JPH05291154A - 枚葉式成膜方法及び装置 - Google Patents
枚葉式成膜方法及び装置Info
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- JPH05291154A JPH05291154A JP11413192A JP11413192A JPH05291154A JP H05291154 A JPH05291154 A JP H05291154A JP 11413192 A JP11413192 A JP 11413192A JP 11413192 A JP11413192 A JP 11413192A JP H05291154 A JPH05291154 A JP H05291154A
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- heating
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの加熱時間を短縮し、反応ガスによ
る石英窓の汚れを軽減する。 【構成】 チャンバ１上面の石英窓６の上部にウェーハ
４を加熱するランプ５を設置し、このランプ５と石英窓
６間に、ランプ５による加熱を遮断するシャッタ７を開
閉可能に設ける。
る石英窓の汚れを軽減する。 【構成】 チャンバ１上面の石英窓６の上部にウェーハ
４を加熱するランプ５を設置し、このランプ５と石英窓
６間に、ランプ５による加熱を遮断するシャッタ７を開
閉可能に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造に使用する
枚葉式成膜方法及び装置に関する。
枚葉式成膜方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来方法及び装置の第１例の構成
を示す説明用縦断面図である。図２において１はチャン
バ、２はチャンバ１内に設置したサセプタ、４はウェー
ハ出入口８より搬入されサセプタ２上に載置されたウェ
ーハ、１１はゲートバルブ、１４はチャンバ１内におい
てウェーハ出入口８のゲートバルブ１１の付近に配置さ
れた反応ガス用ノズルである。
を示す説明用縦断面図である。図２において１はチャン
バ、２はチャンバ１内に設置したサセプタ、４はウェー
ハ出入口８より搬入されサセプタ２上に載置されたウェ
ーハ、１１はゲートバルブ、１４はチャンバ１内におい
てウェーハ出入口８のゲートバルブ１１の付近に配置さ
れた反応ガス用ノズルである。
【０００３】１０は排気口、１２はゲートバルブ、１５
はチャンバ１底面の石英板、１６は石英板１５の内側に
形成された室間部に設けられた不活性ガスノズル、１７
はチャンバ１底面の石英板１５を通してサセプタ２上の
ウェーハ４を加熱するランプ、１８はこのランプ１７を
冷却する冷風流路、１９はチャンバ１上面の石英窓６の
内側に設置した石英ベルジャである。
はチャンバ１底面の石英板、１６は石英板１５の内側に
形成された室間部に設けられた不活性ガスノズル、１７
はチャンバ１底面の石英板１５を通してサセプタ２上の
ウェーハ４を加熱するランプ、１８はこのランプ１７を
冷却する冷風流路、１９はチャンバ１上面の石英窓６の
内側に設置した石英ベルジャである。
【０００４】この第１従来例は、ウェーハ出入口８より
ウェーハ４を搬入してサセプタ２上に移載し、反応ガス
用ノズル１４より反応ガスを導入しつつ排気口１０より
排気し、かつ不活性ガスノズル１６より不活性ガスを流
しながら、ウェーハ４をランプ５，１７により加熱して
ウェーハ４上に成膜している。
ウェーハ４を搬入してサセプタ２上に移載し、反応ガス
用ノズル１４より反応ガスを導入しつつ排気口１０より
排気し、かつ不活性ガスノズル１６より不活性ガスを流
しながら、ウェーハ４をランプ５，１７により加熱して
ウェーハ４上に成膜している。
【０００５】図３は従来方法及び装置の第２例の構成を
示す説明用縦断面図である。この第２従来例は、ウェー
ハ出入口８よりウェーハ４を搬入し、回転・上下機構１
３の載置部１３Ａを上動させてこの載置部１３Ａにウェ
ーハ４を移載し、これを下動することによりウェーハ４
をサセプタ２上に移載する。チャンバ１内上部の反応ガ
ス用ノズル１４より反応ガスを導入し、排気口１０より
排気しながら、ウェーハ４をヒータ３により加熱してウ
ェーハ４上に成膜している。
示す説明用縦断面図である。この第２従来例は、ウェー
ハ出入口８よりウェーハ４を搬入し、回転・上下機構１
３の載置部１３Ａを上動させてこの載置部１３Ａにウェ
ーハ４を移載し、これを下動することによりウェーハ４
をサセプタ２上に移載する。チャンバ１内上部の反応ガ
ス用ノズル１４より反応ガスを導入し、排気口１０より
排気しながら、ウェーハ４をヒータ３により加熱してウ
ェーハ４上に成膜している。
【０００６】図４は従来方法及び装置の第３例の構成を
示す説明用横断平面図である。図４において１Ａ，１Ｂ
は第１，第２チャンバ、２０はウェーハ移載室、２１は
ウェーハ移載機、２２はカセット室、２３はカセット出
入口、２４はカセット、２５は予備加熱チャンバであ
る。ウェーハ移載室２０の周囲には第１，第２チャンバ
１Ａ，１Ｂ、カセット室２２及び予備加熱チャンバ２５
が配置されている。２６〜３０はゲートバルブである。
示す説明用横断平面図である。図４において１Ａ，１Ｂ
は第１，第２チャンバ、２０はウェーハ移載室、２１は
ウェーハ移載機、２２はカセット室、２３はカセット出
入口、２４はカセット、２５は予備加熱チャンバであ
る。ウェーハ移載室２０の周囲には第１，第２チャンバ
１Ａ，１Ｂ、カセット室２２及び予備加熱チャンバ２５
が配置されている。２６〜３０はゲートバルブである。
【０００７】この第３従来例は、カセット出入口２３よ
りカセット室２２内に搬入されたカセット２４よりウェ
ーハ移載室２０内のウェーハ移載機２１により取出され
たウェーハ４を予備加熱チャンバ２５内に搬入して予備
加熱し、この予備加熱されたウェーハ４を第１チャンバ
１Ａ内に搬入して上記第１，第２従来例と同様にサセプ
タ２上に移載し、サセプタ２上に移載されたウェーハ４
上に成膜している。
りカセット室２２内に搬入されたカセット２４よりウェ
ーハ移載室２０内のウェーハ移載機２１により取出され
たウェーハ４を予備加熱チャンバ２５内に搬入して予備
加熱し、この予備加熱されたウェーハ４を第１チャンバ
１Ａ内に搬入して上記第１，第２従来例と同様にサセプ
タ２上に移載し、サセプタ２上に移載されたウェーハ４
上に成膜している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１従来例にあっては、ランプ５からの熱を通す石英窓６
が反応ガスにより徐々に汚れてきて加熱効果が低下する
ので、時々洗浄しなければならないという課題がある。
１従来例にあっては、ランプ５からの熱を通す石英窓６
が反応ガスにより徐々に汚れてきて加熱効果が低下する
ので、時々洗浄しなければならないという課題がある。
【０００９】上記第２従来例にあっては、チャンバ１内
のサセプタ２上にウェーハ４を移載してからウェーハ４
をヒータ３により加熱する場合、ウェーハ４の温度が成
膜温度に達する迄、多くの時間を要するという課題があ
る。
のサセプタ２上にウェーハ４を移載してからウェーハ４
をヒータ３により加熱する場合、ウェーハ４の温度が成
膜温度に達する迄、多くの時間を要するという課題があ
る。
【００１０】又、上記第３従来例にあっては、予備加熱
チャンバ２５を別に必要とするので、装置が大型になる
ばかりでなく、ウェーハ４を予加熱しても第１チャンバ
１Ａ内に移載する間にウェーハ温度が低下してしまい、
スループットをあまり向上できないという課題がある。
チャンバ２５を別に必要とするので、装置が大型になる
ばかりでなく、ウェーハ４を予加熱しても第１チャンバ
１Ａ内に移載する間にウェーハ温度が低下してしまい、
スループットをあまり向上できないという課題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明方法は上記の課題
を解決するため、図１に示すようにチャンバ１内にサセ
プタ２を設置し、このサセプタ２の下方に加熱源３を設
け、この加熱源３によりサセプタ２上に載置したウェー
ハ４をサセプタ２を介し低圧反応ガス雰囲気中で加熱し
てウェーハ４上に成膜する枚葉式成膜方法において、チ
ャンバ１内のサセプタ２上にウェーハ４を移載してから
成膜開始前迄，ウェーハ４をチャンバ１上部のランプ５
によりチャンバ１上面の石英窓６を通して加熱し、成膜
後はランプ５による加熱をシャッタ７により遮断するよ
うにしたことを特徴とする。
を解決するため、図１に示すようにチャンバ１内にサセ
プタ２を設置し、このサセプタ２の下方に加熱源３を設
け、この加熱源３によりサセプタ２上に載置したウェー
ハ４をサセプタ２を介し低圧反応ガス雰囲気中で加熱し
てウェーハ４上に成膜する枚葉式成膜方法において、チ
ャンバ１内のサセプタ２上にウェーハ４を移載してから
成膜開始前迄，ウェーハ４をチャンバ１上部のランプ５
によりチャンバ１上面の石英窓６を通して加熱し、成膜
後はランプ５による加熱をシャッタ７により遮断するよ
うにしたことを特徴とする。
【００１２】本発明装置は、同じ課題を解決するため、
図１に示すようにチャンバ１内にサセプタ２を設置し、
このサセプタ２の下方に加熱源３を設け、この加熱源３
によりサセプタ２上に載置したウェーハ４をサセプタ２
を介し低圧反応ガス雰囲気中で加熱してウェーハ４上に
成膜する枚葉式成膜装置において、チャンバ１上面の石
英窓６の上部にウェーハ４を加熱するランプ５を設置
し、このランプ５と石英窓６間に、ランプ５による加熱
を遮断するシャッタ７を開閉可能に設けてなる。
図１に示すようにチャンバ１内にサセプタ２を設置し、
このサセプタ２の下方に加熱源３を設け、この加熱源３
によりサセプタ２上に載置したウェーハ４をサセプタ２
を介し低圧反応ガス雰囲気中で加熱してウェーハ４上に
成膜する枚葉式成膜装置において、チャンバ１上面の石
英窓６の上部にウェーハ４を加熱するランプ５を設置
し、このランプ５と石英窓６間に、ランプ５による加熱
を遮断するシャッタ７を開閉可能に設けてなる。
【００１３】
【作 用】チャンバ１内のサセプタ２上にウェーハ４を
移載してから成膜開始前迄、ウェーハ４はランプ５によ
りチャンバ１上面の石英窓６を通して加熱されると同時
に加熱源３によってもサセプタ２を介して加熱される。
従ってウェーハ４が成膜温度に達するまでの時間が短縮
することになる。
移載してから成膜開始前迄、ウェーハ４はランプ５によ
りチャンバ１上面の石英窓６を通して加熱されると同時
に加熱源３によってもサセプタ２を介して加熱される。
従ってウェーハ４が成膜温度に達するまでの時間が短縮
することになる。
【００１４】ウェーハ４の温度が成膜温度に達した時、
シャッタ７を閉じてランプ５による加熱を遮断し、この
状態で反応ガスをチャンバ１内に流通させつつ、ウェー
ハ４を加熱源３により加熱してウェーハ４上に成膜する
ことになる。
シャッタ７を閉じてランプ５による加熱を遮断し、この
状態で反応ガスをチャンバ１内に流通させつつ、ウェー
ハ４を加熱源３により加熱してウェーハ４上に成膜する
ことになる。
【００１５】即ち、成膜後はランプ５によるウェーハ４
の加熱をシャッタ７により遮断し、成膜中はランプ５に
よる加熱を行わないので、石英窓６が反応ガスにより汚
れるのを軽減でき、ウェーハ加熱の再現性が向上するこ
とになる。
の加熱をシャッタ７により遮断し、成膜中はランプ５に
よる加熱を行わないので、石英窓６が反応ガスにより汚
れるのを軽減でき、ウェーハ加熱の再現性が向上するこ
とになる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の構成
を示す説明用縦断面図である。図１において１はチャン
バ、２はチャンバ１内に設置したサセプタ、４はウェー
ハ出入口８より搬入されサセプタ２上に載置されたウェ
ーハ、１１はゲートバルブ、９はチャンバ１の両側面に
対向して貫通し固定されたガス導入管である。
を示す説明用縦断面図である。図１において１はチャン
バ、２はチャンバ１内に設置したサセプタ、４はウェー
ハ出入口８より搬入されサセプタ２上に載置されたウェ
ーハ、１１はゲートバルブ、９はチャンバ１の両側面に
対向して貫通し固定されたガス導入管である。
【００１７】１０は排気口、１２はゲートバルブ、３は
サセプタ２の下方部に設けられたヒータ、１３はサセプ
タ２を回転したり、ウェーハ４を載置部１３Ａに載せて
上下動したりする回転・上下機構である。５はチャンバ
１上面の石英窓６の上部に設置したランプで、石英窓６
を通してウェーハ４を加熱する。７はランプ５と石英窓
６間に開閉可能に設けられたシャッタで、ウェーハ４を
サセプタ２上に移載してから成膜開始前迄、図１の仮想
線で示す位置まで左方に移動してシャッタ開とし、成膜
後は図１の実線で示す位置まで右方に移動してシャッタ
閉とするものである。
サセプタ２の下方部に設けられたヒータ、１３はサセプ
タ２を回転したり、ウェーハ４を載置部１３Ａに載せて
上下動したりする回転・上下機構である。５はチャンバ
１上面の石英窓６の上部に設置したランプで、石英窓６
を通してウェーハ４を加熱する。７はランプ５と石英窓
６間に開閉可能に設けられたシャッタで、ウェーハ４を
サセプタ２上に移載してから成膜開始前迄、図１の仮想
線で示す位置まで左方に移動してシャッタ開とし、成膜
後は図１の実線で示す位置まで右方に移動してシャッタ
閉とするものである。
【００１８】上記構成の本実施例においてウェーハ出入
口８よりウェーハ４を搬入し、回転・上下機構１３の載
置部１３Ａを上動させてこの載置部１３Ａにウェーハ４
を移載し、これを下動することによりウェーハ４をサセ
プタ２上に移載する。サセプタ２上にウェーハ４を移載
してから成膜開始前迄、ウェーハ４はシャッタ開状態
（シャッタ７が図１の仮想線で示す位置にある）で、ラ
ンプ５によりチャンバ１上面の石英窓６を通して加熱さ
れると同時にヒータ３によってもサセプタ２を介して加
熱される。従ってウェーハ４が成膜温度に達するまでの
時間が短縮することになる。
口８よりウェーハ４を搬入し、回転・上下機構１３の載
置部１３Ａを上動させてこの載置部１３Ａにウェーハ４
を移載し、これを下動することによりウェーハ４をサセ
プタ２上に移載する。サセプタ２上にウェーハ４を移載
してから成膜開始前迄、ウェーハ４はシャッタ開状態
（シャッタ７が図１の仮想線で示す位置にある）で、ラ
ンプ５によりチャンバ１上面の石英窓６を通して加熱さ
れると同時にヒータ３によってもサセプタ２を介して加
熱される。従ってウェーハ４が成膜温度に達するまでの
時間が短縮することになる。
【００１９】ウェーハ４の温度が成膜温度に達した時、
シャッタ７を実線で示す位置まで右方へ移動しシャッタ
閉状態にしてランプ５による加熱を遮断し、この状態で
反応ガスをチャンバ１の両側面のガス導入管９，９より
チャンバ１内に導入し排気口１０より排気させつつ、ウ
ェーハ４をヒータ３により加熱してウェーハ４上に成膜
することになる。
シャッタ７を実線で示す位置まで右方へ移動しシャッタ
閉状態にしてランプ５による加熱を遮断し、この状態で
反応ガスをチャンバ１の両側面のガス導入管９，９より
チャンバ１内に導入し排気口１０より排気させつつ、ウ
ェーハ４をヒータ３により加熱してウェーハ４上に成膜
することになる。
【００２０】即ち、成膜後はランプ５によるウェーハ４
の加熱をシャッタ７により遮断し、成膜中はランプ５に
よる加熱を行わないので、石英窓６が反応ガスにより汚
れるのを軽減でき、ウェーハ加熱の再現性が向上するこ
とになる。
の加熱をシャッタ７により遮断し、成膜中はランプ５に
よる加熱を行わないので、石英窓６が反応ガスにより汚
れるのを軽減でき、ウェーハ加熱の再現性が向上するこ
とになる。
【００２１】本実施例のシャッタ７でランプ５による加
熱を遮断している時、石英窓６をこれに冷却水を流通し
て冷却することにより反応ガスによる石英窓６の汚れを
大幅に軽減できるので、一層好ましい。又、シャッタ７
の開閉は、本実施例のように左右方向に移動させること
により行ってもよいが、シャッタ板に設けた窓を開閉で
きる構成としてもよく、実施例に限定されない。
熱を遮断している時、石英窓６をこれに冷却水を流通し
て冷却することにより反応ガスによる石英窓６の汚れを
大幅に軽減できるので、一層好ましい。又、シャッタ７
の開閉は、本実施例のように左右方向に移動させること
により行ってもよいが、シャッタ板に設けた窓を開閉で
きる構成としてもよく、実施例に限定されない。
【００２２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ウェーハ
４をサセプタ２上に移載してから成膜開始迄、ランプ５
によっても加熱することによりウェーハ４の加熱時間を
短縮することができるばかりでなく、成膜中はランプ５
による加熱を行わないので、石英窓６が反応ガスにより
汚れるのを軽減でき、ウェーハ加熱の再現性を向上する
ことができる。
４をサセプタ２上に移載してから成膜開始迄、ランプ５
によっても加熱することによりウェーハ４の加熱時間を
短縮することができるばかりでなく、成膜中はランプ５
による加熱を行わないので、石英窓６が反応ガスにより
汚れるのを軽減でき、ウェーハ加熱の再現性を向上する
ことができる。
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の構成を示す説
明用縦断面図である。
明用縦断面図である。
【図２】従来方法及び装置の第１例の構成を示す説明用
縦断面図である。
縦断面図である。
【図３】従来方法及び装置の第２例の構成を示す説明用
縦断面図である。
縦断面図である。
【図４】従来方法及び装置の第３例の構成を示す説明用
横断平面図である。
横断平面図である。
１ チャンバ ２ サセプタ ３ 加熱源（ヒータ） ４ ウェーハ ５ ランプ ６ 石英窓 ７ シャッタ ８ ウェーハ出入口 ９ ガス導入管 １０ 排気口
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバ（１）内にサセプタ（２）を設
置し、このサセプタ（２）の下方に加熱源（３）を設
け、この加熱源（３）によりサセプタ（２）上に載置し
たウェーハ（４）をサセプタ（２）を介し低圧反応ガス
雰囲気中で加熱してウェーハ（４）上に成膜する枚葉式
成膜方法において、チャンバ（１）内のサセプタ（２）
上にウェーハ（４）を移載してから成膜開始前迄，ウェ
ーハ（４）をチャンバ（１）上部のランプ（５）により
チャンバ（１）上面の石英窓（６）を通して加熱し、成
膜後はランプ（５）による加熱をシャッタ（７）により
遮断するようにしたことを特徴とする枚葉式成膜方法。 - 【請求項２】 チャンバ（１）内にサセプタ（２）を設
置し、このサセプタ（２）の下方に加熱源（３）を設
け、この加熱源（３）によりサセプタ（２）上に載置し
たウェーハ（４）をサセプタ（２）を介し低圧反応ガス
雰囲気中で加熱してウェーハ（４）上に成膜する枚葉式
成膜装置において、チャンバ（１）上面の石英窓（６）
の上部にウェーハ（４）を加熱するランプ（５）を設置
し、このランプ（５）と石英窓（６）間に、ランプ
（５）による加熱を遮断するシャッタ（７）を開閉可能
に設けてなる枚葉式成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11413192A JPH05291154A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 枚葉式成膜方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11413192A JPH05291154A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 枚葉式成膜方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291154A true JPH05291154A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14629917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11413192A Pending JPH05291154A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 枚葉式成膜方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291154A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326365A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 縦型加熱処理装置 |
| JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
| JPH1053498A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP11413192A patent/JPH05291154A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326365A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 縦型加熱処理装置 |
| JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
| JPH1053498A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
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