JPH05294787A - 結晶成長方法及びその装置 - Google Patents
結晶成長方法及びその装置Info
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- JPH05294787A JPH05294787A JP10278092A JP10278092A JPH05294787A JP H05294787 A JPH05294787 A JP H05294787A JP 10278092 A JP10278092 A JP 10278092A JP 10278092 A JP10278092 A JP 10278092A JP H05294787 A JPH05294787 A JP H05294787A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシ
ャル（ＭＢＥ）成長において、Ｖ族源分子線照射により
生ずる結晶欠陥を低減し、結晶性を向上させる。 【構成】 III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシ
ャル（ＭＢＥ）成長において、成長室１ａに、ルツボ７
ａ開口部の絞り込んだ指向性の強い直接照射Ｖ族用分子
線源13と前記と異なるルツボ開口部前方に間隙を設けて
配したシャッタ板を有するＶ族用分子線源14とを配置
し、直接照射Ｖ族用分子線源13により成長用試料５ａに
対し直接分子線照射16を行い、同時に試料外周部照射Ｖ
族用分子線源14により成長用試料５ａに分子線を照射せ
ず試料外周部Ｖ族蒸気圧を助長するように分子線照射15
して、結晶成長させる結晶成長方法およびその装置。
ャル（ＭＢＥ）成長において、Ｖ族源分子線照射により
生ずる結晶欠陥を低減し、結晶性を向上させる。 【構成】 III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシ
ャル（ＭＢＥ）成長において、成長室１ａに、ルツボ７
ａ開口部の絞り込んだ指向性の強い直接照射Ｖ族用分子
線源13と前記と異なるルツボ開口部前方に間隙を設けて
配したシャッタ板を有するＶ族用分子線源14とを配置
し、直接照射Ｖ族用分子線源13により成長用試料５ａに
対し直接分子線照射16を行い、同時に試料外周部照射Ｖ
族用分子線源14により成長用試料５ａに分子線を照射せ
ず試料外周部Ｖ族蒸気圧を助長するように分子線照射15
して、結晶成長させる結晶成長方法およびその装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、III ／Ｖ族化合物半
導体の分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長における結
晶成長方法及びその装置に関するものである。
導体の分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長における結
晶成長方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来技術によるIII ／Ｖ族化合物
半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長における
結晶成長方法及びその装置を説明する概念図である。図
において、１は成長室、２は基板加熱部、３は基板加熱
用ヒータ、４は成長室１の壁内に具えられた液体窒素シ
ュラウド、５は成長用試料、６は通常のＶ族用分子線
源、７はルツボ、８はヒータ線、９は通常のＶ族用分子
線源６のルツボ開口部に設けられた可動式シャッタ、10
はIII 族用分子線源、11は通常のＶ族用分子線源６によ
る通常照射のＶ族分子線、12はIII 族用分子線源10によ
り照射されたIII 族分子線を示す。
半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長における
結晶成長方法及びその装置を説明する概念図である。図
において、１は成長室、２は基板加熱部、３は基板加熱
用ヒータ、４は成長室１の壁内に具えられた液体窒素シ
ュラウド、５は成長用試料、６は通常のＶ族用分子線
源、７はルツボ、８はヒータ線、９は通常のＶ族用分子
線源６のルツボ開口部に設けられた可動式シャッタ、10
はIII 族用分子線源、11は通常のＶ族用分子線源６によ
る通常照射のＶ族分子線、12はIII 族用分子線源10によ
り照射されたIII 族分子線を示す。
【０００３】従来のIII ／Ｖ族化合物半導体の分子線エ
ピタキシャル（ＭＢＥ）成長は上記のように構成された
結晶成長装置により次のようにして行われる。すなわ
ち、高真空中の成長室１内において、例えばＶ族源であ
るＡｓ及びIII 族源が、それぞれ、通常のＡｓ用分子線
源６及びIII 族用分子線源10のルツボ７の中で加熱され
てＡｓ分子線11およびIII 族分子線12となり、これらの
分子線が基板加熱用ヒータ３によって加熱された成長用
試料５に照射される。ここで、照射されるＡｓ分子線の
状態密度の制御はＡｓ用分子線源６におけるルツボ７開
口部のシャッタ９の開閉と加熱されたルツボ７温度とに
より行われる。
ピタキシャル（ＭＢＥ）成長は上記のように構成された
結晶成長装置により次のようにして行われる。すなわ
ち、高真空中の成長室１内において、例えばＶ族源であ
るＡｓ及びIII 族源が、それぞれ、通常のＡｓ用分子線
源６及びIII 族用分子線源10のルツボ７の中で加熱され
てＡｓ分子線11およびIII 族分子線12となり、これらの
分子線が基板加熱用ヒータ３によって加熱された成長用
試料５に照射される。ここで、照射されるＡｓ分子線の
状態密度の制御はＡｓ用分子線源６におけるルツボ７開
口部のシャッタ９の開閉と加熱されたルツボ７温度とに
より行われる。
【０００４】成長用試料５におけるIII ／Ｖ族化合物半
導体の結晶成長は、その結晶成長速度がIII 族照射によ
り律速されるのでＡｓ蒸気過剰な状態にて行われる。こ
のため、Ａｓ分子線11は図５に示されるように成長室１
内全域に広がり、その一部が結晶成長源として成長用試
料５に供給される。
導体の結晶成長は、その結晶成長速度がIII 族照射によ
り律速されるのでＡｓ蒸気過剰な状態にて行われる。こ
のため、Ａｓ分子線11は図５に示されるように成長室１
内全域に広がり、その一部が結晶成長源として成長用試
料５に供給される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のII
I ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢ
Ｅ）結晶成長方法では、Ｖ族源として例えば金属Ａｓを
用いた場合、III 族元素に比べてＡｓの成長用試料５へ
の付着効率が小さいため、Ａｓ蒸気過剰の状態で照射さ
れる。このため、結晶成長に使われない余分のＡｓ蒸気
は成長室１内全域に広がる傾向が強く、成長室１内に設
置された液体窒素シュラウド４の表面や成長室１の内壁
がＡｓ分子線11に叩かれてダストを発生し、該ダストが
成長用試料５にまで到達すると、これが結晶欠陥の発生
原因になるという問題点があった。
I ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢ
Ｅ）結晶成長方法では、Ｖ族源として例えば金属Ａｓを
用いた場合、III 族元素に比べてＡｓの成長用試料５へ
の付着効率が小さいため、Ａｓ蒸気過剰の状態で照射さ
れる。このため、結晶成長に使われない余分のＡｓ蒸気
は成長室１内全域に広がる傾向が強く、成長室１内に設
置された液体窒素シュラウド４の表面や成長室１の内壁
がＡｓ分子線11に叩かれてダストを発生し、該ダストが
成長用試料５にまで到達すると、これが結晶欠陥の発生
原因になるという問題点があった。
【０００６】これらの現象は、Ａｓ化合物の結晶成長に
特有の問題ではなく、Ｖ族元素を含むＰ化合物や他の化
合物の結晶成長においても重要な問題となる。
特有の問題ではなく、Ｖ族元素を含むＰ化合物や他の化
合物の結晶成長においても重要な問題となる。
【０００７】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、III ／Ｖ族化合物半導体の分子
線エピタキシャル（ＭＢＥ）結晶成長において、Ｖ族分
子線照射によって生ずる結晶欠陥を低減した結晶成長を
行う方法とその装置を提供する事を目的としている。
になされたものであり、III ／Ｖ族化合物半導体の分子
線エピタキシャル（ＭＢＥ）結晶成長において、Ｖ族分
子線照射によって生ずる結晶欠陥を低減した結晶成長を
行う方法とその装置を提供する事を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるIII ／
Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成
長における結晶成長方法は、指向性の強いＶ族用分子線
源によって成長用試料に対し直接分子線照射を行い、同
時に前記分子線源と異なる他のＶ族用分子線源により該
成長用試料を照射せずに該成長用試料近辺にある前記直
接照射Ｖ族分子線の外周部を照射して、結晶成長を行
う。
Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成
長における結晶成長方法は、指向性の強いＶ族用分子線
源によって成長用試料に対し直接分子線照射を行い、同
時に前記分子線源と異なる他のＶ族用分子線源により該
成長用試料を照射せずに該成長用試料近辺にある前記直
接照射Ｖ族分子線の外周部を照射して、結晶成長を行
う。
【０００９】また、その結晶成長装置として、成長室
に、ルツボ開口部の絞り込まれたＶ族用分子線源と、ル
ツボ開口部前方に間隙を設けて配したシャッタ板を有す
るＶ族用分子線源とを配置する。
に、ルツボ開口部の絞り込まれたＶ族用分子線源と、ル
ツボ開口部前方に間隙を設けて配したシャッタ板を有す
るＶ族用分子線源とを配置する。
【００１０】
【作用】この発明によるIII ／Ｖ族化合物半導体の分子
線エピタキシャル（ＭＢＥ）結晶成長方法においては、
成長用試料表面でのＶ族元素の供給が指向性の強いＶ族
用分子線源からの照射によるＶ族分子線のみによって行
われ、また、同時に行われる別のＶ族用分子線源による
Ｖ族分子線照射が該成長用試料に照射される前記直接照
射Ｖ族分子線の低Ｖ族蒸気圧力側への極端な逃げを防
ぎ、Ｖ族分子線照射における成長用試料照射と成長用試
料外周部照射とを明確に区別する。
線エピタキシャル（ＭＢＥ）結晶成長方法においては、
成長用試料表面でのＶ族元素の供給が指向性の強いＶ族
用分子線源からの照射によるＶ族分子線のみによって行
われ、また、同時に行われる別のＶ族用分子線源による
Ｖ族分子線照射が該成長用試料に照射される前記直接照
射Ｖ族分子線の低Ｖ族蒸気圧力側への極端な逃げを防
ぎ、Ｖ族分子線照射における成長用試料照射と成長用試
料外周部照射とを明確に区別する。
【００１１】また、成長室に配置された、少なくとも２
本のＶ族用分子線源のうち、ルツボ開口部の絞り込まれ
たＶ族用分子線源は成長用試料表面のみを照射し、一
方、ルツボ開口部前方に間隙を設けて配したシャッタ板
を有する別のＶ族用分子線源は前記直接照射Ｖ族分子線
の成長用試料外周部近辺を照射する。
本のＶ族用分子線源のうち、ルツボ開口部の絞り込まれ
たＶ族用分子線源は成長用試料表面のみを照射し、一
方、ルツボ開口部前方に間隙を設けて配したシャッタ板
を有する別のＶ族用分子線源は前記直接照射Ｖ族分子線
の成長用試料外周部近辺を照射する。
【００１２】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の実施例に用いた装置の概略図であ
り、図において、13はクラッカー付きの試料直接照射Ａ
ｓ用分子線源、14は試料外周部照射Ａｓ用分子線源、15
は試料外周部照射Ａｓ分子線、16は試料直接照射Ａｓ分
子線を示し、図５と同一または相当する部分は同じ記号
を用いて示してある。また、図２は図１におけるクラッ
カー付きの試料直接照射Ａｓ用分子線源13の詳細図を示
したものであり、17はクラッカー部、18はクラッカー部
17内に設けられ、分子線のコンダクタンスを低下させて
Ａｓクラスターを分解させるバッフルと呼ばれる交互に
挿入された板、19はクラッカー部17のヒータ線、20はル
ツボ７ａ加熱用ヒータ線を示す。
する。図１は本発明の実施例に用いた装置の概略図であ
り、図において、13はクラッカー付きの試料直接照射Ａ
ｓ用分子線源、14は試料外周部照射Ａｓ用分子線源、15
は試料外周部照射Ａｓ分子線、16は試料直接照射Ａｓ分
子線を示し、図５と同一または相当する部分は同じ記号
を用いて示してある。また、図２は図１におけるクラッ
カー付きの試料直接照射Ａｓ用分子線源13の詳細図を示
したものであり、17はクラッカー部、18はクラッカー部
17内に設けられ、分子線のコンダクタンスを低下させて
Ａｓクラスターを分解させるバッフルと呼ばれる交互に
挿入された板、19はクラッカー部17のヒータ線、20はル
ツボ７ａ加熱用ヒータ線を示す。
【００１３】図１においてIII 族用分子線源は省略して
描いてある。ここでは、Ｖ族元素としてＡｓの分子線照
射を中心にして以下に実施例の説明を行い、また、成長
用試料５ａに対する直接Ａｓ分子線16照射は、クラッキ
ング作用を有する試料直接照射Ａｓ用分子線源13によっ
て行っている。すなわち、成長用試料５ａ表面へのＡｓ
分子線の直接照射は、図２に示すようにクラッカー部17
におけるＡｓ分子線の出口を絞り込む事によって行わ
れ、また、Ａｓクラスターの発生は加熱によりルツボ７
ａ内に生じたＡｓクラスターがクラッカー部17を通過す
る際に加熱されたバッフル18に衝突して熱分解される事
により抑制され、このようにしてＡｓクラスターの低減
した分子線が直接試料に照射される。ここでバッフル材
としては、タンタル，モリブデン，パイロライティック
ボロンナイトライド（Pyrolytic Boron Nitride 略し
てＰＢＮ）などが用いられる。
描いてある。ここでは、Ｖ族元素としてＡｓの分子線照
射を中心にして以下に実施例の説明を行い、また、成長
用試料５ａに対する直接Ａｓ分子線16照射は、クラッキ
ング作用を有する試料直接照射Ａｓ用分子線源13によっ
て行っている。すなわち、成長用試料５ａ表面へのＡｓ
分子線の直接照射は、図２に示すようにクラッカー部17
におけるＡｓ分子線の出口を絞り込む事によって行わ
れ、また、Ａｓクラスターの発生は加熱によりルツボ７
ａ内に生じたＡｓクラスターがクラッカー部17を通過す
る際に加熱されたバッフル18に衝突して熱分解される事
により抑制され、このようにしてＡｓクラスターの低減
した分子線が直接試料に照射される。ここでバッフル材
としては、タンタル，モリブデン，パイロライティック
ボロンナイトライド（Pyrolytic Boron Nitride 略し
てＰＢＮ）などが用いられる。
【００１４】一方、成長室１ａ内では、成長用試料５ａ
への直接Ａｓ分子線照射と同時に、前記直接照射Ａｓ用
分子線源13と異なる別のルツボ開口部前方に間隙を設け
て配したシャッタ板を有するＡｓ用分子線源14によりＡ
ｓ分子線の照射が行われる。このような照射は、成長用
試料５ａに対してＡｓ分子線照射を行わず、該成長用試
料近辺部にある試料直接照射Ａｓ分子線16に対してＡｓ
蒸気圧力を供給する試料外周部照射Ａｓ分子線15とな
り、前記試料直接照射Ａｓ分子線16の低Ａｓ蒸気圧力側
への逃げを防止する。
への直接Ａｓ分子線照射と同時に、前記直接照射Ａｓ用
分子線源13と異なる別のルツボ開口部前方に間隙を設け
て配したシャッタ板を有するＡｓ用分子線源14によりＡ
ｓ分子線の照射が行われる。このような照射は、成長用
試料５ａに対してＡｓ分子線照射を行わず、該成長用試
料近辺部にある試料直接照射Ａｓ分子線16に対してＡｓ
蒸気圧力を供給する試料外周部照射Ａｓ分子線15とな
り、前記試料直接照射Ａｓ分子線16の低Ａｓ蒸気圧力側
への逃げを防止する。
【００１５】また、分子線出口の絞り込まれたクラッカ
ー付きの試料直接照射Ａｓ用分子線源13は、自身による
指向性の強い分子線照射作用とともに、別のＡｓ用分子
線源14による試料外周部照射Ａｓ分子線15によって生ず
るＡｓ蒸気圧助長作用を受けて、成長用試料５ａのみを
照射し、さらに、別のＡｓ用分子線源14による照射は、
たとえ成長室１ａの内壁をＡｓ分子線で叩いてダストを
発生させても、該分子線が成長用試料５ａへの照射を行
わないので、該ダストにより成長用試料５ａを汚染させ
ない。
ー付きの試料直接照射Ａｓ用分子線源13は、自身による
指向性の強い分子線照射作用とともに、別のＡｓ用分子
線源14による試料外周部照射Ａｓ分子線15によって生ず
るＡｓ蒸気圧助長作用を受けて、成長用試料５ａのみを
照射し、さらに、別のＡｓ用分子線源14による照射は、
たとえ成長室１ａの内壁をＡｓ分子線で叩いてダストを
発生させても、該分子線が成長用試料５ａへの照射を行
わないので、該ダストにより成長用試料５ａを汚染させ
ない。
【００１６】上記のような結晶成長方法によって、成長
用試料５ａ表面上でダストによって汚染される事がなく
III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢ
Ｅ）結晶成長が行われる。
用試料５ａ表面上でダストによって汚染される事がなく
III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル（ＭＢ
Ｅ）結晶成長が行われる。
【００１７】実施例２．図３及び４に本発明による他の
実施例を説明する概念図を示す。図において、図１、２
及び５と同一または相当する部分は同じ記号を用いて示
してある。
実施例を説明する概念図を示す。図において、図１、２
及び５と同一または相当する部分は同じ記号を用いて示
してある。
【００１８】図３においてIII 族用分子線源は省略して
描いてある。ここでは、Ｖ族元素としてＡｓによる分子
線源を中心に、また、成長用試料５ａに対する直接Ａｓ
分子線16ａ照射はクラッキング作用を有する試料直接照
射Ａｓ用分子線源13ａによって、以下に実施例の説明を
行う。図３に示すように成長装置１ａ内に、Ａｓ用分子
線源として、成長用試料５ａに対し直接照射するクラッ
キング作用を有する少なくとも１本のＡｓ用分子線源13
ａと、少なくとも１本の試料外周部照射Ａｓ用分子線源
14ａとが配置されている。ここで、Ａｓ分子線照射とし
て、成長用試料５ａへの直接照射と成長用試料５ａ外周
部への照射との明確な分離と、直接照射される分子線照
射の径を成長用試料５ａの径にほぼ等しくする事が重要
であり、これらは、以下に説明する構成からなる２種類
のＡｓ用分子線源を成長室１ａに配置する事により実現
される。
描いてある。ここでは、Ｖ族元素としてＡｓによる分子
線源を中心に、また、成長用試料５ａに対する直接Ａｓ
分子線16ａ照射はクラッキング作用を有する試料直接照
射Ａｓ用分子線源13ａによって、以下に実施例の説明を
行う。図３に示すように成長装置１ａ内に、Ａｓ用分子
線源として、成長用試料５ａに対し直接照射するクラッ
キング作用を有する少なくとも１本のＡｓ用分子線源13
ａと、少なくとも１本の試料外周部照射Ａｓ用分子線源
14ａとが配置されている。ここで、Ａｓ分子線照射とし
て、成長用試料５ａへの直接照射と成長用試料５ａ外周
部への照射との明確な分離と、直接照射される分子線照
射の径を成長用試料５ａの径にほぼ等しくする事が重要
であり、これらは、以下に説明する構成からなる２種類
のＡｓ用分子線源を成長室１ａに配置する事により実現
される。
【００１９】すなわち、一つは、ルツボ開口部前方に間
隙を設けて配したシャッタ板を有するＡｓ用分子線源14
ａを成長室１ａに配置する事であり、間隙としてのルツ
ボ開口面とシャッタ間の距離は５乃至１０mm程度あれば
十分である。該分子線源14ａによって、Ａｓ分子線がシ
ャッタ板に遮断されてルツボ開口部の円周部から放出さ
れ成長用試料５ａ外周部照射が行われる。
隙を設けて配したシャッタ板を有するＡｓ用分子線源14
ａを成長室１ａに配置する事であり、間隙としてのルツ
ボ開口面とシャッタ間の距離は５乃至１０mm程度あれば
十分である。該分子線源14ａによって、Ａｓ分子線がシ
ャッタ板に遮断されてルツボ開口部の円周部から放出さ
れ成長用試料５ａ外周部照射が行われる。
【００２０】また、直接照射されるＡｓ分子線照射径を
成長用試料５ａの径に等しくするために、直接照射Ａｓ
用分子線源13ａのクラッカー部17ａの開口径を適切に選
ぶ事とバッフル18ａの枚数をできるだけ少なくする必要
があり、例えば次ぎのように選ばれる。すなわち、Ａｓ
分子線の出口となるクラッカー部17ａの径φｃとルツボ
７ｂの径φｒ及びルツボ７ｂの径φｒとルツボ７ｂと成
長用試料５ａ間の距離Ｒとに関して、２φｃ≦φｒ≦３
φｃ、および、１２φｒ≦Ｒ≦２０φｒの関係にある事
が望ましい。これは、例えば、２φｃ＞φｒ、１２φｒ
＞Ｒの場合には装置上の制約を受け、また、３φｃ＜φ
ｒ、２０φｒ＜Ｒの場合にはＡｓ用ルツボの温度を高く
する必要がありＡｓクラスターのクラッキングが困難と
なるなどの不都合が生ずるためである。また、バッフル
は最低２枚あればその効果を有し、分子線のコンダクタ
ンスとの兼ね合いで増す事になる。
成長用試料５ａの径に等しくするために、直接照射Ａｓ
用分子線源13ａのクラッカー部17ａの開口径を適切に選
ぶ事とバッフル18ａの枚数をできるだけ少なくする必要
があり、例えば次ぎのように選ばれる。すなわち、Ａｓ
分子線の出口となるクラッカー部17ａの径φｃとルツボ
７ｂの径φｒ及びルツボ７ｂの径φｒとルツボ７ｂと成
長用試料５ａ間の距離Ｒとに関して、２φｃ≦φｒ≦３
φｃ、および、１２φｒ≦Ｒ≦２０φｒの関係にある事
が望ましい。これは、例えば、２φｃ＞φｒ、１２φｒ
＞Ｒの場合には装置上の制約を受け、また、３φｃ＜φ
ｒ、２０φｒ＜Ｒの場合にはＡｓ用ルツボの温度を高く
する必要がありＡｓクラスターのクラッキングが困難と
なるなどの不都合が生ずるためである。また、バッフル
は最低２枚あればその効果を有し、分子線のコンダクタ
ンスとの兼ね合いで増す事になる。
【００２１】上記のようなIII ／Ｖ族化合物半導体の分
子線エピタキシャル（ＭＢＥ）結晶成長装置によって、
Ａｓ分子線の照射に関して、成長用試料５ａ表面のみと
該成長用試料５ａ近辺にある試料直接照射Ａｓ分子線16
ａの外周部とを区別して照射する事が出来る。
子線エピタキシャル（ＭＢＥ）結晶成長装置によって、
Ａｓ分子線の照射に関して、成長用試料５ａ表面のみと
該成長用試料５ａ近辺にある試料直接照射Ａｓ分子線16
ａの外周部とを区別して照射する事が出来る。
【００２２】以上の実施例は本発明を制限するものでは
ない。すなわち、実施例ではＶ族源としてＡｓに関して
説明したが、他のＶ族源としてＰやその他の元素に変更
してもよい。また、実施例では試料に対し分子線を照射
する指向性の強いＶ族用分子線源としてクラッキング作
用を有するＶ族用分子線源を用いて説明したが、同様の
クラッキング作用を有する他のＶ族用分子線源に変更し
てもよい。
ない。すなわち、実施例ではＶ族源としてＡｓに関して
説明したが、他のＶ族源としてＰやその他の元素に変更
してもよい。また、実施例では試料に対し分子線を照射
する指向性の強いＶ族用分子線源としてクラッキング作
用を有するＶ族用分子線源を用いて説明したが、同様の
クラッキング作用を有する他のＶ族用分子線源に変更し
てもよい。
【００２３】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載するような効果を奏する。
れているので、以下に記載するような効果を奏する。
【００２４】III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキ
シャル（ＭＢＥ）結晶成長において、指向性の強いＶ族
用分子線源により成長用試料に対してのみのＶ族分子線
の直接照射と、同時に前記分子線源と異なる別のＶ族用
分子線源により該成長用試料近辺にある直接照射Ｖ族分
子線の外周部のＶ族分子線照射を行う事により、液体窒
素シュラウドの表面や成長室内壁からのダストが成長用
試料に到達せず、該ダストが発生原因となる結晶欠陥が
低減されて結晶性が向上する。
シャル（ＭＢＥ）結晶成長において、指向性の強いＶ族
用分子線源により成長用試料に対してのみのＶ族分子線
の直接照射と、同時に前記分子線源と異なる別のＶ族用
分子線源により該成長用試料近辺にある直接照射Ｖ族分
子線の外周部のＶ族分子線照射を行う事により、液体窒
素シュラウドの表面や成長室内壁からのダストが成長用
試料に到達せず、該ダストが発生原因となる結晶欠陥が
低減されて結晶性が向上する。
【００２５】成長装置に、ルツボ開口部の絞り込まれた
Ｖ族用分子線源と、ルツボ開口部前方に間隙を設けて配
したシャッタ板を有するＶ族用分子線源とを配置する事
により、成長用試料のみのＶ族分子線直接照射と該成長
用試料を照射せず該成長用試料の近辺にある前記直接照
射Ｖ族分子線の外周部照射とを分離して行う事を可能と
する。
Ｖ族用分子線源と、ルツボ開口部前方に間隙を設けて配
したシャッタ板を有するＶ族用分子線源とを配置する事
により、成長用試料のみのＶ族分子線直接照射と該成長
用試料を照射せず該成長用試料の近辺にある前記直接照
射Ｖ族分子線の外周部照射とを分離して行う事を可能と
する。
【図１】この発明の実施例１を説明する概念図。
【図２】この発明の実施例１を説明する概念図。
【図３】この発明の実施例２を説明する概念図。
【図４】この発明の実施例２を説明する概念図。
【図５】従来の発明を説明する概念図。
１ 成長室 ５ 成長用試料 ７ ルツボ ９ シャッタ 13 クラッカー付きの試料直接照射Ａｓ用分子線源 14 試料外周部照射Ａｓ用分子線源 15 試料外周部照射Ａｓ分子線 16 試料直接照射Ａｓ分子線
Claims (2)
- 【請求項１】 III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタ
キシャル（ＭＢＥ）成長方法において、指向性の強いＶ
族用分子線源によって成長用試料にＶ族分子線を直接照
射し、同時に前記分子線源と異なるＶ族用分子線源によ
って該成長用試料を照射せずに該成長用試料近辺にある
前記直接照射Ｖ族分子線の外周部を照射する事を特徴と
する結晶成長方法。 - 【請求項２】 III ／Ｖ族化合物半導体の分子線エピタ
キシャル（ＭＢＥ）成長装置において、成長室に、ルツ
ボ開口部の絞り込まれたＶ族用分子線源と、ルツボ開口
部前方に間隙を設けて配したシャッタ板を有するＶ族用
分子線源とを配置した事を特徴とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10278092A JPH05294787A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 結晶成長方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10278092A JPH05294787A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 結晶成長方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294787A true JPH05294787A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14336663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10278092A Pending JPH05294787A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 結晶成長方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011079736A (ja) * | 1995-05-03 | 2011-04-21 | Veeco Compound Semiconductor Inc | 単体るつぼ |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10278092A patent/JPH05294787A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011079736A (ja) * | 1995-05-03 | 2011-04-21 | Veeco Compound Semiconductor Inc | 単体るつぼ |
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