JPH0528918A - 電子銃封止方法 - Google Patents
電子銃封止方法Info
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- JPH0528918A JPH0528918A JP3184512A JP18451291A JPH0528918A JP H0528918 A JPH0528918 A JP H0528918A JP 3184512 A JP3184512 A JP 3184512A JP 18451291 A JP18451291 A JP 18451291A JP H0528918 A JPH0528918 A JP H0528918A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】封止工程でカソードペレットを酸化することな
く電子管実装時の電子放出特性を実装前の特性を維持さ
せる、含浸形カソードを使用した電子銃封止方法を提供
する。 【構成】含浸形カソード１３を使用した電子銃１２を電
子管１０に封止する方法において、前記封止工程で前記
含浸形カソード１３に非酸化性ガス１７を吹き込む工程
を含む。
く電子管実装時の電子放出特性を実装前の特性を維持さ
せる、含浸形カソードを使用した電子銃封止方法を提供
する。 【構成】含浸形カソード１３を使用した電子銃１２を電
子管１０に封止する方法において、前記封止工程で前記
含浸形カソード１３に非酸化性ガス１７を吹き込む工程
を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子銃封止方法、特に
ブラウン管、撮像管等の電子管に用いるＳｃ（スカンジ
ウム）系の含浸形カソードを使用した電子銃封止方法に
関するものである。
ブラウン管、撮像管等の電子管に用いるＳｃ（スカンジ
ウム）系の含浸形カソードを使用した電子銃封止方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】含浸形カソードは高電流密度カソードで
あり、電子管の高性能を図ることが可能である。この含
浸形カソードは例えばタングステン（Ｗ）等からなる多
孔質基体の細孔部（空孔）にバリウム（Ｂａ）化合物か
らなる電子放出物質を含浸した基本型構造を有してい
る。
あり、電子管の高性能を図ることが可能である。この含
浸形カソードは例えばタングステン（Ｗ）等からなる多
孔質基体の細孔部（空孔）にバリウム（Ｂａ）化合物か
らなる電子放出物質を含浸した基本型構造を有してい
る。
【０００３】特に、ＳｃあるいはＳｃ化合物をカソード
表面に被覆することによって電子放出特性の向上を図っ
たいわゆるＳｃ系含浸形カソードが知られている。
表面に被覆することによって電子放出特性の向上を図っ
たいわゆるＳｃ系含浸形カソードが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このＳｃ系含浸形カソ
ードは、電子管実装時における封止工程において、カソ
ードペレットすなわち上記多孔質Ｗ基体が酸化される問
題があった。従来のＳｃ系含浸形カソードは特開昭６３
−７８４２７号公報に記載されているように、その酸化
物が揮発性であるＷやＭｏ等の金属や、あるいはその化
合物からなる保護膜をカソード表面に被覆した構造とす
ることにより、電子管実装時の封止工程における電子放
出特性の劣化を防止するものであった。
ードは、電子管実装時における封止工程において、カソ
ードペレットすなわち上記多孔質Ｗ基体が酸化される問
題があった。従来のＳｃ系含浸形カソードは特開昭６３
−７８４２７号公報に記載されているように、その酸化
物が揮発性であるＷやＭｏ等の金属や、あるいはその化
合物からなる保護膜をカソード表面に被覆した構造とす
ることにより、電子管実装時の封止工程における電子放
出特性の劣化を防止するものであった。
【０００５】しかしながら、上記封止工程における酸化
は多孔質Ｗ基体がその空孔を通じて酸化されるのであっ
て、上記のような保護膜ではカソードペレットのＷ基体
から大気中のＯ2を排除することは出来ず、効果は不十
分であった。
は多孔質Ｗ基体がその空孔を通じて酸化されるのであっ
て、上記のような保護膜ではカソードペレットのＷ基体
から大気中のＯ2を排除することは出来ず、効果は不十
分であった。
【０００６】本発明は、封止工程でカソードペレットを
酸化することなく電子管実装時の電子放出特性を実装前
の特性を維持させる、含浸形カソードを使用した電子銃
封止方法を提供することを目的とする。
酸化することなく電子管実装時の電子放出特性を実装前
の特性を維持させる、含浸形カソードを使用した電子銃
封止方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、含浸形カソードを使用した電子銃を電子管に封止す
る方法において、前記封止工程で前記含浸形カソードに
非酸化性ガスを吹き込む工程を含むことを特徴とする電
子銃封止方法によって解決される。
ば、含浸形カソードを使用した電子銃を電子管に封止す
る方法において、前記封止工程で前記含浸形カソードに
非酸化性ガスを吹き込む工程を含むことを特徴とする電
子銃封止方法によって解決される。
【０００８】更に、上記課題は本発明によれば、含浸形
カソードを使用した電子銃を電子管に封止する方法にお
いて、前記封止工程直前に前記電子管内に予め非酸化性
ガスを充填した後、前記封止工程を行なうことを特徴と
する電子銃封止方法によって解決される。
カソードを使用した電子銃を電子管に封止する方法にお
いて、前記封止工程直前に前記電子管内に予め非酸化性
ガスを充填した後、前記封止工程を行なうことを特徴と
する電子銃封止方法によって解決される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、例えば多孔質Ｗ基体中にＢａ
を含浸させた含浸形カソードを使用した電子銃を電子管
に封止する間あるいは封止する直前に、窒素やアルゴン
等の非酸化性雰囲気をカソード近傍に介在させることに
よってカソード周辺のＯ 2濃度を低下させることがで
き、カソードペレットすなわち多孔質Ｗ基体が酸化され
ることなく該カソードが組み込まれた電子銃が電子管に
封止実装されるため、電子管実装時の電子放出特性を実
装前の特性で維持することができる。
を含浸させた含浸形カソードを使用した電子銃を電子管
に封止する間あるいは封止する直前に、窒素やアルゴン
等の非酸化性雰囲気をカソード近傍に介在させることに
よってカソード周辺のＯ 2濃度を低下させることがで
き、カソードペレットすなわち多孔質Ｗ基体が酸化され
ることなく該カソードが組み込まれた電子銃が電子管に
封止実装されるため、電子管実装時の電子放出特性を実
装前の特性で維持することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図３は、本実施例に用いた含浸形カソード
の模式断面図であり、Ｓｃ系含浸形カソード（陰極）即
ち、基本型含浸形カソードペレット１の表面をＭｏから
なる薄膜２にて被覆して、さらにその表面にＳｃ2Ｏ3か
らなる薄膜３を設けている。
の模式断面図であり、Ｓｃ系含浸形カソード（陰極）即
ち、基本型含浸形カソードペレット１の表面をＭｏから
なる薄膜２にて被覆して、さらにその表面にＳｃ2Ｏ3か
らなる薄膜３を設けている。
【００１２】基本型含浸形カソードペレット１は、直径
約１．５ｍｍで且つ空孔率１８〜３０％の空孔を有した
多孔質Ｗ基体４と空孔部５とから形成されている。空孔
部５中には電子放出物質としてよく知られたＢａＯ，Ｃ
ａＯ，Ａｌ2Ｏ3をモル比でそれぞれ４：１：１の割合に
配合したものを含浸した。このカソードペレット１をＴ
ａカップ６に圧入し、その後ＡｒあるいはＮ2などの非
酸化性ガスブローを行いながらＴａカップ６をＴａスリ
ーブ７と溶接した。
約１．５ｍｍで且つ空孔率１８〜３０％の空孔を有した
多孔質Ｗ基体４と空孔部５とから形成されている。空孔
部５中には電子放出物質としてよく知られたＢａＯ，Ｃ
ａＯ，Ａｌ2Ｏ3をモル比でそれぞれ４：１：１の割合に
配合したものを含浸した。このカソードペレット１をＴ
ａカップ６に圧入し、その後ＡｒあるいはＮ2などの非
酸化性ガスブローを行いながらＴａカップ６をＴａスリ
ーブ７と溶接した。
【００１３】カソードの加熱にはＷ芯線８にアルミナ被
覆を施したヒーター９を用いた。Ｍｏからなる薄膜２の
厚さは０〜５μｍであり、電子ビーム蒸着法あるいはス
パッタリング法により被着せしめる。Ｓｃ2Ｏ3からなる
薄膜３の厚さは１〜５０ｎｍであり、高周波スパッタリ
ング法によりＭｏ薄膜２上のカソード表面に被着せしめ
る。
覆を施したヒーター９を用いた。Ｍｏからなる薄膜２の
厚さは０〜５μｍであり、電子ビーム蒸着法あるいはス
パッタリング法により被着せしめる。Ｓｃ2Ｏ3からなる
薄膜３の厚さは１〜５０ｎｍであり、高周波スパッタリ
ング法によりＭｏ薄膜２上のカソード表面に被着せしめ
る。
【００１４】カソードを電子管に実装する工程、即ち電
子銃封止工程は、通常図１にフローチャートで示したよ
うに電子銃ステムガラス予熱→電子銃挿入→電子管ネッ
クガラス予熱→封着→封着部アニールの工程順で行なわ
れる。すなわち、電子銃封止工程は、図２に示すように
電子銃ステムガラス１５をヒーター１８で予熱し、電子
管ネック内部に電子銃１２を挿入し、電子管ネック部の
ネックガラス１１をヒーターで加熱した後、ガスバーナ
ー又はヒーター１８等を用いて電子銃１２のステムガラ
ス１５に対向するネックガラス１１を溶かし、ネックガ
ラス１１とステムガラス１５を封止溶着する。その後、
直ちに封着部をヒーター１８でアニールすることによっ
てガラスの熱歪を除去して終了する。
子銃封止工程は、通常図１にフローチャートで示したよ
うに電子銃ステムガラス予熱→電子銃挿入→電子管ネッ
クガラス予熱→封着→封着部アニールの工程順で行なわ
れる。すなわち、電子銃封止工程は、図２に示すように
電子銃ステムガラス１５をヒーター１８で予熱し、電子
管ネック内部に電子銃１２を挿入し、電子管ネック部の
ネックガラス１１をヒーターで加熱した後、ガスバーナ
ー又はヒーター１８等を用いて電子銃１２のステムガラ
ス１５に対向するネックガラス１１を溶かし、ネックガ
ラス１１とステムガラス１５を封止溶着する。その後、
直ちに封着部をヒーター１８でアニールすることによっ
てガラスの熱歪を除去して終了する。
【００１５】本第１実施例では、図３のＳｃ系含浸形カ
ソードを用いた図２の電子銃（図５に電子銃後端部を概
略的に示す）を図１のフローチャートに従って封止し
た。
ソードを用いた図２の電子銃（図５に電子銃後端部を概
略的に示す）を図１のフローチャートに従って封止し
た。
【００１６】すなわち、図１のフローチャートで示した
電子銃ステムガラスの予熱工程、電子管ネックガラス予
熱工程および封着部アニール工程において、図２に示す
ようにチップ管１６を通して、圧力０．５Ｋｇ／ｃ
ｍ2、流量８ｌ／分の窒素（Ｎ2）ガスをカソードに吹き
付けながら封止を行なった。他の電子銃挿入工程および
封着工程ではＮ2の吹き付けは行なわなかった。Ｎ2ガス
の圧力、流量はチップ管１６の内径あるいはステムガラ
ス１５からカソード１３までの距離、すなわち継線１４
の長さ、あるいは上記各予熱工程や封着工程での温度や
時間等の条件に併せて変えることができる。その後、電
子管１０内の排気、次にカソード１３の活性化を目的と
した加熱処理を施して電子管が完成する。
電子銃ステムガラスの予熱工程、電子管ネックガラス予
熱工程および封着部アニール工程において、図２に示す
ようにチップ管１６を通して、圧力０．５Ｋｇ／ｃ
ｍ2、流量８ｌ／分の窒素（Ｎ2）ガスをカソードに吹き
付けながら封止を行なった。他の電子銃挿入工程および
封着工程ではＮ2の吹き付けは行なわなかった。Ｎ2ガス
の圧力、流量はチップ管１６の内径あるいはステムガラ
ス１５からカソード１３までの距離、すなわち継線１４
の長さ、あるいは上記各予熱工程や封着工程での温度や
時間等の条件に併せて変えることができる。その後、電
子管１０内の排気、次にカソード１３の活性化を目的と
した加熱処理を施して電子管が完成する。
【００１７】図３に示した含浸形カソードを用いて３極
管方式でＧ2電極に２００Ｖの直流電圧を印加し、放出
電流を測定した。測定は、電子管実装工程の前と後、お
よびＮ2ブロー（吹き込み）工程を経たもの経なかった
ものについて実施した。その結果を動作温度（輝度温
度）と放出電流との関係として図５に示す。Ｎ2ブロー
工程を経た本実施例の電子放出特性は、実装前の電子放
出特性とほぼ同一であるが、Ｎ2ブロー工程を経なかっ
た従来例では実装後の電子放出特性はそれより著しく劣
化している。
管方式でＧ2電極に２００Ｖの直流電圧を印加し、放出
電流を測定した。測定は、電子管実装工程の前と後、お
よびＮ2ブロー（吹き込み）工程を経たもの経なかった
ものについて実施した。その結果を動作温度（輝度温
度）と放出電流との関係として図５に示す。Ｎ2ブロー
工程を経た本実施例の電子放出特性は、実装前の電子放
出特性とほぼ同一であるが、Ｎ2ブロー工程を経なかっ
た従来例では実装後の電子放出特性はそれより著しく劣
化している。
【００１８】カソードにブローするガスをＮ2の他に非
酸化性のガスであるＡｒあるいはＨｅに変えても同様の
効果が確認された。また、Ｍｏ薄膜２のない基本型含浸
形カソードの表面にＳｃ2Ｏ3からなる薄膜を直接被着さ
せた構成のＳｃ系含浸形カソードでも同様の効果が確認
された。
酸化性のガスであるＡｒあるいはＨｅに変えても同様の
効果が確認された。また、Ｍｏ薄膜２のない基本型含浸
形カソードの表面にＳｃ2Ｏ3からなる薄膜を直接被着さ
せた構成のＳｃ系含浸形カソードでも同様の効果が確認
された。
【００１９】次に、図６に示したように電子管内に窒素
（Ｎ2）を置換供給する第２実施例を説明する。
（Ｎ2）を置換供給する第２実施例を説明する。
【００２０】第１実施例と同様に、図３に示したＳｃ系
含浸形カソードを電子管（封止工程前）に実装する工
程、すなわち封止工程の直前に図６に示す電子管内Ｎ2
置換装置を使用して電子管内の大気をＮ2ガスで置換す
る。例えば、圧力３Ｋｇ／ｃｍ2、流量３０ｌ／分のＮ2
ガス１７を、開閉弁２０を開いてステンレスパイプ２１
を通じて電子管１０内に３分間送り込む。Ｎ2ガス１７
の圧力、流量、時間などの条件は電子管１０の容積に応
じて変えることができる。２２は電子管１０を支持する
支持台である。この工程により電子管内の大気は外へ追
い出されてＮ2に置換される。その後、直ちに封止工程
を行い、電子管内の排気、次に陰極の活性化を目的とし
た熱処理を施して電子管が完成する。
含浸形カソードを電子管（封止工程前）に実装する工
程、すなわち封止工程の直前に図６に示す電子管内Ｎ2
置換装置を使用して電子管内の大気をＮ2ガスで置換す
る。例えば、圧力３Ｋｇ／ｃｍ2、流量３０ｌ／分のＮ2
ガス１７を、開閉弁２０を開いてステンレスパイプ２１
を通じて電子管１０内に３分間送り込む。Ｎ2ガス１７
の圧力、流量、時間などの条件は電子管１０の容積に応
じて変えることができる。２２は電子管１０を支持する
支持台である。この工程により電子管内の大気は外へ追
い出されてＮ2に置換される。その後、直ちに封止工程
を行い、電子管内の排気、次に陰極の活性化を目的とし
た熱処理を施して電子管が完成する。
【００２１】図３のカソードを用いて３極管方式でＧ2
電極に２００Ｖの直流電圧を印加し、放出電流を測定し
た。
電極に２００Ｖの直流電圧を印加し、放出電流を測定し
た。
【００２２】測定は電子管実装の前と後およびＮ2置換
工程を経たものと経なかったものについて実施したその
結果を図７に示す。
工程を経たものと経なかったものについて実施したその
結果を図７に示す。
【００２３】図７に示すように、Ｎ2置換工程を経た本
第２実施例の電子放出特性は実装前の電子放出特性とほ
ぼ同一であるが、Ｎ2置換工程を経なかった従来例の電
子放出特性は著しく劣化している。
第２実施例の電子放出特性は実装前の電子放出特性とほ
ぼ同一であるが、Ｎ2置換工程を経なかった従来例の電
子放出特性は著しく劣化している。
【００２４】この工程で置換するガスを窒素（Ｎ2）ガ
スから他の非酸化性あるいは不活性ガスであるアルゴン
（Ａｒ）に代えても上記図７に示した効果と同様の効果
が確認された。また、図３で基本型含浸形カソードペレ
ット１表面上にＭｏからなる薄膜２を形成せず、直接Ｓ
ｃ2Ｏ3からなる薄膜３を被着させた構成を有するＳｃ系
含浸形カソードでも同様の効果が確認された。
スから他の非酸化性あるいは不活性ガスであるアルゴン
（Ａｒ）に代えても上記図７に示した効果と同様の効果
が確認された。また、図３で基本型含浸形カソードペレ
ット１表面上にＭｏからなる薄膜２を形成せず、直接Ｓ
ｃ2Ｏ3からなる薄膜３を被着させた構成を有するＳｃ系
含浸形カソードでも同様の効果が確認された。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
封止工程前あるいは封止工程中に電子管内あるいはカソ
ード近傍に窒素ガス等の非酸化性雰囲気となるため、カ
ソードおよびその近傍、特に多孔質Ｗ基体が酸化される
こともなく、電子管実装時の電子放出特性は実装前の特
性と等しく保持することができる。
封止工程前あるいは封止工程中に電子管内あるいはカソ
ード近傍に窒素ガス等の非酸化性雰囲気となるため、カ
ソードおよびその近傍、特に多孔質Ｗ基体が酸化される
こともなく、電子管実装時の電子放出特性は実装前の特
性と等しく保持することができる。
【００２６】また、Ｓｃ系含浸形カソードに限らず、同
様の多孔質Ｗ基体をその構成に有する含浸形カソードに
も効果がある。
様の多孔質Ｗ基体をその構成に有する含浸形カソードに
も効果がある。
【図１】本発明の窒素ガスを吹き付ける第１実施例に用
いた封止工程を示すフローチャートである。
いた封止工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の封止工程（第１実施例）を説明するた
めの概略図である。
めの概略図である。
【図３】本発明で用いたＳｃ系含浸形カソードの模式断
面図である。
面図である。
【図４】電子銃完成図である。
【図５】第１実施例と従来のカソードの電子放出特性の
結果を示す図である。
結果を示す図である。
【図６】本発明の第２実施例を説明するための電子管内
Ｎ2ガス置換装置の概略図である。
Ｎ2ガス置換装置の概略図である。
【図７】第２実施例と従来のカソードの電子放出特性の
結果を示す図である。
結果を示す図である。
１ 基本型含浸形カソード（陰極）ペレット
２ Ｍｏからなる薄膜
３ Ｓｃ2Ｏ3からなる薄膜
４ 多孔質Ｗ基体
５ 電子放出物質（空孔部）
６ Ｔａカップ
７ Ｔａスリーブ
８ Ｗ芯線
９ アルミナ被覆ヒーター
１０ 電子管（封止工程前）
１１ ネックガラス
１２ 電子銃
１３ カソード（含浸形）
１４ 継線
１５ ステムガラス
１６ チップ管
１７ Ｎ2ガス（非酸化系ガス）
１８ ガスバーナー又はヒーター
２０ 開閉弁
２１ ステンレスパイプ
２２ 支持台
Claims (2)
- 【請求項１】 含浸形カソードを使用した電子銃を電子
管に封止する方法において、 前記封止工程で前記含浸形カソードに非酸化性ガスを吹
き込む工程を含むことを特徴とする電子銃封止方法。 - 【請求項２】 含浸形カソードを使用した電子銃を電子
管に封止する方法において、 前記封止工程直前に前記電子管内に予め非酸化性ガスを
充填した後、前記封止工程を行なうことを特徴とする電
子銃封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184512A JPH0528918A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 電子銃封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184512A JPH0528918A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 電子銃封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528918A true JPH0528918A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16154496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184512A Pending JPH0528918A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 電子銃封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6362564B1 (en) | 1997-07-26 | 2002-03-26 | Lg Electronics, Inc. | Color cathode ray tube with prescribed neck thickness |
| KR100462774B1 (ko) * | 1997-07-04 | 2005-02-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자총스템부의제조방법 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP3184512A patent/JPH0528918A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462774B1 (ko) * | 1997-07-04 | 2005-02-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자총스템부의제조방법 |
| US6362564B1 (en) | 1997-07-26 | 2002-03-26 | Lg Electronics, Inc. | Color cathode ray tube with prescribed neck thickness |
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