JPH0529193A - Projection type exposure method using ultraviolet pulsed laser - Google Patents

Projection type exposure method using ultraviolet pulsed laser

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JPH0529193A
JPH0529193A JP3257457A JP25745791A JPH0529193A JP H0529193 A JPH0529193 A JP H0529193A JP 3257457 A JP3257457 A JP 3257457A JP 25745791 A JP25745791 A JP 25745791A JP H0529193 A JPH0529193 A JP H0529193A
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 高出力で短い波長の紫外パルスレーザ光を用
いてスペックル模様を発生することなく、微細な回路パ
ターンを縮小投影レンズにより基板上の所望の位置に高
い分解能で転写することができるようにした紫外パルス
レーザによる投影式露光方法を提供する。 【構成】 紫外パルスレーザ光源17から出射した紫外
パルスレーザ光を拡散せしめ、この拡散した紫外パルス
レーザ光を集光レンズ23により集光させて所望の微細
回路パターンを形成したレチクルに指向せしめて一様照
明し、基板を所望の位置に移動させ、この一様照明によ
りレチクル上の所望の微細回路パターンを縮小投影レン
ズにより基板上の所望の位置に結像せしめて前記所望の
微細回路パターンを基板上の所望の位置に投影露光す
る。
(57) [Summary] (Modified) [Purpose] A high-power, short-wavelength ultraviolet pulsed laser beam is used to generate a speckle pattern and generate a fine circuit pattern at a desired position on a substrate using a reduction projection lens Provided is a projection type exposure method using an ultraviolet pulse laser capable of transferring with high resolution. [Structure] An ultraviolet pulsed laser light emitted from an ultraviolet pulsed laser light source 17 is diffused, and the diffused ultraviolet pulsed laser light is condensed by a condenser lens 23 to be directed to a reticle on which a desired fine circuit pattern is formed. Likewise, the substrate is moved to a desired position, and by this uniform illumination, a desired fine circuit pattern on the reticle is imaged at a desired position on the substrate by a reduction projection lens to form the desired fine circuit pattern on the substrate. Projection exposure to the desired position above.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、IC、LSIを製造す
るためのウエハ基板上に微細な回路パターンをフォトリ
ピートして縮小投影焼付する紫外パルスレーザによる投
影式露光方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure method using an ultraviolet pulse laser for photorepeating a fine circuit pattern on a wafer substrate for producing ICs and LSIs and printing it by reduction projection printing.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は従来より使用されているフォトリ
ピータの構成図である。光源部分1の下に使用パターン
の例えば10倍の像を記録したレチクルプレートを固定
するレチクル保持部2がある。この下にカメラ胴部3が
あって、その最下部に露光レンズ(縮小投影レンズ)4
が取付けられている。縮小露光の際はレチクルプレート
は光源部分からくる光に照明され、その像は露光レンズ
4でプレートホルダー6に固定された被露光プレート5
の面上に結像し、縮小露光が行われる。1回縮小露光が
終るとXYステージ7が自動的に被露光プレートを次の
露光部分まで移動して停止し、次の縮小露光が行われ
る。このように必要な部分に次々と自動的に縮小露光が
行われ、一枚の被露光プレート(基板)への露光が完了
する。
2. Description of the Related Art FIG. 1 is a block diagram of a photo repeater conventionally used. Below the light source part 1 is a reticle holding part 2 for fixing a reticle plate on which an image of, for example, 10 times the usage pattern is recorded. Below this is the camera body 3, and at the bottom of it is the exposure lens (reduction projection lens) 4
Is installed. At the time of reduction exposure, the reticle plate is illuminated by the light coming from the light source portion, and its image is exposed plate 5 fixed to plate holder 6 by exposure lens 4.
An image is formed on the surface of, and reduction exposure is performed. When one reduction exposure is completed, the XY stage 7 automatically moves the plate to be exposed to the next exposure portion and stops, and the next reduction exposure is performed. In this way, reduction exposure is automatically performed one after another on necessary portions, and the exposure on one exposed plate (substrate) is completed.

【0003】上記光源部分1の詳細を図2に示す。反射
集光器8の上部に取付けられた光源ランプ9から出た集
束光10はシャッター11を経て、光の強度分布を一様
にする光インテグレーター12を経て一様分布の強度の
拡散光となってコリメータレンズ14に入り、平行光1
5となって図1のレチクル保持部2に入射する。
The details of the light source portion 1 are shown in FIG. Focused light 10 emitted from a light source lamp 9 attached to the upper part of the reflection concentrator 8 passes through a shutter 11 and a light integrator 12 that makes the light intensity distribution uniform, and becomes a diffused light with a uniform distribution. Enters the collimator lens 14 and collimates 1
5 and enters the reticle holding portion 2 of FIG.

【0004】また、特開昭48−30875号公報に露
光用の光源としてパルスレーザ光を用いることが知られ
ている。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 48-30875 discloses that pulse laser light is used as a light source for exposure.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
従来技術の縮小投影式露光装置の光源として、後者の従
来技術のパルスレーザ光源を用いた場合、レーザ光源は
一般的にスペクトルバンド幅が狭いことに起因し、いわ
ゆるスペックルノイズが発生し、微細な回路パターンを
高い分解能で転写することができないという課題を有し
ていた。
However, when the latter prior art pulsed laser light source is used as the light source of the former prior art reduction projection exposure apparatus, the laser light source generally has a narrow spectral bandwidth. Therefore, there is a problem that so-called speckle noise is generated and a fine circuit pattern cannot be transferred with high resolution.

【0006】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
高出力で短い波長の紫外パルスレーザ光を用いてスペッ
クル模様を発生することなく、微細な回路パターンを縮
小投影レンズにより基板上の所望の位置に高い分解能で
転写することができるようにした紫外パルスレーザによ
る投影式露光方法を提供するにある。
An object of the present invention is to solve the above problems.
A high-power, short-wavelength ultraviolet pulsed laser beam is used to transfer a fine circuit pattern to a desired position on a substrate with high resolution using a reduction projection lens without generating a speckle pattern. A projection exposure method using a pulse laser is provided.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、上記目的
を達成するために、紫外パルスレーザ光源から出射した
紫外パルスレーザ光を拡散せしめ、この拡散した紫外パ
ルスレーザ光を集光レンズにより集光させて所望の微細
回路パターンを形成したレチクルに指向せしめて一様照
明し、基板を所望の位置に移動させ、この一様照明によ
りレチクル上の所望の微細回路パターンを縮小投影レン
ズにより基板上の所望の位置に結像せしめて前記所望の
微細回路パターンを基板上の所望の位置に投影露光する
ことを特徴とする紫外パルスレーザによる投影式露光方
法である。
In order to achieve the above object, the present invention diffuses the ultraviolet pulsed laser light emitted from the ultraviolet pulsed laser light source, and collects the diffused ultraviolet pulsed laser light with a condenser lens. The reticle on which the desired fine circuit pattern is formed is illuminated and uniformly illuminated, and the substrate is moved to a desired position. This uniform illumination causes the reduction projection lens to project the desired fine circuit pattern on the reticle onto the substrate. Is a projection type exposure method using an ultraviolet pulse laser, wherein the desired fine circuit pattern is projected and exposed at a desired position on the substrate by forming an image at the desired position.

【0008】[0008]

【作用】上記構成により、高出力で短い波長の紫外パル
スレーザ光を用いてスペックル模様を発生させることな
く、しかも微細な回路パターンを縮小投影レンズにより
基板上の所望の位置に順次縮小露光して高い分解能で転
写することができる。
With the above structure, a speckle pattern is not generated by using an ultraviolet pulsed laser beam having a high output and a short wavelength, and a fine circuit pattern is successively reduced and exposed to a desired position on a substrate by a reduction projection lens. Can be transferred with high resolution.

【0009】[0009]

【実施例】以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具
体的に説明する。図3は本発明の露光装置であるフォト
リピータの一実施例の概略構成を示した図、図4は図3
に示す光源部分16を詳細に示した構成図である。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to the examples shown in the drawings. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an embodiment of a photo repeater which is an exposure apparatus of the present invention, and FIG.
It is a block diagram which showed in detail the light source part 16 shown in FIG.

【0010】16は高出力の平行なレーザ光を出力する
光源部分である。即ちパルス巾の十分短いパルス光を出
すレーザ発信器17から出た露光用のレーザ光18は、
ミラー19で下方に屈げられ、シャッター20を通って
光インテグレーター21に入って光の分布が一様な拡散
光22となってコリメーターレンズ23に入り、平行光
束24となってレチクル保持部2に進む。そしてXYス
テージ7を連続的に移動させ、所定位置でパルスレーザ
を出力することによりレチクル像は露光レンズ(縮小投
影レンズ)4により被露光プレート(基板)5に転写さ
れる。
Reference numeral 16 is a light source portion for outputting a high-power parallel laser beam. That is, the laser light 18 for exposure emitted from the laser oscillator 17 which emits pulsed light having a sufficiently short pulse width is
The light is bent downward by the mirror 19, enters the optical integrator 21 through the shutter 20, becomes diffused light 22 having a uniform light distribution, enters the collimator lens 23, and becomes a parallel light beam 24, and becomes the reticle holding unit 2. Proceed to. Then, by continuously moving the XY stage 7 and outputting a pulse laser at a predetermined position, the reticle image is transferred to the plate to be exposed (substrate) 5 by the exposure lens (reduction projection lens) 4.

【0011】フォトリピータの送りは通常早くても10
0mm/sまでであるが、送りをかけたまま露光を行うた
めには、移動による像のずれがパターンに影響を与えな
いだけ短い時間の露光にしなければならない。例えば、
1μmパターンの場合、0.1μm以下の像のずれにお
さえるためには、1μs以下の短いパルス巾のレーザで
ある必要がある。また露光波長3000〜4000Åで
通常フォトレジストの露光には10mJ/cm3以上のエ
ネルギー密度が必要である。途中の光学系での透過率を
1/3とすると、最大10mm角のチップで必要なレーザ
出力は30mJである。
The photorepeater is normally fed at the earliest 10 times.
Although it is up to 0 mm / s, in order to perform the exposure while feeding, the exposure must be performed for a short time as long as the displacement of the image does not affect the pattern. For example,
In the case of a 1 μm pattern, it is necessary to use a laser having a short pulse width of 1 μs or less in order to suppress an image shift of 0.1 μm or less. Further, at an exposure wavelength of 3000 to 4000 Å, an energy density of 10 mJ / cm 3 or more is usually required for exposing a photoresist. Assuming that the transmittance of the optical system on the way is 1/3, the laser output required for a chip of maximum 10 mm square is 30 mJ.

【0012】以上述べた如く、露光波長3000〜40
00Åでパルス巾1μs以下、レーザ出力30mJ以上
のレーザを用いれば、フォトリピーターはレチクル保持
部(マスターレチクル)2と被露光プレート5を相対的
に100mm/s以下の速度で移動させながら所定の位置
に来たことを示すトリガー信号で連続的に露光を行うこ
とができ、露光時間は大巾に短縮することができる。
As described above, the exposure wavelength is 3000 to 40.
Using a laser with a pulse width of 1 μs or less and a laser output of 30 mJ or more at 00Å, the photo repeater moves the reticle holding part (master reticle) 2 and the exposed plate 5 at a predetermined position while moving them at a speed of 100 mm / s or less. It is possible to continuously perform exposure with a trigger signal indicating that the exposure time has come, and the exposure time can be greatly shortened.

【0013】なお、従来技術に述べてあるように、XY
ステージ7を間欠的に移動させ、所望の位置でパルスレ
ーザを出力することによりレチクル像は、被露光プレー
ト(基板)5に転写できることもできることは明らかで
ある。
As described in the prior art, XY
It is obvious that the reticle image can be transferred onto the plate (substrate) 5 to be exposed by moving the stage 7 intermittently and outputting a pulse laser at a desired position.

【0014】図4は光源部分16の他の一実施例の構成
を示すものである。パルス巾の十分短いパルス光を出す
レーザ発信器17から出たレーザ光18はミラー19で
下方に屈げられ、シャッター20を通って光インテグレ
ーター21に入り、光の強度分布の一様な拡散光22と
なってコリメーターレンズ(集光レンズ)23に入り、
該コリメーターレンズ23の出射端の拡散光像を露光レ
ンズ4の入射瞳に結像させるべく平行光束24となって
レチクル保持部2に送られる。そしてこの光で照明され
たレチクルの像は、露光レンズ4により移動しながら被
露光プレート5に転写される。
FIG. 4 shows the construction of another embodiment of the light source section 16. A laser beam 18 emitted from a laser oscillator 17 which emits a pulsed light having a sufficiently short pulse width is bent downward by a mirror 19, passes through a shutter 20 and enters an optical integrator 21, and is a diffused light with a uniform intensity distribution. 22 enters the collimator lens (condensing lens) 23,
The diffused light image at the exit end of the collimator lens 23 is sent to the reticle holding unit 2 as a parallel light beam 24 so as to form an image on the entrance pupil of the exposure lens 4. The image of the reticle illuminated with this light is transferred to the plate 5 to be exposed while moving by the exposure lens 4.

【0015】本実施例の特徴は、図4に示す投影式露光
装置の照明光学系にスペックルの発生を抑制するスペッ
クル抑制光学系25を備えた点にある。露光光源にレー
ザを用いた場合レーザ光は可干渉性が強いため、転写パ
ターンにスペックル模様が生じる。図4及び図5の中に
示されている光インテグレータ21がかなりのスペック
ル抑制効果をもつが、微細なパターンの場合、高い分解
能が要求されるため、これだけでは高精度の転写は困難
である。そこで図5に示すようにスペックル抑制光学系
25を用いてはじめて微細なパターンを正確にしかも高
速で転写することを得る。
A feature of this embodiment is that the illumination optical system of the projection type exposure apparatus shown in FIG. 4 is provided with a speckle suppressing optical system 25 for suppressing generation of speckle. When a laser is used as the exposure light source, the coherence of the laser light is strong, so that a speckle pattern is generated in the transfer pattern. The optical integrator 21 shown in FIGS. 4 and 5 has a considerable speckle suppression effect, but in the case of a fine pattern, high resolution is required, and thus it is difficult to perform highly accurate transfer by itself. .. Therefore, as shown in FIG. 5, it is possible to transfer a fine pattern accurately and at high speed only by using the speckle suppression optical system 25.

【0016】図6は本発明に用いたスペックル抑制光学
系の一例を示すものである。可干渉性の高いレーザ光1
8はセル26に入射し、中の液体27を通過することに
より、光のバンド巾が広がり、可干渉性が低減された低
干渉性レーザ光28として出てくる。液体27には牛乳
を水で薄めた液や、二硫化炭素など色々なものが利用で
きる。
FIG. 6 shows an example of the speckle suppressing optical system used in the present invention. Laser light with high coherence 1
When 8 enters the cell 26 and passes through the liquid 27 therein, the band width of the light is widened and emerges as a low-coherence laser light 28 with reduced coherence. As the liquid 27, various liquids such as a liquid obtained by diluting milk with water and carbon disulfide can be used.

【0017】図7は本発明中に用いたスペックル抑制光
学系の他の一例を示したものである。可干渉性の高いレ
ーザ光18は可干渉長を越えるような長さの不均一さを
もった光ファイバ束29に入り、空間内で波面を異なら
しめて低干渉性の光30として出てくるため、スペック
ルの発生を抑制することができる。
FIG. 7 shows another example of the speckle suppressing optical system used in the present invention. The laser light 18 having a high coherence enters the optical fiber bundle 29 having a length nonuniformity exceeding the coherence length, and the wavefronts are made different in the space to emerge as the light 30 having a low coherence. The generation of speckles can be suppressed.

【0018】図8は本発明中に用いたスペックル抑制光
学系25の他の一例を示したものである。可干渉性の高
いレーザ光18はセル26に入り、中の液体28を通る
ことにより、光のバンド巾が広がり、可干渉性が低減さ
れ、低干渉性のレーザ光28として出てくる。次にこの
光は、この光のもつ可干渉長より長い、長さの不均一さ
をもった光ファイバー束29に入り、さらに低干渉性の
レーザ光30となって出ていく。この光で露光を行うこ
とにより、短パルスのレーザ光でも十分露光の際のスペ
ックルの発生を抑制することができる。
FIG. 8 shows another example of the speckle suppressing optical system 25 used in the present invention. The laser light 18 having a high coherence enters the cell 26 and passes through the liquid 28 in the cell 26, so that the bandwidth of the light is widened, the coherence is reduced, and the laser light 28 is emitted as a low coherence. Next, this light enters the optical fiber bundle 29 having a nonuniform length, which is longer than the coherence length of the light, and further emerges as a laser light 30 with low coherence. By performing the exposure with this light, it is possible to suppress the generation of speckles even when the laser light with a short pulse is sufficiently exposed.

【0019】図9は本発明中に用いたスペックル抑制光
学系25の他の一例を示したものである。可干渉性の高
いレーザ光18はモーター31によって回転させられて
いるスリガラス32に当り、ランダムな光変調を受け、
空間内で波面を異ならしめて可干渉性が低減された拡散
光33となり、次に静止したスリガラス34に入射して
再び光の方向をランダムに変えられ、可干渉性が低減さ
れた拡散光35となって出てくる。従ってこの光を使う
ことによりスペックルの発生をおさえることができる。
FIG. 9 shows another example of the speckle suppressing optical system 25 used in the present invention. The laser light 18 with high coherence hits the ground glass 32 rotated by the motor 31 and undergoes random light modulation,
The diffused light 33 with the coherence reduced by making the wavefronts different in the space is then incident on the stationary ground glass 34 and the direction of the light is randomly changed again, and the diffused light 35 with the reduced coherence is generated. Comes out. Therefore, speckle can be suppressed by using this light.

【0020】この回転スリガラスを2個以上通過させれ
ばスペックルの抑制効果はそれだけ高くなる。しかし、
レーザ光の透過率は低下するため、一定の限度がある。
またスリガラスは必ずしも回転である必要はなく、振動
や一方向への移動など任意の運動でよい。静止スリガラ
スだけでもある程度効果はあるが運動スリガラスを加え
ることにより、その効果は飛躍する。
If two or more of the rotary ground glass are allowed to pass, the effect of suppressing speckles will be correspondingly higher. But,
Since the transmittance of laser light is lowered, there is a certain limit.
Further, the ground glass is not necessarily required to be rotated, and may be any movement such as vibration or movement in one direction. The static ground glass alone has some effect, but by adding the motion ground glass, the effect is dramatically increased.

【0021】以上のような各種のスペックル抑制光学系
を単独または複数個光源部分の光路中に設けることによ
り、微細なパターンを高い分解能で転写することができ
る。
By providing each of the various speckle suppressing optical systems as described above or in the optical path of the light source part, a fine pattern can be transferred with high resolution.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、縮
小投影式露光方法において、高出力で短い波長の紫外パ
ルスレーザ光を用いて、スペックル模様を発生すること
なく、微細な回路パターンを縮小投影レンズにより基板
上の所望の位置に順次高い分解能で縮小投影露光するこ
とができる効果を奏する。
As described above, according to the present invention, in the reduction projection type exposure method, a high-output, short-wavelength ultraviolet pulse laser beam is used to generate a fine circuit pattern without generating a speckle pattern. With the reduction projection lens, it is possible to perform reduction projection exposure to desired positions on the substrate sequentially with high resolution.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】フォトリピータを示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a photo repeater.

【図2】光源部分1を詳細に示す構成図。FIG. 2 is a configuration diagram showing a light source portion 1 in detail.

【図3】フォトリピータの一実施例の概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an embodiment of a photo repeater.

【図4】光源部分16を詳細に示した構成図。FIG. 4 is a configuration diagram showing a light source portion 16 in detail.

【図5】光源部分の他の例を示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing another example of a light source portion.

【図6】スペックル抑制光学系の一例。FIG. 6 is an example of a speckle suppression optical system.

【図7】スペックル抑制光学系の他の一例。FIG. 7 shows another example of the speckle suppression optical system.

【図8】スペックル抑制光学系25の他の一例。FIG. 8 shows another example of the speckle suppression optical system 25.

【図9】スペックル抑制光学系25の他の一例。FIG. 9 shows another example of the speckle suppression optical system 25.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…レチクル保持部、 3…カメラ胴部、 4…露光レンズ(縮小投影レンズ)、 5…被露光プレート(基板)、 6…プレートホルダー、 7…XYステージ、 16…光源部分、 17…レーザ発振器、 20…シャッター、 21…光インテグレーター、 23…コリメートレンズ、 25…スペックル抑制光学系 2 ... Reticle holding part, 3 ... Camera body part, 4 ... Exposure lens (reduction projection lens), 5 ... Exposed plate (substrate), 6 ... Plate holder, 7 ... XY stage, 16 ... Light source part, 17 ... Laser oscillator , 20 ... Shutter, 21 ... Optical integrator, 23 ... Collimating lens, 25 ... Speckle suppression optical system

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】紫外パルスレーザ光源から出射した紫外パ
ルスレーザ光を拡散せしめ、この拡散した紫外パルスレ
ーザ光を集光レンズにより集光させて所望の微細回路パ
ターンを形成したレチクルに指向せしめて一様照明し、
基板を所望の位置に移動させ、この一様照明によりレチ
クル上の所望の微細回路パターンを縮小投影レンズによ
り基板上の所望の位置に結像せしめて前記所望の微細回
路パターンを基板上の所望の位置に投影露光することを
特徴とする紫外パルスレーザによる投影式露光方法。
Claim: What is claimed is: 1. An ultraviolet pulsed laser beam emitted from an ultraviolet pulsed laser light source is diffused, and the diffused ultraviolet pulsed laser beam is condensed by a condenser lens to form a desired fine circuit pattern. Point it at the reticle and illuminate it uniformly,
The substrate is moved to a desired position, and the uniform illumination causes the desired fine circuit pattern on the reticle to be imaged at a desired position on the substrate by a reduction projection lens, so that the desired fine circuit pattern is formed on the substrate. A projection type exposure method using an ultraviolet pulse laser, which comprises projecting and exposing the position.
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