JPH05286U - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

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JPH05286U
JPH05286U JP046253U JP4625391U JPH05286U JP H05286 U JPH05286 U JP H05286U JP 046253 U JP046253 U JP 046253U JP 4625391 U JP4625391 U JP 4625391U JP H05286 U JPH05286 U JP H05286U
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laser
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 加工速度を向上させる。 【構成】 制御用計算機１４から位置決め制御回路１５
を通じてレーザ照射要求信号がレーザ切替え制御回路２
５へ供給され、レーザ切替え制御回路２５はレーザ照射
要求信号（パルス）をレーザ発振器１８ａ，１８ｂに交
互に供給し、各レーザ発振器１８ａ，１８ｂはレーザ照
射要求信号を受信ごとにそれぞれレーザパルスを出射
し、レーザ発振器１８ａからのレーザパルスは反射鏡２
１，５０％ビーム分割器２７を通じて半導体ウエハ１３
に照射され、レーザ発振器１８ｂからのレーザパルスは
ビーム分割器２７で反射されて半導体ウエハ１３上に照
射される。半導体メモリの不良セル救済に用いられる。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この考案は、例えば半導体メモリにおいて不良セルに与えられているアドレス が冗長セルに与えられるように、チップ上のリンクをレーザで切断して不良セル 救済を行うなど、レーザビームパルスを被加工物に照射して加工するレーザ加工 装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のレーザ加工装置を図４に示す。これは前記不良セルの救済に適用した場 合で、ステージ駆動機構１１上にステージ１２が取付けられ、ステージ１２上に 半導体ウエハ１３が配されている。制御用計算機１４により位置決め制御回路１ ５が設定制御され、位置決め制御回路１５はステージ位置検出回路１６で検出さ れるステージ１２の位置を参照して設定位置になるようにステージ駆動回路１７ を通じてステージ駆動機構１１を制御して、ステージ１２を移動制御する。レー ザ発振器１８が制御用計算機１４により制御され、レーザ発振器１８よりのレー ザ光１９は反射鏡２１で反射されて半導体ウエハ１３上に入射され、その反射光 はレーザ反射光検出器２２で検出され、レーザ反射光検出器２２の出力はマーク 検出回路２３へ供給され、半導体ウエハ１３上の各メモリチップの４隅と対応し た位置に形成された位置合わせマークからの反射光がマーク検出回路２３で検出 され、この検出出力は制御用計算機１４へ供給される。この位置合わせマークを 基準として切断すべきリンクの位置にレーザ光が入射されるように、ステージ１ ２を制御した後、瞬時的にレーザ光のパワーを大としてリンクを切断する。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
このレーザ加工装置におけるレーザ加工処理能力、いわゆるスループットは単 位時間当たりに発生することができるレーザパルスの数で決まる。通常のレーザ 発振器では発生可能パルス数は１KHz 程度であり、これよりパルスの繰り返し数 を上げると、パルス波形、パワーの再現性が悪くなり、つまりレーザパルスの安 定度が低下し、リンクの切断ができるものと、できないものとが生じ、つまり正 しく加工を行うことができなくなる場合がある。ステージの移動位置決めは速く 行うことができるから、レーザ加工装置のスループットは安定なレーザパルスが 得られる最高繰り返し周波数で制限されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この考案によれば、複数のレーザ発振器が設けられ、レーザパルス発射要求信 号がレーザ切替え制御回路により、上記複数のレーザ発振器に順次繰り返し供給 され、これら複数のレーザ発振器からのレーザビームパルスは光学系により１つ の照射光路に集められて被加工物へ入射される。
【０００５】
【実施例】
この考案を半導体メモリレーザリペア装置に適用した場合の実施例を図１に示 し、図３と対応する部分に同一符号を付けてある。この実施例ではレーザ光源と してレーザ発振器１８ａの他にレーザ発振器１８ｂが設けられ、位置決め制御回 路１５を通じて制御用計算機１４から出力されるレーザパルス発射要求信号はレ ーザ切替え制御回路２５へ供給されて、レーザ発振器１８ａ，１８ｂに順次繰り 返し供給される。反射鏡２１から被加工半導体ウエハ１３に至るレーザ照射光路 ２６の途中に５０％ビーム分割器（例えば半透明鏡）２７が挿入され、反射鏡２ １からのレーザビーム１９ａがビーム分割器２７により２分の１に分割され、そ の透過ビームが半導体ウエハ１３に照射される。また、レーザ発振器１８ｂから のレーザビーム１９ｂがビーム分割器２７に入射され、その反射ビームが半導体 ウエハ１３に達するようにされる。
【０００６】 レーザ切替え制御回路２５は、例えば図２Ａに示すように構成される。即ち、 レーザパルス発射要求信号はマルチプレクサ２８へ供給されると共に、微小遅延 回路２９を通じて２進ウカンタ３１へ供給されて計数される。２進ウカンタ３１ の出力によりマルチプレクサ２８が制御される。 従って、例えば図２Ｂのａに示すようなレーザパルス発射要求信号（パルス） が切替え制御回路２５に入力されると、図２Ｂのｂ，ｃに示すように、その各要 求信号はマルチプレクサ２８の二つの出力側に交互に分配されてレーザ発振器１ ８ａ，１８ｂへ供給される。従ってレーザ発振器１８ａ，１８ｂからそれぞれ図 ２Ｂのｄ，ｅに示すように、レーザビームパルス１９ａ，１９ｂが交互に出射さ れ、これらレーザビームパルス１９ａ，１９ｂはビーム分割器２７でそれぞれパ ワーが２分の１にされて合成され、図２Ｂのｆのようになり、レーザパルス発射 要求信号の周波数で半導体ウエハ１３にレーザビームパルスが照射される。
【０００７】 しかし、各レーザ発振器１８ａ，１８ｂからそれぞれ放射されるレーザビーム パルスの周波数はレーザパルス発射要求信号の周波数の２分の１でよい。従って １つのレーザ発振器で安定なレーザパルスを出射できる最高周波数の２倍の周波 数で半導体ウエハ１３に安定なレーザビームパルスを照射することができる。 レーザ発振器の数を更に多くすれば、例えば図３に示すように、レーザ発振器 １８ａ〜１８ｄの４つを設け、レーザ切替え制御回路２５によりレーザ照射要求 信号をこれらレーザ発振器１８ａ〜１８ｄに順次繰り返し供給し、これらレーザ 発振器１８ａ〜１８ｄの各出射レーザビームパルスを１つの照射光路に集めて半 導体ウエハ１３上に照射することにより、スループットを４倍にすることができ る。レーザ発振器１８ａ〜１８ｂの各レーザを反射鏡２１と、ビーム分割器２７ とで合成したものを反射鏡３２，３３により半導体ウエハ１３側に向け、またレ ーザ発振器１８ｃ〜１８ｄの各レーザを反射鏡３４および５０％ビーム分割器３ ５で合成し、この合成レーザを反射鏡３８で反射させて、反射鏡３３と半導体ウ エハ１３との間に挿入された５０％ビーム分割器３７に入射して合成する。この ようにしてレーザ発振器１８ａ〜１８ｄの各レーザが同一レベルで半導体ウエハ １３に達するようにされる。
【０００８】 この考案は、レーザリペア装置のみならず、一般にレーザパルスにより加工す る装置に適用できる。
【０００９】
【考案の効果】 以上述べたように、この考案によればレーザ照射要求信号を、Ｎ個のレーザ発 振器に順次繰り返し供給し、これらＮ個のレーザ発振器よりのレーザビームパル スを合成して被加工物に照射するため、１個のレーザ発振器が安定に出射できる レーザパルスの繰り返し周波数のＮ倍の速度で加工することができ、スループッ トをＮ倍にすることができる。
【提出日】平成３年８月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】 しかし、各レーザ発振器１８ａ，１８ｂからそれぞれ放射されるレーザビーム パルスの周波数はレーザパルス発射要求信号の周波数の２分の１でよい。従って １つのレーザ発振器で安定なレーザパルスを出射できる最高周波数の２倍の周波 数で半導体ウエハ１３に安定なレーザビームパルスを照射することができる。 レーザ発振器の数を更に多くすれば、例えば図３に示すように、レーザ発振器 １８ａ〜１８ｄの４つを設け、レーザ切替え制御回路２５によりレーザ照射要求 信号をこれらレーザ発振器１８ａ〜１８ｄに順次繰り返し供給し、これらレーザ 発振器１８ａ〜１８ｄの各出射レーザビームパルスを１つの照射光路に集めて半 導体ウエハ１３上に照射することにより、スループットを４倍にすることができ る。レーザ発振器１８ａ〜１８ｂの各レーザを反射鏡２１と、ビーム分割器２７ とで合成したものを反射鏡３２，３３により半導体ウエハ１３側に向け、またレ ーザ発振器１８ｃ〜１８ｄの各レーザを反射鏡３４および５０％ビーム分割器３ ５で合成し、この合成レーザを反射鏡３６で反射させて、反射鏡３３と半導体ウ エハ１３との間に挿入された５０％ビーム分割器３７に入射して合成する。この ようにしてレーザ発振器１８ａ〜１８ｄの各レーザが同一レベルで半導体ウエハ １３に達するようにされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この考案の実施例を示すブロック図。
【図２】Ａはレーザ切替え制御回路２５の具体例を示す
ブロック図、Ｂはその動作を示すタイムチャートであ
る。
【図３】この考案の他の実施例を示すブッロク図。
【図４】従来のレーザ加工装置を示すブロック図。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 レーザ光源からのレーザビームパルスを
    被加工物に照射して加工するレーザ加工装置において、
    上記レーザ光源として設けられた複数のレーザ発振器
    と、上記レーザ光源に対する発射要求信号を上記複数の
    レーザ発振器に順次繰り返し供給するレーザ切替え制御
    回路と、上記複数のレーザ発振器よりのレーザビームパ
    ルスを一つの照射光路に集める光学系と、を具備するこ
    とを特徴とするレーザ加工装置。
JP1991046253U 1991-06-19 1991-06-19 レーザ加工装置 Expired - Fee Related JP2560262Y2 (ja)

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JPH05286U true JPH05286U (ja) 1993-01-08
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164449U (ja) * 1985-04-01 1986-10-13
US6324195B1 (en) 1999-01-13 2001-11-27 Kaneka Corporation Laser processing of a thin film

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147689U (ja) * 1982-03-25 1983-10-04 株式会社東芝 固体レ−ザ加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147689U (ja) * 1982-03-25 1983-10-04 株式会社東芝 固体レ−ザ加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164449U (ja) * 1985-04-01 1986-10-13
US6324195B1 (en) 1999-01-13 2001-11-27 Kaneka Corporation Laser processing of a thin film

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