JPH0529281A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0529281A JPH0529281A JP3206297A JP20629791A JPH0529281A JP H0529281 A JPH0529281 A JP H0529281A JP 3206297 A JP3206297 A JP 3206297A JP 20629791 A JP20629791 A JP 20629791A JP H0529281 A JPH0529281 A JP H0529281A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエチング方法において、微細パターン
に容易にテーパを付けられるようにする。 【構成】 被エッチング材のマスクパタ−ンとして、そ
の断面形状が少なくとも底部から上方に向けて幅広に形
成されているものを使用し、ドライエッチングする。
に容易にテーパを付けられるようにする。 【構成】 被エッチング材のマスクパタ−ンとして、そ
の断面形状が少なくとも底部から上方に向けて幅広に形
成されているものを使用し、ドライエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、被エッチング材のテ
ーパエッチングに有用なドライエッチング方法に関す
る。
ーパエッチングに有用なドライエッチング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より高集積化した半導体の微細パタ
ーン形成方法として、プラズマエッチング、スパッタエ
ッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドラ
イエッチング方法が使用されているが、近年では著しく
高密度化した多層配線構造を可能とするために、単にド
ライエッチング方法で微細パターンを形成するだけでな
く、当該パターン上に積層される膜のカバレージを向上
させる等のために、当該微細パターンにテーパを付け
る、所謂テーパエッチングがなされている。
ーン形成方法として、プラズマエッチング、スパッタエ
ッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドラ
イエッチング方法が使用されているが、近年では著しく
高密度化した多層配線構造を可能とするために、単にド
ライエッチング方法で微細パターンを形成するだけでな
く、当該パターン上に積層される膜のカバレージを向上
させる等のために、当該微細パターンにテーパを付け
る、所謂テーパエッチングがなされている。
【０００３】テーパエッチングの方法については種々報
告されている。たとえば、一般に良く知られている配線
材料のテーパエッチングの方法としては、配線材料のマ
スクとなるレジストパターンにテーパを付けておき、エ
ッチング時に配線材料とマスクのエッチングの選択比を
低くし、レジスト後退により配線材料のパターンにテー
パを形成する方法（１９８５年春応用物理学会予稿集、
３３８頁）が知られている。図４はこのようなテーパエ
ッチング方法の説明図であり、この方法によれば、まず
同図の（Ａ）に示したように、基板１上にＳｉＯ2 膜
２、被エッチング材であるアルミニウム膜３を順次積層
し、さらにその上にテーパ付したレジストパターン４を
形成する。なお、このようなテーパ付したレジストパタ
ーン４は、常法によりレジストパターンを形成後、熱処
理等を施すことにより形成することができる。次いで、
テーパ付したレジストパターン４をマスクとして、反応
性イオンエッチングにより、対レジスト選択比が約１の
条件でエッチングし、レジスト後退によりレジストパタ
−ン４のテーパをアルミニウム膜３に転写して同図の
（Ｂ）のように配線パターンを形成する。
告されている。たとえば、一般に良く知られている配線
材料のテーパエッチングの方法としては、配線材料のマ
スクとなるレジストパターンにテーパを付けておき、エ
ッチング時に配線材料とマスクのエッチングの選択比を
低くし、レジスト後退により配線材料のパターンにテー
パを形成する方法（１９８５年春応用物理学会予稿集、
３３８頁）が知られている。図４はこのようなテーパエ
ッチング方法の説明図であり、この方法によれば、まず
同図の（Ａ）に示したように、基板１上にＳｉＯ2 膜
２、被エッチング材であるアルミニウム膜３を順次積層
し、さらにその上にテーパ付したレジストパターン４を
形成する。なお、このようなテーパ付したレジストパタ
ーン４は、常法によりレジストパターンを形成後、熱処
理等を施すことにより形成することができる。次いで、
テーパ付したレジストパターン４をマスクとして、反応
性イオンエッチングにより、対レジスト選択比が約１の
条件でエッチングし、レジスト後退によりレジストパタ
−ン４のテーパをアルミニウム膜３に転写して同図の
（Ｂ）のように配線パターンを形成する。
【０００４】また、その他のテーパエッチングの方法と
しては、エッチング室内にデポジションガスを添加し、
エッチングとデポジションとの競合反応によりテーパを
形成する方法（１９８６年ドライプロセスシンポジウ
ム、４８頁）が報告されており、最近ではウェハーの温
度をコントロールすることによりテーパを形成する方法
（１９８７年春応用物理学会予稿集、４６２頁）も報告
されている。
しては、エッチング室内にデポジションガスを添加し、
エッチングとデポジションとの競合反応によりテーパを
形成する方法（１９８６年ドライプロセスシンポジウ
ム、４８頁）が報告されており、最近ではウェハーの温
度をコントロールすることによりテーパを形成する方法
（１９８７年春応用物理学会予稿集、４６２頁）も報告
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
トパターンにテーパを付け、配線材料とマスクのエッチ
ングの選択比を低くする方法では、レジスト後退により
配線配線材料のパターンにテーパ付けをするので、変換
差が大きく、当初のレジストパターンの寸法とエッチン
グ後の配線材料の寸法との差異が大きなり、寸法制御が
困難となる。また、配線材料のパターン幅は、予め形成
しておくレジストパターンのテーパ幅に制約されるた
め、配線材料に微細なパターン形成をすることが困難と
なる。さらに配線材料のテーパは、レジストパターンの
テーパを転写することにより形成されるので、本来的に
対レジスト選択比を小さくすることが必要となる。この
ため、レジストの膜厚を比較的厚く形成する必要も生じ
る。したがって、この方法では、今後益々微細化する傾
向にあるパターン形成に対応できない。
トパターンにテーパを付け、配線材料とマスクのエッチ
ングの選択比を低くする方法では、レジスト後退により
配線配線材料のパターンにテーパ付けをするので、変換
差が大きく、当初のレジストパターンの寸法とエッチン
グ後の配線材料の寸法との差異が大きなり、寸法制御が
困難となる。また、配線材料のパターン幅は、予め形成
しておくレジストパターンのテーパ幅に制約されるた
め、配線材料に微細なパターン形成をすることが困難と
なる。さらに配線材料のテーパは、レジストパターンの
テーパを転写することにより形成されるので、本来的に
対レジスト選択比を小さくすることが必要となる。この
ため、レジストの膜厚を比較的厚く形成する必要も生じ
る。したがって、この方法では、今後益々微細化する傾
向にあるパターン形成に対応できない。
【０００６】また、デポジションガスを添加し、エッチ
ングとデポジションとの競合反応によりテーパを形成す
る方法では、デポジションガスが堆積性であるために、
パーティクル汚染の原因となるポリマーがエッチング室
内全体に発生することが懸念される。
ングとデポジションとの競合反応によりテーパを形成す
る方法では、デポジションガスが堆積性であるために、
パーティクル汚染の原因となるポリマーがエッチング室
内全体に発生することが懸念される。
【０００７】ウェハーの温度をコントロールすることに
よりテーパを形成する方法においては、ウェハーの温度
を厳密にコントロールすることが必要となるが、現状に
おいてはウェハーの温度をインプロセスで精度良く評価
する方法がないため、プロセスの信頼性の低下が懸念さ
れる。
よりテーパを形成する方法においては、ウェハーの温度
を厳密にコントロールすることが必要となるが、現状に
おいてはウェハーの温度をインプロセスで精度良く評価
する方法がないため、プロセスの信頼性の低下が懸念さ
れる。
【０００８】したがって、これまでのテーパエッチング
の方法は、微細パターンを高精度に形成するには不十分
であり、いずれも実用化には至っていない。
の方法は、微細パターンを高精度に形成するには不十分
であり、いずれも実用化には至っていない。
【０００９】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、微細パターンに対しても
容易にテーパを付けられるようにするドライエチング方
法を提供することを目的としている。
解決しようとするものであり、微細パターンに対しても
容易にテーパを付けられるようにするドライエチング方
法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するため、被エッチング材上にマスクパタ−ンを
形成しドライエッチングする方法において、該マスクパ
タ−ンの断面形状が少なくとも底部から上方に向けて幅
広に形成されていることを特徴とするドライエッチング
方法を提供する。
を達成するため、被エッチング材上にマスクパタ−ンを
形成しドライエッチングする方法において、該マスクパ
タ−ンの断面形状が少なくとも底部から上方に向けて幅
広に形成されていることを特徴とするドライエッチング
方法を提供する。
【００１１】この発明の方法は、ドライエッチングを実
施する際に使用するマスクパタ−ンとして、断面形状が
少なくとも底部から上方に向けて幅広に形成されている
ものを使用することにより容易に被エッチング材にテー
パエッチングすることを可能とするものである。
施する際に使用するマスクパタ−ンとして、断面形状が
少なくとも底部から上方に向けて幅広に形成されている
ものを使用することにより容易に被エッチング材にテー
パエッチングすることを可能とするものである。
【００１２】この場合、適用できるドライエッチング方
法としては、反応性イオンエッチングをはじめとして、
微細パターンの形成に好適な種々のドライエッチング方
法をあげることができる。
法としては、反応性イオンエッチングをはじめとして、
微細パターンの形成に好適な種々のドライエッチング方
法をあげることができる。
【００１３】また、使用するマスクパターンとしてもそ
れ自体としては種々のものを使用でき、例えば、ネガ型
レジストあるいはポジ型レジストを使用できる。このよ
うなフォトレジストとしては、特に微細パターンのテー
パに必要とされる幅の狭いテーパを形成する場合には、
露光波長における吸収率が比較的小さいものを使用する
ことが好ましい。
れ自体としては種々のものを使用でき、例えば、ネガ型
レジストあるいはポジ型レジストを使用できる。このよ
うなフォトレジストとしては、特に微細パターンのテー
パに必要とされる幅の狭いテーパを形成する場合には、
露光波長における吸収率が比較的小さいものを使用する
ことが好ましい。
【００１４】この発明においては、マスクパターンの形
状は、その断面が少なくとも底部から上方に向けて幅広
に形成されているものとする。このような断面形状とし
ては、マスクパターンが被エッチング材に接する底部よ
りもその上方部が幅広に形成されて庇状となり、その庇
の下方の被エッチング材の表面にエッチング時に垂直入
射するイオン等が到達しない領域を形成するようなもの
であれば特に制限はない。例えば、マスクパターンの断
面が底部から中央部にかけて幅広くなり、中央部から上
部にかけて幅狭くなっている樽型とすることができ、あ
るいは底部から上部にかけて幅広くなっている所謂逆テ
ーパ型とすることもできる。
状は、その断面が少なくとも底部から上方に向けて幅広
に形成されているものとする。このような断面形状とし
ては、マスクパターンが被エッチング材に接する底部よ
りもその上方部が幅広に形成されて庇状となり、その庇
の下方の被エッチング材の表面にエッチング時に垂直入
射するイオン等が到達しない領域を形成するようなもの
であれば特に制限はない。例えば、マスクパターンの断
面が底部から中央部にかけて幅広くなり、中央部から上
部にかけて幅狭くなっている樽型とすることができ、あ
るいは底部から上部にかけて幅広くなっている所謂逆テ
ーパ型とすることもできる。
【００１５】このようなマスクパターンの形成方法には
特に制限はなく、使用するレジストや被エッチング材の
種類等に応じて適宜形成方法を定めることができる。例
えばポジ型レジストからマスクパターン形成する場合に
は、常法のフォトリソグラフィによるパターン形成方法
において、露光時のベストフォーカスを被エッチング材
の表面よりやや上方にずらせばよい。これにより、従来
より使用されているフォトリソグラフィの装置を使用し
て容易に被エッチング材上に断面が樽型のレジストパタ
ーンを形成することができる。また、被エッチング材と
してアルミニウムのように反射率の高い高輝度材料を使
用する場合には、レジストとしては、通常、露光時の光
の散乱の影響を抑制するために通常色素を添加したもの
が使用されるが、この発明に好適な断面形状のマスクパ
ターンとする場合には、このような色素の添加量を減ら
せばよい。
特に制限はなく、使用するレジストや被エッチング材の
種類等に応じて適宜形成方法を定めることができる。例
えばポジ型レジストからマスクパターン形成する場合に
は、常法のフォトリソグラフィによるパターン形成方法
において、露光時のベストフォーカスを被エッチング材
の表面よりやや上方にずらせばよい。これにより、従来
より使用されているフォトリソグラフィの装置を使用し
て容易に被エッチング材上に断面が樽型のレジストパタ
ーンを形成することができる。また、被エッチング材と
してアルミニウムのように反射率の高い高輝度材料を使
用する場合には、レジストとしては、通常、露光時の光
の散乱の影響を抑制するために通常色素を添加したもの
が使用されるが、この発明に好適な断面形状のマスクパ
ターンとする場合には、このような色素の添加量を減ら
せばよい。
【００１６】
【作用】この発明のドライエッチング方法においては、
被エッチング材に設けるマスクパタ−ンの断面形状が、
少なくとも底部から上方に向けて幅広に形成されてい
る。したがって、例えば３図の（Ａ）に示したように、
基板１上にＳｉＯ2 膜２および被エッチング材であるア
ルミニウム膜３を順次積層した後、その上にマスクパタ
ーンとして底部５ａが幅狭で中央部５ｂが幅広のレジス
トパターン５を形成した場合には、レジストパターンの
中央部５ｂの下方のアルミニウム膜の領域３ａには、エ
ッチング時にレジストパターン５の中央部５ｂが庇とな
って垂直入射イオン（ａ＋）が到達できず、斜め入射イ
オン（ｂ＋）のみが到達できることとなる。一方、レジ
ストパターン５の幅広の中央部５ｂの庇の下に入らない
アルミニウム膜３の領域３ｂには、斜め入射イオン（ｂ
＋）だけでなく垂直入射イオン（ａ＋）も到達する。こ
のため、アルミニウム膜３の領域３ａは領域３ｂに対し
てエッチレートが低下し、エッチングを所期状態まで進
行させて終了させた時には３図の（Ｂ）に示すように、
エッチレートの低下した領域にテーパ３ｃが形成される
ようになる。なお、エッチング終了時にアルミニウム膜
３のパターン上に残存するレジストパターン５は常法に
より容易に除去することができる。こうしてアルミニウ
ム膜３に、レジストパターンとの変換率が小さく且つテ
ーパ付けしたパターンを形成することが可能となる。
被エッチング材に設けるマスクパタ−ンの断面形状が、
少なくとも底部から上方に向けて幅広に形成されてい
る。したがって、例えば３図の（Ａ）に示したように、
基板１上にＳｉＯ2 膜２および被エッチング材であるア
ルミニウム膜３を順次積層した後、その上にマスクパタ
ーンとして底部５ａが幅狭で中央部５ｂが幅広のレジス
トパターン５を形成した場合には、レジストパターンの
中央部５ｂの下方のアルミニウム膜の領域３ａには、エ
ッチング時にレジストパターン５の中央部５ｂが庇とな
って垂直入射イオン（ａ＋）が到達できず、斜め入射イ
オン（ｂ＋）のみが到達できることとなる。一方、レジ
ストパターン５の幅広の中央部５ｂの庇の下に入らない
アルミニウム膜３の領域３ｂには、斜め入射イオン（ｂ
＋）だけでなく垂直入射イオン（ａ＋）も到達する。こ
のため、アルミニウム膜３の領域３ａは領域３ｂに対し
てエッチレートが低下し、エッチングを所期状態まで進
行させて終了させた時には３図の（Ｂ）に示すように、
エッチレートの低下した領域にテーパ３ｃが形成される
ようになる。なお、エッチング終了時にアルミニウム膜
３のパターン上に残存するレジストパターン５は常法に
より容易に除去することができる。こうしてアルミニウ
ム膜３に、レジストパターンとの変換率が小さく且つテ
ーパ付けしたパターンを形成することが可能となる。
【００１７】したがって、この発明の方法によれば、被
エッチング材に形成するパターンが微細なものであって
もそれに応じた微細なテーパを付けることが可能とな
る。
エッチング材に形成するパターンが微細なものであって
もそれに応じた微細なテーパを付けることが可能とな
る。
【００１８】なお、このようにパターンにテーパを付け
るに際して、従来例のように堆積性のデポジションガス
を使用することは不要とされているので、パーティクル
汚染が生じない。
るに際して、従来例のように堆積性のデポジションガス
を使用することは不要とされているので、パーティクル
汚染が生じない。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて具
体的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一または
同等の構成要素を表している。 実施例１ 図１はこの発明の実施例の説明図である。この実施例に
おいては、シリコン基板１表面に、絶縁膜としてのＳｉ
Ｏ2 膜２を形成し、さらにその上に微細加工の対象とな
るアルミニウム膜３を形成し、その後ポジ型レジストで
断面が樽型のレジストパターン５を形成した（図１の
（Ａ））。
体的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一または
同等の構成要素を表している。 実施例１ 図１はこの発明の実施例の説明図である。この実施例に
おいては、シリコン基板１表面に、絶縁膜としてのＳｉ
Ｏ2 膜２を形成し、さらにその上に微細加工の対象とな
るアルミニウム膜３を形成し、その後ポジ型レジストで
断面が樽型のレジストパターン５を形成した（図１の
（Ａ））。
【００２０】次いで、このように形成したレジストパタ
ーン５をマスクとしてアルミニウム膜３をエッチングし
た。エッチング方法としては、マイクロ波プラズマエッ
チング装置を用い、反応ガスとして３塩化硼素（ＢＣｌ
3 ）ガスと塩素ガスとを６０ｓｃｃｍ対９０ｓｃｃｍの
流量比で用いた。また、圧力は１６ｍＴｏｒｒとし、マ
イクロ波のパワーは８００Ｗ、ＲＦバイアスは４０Ｗに
設定した。このようなマイクロ波プラズマエッチングに
おいては、放電により生じたラジカル種およびイオン種
によってエッチングが進行するが、図３について説明し
たように、レジストパターン５の幅広の中央部５ｂが庇
となるのでアルミニウム膜３の領域３ａには垂直入射イ
オン到達せず、斜め入射イオンによってエッチングが進
行する。このため、初期状態までエッチングを進行させ
た後にエッチングを終了させ、レジストパターン５を除
去することにより図１の（Ｂ）に示すように、上部の角
がとれ、テーパ付けされたアルミニウム膜３のパターン
が得られた。 実施例２ 図２はこの発明の他の実施例の説明図である。この実施
例においては、シリコン基板１表面に、ゲート酸化膜と
してＳｉＯ2 膜２を形成し、その上に微細加工の対象と
なるポリサイド膜８として、多結晶シリコン膜６および
タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ、ｘ＝１〜３）膜７
を順次形成し、その後実施例１と同様のレジストパター
ン５を形成した（図２の（Ａ））。
ーン５をマスクとしてアルミニウム膜３をエッチングし
た。エッチング方法としては、マイクロ波プラズマエッ
チング装置を用い、反応ガスとして３塩化硼素（ＢＣｌ
3 ）ガスと塩素ガスとを６０ｓｃｃｍ対９０ｓｃｃｍの
流量比で用いた。また、圧力は１６ｍＴｏｒｒとし、マ
イクロ波のパワーは８００Ｗ、ＲＦバイアスは４０Ｗに
設定した。このようなマイクロ波プラズマエッチングに
おいては、放電により生じたラジカル種およびイオン種
によってエッチングが進行するが、図３について説明し
たように、レジストパターン５の幅広の中央部５ｂが庇
となるのでアルミニウム膜３の領域３ａには垂直入射イ
オン到達せず、斜め入射イオンによってエッチングが進
行する。このため、初期状態までエッチングを進行させ
た後にエッチングを終了させ、レジストパターン５を除
去することにより図１の（Ｂ）に示すように、上部の角
がとれ、テーパ付けされたアルミニウム膜３のパターン
が得られた。 実施例２ 図２はこの発明の他の実施例の説明図である。この実施
例においては、シリコン基板１表面に、ゲート酸化膜と
してＳｉＯ2 膜２を形成し、その上に微細加工の対象と
なるポリサイド膜８として、多結晶シリコン膜６および
タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ、ｘ＝１〜３）膜７
を順次形成し、その後実施例１と同様のレジストパター
ン５を形成した（図２の（Ａ））。
【００２１】次に、多結晶シリコン膜６およびタングス
テンシリサイド膜７からなるポリサイド膜８をエッチン
グした。エッチング方法としては、反応性イオンエッチ
ング装置を用い、反応ガスとして臭化水素ガスと６フッ
化イオウガスとを５０ｓｃｃｍ対５ｓｃｃｍの流量比で
用いた。また、圧力は３０ｍＴｏｒｒとし、マイクロ波
のパワーは３００Ｗに設定した。
テンシリサイド膜７からなるポリサイド膜８をエッチン
グした。エッチング方法としては、反応性イオンエッチ
ング装置を用い、反応ガスとして臭化水素ガスと６フッ
化イオウガスとを５０ｓｃｃｍ対５ｓｃｃｍの流量比で
用いた。また、圧力は３０ｍＴｏｒｒとし、マイクロ波
のパワーは３００Ｗに設定した。
【００２２】この結果、図２の（Ｂ）に示すように、タ
ングステンシリサイド膜７の上端の角がとれた形状のパ
ターンが得られた。
ングステンシリサイド膜７の上端の角がとれた形状のパ
ターンが得られた。
【００２３】
【発明の効果】この発明のドライエチング方法によれ
ば、被エッチング材に微細パターンを形成する場合であ
っても、容易にそのパターンにテーパをつけること、あ
るいはパタ−ン端部の角をとることが可能となる。
ば、被エッチング材に微細パターンを形成する場合であ
っても、容易にそのパターンにテーパをつけること、あ
るいはパタ−ン端部の角をとることが可能となる。
【図１】この発明の実施例の説明図である。
【図２】この発明の他の実施例の説明図である。
【図３】この発明のドライエチング方法の作用の説明図
である。
である。
【図４】従来のテーパエッチングの説明図である。
１ 基板
２ ＳｉＯ2 膜
３ アルミニウム膜
４ 従来のテーパ付したレジストパターン
５ この発明の樽型のレジストパターン
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 21/3205
Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 被エッチング材上にマスクパタ−ンを形
成しドライエッチングする方法において、該マスクパタ
−ンの断面形状が少なくとも底部から上方に向けて幅広
に形成されていることを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項２】 該マスクパタ−ンがポジ型レジストから
なる請求項１記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03206297A JP3109059B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03206297A JP3109059B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529281A true JPH0529281A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3109059B2 JP3109059B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=16520972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03206297A Expired - Fee Related JP3109059B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109059B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444007A (en) * | 1994-08-03 | 1995-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Formation of trenches having different profiles |
| US6870870B2 (en) | 2001-06-11 | 2005-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and process for producing the same |
| US8198768B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-06-12 | Asmo Co., Ldt. | Motor |
| US9459306B2 (en) | 2012-05-03 | 2016-10-04 | Coriant Oy | Equipment and a plug-in unit of the equipment |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP03206297A patent/JP3109059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444007A (en) * | 1994-08-03 | 1995-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Formation of trenches having different profiles |
| US5753961A (en) * | 1994-08-03 | 1998-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Trench isolation structures for a semiconductor device |
| US6870870B2 (en) | 2001-06-11 | 2005-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and process for producing the same |
| US8198768B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-06-12 | Asmo Co., Ldt. | Motor |
| US9459306B2 (en) | 2012-05-03 | 2016-10-04 | Coriant Oy | Equipment and a plug-in unit of the equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3109059B2 (ja) | 2000-11-13 |
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