JPH05297094A - 磁場センサと磁束集束部材を有する装置及びその装置の組み込み方法 - Google Patents

磁場センサと磁束集束部材を有する装置及びその装置の組み込み方法

Info

Publication number
JPH05297094A
JPH05297094A JP4262619A JP26261992A JPH05297094A JP H05297094 A JPH05297094 A JP H05297094A JP 4262619 A JP4262619 A JP 4262619A JP 26261992 A JP26261992 A JP 26261992A JP H05297094 A JPH05297094 A JP H05297094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
ferromagnetic
semiconductor chip
magnetic flux
sandwich
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4262619A
Other languages
English (en)
Inventor
Radivoje Popovic
ポポフィック ラディホエ
Jan Hrejsa
ヒレッサ ヤン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Electrowatt Technology Innovation AG
Original Assignee
Landis and Gyr Betriebs AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Landis and Gyr Betriebs AG filed Critical Landis and Gyr Betriebs AG
Publication of JPH05297094A publication Critical patent/JPH05297094A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁場センサを集積した半導体チップの取り付
けの際高価な調整作業をなくし、比較的大きくて不正確
なエアギャップを回避する。 【構成】 磁束集束部材１８、１９は各々強磁性のリー
ドフレームの一部として構成され、第１の磁束集束部材
１８の部分１８ｂ、半導体チップ４、第２の磁束集束部
材１９の部分１９ｂによりサンドイッチ状の３つの層
Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩが形成される。第１の磁束集束部材の
部分１８ａは、互いに平行にずらして配置された第１と
第２の面部分２２、２３を有する階段形状の薄板部で、
第１の面部分は、片側が半導体チップの上に載るように
第１の層に、第２の面部分と半導体チップは第２の層
に、非強磁性のリードフレームの部分１７と第２の磁束
集束部材は第３の層に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁場センサと磁束集束
部材を有する装置及びその装置の組み込み方法、更に詳
細には、半導体チップに集積された磁場センサ並びに強
磁性の第１と第２の磁束集束部材を有する装置とその複
数の装置をプラスチックハウジングに組み込む方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】本装置は主として半導体チップの表面直
近に存在する磁場Ｈの測定に用いられる。
【０００３】このような装置が、「技術測定（Techinis
ches Messen）ｔｍ５６（１９８９）１１、４３６から
４４３頁、半導体磁場センサ、W．Heidenreich」から知
られている。そこに記載の磁場センサ装置はハイブリッ
ド回路として構成されており、その場合一方の磁束集束
部材がフェライト基板となっており、他方の磁束集束部
材はホール素子のホール十字上に接着されるフェライト
立方体となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、公知
の装置を改良して、集積回路を製造する際通常使用され
る標準的な組立ラインで取り付けてパッケージにするこ
とができ、同時に取り付けの際の高価な調整作業をなく
し、またハイブリッド回路の場合通常存在し磁場センサ
の感度に悪影響を与える比較的大きくて不正確なエアギ
ャップを回避することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の課題は、半導体チ
ップに集積された磁場センサ並びに強磁性の第１と第２
の磁束集束部材を有する装置であって、前記半導体チッ
プは薄板状で金属の第１のリードフレームの装置に属す
る部分上に取り付けられており、また、第１の磁束集束
部材の部分、半導体チップ及び第２の磁束集束部材の部
分は、それぞれその順序で少なくとも一部が互いに重な
り合うように配置されて３つの層を有するサンドイッチ
状の構成部分を形成するか、あるいは１つの層に互いに
並んで配置される装置において、前記両磁束集束部材が
それぞれ少なくとも一つの薄板形状で強磁性の第２のリ
ードフレームの部分である構成によって解決される。
【０００６】また、このような複数の装置をそれぞれプ
ラスチックハウジングに組み込む方法は、第１のリード
フレームのそれぞれ関連する部分上に複数の半導体チッ
プを取り付けた後で、強磁性の第２のリードフレーム、
第１のリードフレーム及び強磁性の第３のリードフレー
ムをその順序でサンドイッチ状に配置して互いに押圧
し、その後、各装置の半導体チップを３つのリードフレ
ームの関連する装置に属する隣接部分と共に、それぞれ
プラスチックハウジングのプラスチックの中に埋め込
み、その後、３つのリードフレームのパッケージにされ
ていない部分を除去することによってパッケージにされ
た個々の装置を機械的に互いに分離することを特徴とす
る。
【０００７】更に、このような複数の装置をそれぞれプ
ラスチックハウジングに組み込む方法は、第１のリード
フレームのそれぞれ関連する部分上に複数の半導体チッ
プを取り付けた後、第１のリードフレームと強磁性の第
２のリードフレームをサンドイッチ状に重なり合うよう
に配置して、互いに押圧し、その後、各装置の半導体チ
ップを両リードフレームの関連する装置に属する隣接部
分と共に、それぞれプラスチックハウジング５のプラス
チックの中に埋め込み、その後、両リードフレームのパ
ッケージにされていない部分を除去することによってパ
ッケージにされた個々の装置を機械的に互いに分離する
ことを特徴とする。
【０００８】本発明の好ましい実施例が従属請求項に記
載されている。
【０００９】
【作用】このような構成では、第１と第２の磁束集束部
材がそれぞれ薄板形状で強磁性のリードフレームの部分
であるので、集積回路を製造する際通常使用される標準
的な組立ラインで取り付けてパッケージにすることがで
き、同時に取り付けの際の高価な調整作業をなくし、ま
たハイブリッド回路の場合通常存在し磁場センサの感度
に悪影響を与える比較的大きくて不正確なエアギャップ
を回避することが可能になる。
【００１０】
【実施例】以下に図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。全ての図において同一の部分には同一の符
号を付してある。
【００１１】測定すべき磁場Ｈは、例えば図１に図示の
ように強磁性コア２に巻き付けられた交流ｉが流れるコ
イル１により強磁性コアのエアギャップ３に発生する。
その場合、交流ｉによって強磁性コア２に磁束Фが生じ
る。磁場センサが集積される半導体プレートを以下では
半導体チップ４という。この半導体チップは強磁性コア
２のエアギャップ３に配置される。強磁性コア２の断面
の寸法は、通常半導体チップ４の対応する平行な寸法よ
りも著しく大きい。この理由から、精密な測定の場合に
は、好ましくは強磁性コア２のエアギャップ面側の両端
部にそれぞれ図１には不図示の例えば強磁性材料からな
るじょうご形状の磁束集束部材が設けられる。両磁場集
束部材により強磁性コア２に存在する磁束Φは半導体チ
ップ４の比較的小さい磁場感度面に集束される。磁場セ
ンサは好ましくはホール素子である。
【００１２】図２には、集積回路技術から知られたプラ
スチックハウジング５に組み込まれる半導体チップ４の
機械的構造が図示されている。半導体チップ４は接着剤
６、溶接、あるいははんだ付けによって以下でリードフ
レーム８と呼ばれ、薄板状の金属材料から形成される端
子支持部の対応する面７に取り付けられ固定される。薄
板状の金属材料は例えば銅のように良導電性でありある
いは例えば銀からなる良導電性の層で被覆される。その
他、ボンド線といわれる好ましくは金の線である接続線
９が設けられている。接続線９は、その一方の端部が例
えば熱圧着によって半導体チップ４の表面に設けられた
接触面１０と接続され、またその他方の端部がリードフ
レーム８の接触面１１と電気的に良好に導通するように
接続される。半導体チップ４をリードフレーム８に取り
付け接続線９を接続した後、このように形成された全体
が例えばプラスチックで密封されプラスチックハウジン
グ５が形成される。
【００１３】実際においては、集積回路を大量生産する
ために、細長い薄板細片の形状を有するリードフレーム
８上に多数の同じ半導体チップ４が取り付けられる。図
３にはリードフレーム８の上面図の一部が図示されてい
て、そこにはそれぞれ２つの半導体チップ４と４ａが取
り付けられる２つの面７と７ａが図示されている。接続
線９は図面を見やすくするために図３には図示されてい
ないが、各半導体チップ４もしくは４ａには設けられて
いる。半導体チップ４ないしは４ａが１つのホール素子
しか有しないときには、図３に示されるように、半導体
チップ４ないし４ａに付き４つの外部端子、すなわち２
つの電流入力端子と２つのセンサ出力端子が設けられて
いる。
【００１４】半導体チップ４ないし４ａそれぞれが公知
のＤＩＬ−ハウジング（"Dual in line"-Housing）に取
り付けられる時には、半導体チップ４ないし４ａの４つ
の外部端子は、リードフレーム８内で良導電性にリード
フレーム８の接触面１１と接続される接続脚１２〜１５
ないし１２ａ〜１５ａの形をしている。接触面１１と接
続脚１２〜１５及び１２ａ〜１５ａは、例えばリードフ
レーム８を形成する薄板細片からその間の空隙を打ち抜
きあるいはエッチングすることにより、リードフレーム
８で全て電気的に接続させて形成することができる。
【００１５】リードフレーム８上に取り付けられ又接続
線９が設けられた半導体チップ４、４ａ等の全てがそれ
ぞれプラスチックハウジング５に入れられた後で、リー
ドフレーム８のもはや必要でなくなった部分１６が切断
線ＣＤに沿って切断される。同時にパッケージにされた
個々の半導体チップ４、４ａ等は複数の切断線ＥＦに沿
って互いに機械的に切り離される。図３においては切断
線ＣＤの左側にリードフレーム８のもはや必要でない部
分１６が図示されており、一方パッケージにされた装置
に半導体チップごとに残っており、従ってリードフレー
ム８の装置に属する部分１７が切断線ＣＤの右側に図示
されている。切断線ＣＤは接続脚１２〜１５及び１２ａ
〜１５ａのほぼ外縁に沿って延びており、それに対し
て、切断線ＥＦは２つの隣接した装置間で切断線ＣＤに
垂直に延びている。
【００１６】半導体チップ４ないし４ａには通常磁場セ
ンサもしくはホール素子の他に更に電子素子が設けら
れ、これらが全部で例えば集積回路を形成する。この場
合、通常半導体チップ４ないし４ａにつき４つ以上の接
続脚１２〜１５ないし１２ａ〜１５ａが設けられる。そ
の場合、全ての接続脚は２つの平行な列で互いに並んで
配置される。このようにして得られ、パッケージにされ
た装置の場合、最後に全ての接続脚は９０度曲げられ、
ＤＩＬハウジングの通常の接続脚が形成される。
【００１７】図４から図９に図示された本発明による装
置の３つの実施例には、半導体チップ４に集積された磁
場センサ及び強磁性の第１の磁束集束部材１８と強磁性
の第２の磁束集束部材１９が設けられている。半導体チ
ップ４は、半導体チップ４をパッケージにする際に存在
する薄板状で金属の第１のリードフレーム８の本発明装
置に属する部分１７にそれぞれ取り付けられる。上面図
からわかるように、２つの磁束集束部材１８及び１９
は、好ましくはそれぞれ台形部分１８ａないし１９ａ及
びそれに連続した矩形部分１８ｂないし１９ｂを有する
じょうご型の形状をしている。図において２つの磁束集
束部材１８及び１９のじょうご型の形状はそれぞれ１８
０度回動して配置されている。しかし実際には他の角度
で回動して配置することもできる。両磁束集束部材１
８、１９のじょうご形状の矩形部分１８ｂと１９ｂは一
部が重ねて配置されている。
【００１８】第１の磁束集束部材１８の部分１８ｂ、半
導体チップ４、及び第２の磁束集束部材１９の部分１９
ｂは記載の順序で少なくとも部分的に互いに重なり合っ
て配置され、それによって３つの層Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩを
有するサンドイッチ状の構成部分１８ｂ；４；１９ｂが
形成される。その場合、少なくとも半導体チップ４の磁
場感度部は２つの部分１８ｂ及び１９ｂの間に配置され
る。磁束集束部材１８及び１９はそれぞれ半導体チップ
４をパッケージにする際存在する薄板状で強磁性の第２
もしくは第３のリードフレーム２０ないし２１の部分と
なっている。これらのリードフレーム２０ないし２１は
図４〜図９には図示されていないが、図１０に図示され
ている。半導体チップ４が取り付けられる第１のリード
フレーム８の部分１７は、好ましくは、サンドイッチ状
の構成部分１８ｂ；４；１９ｂの３つの層Ｉ、ＩＩない
しＩＩＩのうち少なくとも１つあるいは２つに配置され
る。
【００１９】図４及び図５に図示された本発明装置の第
１の実施例において、本発明装置に属する部分、例えば
第１の磁束集束部材１８の部分１８ａは２回屈曲されそ
れにより階段形状の薄板部が形成される。この階段形状
の薄板部は平行にずらして配置された第１の面部分２２
及び第２の面部分２３を有する。第１の面部分２２は、
その第２の面部分２３の面に向いている側が半導体チッ
プ４上に載るようにしてサンドイッチ状の構成部分１８
ｂ；４；１９ｂの第１の層Ｉに配置される。第２の面部
分２３及び半導体チップ４は第２の層ＩＩに、またそれ
ぞれ本発明装置に属する第１のリードフレーム８と強磁
性の第３のリードフレーム２１の部分１７及び１９はサ
ンドイッチ状の構成部分１８ｂ；４；１９ｂの第３の層
ＩＩＩにそれぞれ配置される。
【００２０】図６及び図７に図示された本発明装置の第
２の実施例においては、本発明装置に属する強磁性の第
２のリードフレーム２０の部分１８がサンドイッチ状の
構成部分１８ｂ；４；１９ｂの第１の層Ｉに配置され
る。本発明装置に属するリードフレーム８の部分１７は
２回屈曲されて、平行にずらして配置された第１の面部
分２４と第２の面部分２５を有する階段形状の薄板部が
形成される。第１の面部分２４と半導体チップ４はサン
ドイッチ状の構成部分１８ｂ；４；１９ｂの第２の層Ｉ
Ｉに配置される。第１の面部分２４の面に向いた第２の
面部分２５の側に半導体チップ４が取り付けられる。そ
の場合、第２の面部分２５及び本発明装置に属する強磁
性の第３のリードフレーム２１の部分１９は、サンドイ
ッチ状の構成部分１８ｂ；４；１９ｂの第３の層ＩＩＩ
に配置される。
【００２１】図８及び図９に図示された本発明装置の第
３の実施例においては、本発明装置に属する強磁性の第
２のリードフレーム２０の部分１８はサンドイッチ状の
構成部分１８ｂ；４；１９ｂの第１の層Ｉに配置され
る。本発明装置に属する強磁性の第３のリードフレーム
２１の部分１９ｂは２回屈曲され、平行にずらして配置
された第１の面部分２６と第２の面部分２７を有する階
段形状の薄板部が形成される。第１の面部分２６と半導
体チップ４はサンドイッチ状の構成部分１８ｂ；４；１
９ｂの第２の層ＩＩに配置される。第２の面部分２６の
面に向いた本発明装置に属する第１のリードフレーム８
の部分１７の側に半導体チップ４が取り付けられる。そ
の場合、本発明装置に属する強磁性の第３のリードフレ
ーム２１の部分１９ｂの第２の面部分２７と本発明装置
に属する第１のリードフレーム８の部分１７はサンドイ
ッチ状の構成部分１８ｂ；４；１９ｂの第３の層ＩＩＩ
に配置される。
【００２２】図４、図６、図８においては、第１のリー
ドフレーム８の部分１７及び強磁性の第３のリードフレ
ーム２１の一部である磁束集束部材１９は層ＩＩＩに互
いに並んで図示されている。しかし実際には、部分１７
及び１９は層ＩＩＩで互いに入り組んで配置することも
できる。そのことが図１０に基づく本発明装置の実施例
に明確にされている。図１０で横断面Ｇ−Ｈから明らな
ように、部分１７はＵ字形に似た上面を有しているの
で、部分１７は磁束集束部材１９の部分１９ｂの左右に
配置される。
【００２３】複数の本発明装置をプラスチックハウジン
グにそれぞれ組み込む方法は好ましくは以下のように行
なわれる。すなわち、第１のリードフレーム８の関連す
る部分１７上に複数の半導体チップ４を取り付けた後、
強磁性の第２のリードフレーム２０、第１のリードフレ
ーム８及び強磁性の第３のリードフレーム２１を記載の
順序でサンドイッチ状に互いに重ねて配置して相互に押
圧する。その後、続いて各装置の半導体チップ４は、関
連する装置に属する３つのリードフレーム２０、８、２
１の隣接部分１７、１８、及び１９と共に、それぞれプ
ラスチックハウジング５のプラスチックに射出成形ある
いは鋳込むことによって埋め込まれる。その後、３つの
リードフレーム２０、８、及び２１のパッケージにされ
ていない余分な部分１６を除去することによってパッケ
ージにされた個々の装置が機械的に互いに分離される。
【００２４】従って本発明装置は集積回路を生産する際
通常使用される標準的な組立ラインを用いて大量に困難
なく取り付けパッケージにすることができる。というの
は、本発明装置をプラスチックハウジングにそれぞれ組
み込むための方法は、パッケージにする場合１つのリー
ドフレーム８に代わり互いに平行に配置され互いに押圧
される３つのリードフレーム８、２０及び２１が用いら
れるところが標準の組立ラインの方法と相違するだけだ
からである。その場合に、必要な場合には突出している
階段状の薄板細片は例えば１つあるいはそれ以上の隣接
するリードフレームの空隙に組み入れられる。プラスチ
ックハウジング５を製造するために圧力をかけて鋳込ま
れあるいは噴射されたプラスチックは、部分１７に取り
付けられた半導体チップ４、リードフレーム２０、２１
及び８とともに本発明装置に残っている部分１８、１９
及び１７を一緒に押圧するので、比較的小さく正確に定
められたエアギャップ３のみが存在する。更にその場
合、本発明装置に存在する全ての空洞はプラスチックで
充填される。
【００２５】本発明装置の最初の３つの実施例及び第５
の実施例においては第１のリードフレーム８は非強磁性
材料から構成される。
【００２６】図１１及び１２に図示された本発明装置の
第４の実施例においては同様にサンドイッチ状の構成部
分１８ｂ；４；１９ｂが設けられる。この実施例におい
ては第１のリードフレーム８は強磁性材料から構成さ
れ、又同時に第３のリードフレーム２１の役割を果たす
ので、ここで８；２１で示されている。この場合第１の
リードフレーム８；２１は半導体チップ４の取り付け面
と素子の接続脚１２、１４及び１５だけでなく、第１の
リードフレーム８；２１の一部となる第２の磁束集束部
材１９を有する。それに対して第１の磁束集束部材１８
は薄板形状の強磁性の第２のリードフレーム２０の一部
になっている。装置の第１の層Ｉには第１のリードフレ
ーム８；２１の装置に残る部分１７が配置され、一方第
２の層ＩＩには半導体チップ４が、又第３の層ＩＩＩに
は第２のリードフレーム２０の装置に残る部分が配置さ
れる。
【００２７】図１３及び１４に図示された本発明装置の
第５の実施例においては少なくとも第１の磁束集束部材
１８の部分１８ｂ、半導体チップ４、及び第２の磁束集
束部材１９の部分１９ｂが記載の順序で１つの層Ｉに互
いに並んで配置される。リードフレーム８は非強磁性材
料から構成され、また装置に残る部分１７は層Ｉに平行
な層ＩＩに配置される。２つの磁束集束部材１８及び１
９は薄板形状で強磁性の単一のリードフレーム２０；２
１の部分になっている。
【００２８】最初の４つの実施例においては、磁場セン
サは、半導体チップ４表面近傍でそれに垂直に向う磁場
Ｈを測定し、一方、第５の実施例においては、磁場セン
サは同じ場所で半導体チップ４の表面に対して平行に作
用する磁場Ｈを測定する。
【００２９】図１１及び図１３にそれぞれ切断線ＣＤが
図示されている。ハウジングに取り付けられる装置はそ
の製造の最後に切断線ＣＤに沿って互いに分離される。
【００３０】第４あるいは第５の実施例の複数の装置を
プラスチックハウジングにそれぞれ組み込む方法は以下
のごとくである。すなわち、それぞれ第１のリードフレ
ーム８ないし８；２１の関連する部分１７上に複数の半
導体チップ４を取り付けた後、リードフレーム８ないし
８；２１と強磁性の第２のリードフレーム２０、ないし
２０；２１をサンドイッチ状に重なり合うように配置し
て、互いに押圧する。その後、各装置の半導体チップ４
は、２つのリードフレーム２０と８；２１ないし８と２
０；２１の関連する装置に属する隣接部分１７、１８、
及び１９と共に、プラスチックハウジング５のそれぞれ
のプラスチックの中に埋め込まれる。その後、２つのリ
ードフレーム２０と８；２１ないし８と２０；２１のパ
ッケージにされていない部分を除去することによってパ
ッケージにされた個々の装置が機械的に互いに分離され
る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明装置では、
半導体チップに集積された磁場センサ並びに強磁性の第
１と第２の磁束集束部材を有し、その両磁束集束部材が
それぞれ薄板形状で強磁性のリードフレームの部分であ
るので、集積回路を製造する際通常使用される標準的な
組立ラインで取り付けてパッケージにすることができ、
同時に取り付けの際の高価な調整作業をなくし、またハ
イブリッド回路の場合通常存在し磁場センサの感度に悪
影響を与える比較的大きくて不正確なエアギャップを回
避することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の測定装置を有する磁場センサの構成を示
す構成図である。
【図２】従来のプラスチックハウジングに組み込まれた
集積磁場センサの構成を示す側面図である。
【図３】複数の半導体チップを取り付けた集積ホール素
子を大量生産するために使用される従来のリードフレー
ムの一部上面図である。
【図４】本発明による装置の第１の実施例を簡略化して
概略図示した断面図である。
【図５】本発明による装置の第１の実施例を簡略化して
概略図示した上面図である。
【図６】本発明による装置の第２の実施例を簡略化して
概略図示した断面図である。
【図７】本発明による装置の第２の実施例を簡略化して
概略図示した上面図である。
【図８】本発明による装置の第３の実施例を簡略化して
概略図示した断面図である。
【図９】本発明による装置の第３の実施例を簡略化して
概略図示した上面図である。
【図１０】本発明による装置の取り付け並びにパッケー
ジの際の第２の実施例の詳細な上面図とＧ−Ｈ、Ｋ−
Ｌ、Ｍ−Ｎ線に沿った断面図である。
【図１１】本発明による装置の第４の実施例を簡略化し
て概略図示した上面図である。
【図１２】本発明による装置の第４の実施例を簡略化し
て概略図示した断面図である。
【図１３】本発明による装置の第５の実施例を簡略化し
て概略図示した上面図である。
【図１４】本発明による装置の第５の実施例を簡略化し
て概略図示した断面図である。
【符号の説明】
４ 半導体チップ ８、２０、２１ リードフレーム １８、１９ 磁束集束部材

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップ（４）に集積された磁場セ
    ンサ並びに強磁性の第１と第２の磁束集束部材（１８、
    １９）を有する装置であって、前記半導体チップ（４）
    は薄板状で金属の第１のリードフレーム（８あるいは
    ８；２１）の装置に属する部分（１７）上に取り付けら
    れており、また、第１の磁束集束部材（１８）の部分
    （１８ｂ）、半導体チップ（４）及び第２の磁束集束部
    材（１９）の部分（１９ｂ）は、それぞれその順序で少
    なくとも一部が互いに重なり合うように配置されて３つ
    の層（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を有するサンドイッチ状の構
    成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）を形成するか、あるいは
    １つの層（Ｉ）に互いに並んで配置される装置におい
    て、 前記両磁束集束部材（１８、１９）がそれぞれ少なくと
    も一つの薄板形状で強磁性の第２のリードフレーム（２
    ０、２１、８；２１、２０；２１）の部分であることを
    特徴とする磁場センサと磁束集束部材を有する装置。
  2. 【請求項２】 半導体チップ（４）が取り付けらる第１
    のリードフレーム（８あるいは８；２１）の前記部分
    （１７）は装置の１つの層あるいは２つの層に配置され
    ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 サンドイッチ状の構成部分（１８ｂ；
    ４；１９ｂ）が形成され第１のリードフレーム（８）が
    非強磁性の場合、前記両磁束集束部材（１８、１９）が
    それぞれ薄板状で強磁性の第２ないし第３のリードフレ
    ーム（２０もしくは２１）の部分であることを特徴とす
    る請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 強磁性の第２のリードフレーム（２０）
    の装置に属する部分（１８）が２回屈曲されて、平行に
    ずらして配置された第１と第２の面部分（２２、２３）
    を有する階段状の薄板部が形成され、 前記第１の面部分（２２）はその第２の面部分（２３）
    の面に向いている側が半導体チップ（４）に載るように
    サンドイッチ状の構成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第
    １の層（Ｉ）に配置され、 前記第２の面部分（２３）と半導体チップ（４）はサン
    ドイッチ状の構成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第２の
    層（ＩＩ）に配置され、 第１のリードフレーム（８）及び強磁性の第３のリード
    フレーム（２１）のそれぞれ装置に属する部分（１７も
    しくは１９）はサンドイッチ状の構成部分（１８ｂ；
    ４；１９ｂ）の第３の層（ＩＩＩ）にそれぞれ配置され
    ることを特徴とする請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 強磁性の第２のリードフレーム（２０）
    の装置に属する部分（１８）がサンドイッチ状の構成部
    分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第１の層（Ｉ）に配置さ
    れ、 第１のリードフレーム（８）の装置に属する部分（１
    ７）が２回屈曲されて、平行にずらして配置された第１
    と第２の面部分（２４、２５）を有する階段状の薄板部
    が形成され、 前記第１の面部分（２４）と半導体チップ（４）はサン
    ドイッチ状の構成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第２の
    層（ＩＩ）に配置され、 半導体チップ（４）は第１の面部分（２４）の面に向い
    ている第２の面部分（２５）の側に取り付けられ、 前記第２の面部分（２５）と強磁性の第３のリードフレ
    ーム（２１）の装置に属する部分（１９）はサンドイッ
    チ状の構成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第３の層（Ｉ
    ＩＩ）に配置されることを特徴とする請求項３に記載の
    装置。
  6. 【請求項６】 強磁性の第２のリードフレーム（２０）
    の装置に属する部分（１８）はサンドイッチ状の構成部
    分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第１の層（Ｉ）に配置さ
    れ、 強磁性の第３のリードフレーム（２１）の装置に属する
    部分（１９）は２回屈曲されて、平行にずらして配置さ
    れた第１と第２の面部分（２６、２７）を有する階段状
    の薄板部が形成され、 前記第１の部分（２６）と半導体チップ（４）はサンド
    イッチ状の構成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第２の層
    （ＩＩ）に配置され、 半導体チップ（４）は第１の部分（２６）の面に向いて
    いる第１のリードフレーム（８）の装置に属する部分
    （１７）の側に取り付けられ、 強磁性の第３のリードフレーム（２１）の装置に属する
    部分（１９ｂ）の第２の面部分（２７）と第１のリード
    フレーム（８）の装置に属する部分（１７）はサンドイ
    ッチ状の構成部分（１８ｂ；４；１９ｂ）の第３の層
    （ＩＩＩ）に配置されることを特徴とする請求項３に記
    載の装置。
  7. 【請求項７】 サンドイッチ状の構成部分（１８ｂ；
    ４；１９ｂ）が形成されるとき、第１のリードフレーム
    （８；２１）が強磁性材料から構成され、また第１の磁
    束集束部材（１８）は薄板状で強磁性の第２のリードフ
    レーム（２０）の部分であり、一方第２の磁束集束部材
    （１９）は第１のリードフレーム（８；２１）の部分で
    あることを特徴とする請求項２に記載の装置。
  8. 【請求項８】 第１の磁束集束部材（１８）の部分（１
    ８ｂ）、半導体チップ（４）並びに第２の磁束集束部材
    （１９）の部分（１９ｂ）が少なくとも一部が並んで第
    １の層（Ｉ）に配置され、第１のリードフレーム（８）
    が非強磁性の場合両磁束集束部材（１８、１９）が薄板
    状で強磁性の単一の第２のリードフレーム（２０；２
    １）の部分であることを特徴とする請求項２に記載の装
    置。
  9. 【請求項９】 第１のリードフレーム（８）のそれぞれ
    関連する部分（１７）上に複数の半導体チップ（４）を
    取り付けた後で、強磁性の第２のリードフレーム（２
    ０）、第１のリードフレーム（８）及び強磁性の第３の
    リードフレーム（２１）をその順序でサンドイッチ状に
    配置して互いに押圧し、 その後、各装置の半導体チップ（４）を３つのリードフ
    レーム（２０、８、２１）の関連する装置に属する隣接
    部分（１７、１８、１９）と共に、それぞれプラスチッ
    クハウジング（５）のプラスチックの中に埋め込み、 その後、３つのリードフレーム（２０、８、２１）のパ
    ッケージにされていない部分を除去することによってパ
    ッケージにされた個々の装置を機械的に互いに分離する
    ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載
    の複数の装置をそれぞれプラスチックハウジングに組み
    込む方法。
  10. 【請求項１０】 第１のリードフレーム（８あるいは
    ８；２１）のそれぞれ関連する部分（１７）上に複数の
    半導体チップ（４）を取り付けた後、 第１のリードフレーム（８あるいは８；２１）と強磁性
    の第２のリードフレーム（２０あるいは２０；２１）を
    サンドイッチ状に重なり合うように配置して、互いに押
    圧し、 その後、各装置の半導体チップ（４）を両リードフレー
    ム（２０、８；２１あるいは８、２０；２１）の関連す
    る装置に属する隣接部分（１７、１８、１９）と共に、
    それぞれプラスチックハウジング５のプラスチックの中
    に埋め込み、 その後、両リードフレーム（２０、８；２１あるいは
    ８、２０；２１）のパッケージにされていない部分を除
    去することによってパッケージにされた個々の装置を機
    械的に互いに分離することを特徴とする請求項７あるい
    は８に記載の複数の装置をそれぞれプラスチックハウジ
    ングに組み込む方法。
JP4262619A 1991-10-09 1992-10-01 磁場センサと磁束集束部材を有する装置及びその装置の組み込み方法 Pending JPH05297094A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH02979/91-0 1991-10-09
CH297991 1991-10-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05297094A true JPH05297094A (ja) 1993-11-12

Family

ID=4245934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4262619A Pending JPH05297094A (ja) 1991-10-09 1992-10-01 磁場センサと磁束集束部材を有する装置及びその装置の組み込み方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5247202A (ja)
EP (1) EP0537419A1 (ja)
JP (1) JPH05297094A (ja)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3116713B2 (ja) * 1994-03-31 2000-12-11 株式会社村田製作所 インダクタ内蔵電子部品
EP0772046B1 (de) * 1995-10-30 2002-04-17 Sentron Ag Magnetfeldsensor und Strom- oder Energiesensor
DE19717780A1 (de) * 1996-05-01 1997-11-13 Nat Semiconductor Corp Leiterrahmen für eine Halbleiterkomponente
EP0944839B1 (en) * 1997-09-15 2006-03-29 AMS International AG A current monitor system and a method for manufacturing it
DE19828089A1 (de) * 1998-06-24 1999-12-30 Univ Schiller Jena Magnetometer
DE10011974A1 (de) * 2000-03-11 2001-09-27 Geyer Ag Aufbau- und Verbindungstechnik eines Stromsensors der Mikrosystemtechnik
US20030094678A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-22 Chino-Excel Technology Corp. Wireless bonded semiconductor device and method for packaging the same
DE10164482B4 (de) * 2001-12-29 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Sensierung eines Magnetfeldes
US20040113240A1 (en) 2002-10-11 2004-06-17 Wolfgang Hauser An electronic component with a leadframe
US7075287B1 (en) 2003-08-26 2006-07-11 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US7709754B2 (en) * 2003-08-26 2010-05-04 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US6995315B2 (en) * 2003-08-26 2006-02-07 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US7476816B2 (en) * 2003-08-26 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US20060219436A1 (en) * 2003-08-26 2006-10-05 Taylor William P Current sensor
US7166807B2 (en) 2003-08-26 2007-01-23 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US7476953B2 (en) * 2005-02-04 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor having a magnetic flux concentrator
US7358724B2 (en) * 2005-05-16 2008-04-15 Allegro Microsystems, Inc. Integrated magnetic flux concentrator
US7768083B2 (en) * 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
US20070279053A1 (en) * 2006-05-12 2007-12-06 Taylor William P Integrated current sensor
US7816772B2 (en) 2007-03-29 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for multi-stage molding of integrated circuit package
EP2063229B1 (de) 2007-11-21 2012-05-02 Micronas GmbH Magnetfeldsensoranordnung
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
US7816905B2 (en) * 2008-06-02 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US20100188078A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Andrea Foletto Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range
US20100271018A1 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Seagate Technology Llc Sensors for minute magnetic fields
CH702264A1 (de) * 2009-11-30 2011-05-31 Melexis Tessenderlo Nv Vorrichtung zur Strommessung.
US20110133732A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
US8907437B2 (en) 2011-07-22 2014-12-09 Allegro Microsystems, Llc Reinforced isolation for current sensor with magnetic field transducer
US20130024135A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Blum Dieter W Method And Apparatus For Ferromagnetic Cable Inspection
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10215550B2 (en) 2012-05-01 2019-02-26 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensors having highly uniform magnetic fields
US9817078B2 (en) 2012-05-10 2017-11-14 Allegro Microsystems Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
US9190606B2 (en) 2013-03-15 2015-11-17 Allegro Micosystems, LLC Packaging for an electronic device
US10725100B2 (en) 2013-03-15 2020-07-28 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil
US10345343B2 (en) 2013-03-15 2019-07-09 Allegro Microsystems, Llc Current sensor isolation
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US9810519B2 (en) 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US9720054B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10012518B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
US10866117B2 (en) 2018-03-01 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10921391B2 (en) 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
US10935612B2 (en) 2018-08-20 2021-03-02 Allegro Microsystems, Llc Current sensor having multiple sensitivity ranges
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
US10955306B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deformable substrate
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
US11800813B2 (en) 2020-05-29 2023-10-24 Allegro Microsystems, Llc High isolation current sensor
CN112397637A (zh) * 2020-11-24 2021-02-23 苏州矩阵光电有限公司 一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11567108B2 (en) 2021-03-31 2023-01-31 Allegro Microsystems, Llc Multi-gain channels for multi-range sensor
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents
US11644485B2 (en) 2021-10-07 2023-05-09 Allegro Microsystems, Llc Current sensor integrated circuits
US11768230B1 (en) 2022-03-30 2023-09-26 Allegro Microsystems, Llc Current sensor integrated circuit with a dual gauge lead frame
US11994541B2 (en) 2022-04-15 2024-05-28 Allegro Microsystems, Llc Current sensor assemblies for low currents
US12584976B2 (en) 2024-01-23 2026-03-24 Allegro Microsystems, Llc Flux concentrator and magnetoresistance configurations
US12523717B2 (en) 2024-02-15 2026-01-13 Allegro Microsystems, Llc Closed loop magnetic field sensor with current control
CN118393408B (zh) * 2024-06-28 2024-10-18 宁波中车时代传感技术有限公司 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS493315B1 (ja) * 1970-09-28 1974-01-25
GB2143038B (en) * 1983-07-06 1987-12-23 Standard Telephones Cables Ltd Hall effect device
US5138431A (en) * 1990-01-31 1992-08-11 Vlsi Technology, Inc. Lead and socket structures with reduced self-inductance

Also Published As

Publication number Publication date
US5247202A (en) 1993-09-21
EP0537419A1 (de) 1993-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05297094A (ja) 磁場センサと磁束集束部材を有する装置及びその装置の組み込み方法
US6922048B2 (en) Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents
CN111244265B (zh) 电流传感器制作方法与电流传感器
JP7089388B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7387706B2 (ja) 一次導体が一体化された電流変換器
US7193288B2 (en) Magnetoelectric transducer and its manufacturing method
US11360122B2 (en) Current sensor and method for manufacturing current sensor
JP2695736B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその抵抗線を備えたリードフレームの製造方法
JP4685969B2 (ja) 電流検出装置及びその製造方法
KR920000076B1 (ko) 반도체장치
JP2003043074A (ja) 電流検出装置及びその製造方法
JP2021025785A (ja) 電流センサおよび電流センサの製造方法
JP2005123383A (ja) 磁電変換素子
JPH05291482A (ja) 混成集積回路装置及びその製造方法
US12292460B2 (en) Current sensor
US20170033058A1 (en) Structures and methods for semiconductor packaging
JPH11121830A (ja) 薄型高感度ホール素子とその製造方法
JP7420640B2 (ja) 電流センサおよび電流センサの製造方法
JPH08162329A (ja) チップインダクタ及びその製造方法
JPH04352436A (ja) 半導体装置
CN120813846A (zh) 磁场梯度传感器和具有该磁场梯度传感器的电流传感器
CN119923189A (zh) 具有用于霍尔传感器的内部磁屏蔽件的半导体装置封装
JP4455011B2 (ja) プリモールドパッケージ及びこれを用いた半導体装置
JP2822446B2 (ja) 混成集積回路装置
JP3211116B2 (ja) 電子部品及びそのモジュール構造