JPH0529707A - 内部電流狭窄型半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
内部電流狭窄型半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JPH0529707A JPH0529707A JP18272891A JP18272891A JPH0529707A JP H0529707 A JPH0529707 A JP H0529707A JP 18272891 A JP18272891 A JP 18272891A JP 18272891 A JP18272891 A JP 18272891A JP H0529707 A JPH0529707 A JP H0529707A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造するに
当たり、ウエハ劈開後のバー状態で素子の良否を判定す
る特性測定を、測定作業の効率よくしかも測定上の判断
ミスなく行なうことができるようにする。 【構成】内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造する過
程において、電流狭窄層を形成した後、その表面上に素
子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向と平行にパ
ターニングした後、第二のコンタクト層を選択的に成長
させ、その表面に電極を蒸着することにより、エピタキ
シャル成長の段階で素子を分離しているので、ウエハ劈
開後のバー状態で特性の測定を行なうとき、短時間にし
かも個々の素子について特性の良否を誤って判断するこ
とがなくなり、測定時の歩留りと生産性を向上する。
当たり、ウエハ劈開後のバー状態で素子の良否を判定す
る特性測定を、測定作業の効率よくしかも測定上の判断
ミスなく行なうことができるようにする。 【構成】内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造する過
程において、電流狭窄層を形成した後、その表面上に素
子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向と平行にパ
ターニングした後、第二のコンタクト層を選択的に成長
させ、その表面に電極を蒸着することにより、エピタキ
シャル成長の段階で素子を分離しているので、ウエハ劈
開後のバー状態で特性の測定を行なうとき、短時間にし
かも個々の素子について特性の良否を誤って判断するこ
とがなくなり、測定時の歩留りと生産性を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は内部電流狭窄型半導体レ
ーザ素子の製造方法に関する。
ーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】内部電流狭窄型半導体レーザ素子は、図
２に示す構造を有するものが知られており、通常の外部
電流狭窄型半導体レーザ素子では得られない優れた特徴
を持っている。図２は内部電流狭窄型半導体レーザ素子
の正面から見た模式断面図であり、図２のようにこの素
子はＧａＡｓ基板１の上に第１クラッド層２，活性層
３，第２クラッド層４，エッチングストップ層５，第３
クラッド層６，コンタクト層７がこの順に形成されてお
り、第３クラッド層６とコンタクト層７に形成されたス
トライプ状メサ部のレーザ光進行方向と平行な両側面を
電流狭窄層８で埋め込んである。この電流狭窄層８は光
の吸収層の役割を持っており、エッチングストップ層５
上の第３クラッド層６の正面から見た幅を適切に選ぶこ
とにより、素子の安定な横モード発振を可能とし、さら
に外部電流狭窄型素子に比べて、電流狭窄層８が活性層
３の発光領域に近いため、電流が活性層３の一部に集中
して流れ、発振しきい値電流を低減させることができる
ものである。
２に示す構造を有するものが知られており、通常の外部
電流狭窄型半導体レーザ素子では得られない優れた特徴
を持っている。図２は内部電流狭窄型半導体レーザ素子
の正面から見た模式断面図であり、図２のようにこの素
子はＧａＡｓ基板１の上に第１クラッド層２，活性層
３，第２クラッド層４，エッチングストップ層５，第３
クラッド層６，コンタクト層７がこの順に形成されてお
り、第３クラッド層６とコンタクト層７に形成されたス
トライプ状メサ部のレーザ光進行方向と平行な両側面を
電流狭窄層８で埋め込んである。この電流狭窄層８は光
の吸収層の役割を持っており、エッチングストップ層５
上の第３クラッド層６の正面から見た幅を適切に選ぶこ
とにより、素子の安定な横モード発振を可能とし、さら
に外部電流狭窄型素子に比べて、電流狭窄層８が活性層
３の発光領域に近いため、電流が活性層３の一部に集中
して流れ、発振しきい値電流を低減させることができる
ものである。
【０００３】このように、内部電流狭窄型半導体レーザ
素子は、高出力化に適した構造を持っており、通常次の
ようにして製造される。図３（ａ）〜（ｄ）はその主な
工程順を示したものであり、図１と共通部分を同一符号
で表わしてある。まず基板１（ｎ−ＧａＡｓ，厚さ３０
０μｍ，キャリア濃度３×１０18／cm3 ）上に、減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて第１クラッ
ド層２（ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ，厚さ１．５μｍ，キ
ャリア濃度５×１０17／cm3 ），活性層３（ｐ−Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓ，厚さ０．１μｍ，キャリア濃度３×１０
17／cm3 ），第２クラッド層４（ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ，厚さ１．５μｍ，キャリア濃度５×１０17／c
m3 ），エッチングストップ層５（ｐ−Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓ，厚さ０．１μｍ，キャリア濃度５×１０17／c
m3 ），第３クラッド層６（ｐ−Ａｌx Ｇａ 1-x Ａｓ，
厚さ１．２μｍ，キャリア濃度１×１０18／cm3 ），第
一のコンタクト層７ａ（ｐ−ＧａＡｓ，厚さ０．５μ
ｍ，キャリア濃度１×１０18／cm3 ）を順次成長させ
る。ただし、活性層３，第２クラッド層４，エッチング
ストップ層５，第３クラッド層６のＡｌ組成ｚ，ｘ，ｙ
はｚ＜ｙ＜ｘの関係となるように設定する。［図３
（ａ）］。
素子は、高出力化に適した構造を持っており、通常次の
ようにして製造される。図３（ａ）〜（ｄ）はその主な
工程順を示したものであり、図１と共通部分を同一符号
で表わしてある。まず基板１（ｎ−ＧａＡｓ，厚さ３０
０μｍ，キャリア濃度３×１０18／cm3 ）上に、減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて第１クラッ
ド層２（ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ，厚さ１．５μｍ，キ
ャリア濃度５×１０17／cm3 ），活性層３（ｐ−Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓ，厚さ０．１μｍ，キャリア濃度３×１０
17／cm3 ），第２クラッド層４（ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ，厚さ１．５μｍ，キャリア濃度５×１０17／c
m3 ），エッチングストップ層５（ｐ−Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓ，厚さ０．１μｍ，キャリア濃度５×１０17／c
m3 ），第３クラッド層６（ｐ−Ａｌx Ｇａ 1-x Ａｓ，
厚さ１．２μｍ，キャリア濃度１×１０18／cm3 ），第
一のコンタクト層７ａ（ｐ−ＧａＡｓ，厚さ０．５μ
ｍ，キャリア濃度１×１０18／cm3 ）を順次成長させ
る。ただし、活性層３，第２クラッド層４，エッチング
ストップ層５，第３クラッド層６のＡｌ組成ｚ，ｘ，ｙ
はｚ＜ｙ＜ｘの関係となるように設定する。［図３
（ａ）］。
【０００４】次にこの積層体の上面全面にＳｉＯ2 膜９
をスパッタにより付着させ、フォトレジストを塗布して
パターニングし、幅５μｍのＳｉＯ2 膜９をストライプ
状に形成してレジストを除去した後、ＳｉＯ2膜９をマ
スクとして、はじめに硫酸系エッチング液（硫酸：過酸
化水素水：水＝１０：１：１），次に沃素系エッチング
液（沃素：過酸化水素水：水＝１００：１：１）を用い
て第３クラッド層６、第一のコンタクト層７ａのエッチ
ングを行ない、第３クラッド層６の途中までエッチング
して、ストライプ状メサ部を形成する［図３（ｂ）］。
このとき、沃素系エッチング液のＡｌ組成に対するエッ
チング速度の違いを利用して、エッチングストップ層５
の位置で第３クラッド層６のエッチングを停止させるこ
とができる。例えば、第３クラッド層６のＡｌ組成ｘを
０．４５，エッチングストップ層５のＡｌ組成ｙを０．
２とした場合、エッチング速度の比は５：１であり、こ
のエッチング速度の差を利用して、第３クラッド層６の
エッチングを停止させるのである。
をスパッタにより付着させ、フォトレジストを塗布して
パターニングし、幅５μｍのＳｉＯ2 膜９をストライプ
状に形成してレジストを除去した後、ＳｉＯ2膜９をマ
スクとして、はじめに硫酸系エッチング液（硫酸：過酸
化水素水：水＝１０：１：１），次に沃素系エッチング
液（沃素：過酸化水素水：水＝１００：１：１）を用い
て第３クラッド層６、第一のコンタクト層７ａのエッチ
ングを行ない、第３クラッド層６の途中までエッチング
して、ストライプ状メサ部を形成する［図３（ｂ）］。
このとき、沃素系エッチング液のＡｌ組成に対するエッ
チング速度の違いを利用して、エッチングストップ層５
の位置で第３クラッド層６のエッチングを停止させるこ
とができる。例えば、第３クラッド層６のＡｌ組成ｘを
０．４５，エッチングストップ層５のＡｌ組成ｙを０．
２とした場合、エッチング速度の比は５：１であり、こ
のエッチング速度の差を利用して、第３クラッド層６の
エッチングを停止させるのである。
【０００５】次いでＳｉＯ2 膜９を付着させたまま再度
減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて電流狭窄層８（ｎ−ＧａＡ
ｓ，厚さ１．７μｍ，キャリア濃度５×１０19／cm3 ）
をメサ部の両側に選択成長させる［図３（ｃ）］。
減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて電流狭窄層８（ｎ−ＧａＡ
ｓ，厚さ１．７μｍ，キャリア濃度５×１０19／cm3 ）
をメサ部の両側に選択成長させる［図３（ｃ）］。
【０００６】そして、ＳｉＯ2 膜９を除去し、さらにＭ
ＯＣＶＤ法を用いてｐ−ＧａＡｓの第二のコンタクト層
７ｂを３μｍ再成長させ、始めに形成された第一のコン
タクト層７ａと一体となるようにコンタクト層７を形成
する。これは素子をレーザ発振させるときの放熱効果を
高めるように、素子の活性層３側の面をヒートシンクに
マウントする際、半田材料が発光領域を塞がないように
するためである。［図３（ｄ）］。
ＯＣＶＤ法を用いてｐ−ＧａＡｓの第二のコンタクト層
７ｂを３μｍ再成長させ、始めに形成された第一のコン
タクト層７ａと一体となるようにコンタクト層７を形成
する。これは素子をレーザ発振させるときの放熱効果を
高めるように、素子の活性層３側の面をヒートシンクに
マウントする際、半田材料が発光領域を塞がないように
するためである。［図３（ｄ）］。
【０００７】以上のような積層構造は、基板１となる半
導体ウエハ上に形成される多数個の素子について行なわ
れるものであり、このウェハの上下両面にそれぞれｐ側
オーミック電極１０としてＡｕＺｎ，ｎ側オーミック電
極１１としてＡｕＧｅを形成し、その後バー状に劈開
し、さらにチップ化を行なって、図２に示す内部電流狭
窄型半導体レーザ素子を得ることができる。
導体ウエハ上に形成される多数個の素子について行なわ
れるものであり、このウェハの上下両面にそれぞれｐ側
オーミック電極１０としてＡｕＺｎ，ｎ側オーミック電
極１１としてＡｕＧｅを形成し、その後バー状に劈開
し、さらにチップ化を行なって、図２に示す内部電流狭
窄型半導体レーザ素子を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上の方法に
より内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造するとき、
次のような問題がある。それは、得られた半導体レーザ
素子のチップを、組み立てて製品とする前に、多数のチ
ップの電気的な特性を個別に測定して、これらの中から
良品を選別するのにかなりの時間を要することである。
それぞれのチップの大きさは、縦横寸法が０．３ｍｍ角
程度の極めて小さなものであるから、この選別を手作業
で行なうとすれば、非常に時間がかかり、また自動測定
を行なう場合も、このように小さなチップを精度よくレ
ーザ光出射方向に揃えるのが非常に難しい。チップとす
る前のウエハを劈開したバーの状態では、その大きさは
０．３ｍｍ角で長さが２０ｍｍ程度あるから、この状態
で特性測定を行なえば、取扱いやすくなり、所要時間も
短くて済ませられるが、そのバー上に形成されているそ
れぞれのチップの特性を分離するのが難しく、良品と不
良品との区別に誤判断を起こすことがある。即ち、バー
状のウエハには複数個の素子が含まれており、互いに分
離されていないから電流が重畳して流れると、所期の光
出力を得るためには見掛け上電流が大き過ぎ、個々の素
子について、良品を不良品として扱ってしまうことであ
る。
より内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造するとき、
次のような問題がある。それは、得られた半導体レーザ
素子のチップを、組み立てて製品とする前に、多数のチ
ップの電気的な特性を個別に測定して、これらの中から
良品を選別するのにかなりの時間を要することである。
それぞれのチップの大きさは、縦横寸法が０．３ｍｍ角
程度の極めて小さなものであるから、この選別を手作業
で行なうとすれば、非常に時間がかかり、また自動測定
を行なう場合も、このように小さなチップを精度よくレ
ーザ光出射方向に揃えるのが非常に難しい。チップとす
る前のウエハを劈開したバーの状態では、その大きさは
０．３ｍｍ角で長さが２０ｍｍ程度あるから、この状態
で特性測定を行なえば、取扱いやすくなり、所要時間も
短くて済ませられるが、そのバー上に形成されているそ
れぞれのチップの特性を分離するのが難しく、良品と不
良品との区別に誤判断を起こすことがある。即ち、バー
状のウエハには複数個の素子が含まれており、互いに分
離されていないから電流が重畳して流れると、所期の光
出力を得るためには見掛け上電流が大き過ぎ、個々の素
子について、良品を不良品として扱ってしまうことであ
る。
【０００９】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、内部電流狭窄型半導体レーザ素子を
製造するに当たり、ウエハ劈開後のバー状態で素子の良
否を判定する特性測定を、測定作業の効率よくしかも測
定上の判断ミスなく行なうことができる製造方法を提供
することにある。
あり、その目的は、内部電流狭窄型半導体レーザ素子を
製造するに当たり、ウエハ劈開後のバー状態で素子の良
否を判定する特性測定を、測定作業の効率よくしかも測
定上の判断ミスなく行なうことができる製造方法を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造
する過程において、電流狭窄層を形成した後、その表面
上に素子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向と平
行にパターニングした後、第二のコンタクト層を選択的
に成長させるものであり、第二のコンタクト層表面に電
極を蒸着するとき、蒸着源に対して基板を素子のレーザ
光進行方向と傾けて配置し、隣合って対向する第二のコ
ンタクト層の両側面の一方にのみレーザ光進行方向と平
行な方向に電極を形成する。
めに、本発明は内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造
する過程において、電流狭窄層を形成した後、その表面
上に素子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向と平
行にパターニングした後、第二のコンタクト層を選択的
に成長させるものであり、第二のコンタクト層表面に電
極を蒸着するとき、蒸着源に対して基板を素子のレーザ
光進行方向と傾けて配置し、隣合って対向する第二のコ
ンタクト層の両側面の一方にのみレーザ光進行方向と平
行な方向に電極を形成する。
【００１１】
【作用】本発明は以上の方法を用いることにより、エピ
タキシャル成長の段階で素子を分離しているので、ウエ
ハ劈開後のバー状態で特性の測定を行なうとき、短時間
にしかも個々の素子について特性の良否を誤って判断す
ることがなくなり、測定時の歩留りも向上する。
タキシャル成長の段階で素子を分離しているので、ウエ
ハ劈開後のバー状態で特性の測定を行なうとき、短時間
にしかも個々の素子について特性の良否を誤って判断す
ることがなくなり、測定時の歩留りも向上する。
【００１２】
【実施例】以下本発明を実施例に基づき説明する。本発
明の方法は、図３（ｃ）の電流狭窄層８をメサ部の両側
に選択成長させる過程までは、従来と同じであるからそ
の説明を省略し、その後の工程を図１（ａ）〜（ｃ）を
参照して述べるが、ここでは、素子の分離個所を図示す
るために、説明の便宜上、二つの素子構造を有する領域
で示してある。図１（ａ）〜（ｃ）における図３（ａ）
〜（ｄ）と共通する部分を同一符号で表わす。
明の方法は、図３（ｃ）の電流狭窄層８をメサ部の両側
に選択成長させる過程までは、従来と同じであるからそ
の説明を省略し、その後の工程を図１（ａ）〜（ｃ）を
参照して述べるが、ここでは、素子の分離個所を図示す
るために、説明の便宜上、二つの素子構造を有する領域
で示してある。図１（ａ）〜（ｃ）における図３（ａ）
〜（ｄ）と共通する部分を同一符号で表わす。
【００１３】本発明では、まず図３（ｃ）に相当するＳ
ｉＯ2 膜９を除去した後、再びウエハ全面にＳｉＯ2 膜
９ａを付着させて、素子を分離する個所にのみＳｉＯ2
膜９ａを残し、それ以外の個所に付着しているＳｉＯ2
膜９ａは除去する［図１（ａ）］。
ｉＯ2 膜９を除去した後、再びウエハ全面にＳｉＯ2 膜
９ａを付着させて、素子を分離する個所にのみＳｉＯ2
膜９ａを残し、それ以外の個所に付着しているＳｉＯ2
膜９ａは除去する［図１（ａ）］。
【００１４】次に、再度ＭＯＣＶＤ法を用いて、第二の
コンタクト層７ｂを３μｍ再成長させる。このとき、電
流狭窄層８を成長させたときと同様に、第二のコンタク
ト層７ｂの選択成長が行なわれ、第一のコンタクト層７
ａと一体に形成されるコンタクト層７は、素子毎に完全
に分離される［図１（ｂ）］。
コンタクト層７ｂを３μｍ再成長させる。このとき、電
流狭窄層８を成長させたときと同様に、第二のコンタク
ト層７ｂの選択成長が行なわれ、第一のコンタクト層７
ａと一体に形成されるコンタクト層７は、素子毎に完全
に分離される［図１（ｂ）］。
【００１５】かくして形成された複数個のコンタクト層
７は、第２クラッド層４の表面上でＳｉＯ2 膜９ａを挟
んで隣り合う側面同士が、傾斜して対向するようになる
ので、コンタクト層７上にｐ側電極１０を形成すると
き、斜め蒸着の手法を用いて、このウエハを蒸着源に対
し、傾けてセットする。そして電極材料の蒸着を行なう
と、傾斜して対向する第二のコンタクト層７ｂの側面の
一方は、他方の第二のコンタクト層７ｂによって蒸着が
遮られ、その面には蒸着が行なわれず、素子間の電極１
０も分離させることができる［図１（ｃ）］。
７は、第２クラッド層４の表面上でＳｉＯ2 膜９ａを挟
んで隣り合う側面同士が、傾斜して対向するようになる
ので、コンタクト層７上にｐ側電極１０を形成すると
き、斜め蒸着の手法を用いて、このウエハを蒸着源に対
し、傾けてセットする。そして電極材料の蒸着を行なう
と、傾斜して対向する第二のコンタクト層７ｂの側面の
一方は、他方の第二のコンタクト層７ｂによって蒸着が
遮られ、その面には蒸着が行なわれず、素子間の電極１
０も分離させることができる［図１（ｃ）］。
【００１６】次いで、ｎ側電極（図示せず）を形成した
後、バー状に劈開し、チップ化を行ない、本発明の方法
を用いた内部電流狭窄型半導体レーザ素子が得られる。
このようにして得られる内部電流狭窄型半導体レーザ素
子を、劈開終了後のバーの状態で、そのバーに属する素
子の特性測定を行ない、同時に従来の方法により作製し
たバー状のものも測定し、良品と不良品との分別作業に
おける測定時の誤判断の割合を比較した。その結果、本
発明の方法により作製した素子は、良否の判断ミスは２
％であったのに対し、従来の方法により作製した素子は
３８％であり、本発明の方法を用いることにより、３６
％も判断ミスを減少させることができた。これは、測定
したバーに形成されている多数個の素子が、互いによく
分離され電気的に相互の影響を及ぼすことがないからで
ある。
後、バー状に劈開し、チップ化を行ない、本発明の方法
を用いた内部電流狭窄型半導体レーザ素子が得られる。
このようにして得られる内部電流狭窄型半導体レーザ素
子を、劈開終了後のバーの状態で、そのバーに属する素
子の特性測定を行ない、同時に従来の方法により作製し
たバー状のものも測定し、良品と不良品との分別作業に
おける測定時の誤判断の割合を比較した。その結果、本
発明の方法により作製した素子は、良否の判断ミスは２
％であったのに対し、従来の方法により作製した素子は
３８％であり、本発明の方法を用いることにより、３６
％も判断ミスを減少させることができた。これは、測定
したバーに形成されている多数個の素子が、互いによく
分離され電気的に相互の影響を及ぼすことがないからで
ある。
【００１７】なお、本発明の方法において、コンタクト
層７上にｐ側電極１０を形成するのを、斜め蒸着の手法
を用いる代わりに、図１（ｂ）の状態からコンタクト層
７の表面、即ち第二のコンタクト層７ｂの表面全面に、
ｐ側電極１０を付着させた後、これをパターニングして
素子を分離しても、前述と同様の構造を持つ素子を得る
ことができる。このようにして作製したバーについての
素子特性測定時の良否判別の誤りは１％に過ぎず、この
場合も素子間の分離がよく行なわれていることを示して
いる。
層７上にｐ側電極１０を形成するのを、斜め蒸着の手法
を用いる代わりに、図１（ｂ）の状態からコンタクト層
７の表面、即ち第二のコンタクト層７ｂの表面全面に、
ｐ側電極１０を付着させた後、これをパターニングして
素子を分離しても、前述と同様の構造を持つ素子を得る
ことができる。このようにして作製したバーについての
素子特性測定時の良否判別の誤りは１％に過ぎず、この
場合も素子間の分離がよく行なわれていることを示して
いる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は内部電流狭窄型半導体レーザ素
子を製造するに当たり、電流狭窄層を形成した後、その
表面上に素子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向
と平行にパターニングした後、第二のコンタクト層を選
択的に成長させ、第二のコンタクト層表面に電極を蒸着
することにより、エピタキシャル成長の段階で素子を分
離したために、ウエハ劈開後のバー状態で特性の測定を
行なうとき、効率よくしかも個々の素子について特性の
良否を誤って判断することがないので、測定時の歩留り
も向上し、素子の生産性を高めることができる。
子を製造するに当たり、電流狭窄層を形成した後、その
表面上に素子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向
と平行にパターニングした後、第二のコンタクト層を選
択的に成長させ、第二のコンタクト層表面に電極を蒸着
することにより、エピタキシャル成長の段階で素子を分
離したために、ウエハ劈開後のバー状態で特性の測定を
行なうとき、効率よくしかも個々の素子について特性の
良否を誤って判断することがないので、測定時の歩留り
も向上し、素子の生産性を高めることができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明による内部電流狭窄型
半導体レーザ素子の製造工程図
半導体レーザ素子の製造工程図
【図２】内部電流狭窄型半導体レーザ素子の模式断面図
【図３】（ａ）〜（ｄ）は内部電流狭窄型半導体レーザ
素子の製造工程図
素子の製造工程図
１ 基板
２ 第１クラッド層
３ 活性層
４ 第２クラッド層
５ エッチングストップ層
６ 第３クラッド層７
コンタクト層
７ａ 第一のコンタクト層
７ｂ 第二のコンタクト層
８ 電流狭窄層
９ ＳｉＯ2 膜
９ａ ＳｉＯ2 膜
１０ ｐ側電極
１１ ｎ側電極
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板の一主面上に少なくとも第１ク
ラッド層，活性層，第２クラッド層，第３クラッド層，
および第一のコンタクト層を順次形成し、前記第一のコ
ンタクト層が前記第３クラッド層に形成されるメサ部上
面と接触する領域のレーザ光進行方向と平行な両側面
に、前記第２クラッド層とは逆導電型の電流狭窄層を埋
め込み、この電流狭窄層は前記第２クラッド層の前記活
性層と反対側の面で第二のコンタクト層と接触し、前記
第一のコンタクト層と前記第二のコンタクト層が一体と
なる素子構造を前記基板上に多数形成する内部電流狭窄
型半導体レーザ素子の製造方法であって、前記電流狭窄
層を形成した後、その表面上に素子を分離するＳｉＯ2
膜をレーザ光進行方向と平行にパターニングする工程
と、前記第二のコンタクト層を選択的に成長させる工程
とを有することを特徴とする内部電流狭窄型半導体レー
ザ素子の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の選択成長した第二のコンタ
クト層表面に蒸着法を用いて電極を形成するに当たり、
蒸着源に対して基板を素子のレーザ光進行方向と傾けて
配置し、隣合って対向する前記第二のコンタクト層の両
側面の一方にのみ前記レーザ光進行方向と平行な方向に
電極を形成することを特徴とする内部電流狭窄型半導体
レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18272891A JPH0529707A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 内部電流狭窄型半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18272891A JPH0529707A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 内部電流狭窄型半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529707A true JPH0529707A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16123409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18272891A Pending JPH0529707A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 内部電流狭窄型半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18272891A patent/JPH0529707A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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