JPH0529301B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0529301B2 JPH0529301B2 JP63322313A JP32231388A JPH0529301B2 JP H0529301 B2 JPH0529301 B2 JP H0529301B2 JP 63322313 A JP63322313 A JP 63322313A JP 32231388 A JP32231388 A JP 32231388A JP H0529301 B2 JPH0529301 B2 JP H0529301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- amine compound
- positive resist
- resist containing
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特
に半導体基板上へのホトレジスト膜パターンの形
成方法に関するものである。
に半導体基板上へのホトレジスト膜パターンの形
成方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、ホトリソグラフイ技術における微細ホト
レジスト膜パターンを用いて、半導体基板上に金
属層の微細パターンを形成するリフトオフ・プロ
セスという方法がある。この方法を概要として
は、半導体基板上にホトレジストを塗布し、ステ
ツパー（縮小投影露光装置）により該ホトレジス
トを露光し、然る後、現像液にて現像することに
より、微細ホトレジスト膜パターンを形成し、さ
らに全面に金属層を蒸着させ、この微細ホトレジ
スト膜パターン上に形成された金属層を、剥離液
により、ホトレジスト共々剥がすことで、半導体
基板上に金属層の微細パターン、例えばゲート電
極、パツド電極等を形成するものである。
レジスト膜パターンを用いて、半導体基板上に金
属層の微細パターンを形成するリフトオフ・プロ
セスという方法がある。この方法を概要として
は、半導体基板上にホトレジストを塗布し、ステ
ツパー（縮小投影露光装置）により該ホトレジス
トを露光し、然る後、現像液にて現像することに
より、微細ホトレジスト膜パターンを形成し、さ
らに全面に金属層を蒸着させ、この微細ホトレジ
スト膜パターン上に形成された金属層を、剥離液
により、ホトレジスト共々剥がすことで、半導体
基板上に金属層の微細パターン、例えばゲート電
極、パツド電極等を形成するものである。
このリフトオフ・プロセスでは、ホトレジスト
共々金属層を剥がすために、半導体基板上の金属
層をエツチング除去する方法よりも、基板に与え
るダメージは少なく、かつ微細パターンの形成が
容易である。
共々金属層を剥がすために、半導体基板上の金属
層をエツチング除去する方法よりも、基板に与え
るダメージは少なく、かつ微細パターンの形成が
容易である。
以下、第２図ａ乃至第２図ｃを参照して、リフ
トオフ・プロセスについて説明する。
トオフ・プロセスについて説明する。
まず、第２図ａにおいて、半導体基板１０１上
に、例えばポジ型ホトレジスト１０２を塗布す
る。このポジ型ホトレジスト１０２には、例えば
ベース・ポリマーにフエノール・ノボラツク樹
脂、感光剤にジアゾナフトキノンを用いた、ホト
レジストを用いる。このホトレジスト１０２の塗
布された基板１０１をプリベーク処理した後、こ
のホトレジスト１０２が塗布された基板１０１上
に、マスク１０３を当て、図示しないステツパー
（縮小投影露光装置）により、紫外線光量
135mj／cm2の紫外線１０４を当て露光する。この
露光により、ホトレジスト１０２の感光した部分
において、含有されるナフトキノンジアジド、が
窒素ガス１０７を放出し、ホトレジスト１０２中
の水分や、空気中の水分等と結合することによ
り、アルカリ可溶性のインデンカルボン酸とな
る。前記ジアゾナフトキノンはベース・ポリマー
のフエノール・ノボラツク樹脂のアルカリ可溶性
を抑制しているが、インデンカルボン酸となるこ
とにより、その抑制力を失い、アルカリ可溶性と
なる。
に、例えばポジ型ホトレジスト１０２を塗布す
る。このポジ型ホトレジスト１０２には、例えば
ベース・ポリマーにフエノール・ノボラツク樹
脂、感光剤にジアゾナフトキノンを用いた、ホト
レジストを用いる。このホトレジスト１０２の塗
布された基板１０１をプリベーク処理した後、こ
のホトレジスト１０２が塗布された基板１０１上
に、マスク１０３を当て、図示しないステツパー
（縮小投影露光装置）により、紫外線光量
135mj／cm2の紫外線１０４を当て露光する。この
露光により、ホトレジスト１０２の感光した部分
において、含有されるナフトキノンジアジド、が
窒素ガス１０７を放出し、ホトレジスト１０２中
の水分や、空気中の水分等と結合することによ
り、アルカリ可溶性のインデンカルボン酸とな
る。前記ジアゾナフトキノンはベース・ポリマー
のフエノール・ノボラツク樹脂のアルカリ可溶性
を抑制しているが、インデンカルボン酸となるこ
とにより、その抑制力を失い、アルカリ可溶性と
なる。
次に第２図ｂにおいて、この抑制力を失つた、
レジスト１０２の感光部分をアルカリ水溶液であ
る現像液に浸漬することにより除去し、現像す
る。この時、残留したホトレジスト１０２は、こ
の例において、その端面が逆テーパーになるよう
に形成されている。
レジスト１０２の感光部分をアルカリ水溶液であ
る現像液に浸漬することにより除去し、現像す
る。この時、残留したホトレジスト１０２は、こ
の例において、その端面が逆テーパーになるよう
に形成されている。
次に、第２図ｃにおいて、第２図ｂの状態の装
置をポストベーク処理した後、全体に金属層１０
５を蒸着させる。この時、金属層１０５の蒸着工
程の熱により、ホトレジスト１０２から気体が発
生する。特にホトレジスト１０２内に含有されて
いるジアゾナフトキノンから窒素ガスが放出さ
れ、半導体基板１０１とレジスト１０２の界面
に、空間１０６が形成される。この形成された空
間１０６により、レジスト１０２の膨れ、もしく
は剥がれが生じる。次に、ホトレジスト１０２を
剥がす為、剥離液中に基板１０１を浸漬する。こ
の時、ホトレジスト１０２と基板１０１との界面
に形成され空間１０６による脹れの為、ホトレジ
スト１０２が反り、本来なら、露出するはずの逆
テーパーを形成したホトレジスト１０２の端面
が、基板１０１に密着してしまい、剥離液がホト
レジスト１０２に浸透しない。あるいは、基板上
に蒸着された金属層１０５と、ホトレジスト１０
２上の金属層１０５とが接触して剥離液の浸透す
べき〓間が塞がり、同時に、剥離液がレジスト１
０２に浸透しない等の問題を生じ、確実にリフト
オフできず、歩留りの低下を招いていた。また、
レジストの剥がれにあつては、その剥がれ部分
に、余分な金属層１０５が蒸着されてしまい、回
路の短絡等の問題を生じ、同様に歩留りの低下を
招いていた。
置をポストベーク処理した後、全体に金属層１０
５を蒸着させる。この時、金属層１０５の蒸着工
程の熱により、ホトレジスト１０２から気体が発
生する。特にホトレジスト１０２内に含有されて
いるジアゾナフトキノンから窒素ガスが放出さ
れ、半導体基板１０１とレジスト１０２の界面
に、空間１０６が形成される。この形成された空
間１０６により、レジスト１０２の膨れ、もしく
は剥がれが生じる。次に、ホトレジスト１０２を
剥がす為、剥離液中に基板１０１を浸漬する。こ
の時、ホトレジスト１０２と基板１０１との界面
に形成され空間１０６による脹れの為、ホトレジ
スト１０２が反り、本来なら、露出するはずの逆
テーパーを形成したホトレジスト１０２の端面
が、基板１０１に密着してしまい、剥離液がホト
レジスト１０２に浸透しない。あるいは、基板上
に蒸着された金属層１０５と、ホトレジスト１０
２上の金属層１０５とが接触して剥離液の浸透す
べき〓間が塞がり、同時に、剥離液がレジスト１
０２に浸透しない等の問題を生じ、確実にリフト
オフできず、歩留りの低下を招いていた。また、
レジストの剥がれにあつては、その剥がれ部分
に、余分な金属層１０５が蒸着されてしまい、回
路の短絡等の問題を生じ、同様に歩留りの低下を
招いていた。
（発明が解決しようとする課題）
この発明は上記のような点に鑑み為されたもの
で、金属層を基板上とホトレジスト上の双方に蒸
着する際、金属層蒸着時の輻射熱によりホトレジ
スト内に残留している感光剤から気体が発生し、
基板とホトレジストの界面に空間が形成され、ホ
トレジストの脹れ、あるいは剥がれが生じ、ホト
レジスト剥離液の未浸透によるホトレジスト上の
金属層の不除去、あるいは金属同士の短絡の点を
改善し、前記気体の発生を抑制し、ホトレジスト
と基板の界面に空間が形成されることが無いよう
にホトレジスト層を形成できる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
で、金属層を基板上とホトレジスト上の双方に蒸
着する際、金属層蒸着時の輻射熱によりホトレジ
スト内に残留している感光剤から気体が発生し、
基板とホトレジストの界面に空間が形成され、ホ
トレジストの脹れ、あるいは剥がれが生じ、ホト
レジスト剥離液の未浸透によるホトレジスト上の
金属層の不除去、あるいは金属同士の短絡の点を
改善し、前記気体の発生を抑制し、ホトレジスト
と基板の界面に空間が形成されることが無いよう
にホトレジスト層を形成できる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明による半導体装置の製造方法によれ
ば、ホトレジストに第１の露光を行い、感光した
部分から、まず輻射熱により放出されやすい気体
を放出させて現像液に対し、可溶性の物質へと変
化させる。次にベーク処理を行なうことにより、
この感光した部分を、現像液に不溶性の物質へ変
化させる。次に第２の露光を行なうことにより、
第１の露光において現像液に可溶性の物質へと変
化しなかつた部分を、可溶性の物質へと変化さ
せ、画像反転を行い、この部分を現像液にて現像
し、所定のレジスト・プロフアイルを得る。
ば、ホトレジストに第１の露光を行い、感光した
部分から、まず輻射熱により放出されやすい気体
を放出させて現像液に対し、可溶性の物質へと変
化させる。次にベーク処理を行なうことにより、
この感光した部分を、現像液に不溶性の物質へ変
化させる。次に第２の露光を行なうことにより、
第１の露光において現像液に可溶性の物質へと変
化しなかつた部分を、可溶性の物質へと変化さ
せ、画像反転を行い、この部分を現像液にて現像
し、所定のレジスト・プロフアイルを得る。
（作用）
上記のようなホトレジストの形成方法によれ
ば、第１の露光工程、第２の露光工程によつて、
ホトレジスト全体から、輻射熱にて放出されやす
い気体を全て放出させることにより、ホトレジス
ト上部に金属層を蒸着してもその輻射熱によりホ
トレジストから気体が発生することはない。よつ
て、ホトレジストと基板との界面に気体発生によ
る空間形成が無い。
ば、第１の露光工程、第２の露光工程によつて、
ホトレジスト全体から、輻射熱にて放出されやす
い気体を全て放出させることにより、ホトレジス
ト上部に金属層を蒸着してもその輻射熱によりホ
トレジストから気体が発生することはない。よつ
て、ホトレジストと基板との界面に気体発生によ
る空間形成が無い。
（実施例）
以下、第１図、および第２図を参照して、この
発明の実施例に係わる半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
発明の実施例に係わる半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
第１図ａ乃至第１図ｅは、この発明の第１の実
施例に係わる半導体装置の製造方法について、製
造工程順に示した断面図である。
施例に係わる半導体装置の製造方法について、製
造工程順に示した断面図である。
まず、第１図ａにおいて、半導体基板１１上
に、ポジ型ホトレジスト１２を塗布する。このポ
ジ型ホトレジスト１２には、例えばベース・ポリ
マーにフエノール・ノボラツク樹脂、感光剤にジ
アゾナフトキノンのホトレジスト（長瀬産業；
NPR820DX）を用いる。このホトレジスト１２
の塗布された基板１１をプリベーク処理した後、
マスク１３を当て、図示しないステツパーによ
り、紫外線光量600mj／cm2の紫外線１４を当てて
露光する。この露光により、ホトレジスト１２の
感光した部分において、含有されるジアゾナフト
キノンが窒素ガス１５を放出し、ホトレジスト１
２中の水分や、空気中の水分等と結合することに
より、アルカリ可溶性のインデンカルボン酸とな
る。前記ジアゾナフトキノンは、ベース・ポリマ
ーのフエノール・ノボラツク樹脂のアルカリ可溶
性を抑制しているが、インデンカルボン酸となる
ことにより、その抑制力を失い、アルカリ可溶性
となる。
に、ポジ型ホトレジスト１２を塗布する。このポ
ジ型ホトレジスト１２には、例えばベース・ポリ
マーにフエノール・ノボラツク樹脂、感光剤にジ
アゾナフトキノンのホトレジスト（長瀬産業；
NPR820DX）を用いる。このホトレジスト１２
の塗布された基板１１をプリベーク処理した後、
マスク１３を当て、図示しないステツパーによ
り、紫外線光量600mj／cm2の紫外線１４を当てて
露光する。この露光により、ホトレジスト１２の
感光した部分において、含有されるジアゾナフト
キノンが窒素ガス１５を放出し、ホトレジスト１
２中の水分や、空気中の水分等と結合することに
より、アルカリ可溶性のインデンカルボン酸とな
る。前記ジアゾナフトキノンは、ベース・ポリマ
ーのフエノール・ノボラツク樹脂のアルカリ可溶
性を抑制しているが、インデンカルボン酸となる
ことにより、その抑制力を失い、アルカリ可溶性
となる。
次に第１図ｂにおいて、この第１図ａに示す装
置をアンモニアガス１８雰囲気中でベーク処理す
ることにより、前記アルカリ可溶性のインデンカ
ルボン酸が、脱炭酸し、炭酸ガス１６を放出して
アルカリ不溶性のインデンとなる。
置をアンモニアガス１８雰囲気中でベーク処理す
ることにより、前記アルカリ可溶性のインデンカ
ルボン酸が、脱炭酸し、炭酸ガス１６を放出して
アルカリ不溶性のインデンとなる。
次に、第１図ｃにおいて、紫外線光量
1500mj／cm2の紫外線１４にて全面露光すること
により、第１図ａで未露光部であつた部分をも感
光させ、未露光部分のジアゾナフトキノンをイン
デンカルボン酸に変化させ、この部分をアルカリ
可溶性とする。この時、窒素ガス１５を放出す
る。また、第１図ａの段階で感光し、窒素ガス１
５を放出した部分においても、残留窒素ガス１
５′があつた場合に、この全面露光時に放出され
る。従つて、全てのレジスト１２から窒素ガス１
５および１５′が放出されたこととなる。
1500mj／cm2の紫外線１４にて全面露光すること
により、第１図ａで未露光部であつた部分をも感
光させ、未露光部分のジアゾナフトキノンをイン
デンカルボン酸に変化させ、この部分をアルカリ
可溶性とする。この時、窒素ガス１５を放出す
る。また、第１図ａの段階で感光し、窒素ガス１
５を放出した部分においても、残留窒素ガス１
５′があつた場合に、この全面露光時に放出され
る。従つて、全てのレジスト１２から窒素ガス１
５および１５′が放出されたこととなる。
次に、第１図ｄにおいて、アルカリ水溶性であ
る現像液に浸漬し、アルカリ可溶性部分を除去、
現像し、所定のレジスト・プロフアイル１２を得
る。実施例では、レジスト・プロフアイル１２に
逆テーパを形成している。このように逆テーパを
形成することにより、後工程で、レジスト剥離液
がレジストに浸透しやすくなる。
る現像液に浸漬し、アルカリ可溶性部分を除去、
現像し、所定のレジスト・プロフアイル１２を得
る。実施例では、レジスト・プロフアイル１２に
逆テーパを形成している。このように逆テーパを
形成することにより、後工程で、レジスト剥離液
がレジストに浸透しやすくなる。
第１図ｅにおいて、基板１１全面に、例えばチ
タン−プラチナ−金からなる金属層１７を蒸着さ
せる。この時、ホトレジスト１２からは、既に窒
素が放出されていることにより、金属層１７蒸着
の輻射熱によりホトレジスト１２から窒素が発生
して、ホトレジスト１２と基板１１との界面に空
間が形成されることはない。
タン−プラチナ−金からなる金属層１７を蒸着さ
せる。この時、ホトレジスト１２からは、既に窒
素が放出されていることにより、金属層１７蒸着
の輻射熱によりホトレジスト１２から窒素が発生
して、ホトレジスト１２と基板１１との界面に空
間が形成されることはない。
以上のような、ホトレジスト１２の形成方法に
よれば、ホトレジストのパターニング時に、ホト
レジスト１２中の感光剤から放出される気体を、
ホトレジスト１２全体から放出させておくことに
より、この上部に金属層を蒸着しても、蒸着時の
輻射熱により、前記気体がもはや放出されること
はない。従つて、この気体発生によつてホトレジ
スト１２と基板１１との界面に空間が形成される
恐れはなく、ホトレジスト１２に脹れや、剥がれ
が生じることがないので、リフトオフが確実に行
われ、歩留りの向上が図れる。
よれば、ホトレジストのパターニング時に、ホト
レジスト１２中の感光剤から放出される気体を、
ホトレジスト１２全体から放出させておくことに
より、この上部に金属層を蒸着しても、蒸着時の
輻射熱により、前記気体がもはや放出されること
はない。従つて、この気体発生によつてホトレジ
スト１２と基板１１との界面に空間が形成される
恐れはなく、ホトレジスト１２に脹れや、剥がれ
が生じることがないので、リフトオフが確実に行
われ、歩留りの向上が図れる。
また、上記ホトレジスト１２にイミダゾール等
のアミン系化合物を含む、例えばヘキスト；
AZ5214Eを用いれば、第１図ｂに示すような、
アンモニアガス１８雰囲気中でベーク処理を行な
わなくても、通常の空気中でベーク処理を行なえ
ば、第１回の露光部分がアルカリ不溶性となる。
のアミン系化合物を含む、例えばヘキスト；
AZ5214Eを用いれば、第１図ｂに示すような、
アンモニアガス１８雰囲気中でベーク処理を行な
わなくても、通常の空気中でベーク処理を行なえ
ば、第１回の露光部分がアルカリ不溶性となる。
［発明の効果］
以上説明したように、金属層蒸着時以前のパタ
ーニング時に、ホトレジスト全体から、気体を放
出させておくことにより、後でホトレジスト上に
金属層を蒸着しても、レジストと基板との界面に
気体発生による空間が形成されず、密着した状態
で形成できる。よつて、歩留りが向上し、かつ金
属蒸着時の輻射熱の温度制御の幅も広がり、一
層、蒸着金属の種類、および蒸着条件の幅が広が
る。従つて、半導体装置製造工程上の取扱いが容
易、かつ歩留りの向上からコスト低減を図ること
のできる半導体装置の製造方法が提供される。
ーニング時に、ホトレジスト全体から、気体を放
出させておくことにより、後でホトレジスト上に
金属層を蒸着しても、レジストと基板との界面に
気体発生による空間が形成されず、密着した状態
で形成できる。よつて、歩留りが向上し、かつ金
属蒸着時の輻射熱の温度制御の幅も広がり、一
層、蒸着金属の種類、および蒸着条件の幅が広が
る。従つて、半導体装置製造工程上の取扱いが容
易、かつ歩留りの向上からコスト低減を図ること
のできる半導体装置の製造方法が提供される。
第１図ａ乃至第１図ｅは、この発明の実施例に
係わる半導体装置の製造方法を製造工程順に示し
た断面図、第２図ａ乃至第２図ｃは、従来技術に
よる半導体装置の製造方法を工程順に示した断面
図である。 １１……半導体基板、１２……ホトレジスト、
１３……マスク、１４……紫外線、１５，１５′
……窒素ガス、１６……炭酸ガス、１７……金属
層、１８……アンモニアガス、１０１……半導体
基板、１０２……ホトレジスト、１０３……マス
ク、１０４……紫外線、１０５……金属層、１０
６……空間、１０７……窒素ガス。
係わる半導体装置の製造方法を製造工程順に示し
た断面図、第２図ａ乃至第２図ｃは、従来技術に
よる半導体装置の製造方法を工程順に示した断面
図である。 １１……半導体基板、１２……ホトレジスト、
１３……マスク、１４……紫外線、１５，１５′
……窒素ガス、１６……炭酸ガス、１７……金属
層、１８……アンモニアガス、１０１……半導体
基板、１０２……ホトレジスト、１０３……マス
ク、１０４……紫外線、１０５……金属層、１０
６……空間、１０７……窒素ガス。
１ 基板２０に放射感応性フイルム１４，１５を
コーテイングする段階； 当該フイルムの第１の部分１５をマスクしてマ
スクされない第２部分１４を第１化学作用線にさ
らす段階； 当該フイルムを炉１９において、当該放射感応
性フイルムの前記第２部分中に前記第１化学作用
線によつて生成された当該フイルムのある成分が
反応するための時間及び温度で、加熱する段階； 当該基板を前記炉より引き出して当該放射感応
性フイルムを、当該フイルムの前記第１部分のみ
が感応する化学作用線にさらす段階； 当記放射感応性フイルムを現像する段階；及び 当該現像済みフイルムを当該基板に対する選択
的処理のためのマスクとして用いる段階、 とよりなるデバイス作製方法において、 当該方法がコンピユータ２１に熱の印加によつ
て生じた反応及びその結果として生ずる当該フイ
ルム内のある化合物の分解の程度を記述する情報
をプログラムする段階、 当該放射感応性フイルムに温度検出素子２３を
マウントして、当該温度検出素子の出力を前記加
コーテイングする段階； 当該フイルムの第１の部分１５をマスクしてマ
スクされない第２部分１４を第１化学作用線にさ
らす段階； 当該フイルムを炉１９において、当該放射感応
性フイルムの前記第２部分中に前記第１化学作用
線によつて生成された当該フイルムのある成分が
反応するための時間及び温度で、加熱する段階； 当該基板を前記炉より引き出して当該放射感応
性フイルムを、当該フイルムの前記第１部分のみ
が感応する化学作用線にさらす段階； 当記放射感応性フイルムを現像する段階；及び 当該現像済みフイルムを当該基板に対する選択
的処理のためのマスクとして用いる段階、 とよりなるデバイス作製方法において、 当該方法がコンピユータ２１に熱の印加によつ
て生じた反応及びその結果として生ずる当該フイ
ルム内のある化合物の分解の程度を記述する情報
をプログラムする段階、 当該放射感応性フイルムに温度検出素子２３を
マウントして、当該温度検出素子の出力を前記加
Claims (1)
- レジストを塗布する工程と、このアミン系化合物
を含むポジ型レジストの塗布された半導体基板を
プリベーク処理する工程と、このプリベーク処理
されたアミン系化合物を含むポジ型レジストをス
テツパーにてパターン露光し、露光部分のアミン
系化合物を含むポジ型レジスト中の感光剤から窒
素等の気体を発生させる工程と、この窒素等の気
体の発生したアミン系化合物を含むポジ型レジス
トの形成された半導体基板全体をベーク処理し、
露光部分を硬化させる工程と、このベーク処理さ
れたアミン系化合物を含むポジ型レジストを紫外
線により全面露光し、アミン系化合物を含むポジ
型レジスト中に残存している感光剤から窒素等の
気体を発生させて、未露光部分を軟化させて画像
反転させる工程と、この全面露光したアミン系化
合物を含むポジ型レジストを現像してパターニン
グを行なう工程と、この現像されたアミン系化合
物を含むポジ型レジストの形成された半導体基板
をポストベークする工程と、この半導体基板上
に、並びにアミン系化合物を含むパターニングさ
れたポジ型レジスト上に金属層を蒸着する工程
と、アミン系化合物を含むポジ型レジスト上の金
属層をアミン系化合物を含むポジ型レジスト共々
剥離することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322313A JPH02166718A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322313A JPH02166718A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166718A JPH02166718A (ja) | 1990-06-27 |
| JPH0529301B2 true JPH0529301B2 (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=18142234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322313A Granted JPH02166718A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166718A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7875419B2 (en) | 2002-10-29 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device |
| JPWO2024128279A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63322313A patent/JPH02166718A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02166718A (ja) | 1990-06-27 |
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