JPH05286169A - イオンフロー静電記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は長時間の高温下でも誘電体層が劣化せ
ず、マイカと同程度の高精細な画像を形成し、コスト低
下を図ることを最も主要な特徴とする。 【構成】イオンフロー静電記録ヘッド１の誘電体層形成
用の金属化合物および溶媒が混入されたゾル物質をイオ
ンフロー静電記録ヘッド１の絶縁基板２上およびこの絶
縁基板２上に積層された第１電極３…の表面に塗布した
のち、ゲル化するゾルーゲル法により誘電体層４を形成
したことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は例えば静電式の印刷や複
写を行なう静電記録装置に使われるイオンフロー静電記
録ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、例えば静電印刷等において、高
電流密度のイオンを発生させ、これを抽出して選択的に
被帯電部材に付与して、この被帯電部材を画像状に帯電
させる静電記録装置が知られている。

【０００３】この静電記録装置に用いられるイオンフロ
ー静電記録ヘッドは誘電体層とその誘電体層の一方の側
に固着され、第１の方向に伸びる複数の第１電極と、誘
電体層の他方の側に固着され、第１電極の伸び方向と交
差する方向に伸びる複数の第２電極とを有し、複数の第
１電極と複数の第２電極とでマトリックスを構成する。
そして、この第２電極のマトリックスと対応する部位に
はイオン発生用の開口部が形成されている。

【０００４】また、第２電極の第１電極と反対側には第
３電極が配設されている。この第３電極と第２電極との
間には絶縁体層が配設されている。これらの絶縁体層お
よび第３電極には第２電極の開口部と対応する開口部が
形成されており、これらの開口部によってイオン流通過
口が形成されている。

【０００５】そして、第１電極と第２電極との間のマト
リックスの選択された部分に対応する第１電極と第２電
極との間に交互に高電圧を印加することにより、その部
分に対向する第２電極の開口部近傍に正・負のイオンが
発生する。

【０００６】また、第２電極と第３電極との間にはバイ
アス電圧が印加され、その極性によって決まるイオンの
みが発生したイオンから選択的に抽出され、イオン流通
過口を通過し、第３電極と対向配置される被帯電部材を
部分的に帯電させることができる。したがって、マトリ
ックス構造の電極を選択的に駆動することにより、ドッ
トによる静電記録を行なうことができる。

【０００７】ここで使用される誘電体層を形成する誘電
物質はイオン発生のために印加される高電圧でも絶縁破
壊しないことが要求される。また、誘電体層はイオンを
効率よく発生させ、絶縁破壊にも耐えられる程度の厚さ
が必要となるため、高い誘電率を有するものが適してい
る。

【０００８】そこで、従来からイオンフロー静電記録ヘ
ッドの誘電物質としては一般にマイカが用いられてい
る。そして、このマイカは例えば有機ポリシロキサン系
の粘着剤により電極に固着されている。

【０００９】また、最近では特開平２−１５３７６０号
公報のように、シリコーン変性ポリエステルーアルキド
樹脂といった有機高分子材料に酸化チタンの微粉末を分
散させて誘電体層を形成させる方法が提唱されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来から用いられてい
る誘電物質としてのマイカは、電気的特性や耐久性は他
の誘電体より優れているが、天然物であるため、均一な
厚さ、均一な電気特性、ピンホール等の欠陥のない均質
性等の特性を満足する材料を選定、選別することが、非
常に困難であり、歩留まりが悪く、結果として高価なも
のとなる。

【００１１】また、特開平２−１５３７６０号公報に記
載されているようにシリコーン変性ポリエステルーアル
キド樹脂といった有機高分子材料に酸化チタンの微粉末
を分散させてペースト状にしたものを、直接電極上に塗
布し、硬化させる方法では、ペーストの乾燥、硬化がそ
れぞれ１００℃で１時間、１５０℃で５時間といった高
温長時間の条件で行われる。

【００１２】さらに、イオンフロー静電記録ヘッドの動
作時には第１、第２電極間の高電圧下での放電により、
この放電部の周辺の部材、特に第１、第２電極間に存在
する誘電体層は高温に曝される。

【００１３】この誘電体層のバインダーとして有機高分
子系樹脂を用いた場合には高分子樹脂中にいくら高誘電
率粉末を分散させても、高電圧印加状態という厳しい使
用環境下では、比較的短時間で誘電体層のバインダーが
熱酸化劣化を生じ、高分子鎖がバラバラに切断され、誘
電体層の表面から次第に粉を吹く現象が見られる。

【００１４】従って、経時的に第２電極のイオン発生用
の各開口部内での電気特性が変化し、均一にイオンを発
生できない部分が現れたり、漏電及び短絡現象が起きる
おそれがあるので、イオンフロー静電記録ヘッドの初期
の電気特性を維持できなくなるおそれがあり、イオンフ
ロー静電記録ヘッドの動作時に高精細な画像が得られな
い問題がある。

【００１５】この発明は上記事情に着目してなされたも
ので、その目的は、長時間の高温下でも誘電体層が劣化
せず、マイカと同程度の高精細な画像形成が可能で、コ
スト低下が図れるイオンフロー静電記録ヘッドの製造方
法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は少なくともイオ
ンフロー静電記録ヘッドの誘電体層形成用の金属化合物
および溶媒が混入されたゾル物質を前記イオンフロー静
電記録ヘッドの絶縁基板上およびこの絶縁基板上に積層
された第１電極の表面に塗布したのち、ゲル化するゾル
ーゲル法により誘電体層を形成する工程を設けたもので
ある。

【００１７】

【作用】上記の方法ではイオンフロー静電記録ヘッド本
体の製造時にはゾル物質をイオンフロー静電記録ヘッド
の絶縁基板上およびこの絶縁基板上に積層された第１電
極の表面に直接塗布したのち、ゲル化するゾルーゲル法
によってセラミック製の誘電体層を形成することによ
り、誘電体層を高耐熱性・低熱膨張率に形成することが
でき、かつ放電による熱酸化劣化を受けにくくして初期
の電気特性を長時間維持することができる。さらに、形
成された誘電体層の表面は高温で低速昇温の為にレベリ
ングし、平滑で接着性も良好なものとなり、第２電極の
接着精度も向上することにより、誘電体層を挟んだ放電
は経時的に安定化し、発生するイオン量は均一となり、
高精細で耐久性も向上できるようにしたものである。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例について図面を
参照して説明する。図１（Ａ），（Ｂ）は静電記録装置
のイオンフロー静電記録ヘッド１の概略構成を示すもの
で、２はイオンフロー静電記録ヘッド１の絶縁基板であ
る。

【００１９】この絶縁基板２上にはイオン発生用の誘導
電極である複数の第１電極３…が設けられている。これ
らの複数の第１電極３…は一方向に向けて略平行に並設
されている。また、絶縁基板２上には第１電極３…の並
設面側にこれらの第１電極３…を埋設する状態で誘電体
層４が設けられている。

【００２０】この誘電体層４は絶縁基板２よび第１電極
３…上に塗布された誘電体層形成用のゾル物質をゾルー
ゲル法によってゲル化させて形成されている。また、誘
電体層４の表面には接着剤層５を介して放電電極である
複数の第２電極６…が接着されている。

【００２１】さらに、複数の第２電極６…は誘電体層４
における絶縁基板２とは反対側の面に第１電極３…と交
差する方向に並設されており、第１電極３…と第２電極
６…とによってマトリックスが構成されている。そし
て、第２電極６…にはこのマトリックスと対応する部位
にそれぞれイオン発生用の開口部６ａ…が形成されてい
る。

【００２２】また、誘電体層４の第２電極６…の並設面
側には第２電極６…を埋設する状態で絶縁体層７が設け
られている。この絶縁体層７には第２電極６…の各開口
部６ａ…と対応する部位に開口部７ａ…が形成されてい
る。

【００２３】さらに、絶縁体層７の表面には帯状の第３
電極８が設けられている。この第３電極８には第１電極
３…と第２電極６…とのマトリックスと対応する部位に
開口部８ａ…が形成されている。この第３電極８の開口
部８ａ…は絶縁体層７の開口部７ａ…および第２電極６
…の開口部６ａ…と連通されてイオンフロー静電記録ヘ
ッド１のイオン流通過口９…が形成されている。

【００２４】そして、イオンフロー静電記録ヘッド１の
動作時には印字信号にもとづいて第１電極３…と第２電
極６…との間のマトリックスが適宜選択され、選択され
たマトリックス部分に対応する第１電極３…と第２電極
６…との間に交流電圧が印加される。

【００２５】これにより、選択されたマトリックス部分
に対応する第２電極６…の開口部６ａ…内の近傍部位に
正・負イオンが発生する。このとき、第２電極６…と第
３電極８との間にはバイアス電圧が印加され、その極性
によって決まるイオンのみが第２電極６…の開口部６ａ
…内の近傍部位に発生したイオンから抽出される。

【００２６】そして、抽出されたイオンは絶縁体層７の
開口部７ａおよび第３電極８の開口部８ａ…を通過し、
図示しない誘電体ドラムを局部的に帯電させる。したが
って、第１電極３…および第２電極６…の選択的駆動に
より、誘電体ドラム上にドット潜像を形成することがで
きる。

【００２７】次に、図１（Ａ），（Ｂ）のイオンフロー
静電記録ヘッド１の製造方法について詳細に説明する。
まず、絶縁基板２上に第１電極３…が形成される。この
場合、絶縁基板２は例えば厚さ１ｍｍのアルミナ製プリ
ント基板（セラミック基板）である。この絶縁基板２に
はスクリーン印刷で白金ペーストが第１電極３のパター
ンで塗布され、焼き付けて厚さ２０μｍの第１電極３が
形成される。

【００２８】また、絶縁基板２上に第１電極３…を形成
した後、絶縁基板２上の第１電極３のパターン間および
第１電極３…上にゾルーゲル法によって誘電体層４が形
成される。

【００２９】この誘電体層４の形成作業時には珪素とチ
タンを主とした金属アルコキシド系の金属化合物のアル
コール溶液からなるコーティング剤（ゾル物質）、例え
ば日板研究所製の「セラミカＴＳ−１００」（商品名）
がディッピングにより絶縁基板２および第１電極３…上
に塗布される。

【００３０】さらに、塗布されたコーティング剤はま
ず、５０℃で１時間加熱され、さらに１００℃で３０
分、続いて１４０℃で２０分間加熱されて溶剤が除去さ
れ、ゲル化される。このゲル化された誘電体物質の上
に、再度コーティング剤が塗布され、同様に３段階でプ
ログラム加熱されてゲル化される。

【００３１】このようにコーティング剤が塗布され、３
段階でプログラム加熱されてゲル化される動作が１１回
繰り返される。この後、ゲル化された誘電体物質の積層
体が７〜１０℃／分で３００℃まで加熱され、続いて４
℃／分で３７０℃まで加熱され、この温度で１０分間保
持された後、この誘電体物質は２０〜４０℃／分でゆっ
くりと冷却される。このようにして、図２に示すように
第１電極３…上に厚さ３３μｍの誘電体層４が形成され
る。

【００３２】次に、誘電体層４の表面上に接着剤層５を
介して第２電極６…の電極板が固着される。この第２電
極６…は予め厚さ３０μｍのステンレス箔をエッチング
等で複数の第２電極６…および各第２電極６の開口部６
ａ…の電極パターンがそれぞれパターニングされた電極
板によって形成されている。

【００３３】そして、この第２電極６…の電極板は図３
に示すように第２電極６…の各開口部６ａ…を複数の第
１電極３…に位置合わせした状態で、誘電体層４上に接
着剤層５を介して接合される。接着剤層５はシリコーン
系接着剤をトルエンで４倍に希釈したものを、誘電体層
４および絶縁基板２上に、スプレーまたはディッピング
で塗布し、７０℃で５分加熱し、溶剤分を揮発・乾燥さ
せた後、接着する。

【００３４】次に、誘電体層４および絶縁基板２上と第
２電極６…との間に挟まれた接着剤層５を、１３０℃の
熱板上にて１０分間、８Ｋｇ／ｃｍ² の荷重下で加熱硬
化させる。ここで、絶縁基板２、第２電極６…およびそ
の開口部６ａ…内の接着剤層５上をシランカップリング
剤で処理しておく。

【００３５】その後、絶縁基板２、第２電極６およびこ
の第２電極６の開口部６ａ内の接着剤層５上に絶縁体層
７が形成される。この絶縁体層７の形成作業時には第２
電極６の上に感光性絶縁フィルム（ソルダーレジスト）
が真空ラミネートされる。その後、通常の感光性フィル
ムと同様に、露光・現像等のフォトエッチング処理が施
されてこの絶縁フィルムに、複数の第２電極６…の開口
部６ａ…に対応したイオン流通過用の開口部７ａ…が形
成される。

【００３６】次に、このように形成された絶縁体層７の
上に例えば厚さ３０μｍ程度のステンレス箔に第２電極
６…の開口部６ａ…と対応した開口部８ａ…が形成され
た第３電極８が例えば接着等の手段で接合される。この
場合、第３電極８がその開口部８ａ…を第２電極６…の
開口部６ａ…と対応させた状態で位置決めして重ね合わ
されることにより、イオンフロー静電記録ヘッド１が製
造される。なお、絶縁体層７と第３電極８とは粘着剤や
両面テープで貼り合わせる他、第３電極８を片面テープ
で絶縁体層７に貼り付けてもよい。

【００３７】そこで、上記方法にあってはイオンフロー
静電記録ヘッド１の製造時にはゾル物質をイオンフロー
静電記録ヘッド１の絶縁基板２上およびこの絶縁基板２
上に積層された第１電極３…の表面に直接塗布したの
ち、ゲル化するゾルーゲル法によってセラミック製の誘
電体層４を形成するようにしたので、誘電体層４を高耐
熱性・低熱膨張率に形成することができ、かつ放電によ
る熱酸化劣化を受けにくくして初期の電気特性を長時間
維持することができる。

【００３８】さらに、形成された誘電体層４の表面は高
温で低速昇温するプログラム加熱が施されているので、
略平滑にレベリングされる。そのため、誘電体層４にお
ける第２電極６…との接合面は平滑で、第２電極６…と
の接着性も良好なものとなるので、第２電極６…の接着
精度も向上する。この結果、誘電体層４を挟んだ放電は
経時的に安定化し、発生するイオン量は均一となり、高
精細な画像を形成できるとともに、耐久性も向上でき
る。

【００３９】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。これは、誘電体層４の形成作業時にゾル物質とし
てチタン系金属化合物を主とする材料、例えば日本曹達
社製の「アトロンＮＴｉ−５００」（商品名）を用いた
ものである。このゾル物質は圧力２ｋｇ／ｃｍ² のスプ
レーで絶縁基板２および第１電極３…上に塗布され、ゲ
ル化されて誘電体層４として用いられる。その他は第１
の実施例と同様である。

【００４０】また、このゾル物質を用いた場合には第１
の実施例と同様の条件で乾燥が行なわれる。すなわち、
まず５０℃で１時間加熱され、次に１００℃で３０分、
１４０℃で２０分加熱されて溶剤が除去され、ゲル化さ
れる。

【００４１】さらに、このようにコーティング剤が塗布
され、３段階でプログラム加熱されてゲル化される動作
が１００回繰り返される。この繰り返しは例えばスプレ
ー噴出機および赤外線乾燥炉の連続搬送装置を用いて行
なわれる。

【００４２】この後、続いて７〜１０℃／分で３００℃
まで加熱され、その後４℃／分で３７０℃まで加熱さ
れ、更にこの温度で１０分間保持された後、２０〜４０
℃／分でゆっくりと冷却される。このようにして、第１
電極３…上に厚さ１０μｍの酸化チタンの誘電体層４が
形成される。

【００４３】このようにして製造されたイオンフロー静
電記録ヘッド１は誘電体層４が酸化チタンのセラミック
製であるので、高耐熱性・低熱膨張率で、かつ放電によ
る熱酸化劣化を受けにくく、初期の電気特性を長時間維
持することができる。

【００４４】さらに、誘電体層４の成形時には高温で低
速昇温するプログラム加熱が施されるので、形成された
誘電体層４の表面は略平滑にレベリングされる。そのた
め、誘電体層４における第２電極６…との接合面は平滑
で、第２電極６…との接着性も良好なものとなるので、
第２電極６…の接着精度も向上する。この結果、誘電体
層４を挟んだ放電は経時的に安定化し、発生するイオン
量は均一となり、高精細な画像を形成できるとともに、
耐久性も向上できる。

【００４５】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。これは、誘電体層４の形成作業時にゾル物質とし
てチタン酸ジルコン酸鉛系金属化合物を主とする材料、
例えば三菱マテリアル社製の「ＰＬＺＴ−Ｈ」（商品
名）を用いたものである。このゾル物質は圧力２ｋｇ／
ｃｍ² のスプレーで絶縁基板２および第１電極３…上に
塗布され、ゲル化されて誘電体層４として用いられる。
その他は、第１の実施例と同様である。

【００４６】また、このゾル物質を用いた場合には第１
の実施例と同様の条件で乾燥が行なわれる。すなわち、
まず５０℃で１時間加熱され、次に１００℃で３０分、
１４０℃で２０分加熱されて溶剤が除去され、ゲル化さ
れる。

【００４７】さらに、このようにコーティング剤が塗布
され、３段階でプログラム加熱されてゲル化される動作
が５０回繰り返される。この繰り返しは例えばスプレー
噴出機と赤外線乾燥炉の連続搬送装置を用いて行なわれ
る。

【００４８】この後、続いて７〜１０℃／分で３００℃
まで加熱され、その後４℃／分で３７０℃まで加熱さ
れ、更にこの温度で１０分間保持された後、２０〜４０
℃／分でゆっくりと冷却される。このようにして、第１
電極３…上に厚さ５μｍのチタン酸ジルコン酸鉛の誘電
体層４が形成される。

【００４９】このようにして製造されたイオンフロー静
電記録ヘッド１は誘電体層４がチタン酸ジルコン酸鉛の
セラミック製であるため、高耐熱性・低熱膨張率で、か
つ放電による熱酸化劣化を受けにくく、初期の電気特性
を長時間維持することができる。

【００５０】さらに、誘電体層４の成形時には高温で低
速昇温するプログラム加熱が施されるので、形成された
誘電体層４の表面は略平滑にレベリングされる。そのた
め、誘電体層４における第２電極６…との接合面は平滑
で、第２電極６…との接着性も良好なものとなるので、
第２電極６…の接着精度も向上する。この結果、誘電体
層４を挟んだ放電は経時的に安定化し、発生するイオン
量は均一となり、高精細な画像を形成できるとともに、
耐久性も向上できる。

【００５１】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。これは、誘電体層４の形成作業時にゾル物質とし
てチタン酸バリウム系金属化合物を主とする材料を用い
たものである。

【００５２】このチタン酸バリウム系金属化合物を主と
する材料の調製は乾燥窒素を通じ、還流冷却器をつけ、
撹拌下で行う。すなわち、四つ口フラスコにイソプロピ
ルアルコールを入れ、細かく切断した金属バリウム片を
入れて加熱する。これにより、金属バリウムが溶解して
水素が発生し、バリウムイソプロポキシドのイオプロピ
ルアルコール溶液が生成される。

【００５３】これに市販のチタンイソプロポキシド液を
加えて混合すると、アルコキシドのイソプロピルアルコ
ール溶液ができる。これにアセチルアセトンを添加し、
８０℃において窒素中で約２時間撹拌して透明な溶液と
し、その後、酢酸と水のイソプロピルアルコール溶液を
滴下すると、コーティング溶液が得られる。

【００５４】このコーティング溶液の調製比は金属バリ
ウム０．０５ｍｏｌ、チタンイソプロポキシド０．０５
ｍｏｌ、アセチルアセトン１．１７×１０^-2ｍｏｌ、水
０．０７５ｍｏｌ、酢酸１．４４ｍｏｌ、イソプロピル
アルコール１００ｍｏｌである。

【００５５】そして、絶縁基板２はこのコーティング溶
液のゾル物質に漬けられたのち、ディッピング引き上げ
速度０．６ｍｍ／ｍｉｎ．で絶縁基板２および第１電極
３…上に塗布され、ゲル化されて誘電体層４として用い
られる。その他は、第１の実施例と同様である。

【００５６】また、このゾル物質を用いた場合には第１
の実施例と同様の条件で乾燥が行なわれる。すなわち、
まず５０℃で１時間加熱され、次に１００℃で３０分、
１４０℃で２０分加熱されて溶剤が除去され、ゲル化さ
れる。

【００５７】この後、ゲル化された誘電体物質の積層体
が７〜１０℃／分で３００℃まで加熱され、続いて４℃
／分で４００℃まで加熱され、この温度で１０分間保持
された後、この誘電体物質は２０〜４０℃／分でゆっく
りと冷却される。このように加熱を含むコーティング操
作を１０回繰り返すことにより、第１電極３…上に厚さ
１μｍのチタン酸バリウムの誘電体層４が形成される。

【００５８】このようにして製造されたイオンフロー静
電記録ヘッド１は誘電体層４がチタン酸バリウムのセラ
ミック製であるため、高耐熱性・低熱膨張率で、かつ放
電による熱酸化劣化を受けにくく、初期の電気特性を長
時間維持することができる。

【００５９】さらに、誘電体層４の成形時には高温で低
速昇温するプログラム加熱が施されるので、形成された
誘電体層４の表面は略平滑にレベリングされる。そのた
め、誘電体層４における第２電極６…との接合面は平滑
で、第２電極６…との接着性も良好なものとなるので、
第２電極６…の接着精度も向上する。この結果、誘電体
層４を挟んだ放電は経時的に安定化し、発生するイオン
量は均一となり、高精細な画像を形成できるとともに、
耐久性も向上できる。

【００６０】なお、この発明は上記実施例に限定される
ものではない。例えば、誘電体層４を形成する方法とし
て低温でガラス状に薄層を形成できるゾルーゲル法を適
用する際に用いられる耐熱性のプリント基板としてはア
ルミナ以外にも窒化アルミニウムを焼成した板状の耐熱
性基板や、ガラス板を用いてもよい。

【００６１】また、ゾルーゲル法の出発ゾル物質として
は最終的な酸化物層用の金属化合物、加水分解用の水、
均質溶液調製用の溶媒、触媒用の酸または処理後に揮発
・除去しやすいアンモニア、及びその他添加物を加えた
ものでもよい。

【００６２】さらに、金属化合物としては金属アルコキ
シド、金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレー
ト、硝酸塩やオキシ塩化物といった金属無機化合物、高
誘電率セラミック、例えば、酸化チタン、ジルコン酸
鉛、チタン酸バリウムといった物質の微粉末やフューム
ドシリカ等の酸化物微粒子等の中から、適当に選択され
て単独または組み合わせて用いられる構成にしてもよ
い。

【００６３】また、溶媒としては、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類の
他、エチレングリコール、エチレンオキサイド、トリエ
タノールアミン、キシレン等の金属化合物溶解用溶媒
や、フォルムアミド、ジメチルフォルムアミド、ジオキ
サン、シュウ酸等のようなバルクのシリカ体を作る際の
亀裂防止用溶媒も使用される。

【００６４】さらに、触媒用の酸としては、塩酸、硫
酸、硝酸、酢酸、フッ酸等がある。また、添加物として
は、少量のアセチルアセトンを用いることがある。そし
て、これらの混合物を、スプレーまたはディッピングに
より絶縁基板２およびこの絶縁基板２の第１電極３…上
に塗布し、加水分解と重縮合反応、あるいはアルコール
分解反応、あるいは金属ハロゲン化物との反応を経て、
コーティング乾燥ゲルフィルムを形成させ、これを更
に、１００〜５００℃程度に加熱することにより、高誘
電率の酸化物フィルムが形成できる。この工程を、イオ
ンフロー静電記録ヘッド１の電気的な要求仕様に必要な
厚さになるまで何回も繰り返し、最終的な誘電体層４が
形成できる。

【００６５】なお、イオンフロー静電記録ヘッド１の動
作時に印加される電圧が低い場合には絶縁基板２の第１
電極３…上には１回の塗布作業のみでも必要な厚さの誘
電体層４が形成できる。

【００６６】さらに、溶媒を揮発させた最終加熱は昇降
温速度がゆっくりなプログラム昇降温で行う。また、後
処理として、数１００℃下でアンモニアガスによって表
面を窒化処理することにより、誘電体層４の表面の耐久
性を向上させることも可能である。さらに、その他この
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施できること
は勿論である。

【００６７】

【発明の効果】本発明によれば少なくともイオンフロー
静電記録ヘッドの誘電体層形成用の金属化合物および溶
媒が混入されたゾル物質をイオンフロー静電記録ヘッド
の絶縁基板上およびこの絶縁基板上に積層された第１電
極の表面に塗布したのち、ゲル化するゾルーゲル法によ
り誘電体層を形成する工程を設けたので、セラミック製
の誘電体層を形成することができ、高耐熱性・低熱膨張
率で、かつ放電による熱酸化劣化を受けにくく、初期の
電気特性を長時間維持することができる。この結果、誘
電体層を挟んだ放電は経時的に安定化し、発生するイオ
ン量は均一となり、マイカと同程度の高精細な画像形成
が可能で、コスト低下が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例を示すもので、（Ａ）は
イオンフロー静電記録ヘッドの概略構成を示す要部の縦
断面図、（Ｂ）はイオンフロー静電記録ヘッドの断面斜
視図。

【図２】 第１電極および絶縁基板上に誘電体層を積層
させた状態を示す要部の縦断面図。

【図３】 第２電極を誘電体層に接着させた状態を示す
要部の縦断面図。

【符号の説明】

２…絶縁基板，３…第１電極，４…誘電体層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともイオンフロー静電記録ヘッド
   の誘電体層形成用の金属化合物および溶媒が混入された
   ゾル物質を前記イオンフロー静電記録ヘッドの絶縁基板
   上およびこの絶縁基板上に積層された第１電極の表面に
   塗布したのち、ゲル化するゾルーゲル法により誘電体層
   を形成する工程を設けたことを特徴とするイオンフロー
   静電記録ヘッドの製造方法。