JPH05291237A - 化合物半導体の微細構造形成方法 - Google Patents
化合物半導体の微細構造形成方法Info
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- JPH05291237A JPH05291237A JP4088534A JP8853492A JPH05291237A JP H05291237 A JPH05291237 A JP H05291237A JP 4088534 A JP4088534 A JP 4088534A JP 8853492 A JP8853492 A JP 8853492A JP H05291237 A JPH05291237 A JP H05291237A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 制御性、均一性、低損傷、加工性にすぐれた
ＡｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓ系の微細構造の形成方法を
提供する。 【構成】 GaAs基板11上にGaAsバッファ層12、Al0.3Ga
0.7As障壁層13、GaAs量子井戸層14、Al0.3Ga0.7As障壁
層15、Ga0.5In0.5Pスペーサ層16を連続的に結晶成長さ
せる。次にシリコン酸化膜17を堆積し、レジストパター
ン18を形成し、シリコン酸化膜17をエッチングする。Ga
0.5In0.5Pスペーサ層16をエッチングし、シリコン酸化
膜のパターンを転写する。この時、Al0.3Ga0.7As障壁層
15は塩酸系のエッチャントに対してはエッチングされな
い。ドライエッチングによりシリコン酸化膜及びGa0.5I
n0.5Pスペーサ層をエッチングマスクとして、Al0.3Ga0.
7As障壁層、GaAs井戸層、Al0.3Ga0.7As障壁層を順次エ
ッチングする。この時、シリコン酸化膜はドライエッチ
ング時のエッチング速度が小さくマスクとして十分作用
する。
ＡｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓ系の微細構造の形成方法を
提供する。 【構成】 GaAs基板11上にGaAsバッファ層12、Al0.3Ga
0.7As障壁層13、GaAs量子井戸層14、Al0.3Ga0.7As障壁
層15、Ga0.5In0.5Pスペーサ層16を連続的に結晶成長さ
せる。次にシリコン酸化膜17を堆積し、レジストパター
ン18を形成し、シリコン酸化膜17をエッチングする。Ga
0.5In0.5Pスペーサ層16をエッチングし、シリコン酸化
膜のパターンを転写する。この時、Al0.3Ga0.7As障壁層
15は塩酸系のエッチャントに対してはエッチングされな
い。ドライエッチングによりシリコン酸化膜及びGa0.5I
n0.5Pスペーサ層をエッチングマスクとして、Al0.3Ga0.
7As障壁層、GaAs井戸層、Al0.3Ga0.7As障壁層を順次エ
ッチングする。この時、シリコン酸化膜はドライエッチ
ング時のエッチング速度が小さくマスクとして十分作用
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信、光情報処理、光
計測の分野で用いられる半導体レーザをはじめとする化
合物半導体デバイスにおける化合物半導体の微細構造の
形成方法に関するものである。
計測の分野で用いられる半導体レーザをはじめとする化
合物半導体デバイスにおける化合物半導体の微細構造の
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理や光通信、光計測等で用いら
れる光デバイス、電子デバイスや光電子集積回路におい
ては、素子の微細化、高機能化のために、発光素子であ
る半導体レーザの活性層へ量子細線や量子箱構造といっ
た超微細加工を施した構造を導入することにより素子特
性の向上を図ることができる。超微細パターンマスクを
用いて量子井戸構造をエッチングすることで量子細線を
形成する方法のうち、ＧａＡｓ、ＡｌxＧａ1ーxＡｓ系の
量子井戸構造を有する化合物半導体のエッチングにおい
ては、ウェットエッチング時のエッチングマスクとして
レジストや酸化膜、窒化膜等の絶縁膜を用いている。
れる光デバイス、電子デバイスや光電子集積回路におい
ては、素子の微細化、高機能化のために、発光素子であ
る半導体レーザの活性層へ量子細線や量子箱構造といっ
た超微細加工を施した構造を導入することにより素子特
性の向上を図ることができる。超微細パターンマスクを
用いて量子井戸構造をエッチングすることで量子細線を
形成する方法のうち、ＧａＡｓ、ＡｌxＧａ1ーxＡｓ系の
量子井戸構造を有する化合物半導体のエッチングにおい
ては、ウェットエッチング時のエッチングマスクとして
レジストや酸化膜、窒化膜等の絶縁膜を用いている。
【０００３】図４は従来のＧａＡｓ系量子細線のエッチ
ングを用いた形成方法のプロセスの概略図を示すもので
あり、以下の工程で量子細線は形成される。
ングを用いた形成方法のプロセスの概略図を示すもので
あり、以下の工程で量子細線は形成される。
【０００４】ＧａＡｓ基板４１にＧａＡｓバッファ層４
２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層４３、ＧａＡｓ量子井戸
層４４、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層４５を順次結晶成長
させた量子井戸構造をもつにウェハーにマスク層となる
シリコン酸化膜４６堆積させ、電子ビームリソグラフィ
ー等によるレジストパターン４７をストライプパターン
が結晶方位（１１０）方向になるように形成する
（ａ）。
２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層４３、ＧａＡｓ量子井戸
層４４、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層４５を順次結晶成長
させた量子井戸構造をもつにウェハーにマスク層となる
シリコン酸化膜４６堆積させ、電子ビームリソグラフィ
ー等によるレジストパターン４７をストライプパターン
が結晶方位（１１０）方向になるように形成する
（ａ）。
【０００５】弗酸系のエッチャントでシリコン酸化膜４
６をエッチングし、レジストパターン４７を転写する
（ｂ）。
６をエッチングし、レジストパターン４７を転写する
（ｂ）。
【０００６】硫酸系のエッチャント（Ｈ2ＳＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：２０）をＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障
壁層、ＧａＡｓ量子井戸層を順次エッチングしていく。
その時、縦方向のエッチングと同時に横方向のエッチン
グ（オーバーエッチング）が進行し、量子細線が形成さ
れる（ｃ）。
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：２０）をＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障
壁層、ＧａＡｓ量子井戸層を順次エッチングしていく。
その時、縦方向のエッチングと同時に横方向のエッチン
グ（オーバーエッチング）が進行し、量子細線が形成さ
れる（ｃ）。
【０００７】弗酸系のエッチャントでエッチングマスク
であるシリコン酸化膜を除去する（ｄ）。
であるシリコン酸化膜を除去する（ｄ）。
【０００８】エッチングに選択性がある場合であれば、
連続的に結晶成長させた結晶層をエッチングマスクとし
て用いる方が好ましいが、ＧａＡｓとＡｌxＧａ1ーxＡｓ
ではエッチング選択性を十分にとることのできるエッチ
ャントがないため、レジストやシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜等の絶縁膜を用いている。
連続的に結晶成長させた結晶層をエッチングマスクとし
て用いる方が好ましいが、ＧａＡｓとＡｌxＧａ1ーxＡｓ
ではエッチング選択性を十分にとることのできるエッチ
ャントがないため、レジストやシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜等の絶縁膜を用いている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようなＧａＡｓ系量子細線のウェットエッチングを用い
た形成方法におけるプロセス構成ではエッチングマスク
直下の横方向のエッチング（オーバーエッチング）が進
行するという問題点を有していた。このような方法では
高密度で超微細なマスクパターンを用いても、所望のエ
ッチング深さを得ることが困難であり、高密度な量子細
線の作製が困難となり、特にデバイスの作製時において
不利となる。高密度で均一性の高いエッチングを得るた
めにはアスペクト比の大きいドライエッチングを用いる
方法があるがエッチング時にダメージ層が発生するとい
う問題を有している。また、ＡｌxＧａ1ーxＡｓとＧａＡ
ｓではエッチャントによるエッチング選択性が小さく、
一方を選択的にエッチングするようなエッチング方法は
困難である。
ようなＧａＡｓ系量子細線のウェットエッチングを用い
た形成方法におけるプロセス構成ではエッチングマスク
直下の横方向のエッチング（オーバーエッチング）が進
行するという問題点を有していた。このような方法では
高密度で超微細なマスクパターンを用いても、所望のエ
ッチング深さを得ることが困難であり、高密度な量子細
線の作製が困難となり、特にデバイスの作製時において
不利となる。高密度で均一性の高いエッチングを得るた
めにはアスペクト比の大きいドライエッチングを用いる
方法があるがエッチング時にダメージ層が発生するとい
う問題を有している。また、ＡｌxＧａ1ーxＡｓとＧａＡ
ｓではエッチャントによるエッチング選択性が小さく、
一方を選択的にエッチングするようなエッチング方法は
困難である。
【００１０】本発明はかかる点に鑑み、ＡｌxＧａ1ーxＡ
ｓ／ＧａＡｓ系量子細線等の化合物半導体の微細構造を
低損傷で制御性よく、かつ高密度に形成する方法を提供
することを目的とする。
ｓ／ＧａＡｓ系量子細線等の化合物半導体の微細構造を
低損傷で制御性よく、かつ高密度に形成する方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＡｌxＧａ1ーx
Ａｓ（０≦ｘ≦１）もしくはＧａＡｓ系の量子井戸構造
を有する化合物半導体にＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）
からなるスペーサ層を連続的に結晶成長する工程と、エ
ッチングマスクを介し塩酸系のエッチャントを用いて前
記ＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）スペーサ層をエッチン
グする工程と、ドライエッチングを用いていてＡｌxＧ
ａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくはＧａＡｓ系の量子井
戸構造を有する化合物半導体をエッチングする工程と、
それに引き続き塩酸系のエッチャントを用いて前記Ｇａ
xＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）スペーサ層を全面的に除去す
る工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体の微細
構造形成方法である。
Ａｓ（０≦ｘ≦１）もしくはＧａＡｓ系の量子井戸構造
を有する化合物半導体にＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）
からなるスペーサ層を連続的に結晶成長する工程と、エ
ッチングマスクを介し塩酸系のエッチャントを用いて前
記ＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）スペーサ層をエッチン
グする工程と、ドライエッチングを用いていてＡｌxＧ
ａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくはＧａＡｓ系の量子井
戸構造を有する化合物半導体をエッチングする工程と、
それに引き続き塩酸系のエッチャントを用いて前記Ｇａ
xＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）スペーサ層を全面的に除去す
る工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体の微細
構造形成方法である。
【００１２】また、ＧａＡｓからなる量子井戸層の直上
にＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）からなるスペーサ層を
連続的に結晶成長させる工程をもつことを特徴とする化
合物半導体の微細構造形成方法である。
にＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）からなるスペーサ層を
連続的に結晶成長させる工程をもつことを特徴とする化
合物半導体の微細構造形成方法である。
【００１３】また、ドライエッチングに引き続き硫酸系
エッチャントを用いてＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）
もしくはＧａＡｓ系の量子井戸構造を有する化合物半導
体をエッチングする工程をもつことを特徴とする請求項
１記載の化合物半導体の微細構造形成方法である。
エッチャントを用いてＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）
もしくはＧａＡｓ系の量子井戸構造を有する化合物半導
体をエッチングする工程をもつことを特徴とする請求項
１記載の化合物半導体の微細構造形成方法である。
【００１４】
【作用】本発明は前記した構成により、ＡｌxＧａ1ーxＡ
ｓ／ＧａＡｓ系の微細構造をドライエッチングを用いて
形成する手段として、ＡｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓ系の
量子井戸構造にＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）からなる
スペーサ層を連続的に結晶成長させ、あらかじめ形成し
た微細パターンを塩酸系のエッチャントを用いてＧａx
Ｉｎ1ーxＰスペーサ層に転写させ、エッチングすべきＡ
ｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓを露出させ、ドライエッチン
グ法を用いてＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくは
ＧａＡｓの量子井戸構造を有する化合物半導体をエッチ
ングする微細加工方法である。ＧａxＩｎ1ーxＰスペーサ
層がエッチングマスクとＡｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓ量
子井戸構造の間に挿入されており、ドライエッチング時
のＡｌ xＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓへのダメージを低減させ
るとともに、エッチング終了後、ＧａxＩｎ1ーxＰスペー
サ層のみを塩酸系のエッチャントを用いて選択的に除去
する。低損傷で制御性よく、かつ高密度に量子細線等の
微細構造を形成することができる。さらに、はじめの電
子ビームリソグラフィー等で形成した微細なマスクパタ
ーンを格子状に形成することにより、量子細線だけでな
く、量子箱のような微細パターンの形成も可能となる。
ｓ／ＧａＡｓ系の微細構造をドライエッチングを用いて
形成する手段として、ＡｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓ系の
量子井戸構造にＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）からなる
スペーサ層を連続的に結晶成長させ、あらかじめ形成し
た微細パターンを塩酸系のエッチャントを用いてＧａx
Ｉｎ1ーxＰスペーサ層に転写させ、エッチングすべきＡ
ｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓを露出させ、ドライエッチン
グ法を用いてＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくは
ＧａＡｓの量子井戸構造を有する化合物半導体をエッチ
ングする微細加工方法である。ＧａxＩｎ1ーxＰスペーサ
層がエッチングマスクとＡｌxＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓ量
子井戸構造の間に挿入されており、ドライエッチング時
のＡｌ xＧａ1ーxＡｓ／ＧａＡｓへのダメージを低減させ
るとともに、エッチング終了後、ＧａxＩｎ1ーxＰスペー
サ層のみを塩酸系のエッチャントを用いて選択的に除去
する。低損傷で制御性よく、かつ高密度に量子細線等の
微細構造を形成することができる。さらに、はじめの電
子ビームリソグラフィー等で形成した微細なマスクパタ
ーンを格子状に形成することにより、量子細線だけでな
く、量子箱のような微細パターンの形成も可能となる。
【００１５】もう一つの発明は、ＡｌxＧａ1ーxＡｓ／Ｇ
ａＡｓ系の微細構造を形成する手段として、ドライエッ
チングに引き続き硫酸系エッチャントを用いてＡｌxＧ
ａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくはＧａＡｓ系の量子井
戸構造を有する化合物半導体のエッチングを行う微細加
工方法である。ドライエッチング時のＡｌxＧａ1ーxＡｓ
／ＧａＡｓへのダメージ層を除去しダメージの低減を図
るとともにオーバーエッチングを利用して加工寸法の微
細化を図る。低損傷で制御性よく、かつ高密度に量子細
線等の微細構造を形成することができる。
ａＡｓ系の微細構造を形成する手段として、ドライエッ
チングに引き続き硫酸系エッチャントを用いてＡｌxＧ
ａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくはＧａＡｓ系の量子井
戸構造を有する化合物半導体のエッチングを行う微細加
工方法である。ドライエッチング時のＡｌxＧａ1ーxＡｓ
／ＧａＡｓへのダメージ層を除去しダメージの低減を図
るとともにオーバーエッチングを利用して加工寸法の微
細化を図る。低損傷で制御性よく、かつ高密度に量子細
線等の微細構造を形成することができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例における化合物
半導体の微細構造のひとつである量子細線の形成方法の
工程図を示すものである。
半導体の微細構造のひとつである量子細線の形成方法の
工程図を示すものである。
【００１７】図１において、１１は量子細線構造が形成
されるＧａＡｓ基板、１２はＧａＡｓバッファ層、１３
はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、１４はＧａＡｓ量子井戸
層、１５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、１６はＧａ0.5
Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層、１７は上記結晶構造上に形成さ
れたエッチングマスクとなるシリコン酸化膜、１８はシ
リコン酸化膜へパターンを転写するため電子ビームリソ
グラフィーで形成したレジストパターン、１９は形成さ
れたＧａＡｓ量子細線である。
されるＧａＡｓ基板、１２はＧａＡｓバッファ層、１３
はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、１４はＧａＡｓ量子井戸
層、１５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、１６はＧａ0.5
Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層、１７は上記結晶構造上に形成さ
れたエッチングマスクとなるシリコン酸化膜、１８はシ
リコン酸化膜へパターンを転写するため電子ビームリソ
グラフィーで形成したレジストパターン、１９は形成さ
れたＧａＡｓ量子細線である。
【００１８】以上のように構成されたこの実施例の微細
構造形成方法の工程において、以下その形成方法を工程
図に従って説明する。
構造形成方法の工程において、以下その形成方法を工程
図に従って説明する。
【００１９】ＧａＡｓ基板１１上にＧａＡｓバッファ層
１２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１３、ＧａＡｓ量子井
戸層１４、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１５、Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐスペーサ層１６を連続的に結晶成長させる。Ｇ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層１６の厚さは数１０ｎｍ程度の厚さは
必要である。次にシリコン酸化膜１７を堆積し、電子ビ
ームリソグラフィーでレジストパターン１８を形成す
る。ストライプパターンは結晶方位（１１０）方向にな
るように描画する（ａ）。
１２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１３、ＧａＡｓ量子井
戸層１４、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１５、Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐスペーサ層１６を連続的に結晶成長させる。Ｇ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層１６の厚さは数１０ｎｍ程度の厚さは
必要である。次にシリコン酸化膜１７を堆積し、電子ビ
ームリソグラフィーでレジストパターン１８を形成す
る。ストライプパターンは結晶方位（１１０）方向にな
るように描画する（ａ）。
【００２０】弗酸系のエッチャントでシリコン酸化膜１
７をエッチングし、レジストパターン１８を転写する
（ｂ）。
７をエッチングし、レジストパターン１８を転写する
（ｂ）。
【００２１】塩酸系のエッチャント（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝
２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層１６をエッチン
グし、シリコン酸化膜のパターンを転写する。この時、
Ａｌ 0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１５は塩酸系のエッチャント
に対してはエッチングされない（ｃ）。
２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層１６をエッチン
グし、シリコン酸化膜のパターンを転写する。この時、
Ａｌ 0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１５は塩酸系のエッチャント
に対してはエッチングされない（ｃ）。
【００２２】ドライエッチングによりシリコン酸化膜及
びＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層をエッチングマスクとし
て、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、ＧａＡｓ井戸層、Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エッチングする。この時、
シリコン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度
が小さくマスクとして十分作用する。ウェットエッチン
グを用いた形成方法ではエッチングマスク直下の横方向
のエッチング（オーバーエッチング）が進行し、アスペ
クト比の大きい細線形状の形成が困難であるという問題
点を有していたが、ドライエッチングを用いればマスク
パターンを忠実に反映したＧａＡｓ量子細線１９が形成
できる。ドライエッチング時のＡｌ0. 3Ｇａ0.7Ａｓ／Ｇ
ａＡｓへのダメージをＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層があ
ることにより低減させることができる（ｄ）。
びＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層をエッチングマスクとし
て、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、ＧａＡｓ井戸層、Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エッチングする。この時、
シリコン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度
が小さくマスクとして十分作用する。ウェットエッチン
グを用いた形成方法ではエッチングマスク直下の横方向
のエッチング（オーバーエッチング）が進行し、アスペ
クト比の大きい細線形状の形成が困難であるという問題
点を有していたが、ドライエッチングを用いればマスク
パターンを忠実に反映したＧａＡｓ量子細線１９が形成
できる。ドライエッチング時のＡｌ0. 3Ｇａ0.7Ａｓ／Ｇ
ａＡｓへのダメージをＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層があ
ることにより低減させることができる（ｄ）。
【００２３】エッチングマスクであるシリコン酸化膜と
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造の間に挿入
されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層を、塩酸系のエッチ
ャントを用いて選択的に除去する（ｅ）。
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造の間に挿入
されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層を、塩酸系のエッチ
ャントを用いて選択的に除去する（ｅ）。
【００２４】この構成においては、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐス
ペーサ層により、ドライエッチング時のＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ／ＧａＡｓへのダメージを低減させるとともに、エ
ッチング終了後、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層のみを塩
酸系のエッチャントを用いて選択的に除去することがで
きる。ドライエッチングを用いることで、横方向のエッ
チング（オーバーエッチング）の進行が従来例に示され
るウェットエッチングを用いた場合に比べて小さいた
め、低損傷で制御性よく、かつ高密度に量子細線等の微
細構造を形成することができる。
ペーサ層により、ドライエッチング時のＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ／ＧａＡｓへのダメージを低減させるとともに、エ
ッチング終了後、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層のみを塩
酸系のエッチャントを用いて選択的に除去することがで
きる。ドライエッチングを用いることで、横方向のエッ
チング（オーバーエッチング）の進行が従来例に示され
るウェットエッチングを用いた場合に比べて小さいた
め、低損傷で制御性よく、かつ高密度に量子細線等の微
細構造を形成することができる。
【００２５】なお、実施例においては、電子ビームリソ
グラフィーによるマスクパターンを結晶方位（１１０）
方向になるように描画したが、異なる方位での描画でも
細線化を図ることは可能である。また、スペーサ層Ｇａ
xＩｎ1ーxＰのｘをＧａＡｓと格子整合する０．５と設定
しているが、歪超格子の導入によってはｘを０から１の
間の任意の値を取り結晶成長させることもできる。ま
た、マスクパターンを格子状に形成することにより、量
子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの形成も
可能となることは言うまでもない。
グラフィーによるマスクパターンを結晶方位（１１０）
方向になるように描画したが、異なる方位での描画でも
細線化を図ることは可能である。また、スペーサ層Ｇａ
xＩｎ1ーxＰのｘをＧａＡｓと格子整合する０．５と設定
しているが、歪超格子の導入によってはｘを０から１の
間の任意の値を取り結晶成長させることもできる。ま
た、マスクパターンを格子状に形成することにより、量
子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの形成も
可能となることは言うまでもない。
【００２６】図２は本発明の第２の実施例における化合
物半導体の微細構造のひとつである量子細線の形成方法
の工程図を示すものである。図２において、２１は量子
細線構造が形成されるＧａＡｓ基板、２２はＧａＡｓバ
ッファ層、２３はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、２４はＧ
ａＡｓ量子井戸層、２５はスペーサ層となるＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層、２６は上記結晶構造上に形成されたシリコ
ン酸化膜、２７はシリコン酸化膜へパターンを転写する
ため電子ビームリソグラフィーで形成したレジストパタ
ーン、２８は形成された量子細線上に再成長したＡｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、２９は埋め込まれたＧａＡｓ量
子細線である。
物半導体の微細構造のひとつである量子細線の形成方法
の工程図を示すものである。図２において、２１は量子
細線構造が形成されるＧａＡｓ基板、２２はＧａＡｓバ
ッファ層、２３はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、２４はＧ
ａＡｓ量子井戸層、２５はスペーサ層となるＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層、２６は上記結晶構造上に形成されたシリコ
ン酸化膜、２７はシリコン酸化膜へパターンを転写する
ため電子ビームリソグラフィーで形成したレジストパタ
ーン、２８は形成された量子細線上に再成長したＡｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、２９は埋め込まれたＧａＡｓ量
子細線である。
【００２７】以上のように構成されたこの実施例の微細
構造形成方法の工程において、以下その形成方法を工程
図に従って説明する。
構造形成方法の工程において、以下その形成方法を工程
図に従って説明する。
【００２８】ＧａＡｓ基板２１上にＧａＡｓバッファ層
２２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層２３、ＧａＡｓ量子井
戸層２４、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層２５を連続的に
結晶成長させる。Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層２５の厚
さは数１０ｎｍ程度の厚さは必要である。次にシリコン
酸化膜２６を堆積し、電子ビームリソグラフィーでレジ
ストパターン２７を形成する（ａ）。
２２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層２３、ＧａＡｓ量子井
戸層２４、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層２５を連続的に
結晶成長させる。Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層２５の厚
さは数１０ｎｍ程度の厚さは必要である。次にシリコン
酸化膜２６を堆積し、電子ビームリソグラフィーでレジ
ストパターン２７を形成する（ａ）。
【００２９】弗酸系のエッチャントでシリコン酸化膜２
６をエッチングし、レジストパターン２７を転写する
（ｂ）。
６をエッチングし、レジストパターン２７を転写する
（ｂ）。
【００３０】塩酸系のエッチャント（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝
２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐスペーサ層２５をエッチ
ングしシリコン酸化膜のパターンを転写する。この時Ｇ
ａＡｓ量子井戸層２４は塩酸系のエッチャントに対して
はエッチングされない（ｃ）。
２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐスペーサ層２５をエッチ
ングしシリコン酸化膜のパターンを転写する。この時Ｇ
ａＡｓ量子井戸層２４は塩酸系のエッチャントに対して
はエッチングされない（ｃ）。
【００３１】ドライエッチングによりシリコン酸化膜及
びＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層をエッチングマスクとし
て、ＧａＡｓ井戸層をエッチングする。この時、シリコ
ン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度が小さ
くマスクとして十分作用する。ウェットエッチングを用
いた形成方法ではエッチングマスク直下の横方向のエッ
チング（オーバーエッチング）が進行し、アスペクト比
の大きい細線形状の形成が困難であるという問題点を有
していたが、ドライエッチングを用いればマスクパター
ンを忠実に反映した量子細線が形成できる。ドライエッ
チング時のＡｌ 0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓへのダメージ
をＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層があることにより低減さ
せることができる（ｄ）。
びＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層をエッチングマスクとし
て、ＧａＡｓ井戸層をエッチングする。この時、シリコ
ン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度が小さ
くマスクとして十分作用する。ウェットエッチングを用
いた形成方法ではエッチングマスク直下の横方向のエッ
チング（オーバーエッチング）が進行し、アスペクト比
の大きい細線形状の形成が困難であるという問題点を有
していたが、ドライエッチングを用いればマスクパター
ンを忠実に反映した量子細線が形成できる。ドライエッ
チング時のＡｌ 0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓへのダメージ
をＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層があることにより低減さ
せることができる（ｄ）。
【００３２】エッチングマスクであるシリコン酸化膜と
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造の間に挿入
されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層を、塩酸系のエッチ
ャントを用いて選択的に除去したのち、塩酸系のエッチ
ャント（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
スペーサ層を除去する（ｅ）。
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造の間に挿入
されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層を、塩酸系のエッチ
ャントを用いて選択的に除去したのち、塩酸系のエッチ
ャント（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
スペーサ層を除去する（ｅ）。
【００３３】細線上にＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層２８を
再成長させＧａＡｓ量子細線２９が埋め込まれた形状が
完成する（ｆ）。
再成長させＧａＡｓ量子細線２９が埋め込まれた形状が
完成する（ｆ）。
【００３４】この構成においては、ＧａＡｓ量子井戸層
の直上にスペーサ層であるＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層があり、
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を挿入していないためドライ
エッチングによる量子細線を形成する際の線幅の制御性
が改善できる。すなわち、高密度の量子細線を均一性よ
く形成することが可能となる。
の直上にスペーサ層であるＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層があり、
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を挿入していないためドライ
エッチングによる量子細線を形成する際の線幅の制御性
が改善できる。すなわち、高密度の量子細線を均一性よ
く形成することが可能となる。
【００３５】なお、実施例においては、電子ビームリソ
グラフィーによるマスクパターンを結晶方位（１１０）
方向になるように描画したが、異なる方位での描画でも
細線化を図ることは可能である。また，ドライエッチン
グによりＧａＡｓ井戸層のみをエッチングしているが、
ＧａＡｓ井戸層、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エッ
チングして行うことも可能である。また、スペーサ層Ｇ
ａxＩｎ1ーxＰのｘをＧａＡｓと格子整合する０．５と設
定しているが、歪超格子の導入によってはｘを０から１
の間の任意の値を取り結晶成長させることもできる。ま
た、マスクパターンを格子状に形成することにより、量
子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの形成も
可能となることは言うまでもない。
グラフィーによるマスクパターンを結晶方位（１１０）
方向になるように描画したが、異なる方位での描画でも
細線化を図ることは可能である。また，ドライエッチン
グによりＧａＡｓ井戸層のみをエッチングしているが、
ＧａＡｓ井戸層、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エッ
チングして行うことも可能である。また、スペーサ層Ｇ
ａxＩｎ1ーxＰのｘをＧａＡｓと格子整合する０．５と設
定しているが、歪超格子の導入によってはｘを０から１
の間の任意の値を取り結晶成長させることもできる。ま
た、マスクパターンを格子状に形成することにより、量
子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの形成も
可能となることは言うまでもない。
【００３６】図３は本発明の第３の実施例における化合
物半導体の微細構造のひとつである量子細線の形成方法
の工程図を示すものである。図３において、３１は量子
細線構造が形成されるＧａＡｓ基板、３２はＧａＡｓバ
ッファ層、３３はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、３４はＧ
ａＡｓ量子井戸層、３５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、
３６はスペーサ層となるＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層、３７は上
記結晶構造上に形成されたエッチングマスクとなるシリ
コン酸化膜、３８はシリコン酸化膜へパターンを転写す
るため電子ビームリソグラフィーで形成したレジストパ
ターン、１９は形成されたＧａＡｓ量子細線である。
物半導体の微細構造のひとつである量子細線の形成方法
の工程図を示すものである。図３において、３１は量子
細線構造が形成されるＧａＡｓ基板、３２はＧａＡｓバ
ッファ層、３３はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、３４はＧ
ａＡｓ量子井戸層、３５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、
３６はスペーサ層となるＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層、３７は上
記結晶構造上に形成されたエッチングマスクとなるシリ
コン酸化膜、３８はシリコン酸化膜へパターンを転写す
るため電子ビームリソグラフィーで形成したレジストパ
ターン、１９は形成されたＧａＡｓ量子細線である。
【００３７】以上のように構成されたこの実施例の微細
構造形成方法の工程において、以下その形成方法を工程
図に従って説明する。
構造形成方法の工程において、以下その形成方法を工程
図に従って説明する。
【００３８】ＧａＡｓ基板３１上にＧａＡｓバッファ層
３２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３３、ＧａＡｓ量子井
戸層３４、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３５、Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐスペーサ層３６を連続的に結晶成長させる。Ｇ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３６の厚さは数１０ｎｍ程度の厚さは
必要である。次にシリコン酸化膜３７を堆積し、電子ビ
ームリソグラフィーでレジストパターン３８を形成す
る。ストライプパターンは結晶方位（１１０）方向にな
るように描画する（ａ）。
３２、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３３、ＧａＡｓ量子井
戸層３４、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３５、Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐスペーサ層３６を連続的に結晶成長させる。Ｇ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３６の厚さは数１０ｎｍ程度の厚さは
必要である。次にシリコン酸化膜３７を堆積し、電子ビ
ームリソグラフィーでレジストパターン３８を形成す
る。ストライプパターンは結晶方位（１１０）方向にな
るように描画する（ａ）。
【００３９】弗酸系のエッチャントでシリコン酸化膜３
７をエッチングし、レジストパターン３８を転写する
（ｂ）。
７をエッチングし、レジストパターン３８を転写する
（ｂ）。
【００４０】塩酸系のエッチャント（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝
２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層３６をエッチン
グしシリコン酸化膜のパターンを転写する。この時、Ａ
ｌ0. 3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３５は塩酸系のエッチャントに
対してはエッチングされない（ｃ）。
２：１）でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層３６をエッチン
グしシリコン酸化膜のパターンを転写する。この時、Ａ
ｌ0. 3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３５は塩酸系のエッチャントに
対してはエッチングされない（ｃ）。
【００４１】ドライエッチングによりシリコン酸化膜及
びＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層をエッチングマスクとし
て、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、ＧａＡｓ井戸層、Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エッチングする。この時、
シリコン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度
が小さくマスクとして十分作用する（ｄ）。
びＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層をエッチングマスクとし
て、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層、ＧａＡｓ井戸層、Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エッチングする。この時、
シリコン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度
が小さくマスクとして十分作用する（ｄ）。
【００４２】硫酸系エッチャントを用いてＡｌ0.3Ｇａ
0.7Ａｓ／ＧａＡｓの細線をさらにエッチングする。深
さ方向のエッチングと同時に横方向のエッチング（オー
バーエッチング）を進行させさらに細線化を図る。この
時Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層は硫酸系のエッチャントに対して
はエッチングされないのでマスクとして十分作用する
（ｅ）。
0.7Ａｓ／ＧａＡｓの細線をさらにエッチングする。深
さ方向のエッチングと同時に横方向のエッチング（オー
バーエッチング）を進行させさらに細線化を図る。この
時Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層は硫酸系のエッチャントに対して
はエッチングされないのでマスクとして十分作用する
（ｅ）。
【００４３】エッチングマスクであるシリコン酸化膜と
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造の間に挿入
されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層を塩酸系のエッチャ
ントを用いて選択的に除去する（ｆ）。
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造の間に挿入
されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層を塩酸系のエッチャ
ントを用いて選択的に除去する（ｆ）。
【００４４】この構成においては、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐス
ペーサ層により、ドライエッチング時のＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ／ＧａＡｓへのダメージ層の発生の低減を図れる。
さらに、ドライエッチング終了後、深さ方向のエッチン
グと同時に横方向のエッチング（オーバーエッチング）
を進行させ、発生したダメージ層を除去すると同時に井
戸層の線幅をさらに細くさせて量子細線を形成すること
ができる。オーバーエッチング時のエッチングマスクと
なるＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層はあらかじめ連続的に
結晶成長させているため界面での汚染や自然酸化膜の形
成などによる密着性の悪化もないため、細線を形成する
際の線幅の制御性も改善できる。すなわち、低損傷で制
御性よく、かつ高密度に量子細線等の微細構造を形成す
ることができる。
ペーサ層により、ドライエッチング時のＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ／ＧａＡｓへのダメージ層の発生の低減を図れる。
さらに、ドライエッチング終了後、深さ方向のエッチン
グと同時に横方向のエッチング（オーバーエッチング）
を進行させ、発生したダメージ層を除去すると同時に井
戸層の線幅をさらに細くさせて量子細線を形成すること
ができる。オーバーエッチング時のエッチングマスクと
なるＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層はあらかじめ連続的に
結晶成長させているため界面での汚染や自然酸化膜の形
成などによる密着性の悪化もないため、細線を形成する
際の線幅の制御性も改善できる。すなわち、低損傷で制
御性よく、かつ高密度に量子細線等の微細構造を形成す
ることができる。
【００４５】なお、実施例においては、電子ビームリソ
グラフィーによるマスクパターンを結晶方位（１１０）
方向になるように描画したが、異なる方位での描画でも
細線化を図ることは可能である。また、スペーサ層Ｇａ
xＩｎ1ーxＰの組成比ｘをＧａＡｓと格子整合する０．５
と設定しているが、歪超格子の導入によってはｘを０か
ら１の間の任意の値を取り結晶成長させることもでき
る。また、マスクパターンを格子状に形成することによ
り、量子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの
形成も可能となることは言うまでもない。
グラフィーによるマスクパターンを結晶方位（１１０）
方向になるように描画したが、異なる方位での描画でも
細線化を図ることは可能である。また、スペーサ層Ｇａ
xＩｎ1ーxＰの組成比ｘをＧａＡｓと格子整合する０．５
と設定しているが、歪超格子の導入によってはｘを０か
ら１の間の任意の値を取り結晶成長させることもでき
る。また、マスクパターンを格子状に形成することによ
り、量子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの
形成も可能となることは言うまでもない。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＧａＡｓ系化合物半導体微細構造を低損傷で制御性よ
く、かつ高密度に形成する方法を提供することができ、
その実用的効果は大きい。
ＧａＡｓ系化合物半導体微細構造を低損傷で制御性よ
く、かつ高密度に形成する方法を提供することができ、
その実用的効果は大きい。
【図１】本発明の第１の実施例における化合物半導体の
微細構造形成方法の工程断面図
微細構造形成方法の工程断面図
【図２】本発明の第２の実施例における化合物半導体の
微細構造形成方法の工程断面図
微細構造形成方法の工程断面図
【図３】本発明の第３の実施例における化合物半導体の
微細構造形成方法の工程断面図
微細構造形成方法の工程断面図
【図４】従来のＧａＡｓ系化合物半導体基板上への微細
構造形成方法のプロセスの工程断面図
構造形成方法のプロセスの工程断面図
１１ ＧａＡｓ基板 １２ ＧａＡｓバッファ層 １３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 １４ ＧａＡｓ量子井戸層 １５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 １６ Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層 １７ シリコン酸化膜 １８ レジストパターン １９ ＧａＡｓ量子細線 ２１ ＧａＡｓ基板 ２２ ＧａＡｓバッファ層 ２３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ２４ ＧａＡｓ量子井戸層 ２５ Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層 ２６ シリコン酸化膜 ２７ レジストパターン ２８ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ２９ ＧａＡｓ量子細線 ３１ ＧａＡｓ基板 ３２ ＧａＡｓバッファ層 ３３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ３４ ＧａＡｓ量子井戸層 ３５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ３６ Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐスペーサ層 ３７ シリコン酸化膜 ３８ レジストパターン ３９ ＧａＡｓ量子細線 ４１ ＧａＡｓ基板 ４２ ＧａＡｓバッファ層 ４３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ４４ ＧａＡｓ量子井戸層 ４５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ４６ シリコン酸化膜 ４７ レジストパターン ４８ ＧａＡｓ量子細線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 幸雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】ＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしくは
ＧａＡｓ系の量子井戸構造を有する化合物半導体にＧａ
xＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）からなるスペーサ層を連続的
に結晶成長する工程と、エッチングマスクを介し塩酸系
のエッチャントを用いて前記ＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦
１）スペーサ層をエッチングする工程と、ドライエッチ
ングを用いて前記ＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もし
くはＧａＡｓ系の量子井戸構造を有する化合物半導体を
エッチングする工程と、それに引き続き塩酸系のエッチ
ャントを用いて前記ＧａxＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）スペ
ーサ層を全面除去する工程とを備えたことを特徴とする
化合物半導体の微細構造形成方法。 - 【請求項２】ＧａＡｓからなる量子井戸層の直上にＧａ
xＩｎ1ーxＰ（０≦ｘ≦１）からなるスペーサ層を連続的
に結晶成長させる工程をもつことを特徴とする請求項１
記載の化合物半導体の微細構造形成方法。 - 【請求項３】ドライエッチングに引き続き硫酸系エッチ
ャントを用いてＡｌxＧａ1ーxＡｓ（０≦ｘ≦１）もしく
はＧａＡｓ系の量子井戸構造を有する化合物半導体をエ
ッチングする工程をもつことを特徴とする請求項１記載
の化合物半導体の微細構造形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088534A JPH05291237A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 化合物半導体の微細構造形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088534A JPH05291237A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 化合物半導体の微細構造形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291237A true JPH05291237A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13945508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4088534A Pending JPH05291237A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 化合物半導体の微細構造形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264807A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体共鳴トンネルトランジスタおよびその作製方法 |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP4088534A patent/JPH05291237A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264807A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体共鳴トンネルトランジスタおよびその作製方法 |
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