JPH0529455A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH0529455A
JPH0529455A JP18148491A JP18148491A JPH0529455A JP H0529455 A JPH0529455 A JP H0529455A JP 18148491 A JP18148491 A JP 18148491A JP 18148491 A JP18148491 A JP 18148491A JP H0529455 A JPH0529455 A JP H0529455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
sheet
wafer
electrical characteristics
rear surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP18148491A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Takano
英明 高野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】実装パッケージの小型化にともない半導体ウェ
ーハの研削仕上げ厚さも薄くなってきている。そのため
半導体ウェーハの研削工程から電気特性チェック工程お
よびダイシング工程までの薄いウェーハのハンドリング
におけるウェーハ割れを低減する。 【構成】半導体ウェーハ1に表面保護シート2を貼って
から半導体ウェーハ1の裏面に裏面シート3を貼り付け
る。つぎに表面保護シート2をはがし、電気特性を測定
してからダイシング工程までこの状態でハンドリングを
行なう。 【効果】裏面シート3によって、薄い半導体ウェーハが
補強されている。ウェーハ単体でのハンドリングがなく
なって、ウェーハ割れがなくなり、製造工程の歩留りが
向上した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に裏面研削工程からダイシング工程までに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の製造方法について、図2(a)〜
(e)を参照して説明する。
【0003】はじめに図2(a)に示すように、半導体
ウェーハ1の表面に表面保護シート2を貼って半導体ウ
ェーハ1と同形状に表面保護シート2を裁断する。
【0004】つぎに図2(b)に示すように、研削機に
より半導体ウェーハ1の裏面を所定の厚さになるまで研
削する。
【0005】つぎに図2(c)に示すように、表面保護
シート2をはがし、半導体ウェーハ1のみとする。この
状態で個々のチップの電気的特性チェックを行ない、良
・不良の判定を行なう。
【0006】つぎに図2(d)に示すように、半導体ウ
ェーハ1の裏面に裏面シート3を貼り、同時に裏面シー
ト3の外周部をフレーム4に貼り付ける。
【0007】つぎに図2(e)に示すように、ダイシン
グ装置により、半導体ウェーハ1を個々のチップ5に分
割する。この状態で次工程のダイボンディング工程に送
られる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】実装パッケージの小型
化にともない、半導体ウェーハの研削仕上げ厚さも35
0μmあるいは300μmと薄くなっている。また、半
導体ウェーハの外径もφ6インチ、φ8インチと大型化
して来た。
【0009】従来の方法では、研削後に表面保護シート
をはがし、半導体ウェーハ単体でハンドリングを行なう
ので、ハンドリング時の半導体ウェーハ割れが多く、半
導体集積回路の製造歩留りを低下させるという問題があ
った。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、研削後の半導体ウェーハの表面保護シートを
残したまま半導体ウェーハの裏面に裏面シートを貼り付
け、同時に裏面シートの外周部にフレームを貼り付けて
から半導体ウェーハの表面保護シートをはがし、電気特
性チェックおよびダイシング工程のハンドリングを行な
うものである。
【0011】
【実施例】本発明の一実施例について、図1(a)〜
(e)を参照して説明する。
【0012】はじめに図1(a)に示すように、半導体
ウェーハ1の表面に表面保護シート2を貼りつけて、表
面保護シート2を半導体ウェーハ1と同形状に切断した
ものである。
【0013】つぎに図1(b)に示すように、研削機に
より半導体ウェーハ1の裏面を所定の厚さになるまで研
削する。
【0014】つぎに図1(c)に示すように、表面保護
シート2が貼られた半導体ウェーハ1の裏面にダイシン
グ用の裏面シート3を貼り付ける。同時に裏面シート3
の外周部にフレーム4を貼り付ける。
【0015】つぎに図1(d)に示すように、表面保護
シート2をはがす。この状態で半導体ウェーハ1内の個
々のチップの電気的特性チェックを行なう。
【0016】つぎに図1(e)に示すように、ダイシン
グ装置により、個々のチップ5に切断して、次工程であ
るダイボンディング工程に送られる。
【0017】
【発明の効果】表面保護シートを残したまま裏面研削後
の半導体ウェーハの裏面にダイシング用の裏面シートを
貼り付ける。そのあと表面保護シートをはがして電気的
特性を測定する。
【0018】半導体ウェーハ単体でのハンドリングがな
くなり、表面保護シートはがすときや電気特性を測定す
る工程でのハンドリングによる半導体ウェーハ割れがな
くなり、製造工程での歩留り向上の効果がある。また、
φ8インチの大口径でも厚さ250μm程度の半導体ウ
ェハーの製造も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を工程順に示す断面図であ
る。
【図2】従来の裏面研削・測定・ダイシング工程を示す
断面図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェーハ 2 表面保護シート 3 裏面シート 4 フレーム 5 チップ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体ウェーハの表面に表面保護シート
    を貼って前記半導体ウェーハの裏面を研削する工程と、
    前記半導体ウェーハの裏面に裏面シートを貼ると同時に
    前記裏面シート外周にフレームを貼る工程と、前記表面
    保護シートをはがして前記半導体ウェーハの電気的特性
    を測定する工程と、前記半導体ウェーハを個々のチップ
    に分割するダイシング工程とを含む半導体装置の製造方
    法。
JP18148491A 1991-07-23 1991-07-23 半導体装置の製造方法 Pending JPH0529455A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0430937A4 (en) * 1987-03-16 1990-10-18 Nat Biomedical Res Foundation SYSTEM AND METHOD FOR INTERACTIVE DISPLAY OF MICROSCOPIC IMAGES.
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