【００８５】図４は本発明の他の一実施例を説明するた
めの製造工程図であり、図１２は図４に示す実施例を用
いて製造された先行補助磁界を必要としないオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の概略断面図である。
めの製造工程図であり、図１２は図４に示す実施例を用
いて製造された先行補助磁界を必要としないオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００８６】図１２に示す光磁気記録媒体は、基板１の
上に透明干渉層１２０を設け、その上に第１の光磁気層
１２１を設け、その上に第２の光磁気層１２２を設け、
その上に第３の光磁気層１２３を設け、その上に第４の
光磁気層１２４を設ける。次に基板１を真空中で加熱
し、しかる後保護層１２５を設けたものである。すなわ
ち、図４の製造工程図を用いて説明すると、基板１をス
パッタ装置の成膜用搬送治具に装着し（基板装着工程
ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装置の仕込室に送
り、そこで真空に排気する（真空排気工程ｂ）。ここで
所定の真空度に到達した後、この成膜用搬送治具を透明
干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層１２０を成膜す
る（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、この成膜用搬送治
具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込み第１の光磁気
層１２１を成膜する（第１の光磁気層成膜工程ｄ）。次
に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気層スパッタ室に
送り込み第２の光磁気層１２２を成膜する（第２の光磁
気層成膜工程ｅ）。次に、この成膜用搬送治具を第３の
光磁気層スパッタ室に送り込み第３の光磁気層１２３を
成膜する（第３の光磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成
膜用搬送治具を第４の光磁気層スパッタ室に送り込み第
４の光磁気層１２４を成膜する（第４の光磁気層成膜工
程ｇ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する
（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護
層スパッタ室に送り込み保護層１２５を成膜する（保護
層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出
室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から
基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層
成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着層
を設けたりして基板１と透明干渉層１２０との接着力を
高める工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパ
ッタ室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けたほ
うが望ましい。
上に透明干渉層１２０を設け、その上に第１の光磁気層
１２１を設け、その上に第２の光磁気層１２２を設け、
その上に第３の光磁気層１２３を設け、その上に第４の
光磁気層１２４を設ける。次に基板１を真空中で加熱
し、しかる後保護層１２５を設けたものである。すなわ
ち、図４の製造工程図を用いて説明すると、基板１をス
パッタ装置の成膜用搬送治具に装着し（基板装着工程
ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装置の仕込室に送
り、そこで真空に排気する（真空排気工程ｂ）。ここで
所定の真空度に到達した後、この成膜用搬送治具を透明
干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層１２０を成膜す
る（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、この成膜用搬送治
具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込み第１の光磁気
層１２１を成膜する（第１の光磁気層成膜工程ｄ）。次
に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気層スパッタ室に
送り込み第２の光磁気層１２２を成膜する（第２の光磁
気層成膜工程ｅ）。次に、この成膜用搬送治具を第３の
光磁気層スパッタ室に送り込み第３の光磁気層１２３を
成膜する（第３の光磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成
膜用搬送治具を第４の光磁気層スパッタ室に送り込み第
４の光磁気層１２４を成膜する（第４の光磁気層成膜工
程ｇ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱する
（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保護
層スパッタ室に送り込み保護層１２５を成膜する（保護
層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取出
室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部から
基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉層
成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着層
を設けたりして基板１と透明干渉層１２０との接着力を
高める工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはスパ
ッタ室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けたほ
うが望ましい。
【００８７】光磁気記録媒体は図１２のような構成のま
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１２５の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１２の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１２５の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１２５の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１２の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１２５の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
【００８８】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、第１の光磁気層１２１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、第１の光磁気層１２１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００８９】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【００９０】透明干渉層１２０の材料としては窒化シリ
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１２０は多層膜で形成してもかまわない。
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１２０は多層膜で形成してもかまわない。
【００９１】保護層１２５の材料としては窒化シリコ
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコ
ンがとくに望ましい。保護層１２５は多層膜で形成して
もかまわない。
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコ
ンがとくに望ましい。保護層１２５は多層膜で形成して
もかまわない。
【００９２】第１の光磁気層１２１の材料としては、Ｔ
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第２の光磁気層１２２の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴａ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での保
磁力が第１の光磁気層１２１よりも低い垂直磁化可能な
ものが望ましく、第３の光磁気層１２３の材料として
は、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅ
Ｎｉ，ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮ
ｂ，ＴｂＦｅＰｔ，ＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏＴｉ，
ＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＴａ，ＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＤｙＦ
ｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦ
ｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣ
ｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非
晶質合金のフェリ磁性体で垂直磁化可能なものが望まし
く、第４の光磁気層１２４の材料としては、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴ
ｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣ
ｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣＯ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＣ
ｏ，ＴｂＣｏＴｉ，ＴｂＣｏＣｒ，ＴｂＣｏＮｉ，Ｔｂ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＣｏＴａ，ＴｂＣｏＮｂ，ＴｂＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で垂直磁化可能なものでかつ上記３つの
光磁気層のキュリー温度よりも高いキュリー温度のもの
が望ましい。
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第２の光磁気層１２２の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴａ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での保
磁力が第１の光磁気層１２１よりも低い垂直磁化可能な
ものが望ましく、第３の光磁気層１２３の材料として
は、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅ
Ｎｉ，ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮ
ｂ，ＴｂＦｅＰｔ，ＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏＴｉ，
ＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＴａ，ＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＤｙＦ
ｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦ
ｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣ
ｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非
晶質合金のフェリ磁性体で垂直磁化可能なものが望まし
く、第４の光磁気層１２４の材料としては、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴ
ｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣ
ｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣＯ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＣ
ｏ，ＴｂＣｏＴｉ，ＴｂＣｏＣｒ，ＴｂＣｏＮｉ，Ｔｂ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＣｏＴａ，ＴｂＣｏＮｂ，ＴｂＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で垂直磁化可能なものでかつ上記３つの
光磁気層のキュリー温度よりも高いキュリー温度のもの
が望ましい。
【００９３】この具体例について図１２を用いて以下に
説明する。
説明する。
【００９４】案内溝が形成されている直径１３０mm，厚
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１２０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより６００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１２１を形成した。次に、ＧｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り１４００オングストローム厚のＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉ
の第２の光磁気層１２２を形成した。次に、ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉターゲットをアルゴンガスでスパッタするこによ
り２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の
第３の光磁気層１２３を形成した。次に、ＴｂＣｏＴｉ
ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４
００オングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第４
の光磁気層１２４を形成した。次に、基板１を９０℃に
１時間保持した後、シリコンターゲットをアルゴンと窒
素との混合ガスでスパッタすることにより８００オング
ストローム厚の窒化シリコンの保護層１２５を設け、図
１２のような構成にした。この後、スパッタ装置から基
板１を大気中に取り出した。次に、この保護層１２５の
上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射すること
によりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護膜を形成
し、このような２枚のディスクを、基板１が外側で各膜
が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。このよ
うにして作製した光磁気記録媒体を３０００rpm で回転
させ、波長８３００オングストロームの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層１２１上でおよそφ
１．４μm に絞って照射した。半径３０mmのところで３
値の光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エ
ルステッドでオーバーライト書込を行ったところ、良好
な特性のオーバーライト可能な光磁気記録媒体であるこ
とが確認された。この光磁気記録媒体に書込を１万回お
こなった後に読出をおこなっても特性に変化はなかっ
た。また、この光磁気記録媒体を６０℃という高温の環
境に５００時間保存した後でも特性に変化はなく、良好
な光磁気記録媒体が製造されたことが確認された。
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１２０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより６００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１２１を形成した。次に、ＧｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り１４００オングストローム厚のＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉ
の第２の光磁気層１２２を形成した。次に、ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉターゲットをアルゴンガスでスパッタするこによ
り２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の
第３の光磁気層１２３を形成した。次に、ＴｂＣｏＴｉ
ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４
００オングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第４
の光磁気層１２４を形成した。次に、基板１を９０℃に
１時間保持した後、シリコンターゲットをアルゴンと窒
素との混合ガスでスパッタすることにより８００オング
ストローム厚の窒化シリコンの保護層１２５を設け、図
１２のような構成にした。この後、スパッタ装置から基
板１を大気中に取り出した。次に、この保護層１２５の
上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射すること
によりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護膜を形成
し、このような２枚のディスクを、基板１が外側で各膜
が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。このよ
うにして作製した光磁気記録媒体を３０００rpm で回転
させ、波長８３００オングストロームの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層１２１上でおよそφ
１．４μm に絞って照射した。半径３０mmのところで３
値の光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エ
ルステッドでオーバーライト書込を行ったところ、良好
な特性のオーバーライト可能な光磁気記録媒体であるこ
とが確認された。この光磁気記録媒体に書込を１万回お
こなった後に読出をおこなっても特性に変化はなかっ
た。また、この光磁気記録媒体を６０℃という高温の環
境に５００時間保存した後でも特性に変化はなく、良好
な光磁気記録媒体が製造されたことが確認された。
【００９５】図５は本発明の他の一実施例を説明するた
めの製造工程図であり、図１３は図５に示す実施例を用
いて製造された先行補助磁界を必要としないオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の概略断面図である。
めの製造工程図であり、図１３は図５に示す実施例を用
いて製造された先行補助磁界を必要としないオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００９６】図１３に示す光磁気記録媒体は、基板１の
上に透明干渉層１３０を設け、その上に第１の光磁気層
１３１を設け、その上に第２の光磁気層１３２を設け、
その上に第３の光磁気層１３３を設け、その上に第４の
光磁気層１３４を設け、その上に第５の光磁気層１３５
を設ける。次に基板１を真空中で加熱し、しかる後保護
層１３６を設けたものである。すなわち、図５の製造工
程図を用いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜
用搬送治具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬
送治具をスパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排
気する（真空排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達
した後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に
送り込み透明干渉層１３０を成膜する（透明干渉層成膜
工程ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層
スパッタ室に送り込み第１の光磁気層１３１を成膜する
（第１の光磁気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送
治具を第２の光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁
気層１３２を成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。
次に、この成膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室
に送り込み第３の光磁気層１３３を成膜する（第３の光
磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を第４
の光磁気層スパッタ室に送り込み第４の光磁気層１３４
を成膜する（第４の光磁気層成膜工程ｇ）。次に、この
成膜用搬送治具を第５の光磁気層スパッタ室に送り込み
第５の光磁気層１３５を成膜する（第５の光磁気層成膜
工程ｈ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱す
る（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保
護層スパッタ室に送り込み保護層１３６を成膜する（保
護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取
出室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部か
ら基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉
層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着
層を設けたりして基板１と透明干渉層１３０との接着力
を高める工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはス
パッタ室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けた
ほうが望ましい。
上に透明干渉層１３０を設け、その上に第１の光磁気層
１３１を設け、その上に第２の光磁気層１３２を設け、
その上に第３の光磁気層１３３を設け、その上に第４の
光磁気層１３４を設け、その上に第５の光磁気層１３５
を設ける。次に基板１を真空中で加熱し、しかる後保護
層１３６を設けたものである。すなわち、図５の製造工
程図を用いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜
用搬送治具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬
送治具をスパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排
気する（真空排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達
した後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に
送り込み透明干渉層１３０を成膜する（透明干渉層成膜
工程ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層
スパッタ室に送り込み第１の光磁気層１３１を成膜する
（第１の光磁気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送
治具を第２の光磁気層スパッタ室に送り込み第２の光磁
気層１３２を成膜する（第２の光磁気層成膜工程ｅ）。
次に、この成膜用搬送治具を第３の光磁気層スパッタ室
に送り込み第３の光磁気層１３３を成膜する（第３の光
磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を第４
の光磁気層スパッタ室に送り込み第４の光磁気層１３４
を成膜する（第４の光磁気層成膜工程ｇ）。次に、この
成膜用搬送治具を第５の光磁気層スパッタ室に送り込み
第５の光磁気層１３５を成膜する（第５の光磁気層成膜
工程ｈ）。次に、この成膜用搬送治具を真空中で加熱す
る（基板加熱工程ｉ）。次に、この成膜用搬送治具を保
護層スパッタ室に送り込み保護層１３６を成膜する（保
護層成膜工程ｊ）。しかる後、この成膜用搬送治具を取
出室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装置内部か
ら基板を取出す（基板取出工程ｋ）。ここで、透明干渉
層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタしたり、付着
層を設けたりして基板１と透明干渉層１３０との接着力
を高める工程を入れる場合もある。基板加熱工程ｉはス
パッタ室でおこなってもよいが、専用の真空室を設けた
ほうが望ましい。
【００９７】光磁気記録媒体は図１３のような構成のま
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１３６の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１３の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１３６の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
まで、レーザー光を基板１を通して入射することにより
情報の書込・読出を行う場合もあるが、保護層１３６の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１３の光磁
気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせて書込
・読出を行う場合もある。このとき、保護層１３６の上
にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行ってから貼合
わせてもよい。
【００９８】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、第１の光磁気層１３１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、第１の光磁気層１３１の近傍でおよそφ
１．４μm になるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６７００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００９９】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。
【０１００】透明干渉層１３０の材料としては窒化シリ
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１３０は多層膜で形成してもかまわない。
コン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金
属窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合
物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金
属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との
混合物，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウ
ム，窒化酸化シリコン，サイアロンが望ましい。透明干
渉層１３０は多層膜で形成してもかまわない。
【０１０１】保護層１３６の材料としては窒化シリコ
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコ
ンがとくに望ましい。保護層１３６は多層膜で形成して
もかまわない。
ン，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属
窒化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，
硫化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホ
ウ化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合
物、高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒
化酸化シリコン，サイアロンが望ましいが、窒化シリコ
ンがとくに望ましい。保護層１３６は多層膜で形成して
もかまわない。
【０１０２】第１の光磁気層１３１の材料としては、Ｔ
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第３の光磁気層１３３の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴａ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での保
磁力が第１の光磁気層１３１よりも低い垂直磁化可能な
ものが望ましく、第４の光磁気層１３４の材料として
は、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅ
Ｎｉ，ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮ
ｂ，ＴｂＦｅＰｔ，ＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏＴｉ，
ＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＴａ，ＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＤｙＦ
ｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦ
ｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣ
ｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と
希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で垂直磁
化可能なものが望ましく、第５の光磁気層１３５の材料
としては、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，
ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮ
ｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦ
ｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｐｔ，ＴｂＣｏ，ＴｂＣｏＴｉ，ＴｂＣｏＣｒ，ＴｂＣ
ｏＮｉ，ＴｂＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＣｏＴａ，ＴｂＣｏＮ
ｂ，ＴｂＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
の非晶質合金のフェリ磁性体で垂直磁化可能なものでか
つ上記３つの光磁気層のキュリー温度よりも高いキュリ
ー温度のものが望ましく、第２の光磁気層１３２の材料
としては、ＮｄＧｄＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ，
ＮｄＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＮｄＧ
ｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＴａ，ＮｄＧｄ
ＦｅＣｏＮｂ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＰｔ，ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＮ
ｉ，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＴａ，ＧｄＦ
ｅＣｏＮｂ，ＧｄＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土
類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体が望ましい。
ｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅＮｉ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，Ｔｂ
ＦｅＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｐｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金
のフェリ磁性体で読出温度で高保磁力の垂直磁化可能な
ものが望ましく、第３の光磁気層１３３の材料として
は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＴａ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷
移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で読出温度での保
磁力が第１の光磁気層１３１よりも低い垂直磁化可能な
ものが望ましく、第４の光磁気層１３４の材料として
は、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，ＴｂＦｅ
Ｎｉ，ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮ
ｂ，ＴｂＦｅＰｔ，ＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏＴｉ，
ＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＤｙＦｅＣｏＴａ，ＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＤｙＦ
ｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦ
ｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣ
ｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と
希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体で垂直磁
化可能なものが望ましく、第５の光磁気層１３５の材料
としては、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏＮｂ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＦｅＣｏ，
ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮ
ｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，ＴｂＦ
ｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｐｔ，ＴｂＣｏ，ＴｂＣｏＴｉ，ＴｂＣｏＣｒ，ＴｂＣ
ｏＮｉ，ＴｂＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＣｏＴａ，ＴｂＣｏＮ
ｂ，ＴｂＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
の非晶質合金のフェリ磁性体で垂直磁化可能なものでか
つ上記３つの光磁気層のキュリー温度よりも高いキュリ
ー温度のものが望ましく、第２の光磁気層１３２の材料
としては、ＮｄＧｄＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ，
ＮｄＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＮｄＧ
ｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＴａ，ＮｄＧｄ
ＦｅＣｏＮｂ，ＮｄＧｄＦｅＣｏＰｔ，ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＮ
ｉ，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＴａ，ＧｄＦ
ｅＣｏＮｂ，ＧｄＦｅＣｏＰｔ等の鉄族遷移金属と希土
類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体が望ましい。
【０１０３】この具体例について図１３を用いて以下に
説明する。
説明する。
【０１０４】案内溝が形成されている直径１３０mm，厚
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１３０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより６００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１３１を形成した。次に、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第
２の光磁気層１３２を形成した。次に、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏＴｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることに
より１４００オングストローム厚のＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ｉの第３の光磁気層１３３を形成した。次に、ＴｂＦｅ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の
第４の光磁気層１３４を形成した。次に、ＴｂＣｏＴｉ
ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４
００オングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第５
の光磁気層１３５を形成した。次に、基板１を９０℃に
１時間保持した後、シリコンターゲットをアルゴンと窒
素との混合ガスでスパッタすることにより８００オング
ストローム厚の窒化シリコンの保護層１３６を設け、図
１３のような構成にした。この後、スパッタ装置から基
板１を大気中に取り出した。次に、この保護層１３６の
上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射すること
によりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護膜を形成
し、このような２枚のディスクを、基板１が外側で各膜
が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。このよ
うにして作製した光磁気記録媒体を３０００rpm で回転
させ、波長８３００オングストロームの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層１３１上でおよそφ
１．４μm に絞って照射した。半径３０mmのところで３
値の光変調で先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エル
ステッドでオーバーライト書込を行ったところ、良好な
特性のオーバーライト可能な光磁気記録媒体であること
が確認された。この光磁気記録媒体に書込を１万回おこ
なった後に読出をおこなっても特性に変化はなかった。
また、この光磁気記録媒体を６０℃という高温の環境に
５００時間保存した後でも特性に変化はなく、良好な光
磁気記録媒体が製造されたことが確認された。
さ１．２０mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板１
をスパッタ装置内に載置し、５×１０-7Torr以下に真空
排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２オン
グストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタするこ
とにより８００オングストローム厚の窒化シリコンの透
明干渉層１３０を設けた。次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより６００
オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第１
の光磁気層１３１を形成した。次に、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第
２の光磁気層１３２を形成した。次に、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏＴｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることに
より１４００オングストローム厚のＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ｉの第３の光磁気層１３３を形成した。次に、ＴｂＦｅ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることによ
り２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の
第４の光磁気層１３４を形成した。次に、ＴｂＣｏＴｉ
ターゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより４
００オングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第５
の光磁気層１３５を形成した。次に、基板１を９０℃に
１時間保持した後、シリコンターゲットをアルゴンと窒
素との混合ガスでスパッタすることにより８００オング
ストローム厚の窒化シリコンの保護層１３６を設け、図
１３のような構成にした。この後、スパッタ装置から基
板１を大気中に取り出した。次に、この保護層１３６の
上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射すること
によりＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合保護膜を形成
し、このような２枚のディスクを、基板１が外側で各膜
が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。このよ
うにして作製した光磁気記録媒体を３０００rpm で回転
させ、波長８３００オングストロームの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層１３１上でおよそφ
１．４μm に絞って照射した。半径３０mmのところで３
値の光変調で先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エル
ステッドでオーバーライト書込を行ったところ、良好な
特性のオーバーライト可能な光磁気記録媒体であること
が確認された。この光磁気記録媒体に書込を１万回おこ
なった後に読出をおこなっても特性に変化はなかった。
また、この光磁気記録媒体を６０℃という高温の環境に
５００時間保存した後でも特性に変化はなく、良好な光
磁気記録媒体が製造されたことが確認された。
【０１０５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法を用いれば、高い温度に長時間保存し
たり、記録を何度もおこなっても、光磁気記録媒体の書
込・読出特性が変化しないという効果がある。
録媒体の製造方法を用いれば、高い温度に長時間保存し
たり、記録を何度もおこなっても、光磁気記録媒体の書
込・読出特性が変化しないという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図３】本発明の第３の実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図４】本発明の第４の実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図５】本発明の第５の実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図６】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の概
略断面図である。
略断面図である。
【図７】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の概
略断面図である。
略断面図である。
【図８】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の概
略断面図である。
略断面図である。
【図９】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の概
略断面図である。
略断面図である。
【図１０】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１１】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１２】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１３】本発明を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１４】従来の製造方法を説明するための製造工程図
である。
である。
【図１５】従来例を説明するための製造工程図である。
【図１６】従来例を説明するための製造工程図である。
【図１７】従来例を説明するための製造工程図である。
【図１８】従来例を説明するための製造工程図である。
【図１９】従来例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２０】従来例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２１】従来例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２２】従来例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２３】従来例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２４】従来例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
概略断面図である。
１ 基板
６０，７０，８０，９０，１００，１１０，１２０，１
３０ 透明干渉層 ６１，７１ 光磁気層 ８１，９１，１０１，１１１，１２１，１３１ 第１
の光磁気層 ８２，９２，１０２，１１２，１２２，１３２ 第２
の光磁気層 １１３，１２３，１３３ 第３の光磁気層 １２４，１３４ 第４の光磁気層 １３５ 第５の光磁気層 ６２，７２，８３，９３，１０３，１１４，１２５，１
３６ 保護層 ７３ 反射層 ９４ 放熱層 １９０，２００，２１０，２２０，２３０，２４０
透明干渉層 １９１ 光磁気層 ２０１，２１１，２２１，２３１，２４１ 第１の光
磁気層 ２０２，２１２，２２２，２３２，２４２ 第２の光
磁気層 ２２３，２３３，２４３ 第３の光磁気層 ２３４，２４４ 第４の光磁気層 ２４５ 第５の光磁気層 １９２，２０３，２１３，２２４，２３５，２４６
保護層 ａ 基板接着工程 ｂ 真空排気工程 ｃ 透明干渉層成膜工程 ｄ 第１の光磁気層成膜工程 ｅ 第２の光磁気層成膜工程 ｆ 第３の光磁気層成膜工程 ｇ 第４の光磁気層成膜工程 ｈ 第５の光磁気層成膜工程 ｉ 基板加熱工程 ｊ 保護層成膜工程 ｋ 基板取出工程
３０ 透明干渉層 ６１，７１ 光磁気層 ８１，９１，１０１，１１１，１２１，１３１ 第１
の光磁気層 ８２，９２，１０２，１１２，１２２，１３２ 第２
の光磁気層 １１３，１２３，１３３ 第３の光磁気層 １２４，１３４ 第４の光磁気層 １３５ 第５の光磁気層 ６２，７２，８３，９３，１０３，１１４，１２５，１
３６ 保護層 ７３ 反射層 ９４ 放熱層 １９０，２００，２１０，２２０，２３０，２４０
透明干渉層 １９１ 光磁気層 ２０１，２１１，２２１，２３１，２４１ 第１の光
磁気層 ２０２，２１２，２２２，２３２，２４２ 第２の光
磁気層 ２２３，２３３，２４３ 第３の光磁気層 ２３４，２４４ 第４の光磁気層 ２４５ 第５の光磁気層 １９２，２０３，２１３，２２４，２３５，２４６
保護層 ａ 基板接着工程 ｂ 真空排気工程 ｃ 透明干渉層成膜工程 ｄ 第１の光磁気層成膜工程 ｅ 第２の光磁気層成膜工程 ｆ 第３の光磁気層成膜工程 ｇ 第４の光磁気層成膜工程 ｈ 第５の光磁気層成膜工程 ｉ 基板加熱工程 ｊ 保護層成膜工程 ｋ 基板取出工程
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、該透明干渉層上に光磁気層を形成する光
磁気層成膜工程と、該光磁気層上に保護層を形成する保
護層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことなく真空中
で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法において、前
記光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜工程の前
に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を行うこと
を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、該透明干渉層上に第１の光磁気層を形成
する第１の光磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層上に
第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、
該第２の光磁気層上に保護層を形成する保護層成膜工程
とを、該基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行
う光磁気記録媒体の製造方法において、前記第２の光磁
気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜工程の前に真空
中で前記基板を加熱する基板加熱工程を行うことを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、該透明干渉層上に第１の光磁気層を形成
する第１の光磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層上に
第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、
該第２の光磁気層上に第３の光磁気層を形成する第３の
光磁気層成膜工程と、該第３の光磁気層上に保護層を形
成する保護層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことな
く真空中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記第３の光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護
層成膜工程の前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱
工程を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】 基板上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、該透明干渉層上に第１の光磁気層を形成
する第１の光磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層上に
第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、
該第２の光磁気層上に第３の光磁気層を形成する第３の
光磁気層成膜工程と、該第３の光磁気層上に第４の光磁
気層を形成する第４の光磁気層成膜工程と、該第４の光
磁気層上に保護層を形成する保護層成膜工程とを、該基
板を大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁気記
録媒体の製造方法において、前記第４の光磁気層成膜工
程の後でかつ前記保護層成膜工程の前に真空中で前記基
板を加熱する基板加熱工程を行うことを特徴とする光磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、該透明干渉層上に第１の光磁気層を形成
する第１の光磁気層成膜工程と、該第１の光磁気層上に
第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、
該第２の光磁気層上に第３の光磁気層を形成する第３の
光磁気層成膜工程と、該第３の光磁気層上に第４の光磁
気層を形成する第４の光磁気層成膜工程と、該第４の光
磁気層上に第５の光磁気層を形成する第５の光磁気層成
膜工程と、該第５の光磁気層上に保護層を形成する保護
層成膜工程とを、該基板を大気に曝すことなく真空中で
連続して行う光磁気記録媒体の製造方法において、前記
第５の光磁気層成膜工程の後でかつ前記保護層成膜工程
の前に真空中で前記基板を加熱する基板加熱工程を行う
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18668691A JPH0528558A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18668691A JPH0528558A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528558A true JPH0528558A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16192867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18668691A Pending JPH0528558A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528558A (ja) |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18668691A patent/JPH0528558A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990623 |