JPH05299399A - ウエハー側周面の鏡面面取り装置と方法 - Google Patents
ウエハー側周面の鏡面面取り装置と方法Info
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- JPH05299399A JPH05299399A JP12817192A JP12817192A JPH05299399A JP H05299399 A JPH05299399 A JP H05299399A JP 12817192 A JP12817192 A JP 12817192A JP 12817192 A JP12817192 A JP 12817192A JP H05299399 A JPH05299399 A JP H05299399A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 オリエンテーションフラットをもつウエハー
の側周面の鏡面面取り加工を精度よくかつ効率的に行う
装置と方法を提供する。 【構成】 本考案は、半導体ウエハー2を搬送アーム3
で回転ステージ6上に搬送し、画像処理装置7によって
ウエハー2の円弧の中心8と回転ステージ6の回転の中
心を一致させ、回転ステージ6によりウエハー2を回転
させながら、画像処理装置7によりウエハー2の円弧の
中心と外周との間の距離dを測定して、これにより回転
ハブ砥石9をウエハー2の側周面に当接し、さらにウエ
ハー駆動モーター10、砥石駆動モーター15のいずれ
かの負荷電流により、または回転ステージ6、スライド
テーブル14のいずれかの受ける圧力を示すロードセル
16の出力により当接圧力を微調節する装置と方法より
なる。
の側周面の鏡面面取り加工を精度よくかつ効率的に行う
装置と方法を提供する。 【構成】 本考案は、半導体ウエハー2を搬送アーム3
で回転ステージ6上に搬送し、画像処理装置7によって
ウエハー2の円弧の中心8と回転ステージ6の回転の中
心を一致させ、回転ステージ6によりウエハー2を回転
させながら、画像処理装置7によりウエハー2の円弧の
中心と外周との間の距離dを測定して、これにより回転
ハブ砥石9をウエハー2の側周面に当接し、さらにウエ
ハー駆動モーター10、砥石駆動モーター15のいずれ
かの負荷電流により、または回転ステージ6、スライド
テーブル14のいずれかの受ける圧力を示すロードセル
16の出力により当接圧力を微調節する装置と方法より
なる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン半導体等のウ
エハーの面取り、特にウエハーの側周面の鏡面面取り装
置と方法に関する。
エハーの面取り、特にウエハーの側周面の鏡面面取り装
置と方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体のウエハーは、細かいチップに分
割してIC等の部品の基板として用いられる。この際ウ
エハーの外周付近は表面状態が良好でないため、従来は
基板として利用することができなかった。しかし近年貴
重な半導体ウエハーを無駄なく利用するため外周を鏡面
面取りする装置が提案されている。
割してIC等の部品の基板として用いられる。この際ウ
エハーの外周付近は表面状態が良好でないため、従来は
基板として利用することができなかった。しかし近年貴
重な半導体ウエハーを無駄なく利用するため外周を鏡面
面取りする装置が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】通常、半導体ウエハー
の外周は円弧部と直線状のオリエンテーションフラット
部(以下オリフラ部という)によって構成されている
が、オリフラ部の長さは各メーカー、またウエハーの種
類によって相違する。したがって鏡面面取りに限らず従
来のウエハーの面取りは、回転バフ砥石をウエハーの円
弧部の側周面に当接させ、ウエハーを低速度で回転させ
て行う円弧部の加工工程と、ウエハーを回転させず、回
転バフ砥石をオリフラ部に当接させ、ウエハーまたは回
転バフ砥石を直線運動させて行うオリフラ部の加工工程
とを別々に行わなければならず、加工能率が悪かった。
また、円弧部の加工工程では、ウエハーの円弧の中心と
回転の中心を正確に一致させないと、円弧の中心から円
弧までの距離が変って当接圧力が変化し、良好な加工を
行うことができなかった。
の外周は円弧部と直線状のオリエンテーションフラット
部(以下オリフラ部という)によって構成されている
が、オリフラ部の長さは各メーカー、またウエハーの種
類によって相違する。したがって鏡面面取りに限らず従
来のウエハーの面取りは、回転バフ砥石をウエハーの円
弧部の側周面に当接させ、ウエハーを低速度で回転させ
て行う円弧部の加工工程と、ウエハーを回転させず、回
転バフ砥石をオリフラ部に当接させ、ウエハーまたは回
転バフ砥石を直線運動させて行うオリフラ部の加工工程
とを別々に行わなければならず、加工能率が悪かった。
また、円弧部の加工工程では、ウエハーの円弧の中心と
回転の中心を正確に一致させないと、円弧の中心から円
弧までの距離が変って当接圧力が変化し、良好な加工を
行うことができなかった。
【0004】ウエハーの外形に応じて回転バフ砥石の位
置を追従させながら加工する装置も提案されているが、
この場合は円弧部からオリフラ部に移る部分で回転バフ
砥石が良好に追従できないという問題があった。前記の
ように従来の面取り方法では、ウエハーの円弧の中心か
ら円弧までの距離や、ウエハー加工面の状態などによっ
て、加工中に当接圧力が変化するおそれがあり、特に鏡
面面取りではこの圧力の変化が良好な鏡面面取りを行う
うえで大きな障害となる。
置を追従させながら加工する装置も提案されているが、
この場合は円弧部からオリフラ部に移る部分で回転バフ
砥石が良好に追従できないという問題があった。前記の
ように従来の面取り方法では、ウエハーの円弧の中心か
ら円弧までの距離や、ウエハー加工面の状態などによっ
て、加工中に当接圧力が変化するおそれがあり、特に鏡
面面取りではこの圧力の変化が良好な鏡面面取りを行う
うえで大きな障害となる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点に
鑑み、ウエハーのオリフラ部と円弧部の鏡面面取りを、
当接圧力を一定に保ちつつ一工程で実施することのでき
るウエハーの鏡面面取り装置と方法を提供することを目
的とするもので、第1の発明は、半導体ウエハーの側周
面に、回転バフ砥石を当接させて行う側周面の鏡面面取
り装置において、(1)半導体ウエハーを頭部下面に吸
着し、伸縮するとともにこれと直角方向に移動する搬送
アーム、(2) 搬送アームよりウエハーを受け取り上
面に吸着して回転する回転ステージ、(3) 回転ステ
ージに対向して上方に設けられたウエハーの画像処理装
置を備え、搬送アームは、画像処理装置の測定値により
制御されて伸縮、移動し、頭部下面に吸着したウエハー
の円弧の中心を回転ステージの回転の中心と一致させた
後、ウエハーの側周面に回転バフ砥石を当接させて行う
ことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面取り装置を要
旨とする。
鑑み、ウエハーのオリフラ部と円弧部の鏡面面取りを、
当接圧力を一定に保ちつつ一工程で実施することのでき
るウエハーの鏡面面取り装置と方法を提供することを目
的とするもので、第1の発明は、半導体ウエハーの側周
面に、回転バフ砥石を当接させて行う側周面の鏡面面取
り装置において、(1)半導体ウエハーを頭部下面に吸
着し、伸縮するとともにこれと直角方向に移動する搬送
アーム、(2) 搬送アームよりウエハーを受け取り上
面に吸着して回転する回転ステージ、(3) 回転ステ
ージに対向して上方に設けられたウエハーの画像処理装
置を備え、搬送アームは、画像処理装置の測定値により
制御されて伸縮、移動し、頭部下面に吸着したウエハー
の円弧の中心を回転ステージの回転の中心と一致させた
後、ウエハーの側周面に回転バフ砥石を当接させて行う
ことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面取り装置を要
旨とする。
【0006】第2の発明は、半導体ウエハーの側周面
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り装置において、(1) ウエハーを上面に吸着
して回転する回転ステージ、(2) 回転ステージに対
向して上方に設けられたウエハーの画像処理装置、
(3) 回転バフ砥石を載置し移動するスライドテーブ
ルを備え、画像処理装置によって得た、回転ステージ上
のウエハーの円弧の中心から外周までの距離により、ス
ライドテーブルを移動して、ウエハーの側周面と回転バ
フ砥石を一定圧力で当接させて行うことを特徴とするウ
エハー側周面の鏡面面取り装置を要旨とする。
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り装置において、(1) ウエハーを上面に吸着
して回転する回転ステージ、(2) 回転ステージに対
向して上方に設けられたウエハーの画像処理装置、
(3) 回転バフ砥石を載置し移動するスライドテーブ
ルを備え、画像処理装置によって得た、回転ステージ上
のウエハーの円弧の中心から外周までの距離により、ス
ライドテーブルを移動して、ウエハーの側周面と回転バ
フ砥石を一定圧力で当接させて行うことを特徴とするウ
エハー側周面の鏡面面取り装置を要旨とする。
【0007】第3の発明は、半導体ウエハーの側周面
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り装置において、(1) ウエハーを上面に吸着
して回転する回転ステージ、(2) 回転バフ砥石を載
置し移動するスライドテーブルを備え、回転ステージと
スライドテーブルの少なくとも一方に、その受ける当接
圧力を検出するロードセルを設け、検出値によってスラ
イドテーブルを移動し、一定の当接圧力になるよう調節
して行うことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面取り
装置を要旨とする。
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り装置において、(1) ウエハーを上面に吸着
して回転する回転ステージ、(2) 回転バフ砥石を載
置し移動するスライドテーブルを備え、回転ステージと
スライドテーブルの少なくとも一方に、その受ける当接
圧力を検出するロードセルを設け、検出値によってスラ
イドテーブルを移動し、一定の当接圧力になるよう調節
して行うことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面取り
装置を要旨とする。
【0008】第4の発明は、半導体ウエハーの側周面
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り装置において、(1) ウエハーを上面に吸着
した回転ステージを回転させるウエハー駆動モーター、
(2) 回転バフ砥石を回転させる砥石駆動モーター、
(3) ウエハー駆動モーターと砥石駆動モーターの少
なくとも一方に設けられた負荷電流の測定手段、(4)
負荷電流測定手段の測定結果に基づいてウエハーの側
周面と回転バフ砥石とを一定圧力で当接させる位置制御
機構を備えたことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面
取り装置を要旨とする。
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り装置において、(1) ウエハーを上面に吸着
した回転ステージを回転させるウエハー駆動モーター、
(2) 回転バフ砥石を回転させる砥石駆動モーター、
(3) ウエハー駆動モーターと砥石駆動モーターの少
なくとも一方に設けられた負荷電流の測定手段、(4)
負荷電流測定手段の測定結果に基づいてウエハーの側
周面と回転バフ砥石とを一定圧力で当接させる位置制御
機構を備えたことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面
取り装置を要旨とする。
【0009】第5の発明は、半導体ウエハーの側周面
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り方法において、ウエハーと回転バフ砥石の間隔
を調節し、両者間の当接圧力を一定にして行うことを特
徴とするウエハー側周面の鏡面面取り方法を要旨とす
る。
に、回転バフ砥石を当接させて行うウエハー側周面の鏡
面面取り方法において、ウエハーと回転バフ砥石の間隔
を調節し、両者間の当接圧力を一定にして行うことを特
徴とするウエハー側周面の鏡面面取り方法を要旨とす
る。
【0010】
【作用】以下第1〜5の発明を図1(a),(b)によ
って説明する。 (第1の発明)コンベア1によって送られてきたウエハ
ー2を搬送アーム3の頭部4の下面に吸着した後、搬送
アーム3はレール5上を移動し、回転ステージ6の直上
にウエハー2を搬送する。回転ステージ6の上方には画
像処理装置7が設けられていて、これによって搬送され
てきたウエハー2の円弧の中心8を検出する。この検出
値によって搬送アーム3を伸縮およびレール5上で移動
させ、ウエハーの円弧の中心8を、回転ステージ6の回
転の中心と正確に一致させた後、回転ステージ6を回転
しながら回転ハブ砥石9をウエハー2の側周面に当接し
て、精密な鏡面面取りを行う。
って説明する。 (第1の発明)コンベア1によって送られてきたウエハ
ー2を搬送アーム3の頭部4の下面に吸着した後、搬送
アーム3はレール5上を移動し、回転ステージ6の直上
にウエハー2を搬送する。回転ステージ6の上方には画
像処理装置7が設けられていて、これによって搬送され
てきたウエハー2の円弧の中心8を検出する。この検出
値によって搬送アーム3を伸縮およびレール5上で移動
させ、ウエハーの円弧の中心8を、回転ステージ6の回
転の中心と正確に一致させた後、回転ステージ6を回転
しながら回転ハブ砥石9をウエハー2の側周面に当接し
て、精密な鏡面面取りを行う。
【0011】(第2の発明、第5の発明)ウエハー2を
上面に吸着した回転ステージ6を軸支するウエハー駆動
モータ10により、回転ステージ6を回転しながら、図
2に示すように、ウエハー2の円弧部11の半径r、円
弧部11からオリフラ部12への最大距離Lを画像処理
装置7により測定し、円弧の中心8より任意角度θの方
向における、ウエハーの円弧の中心8より外周までの距
離dを下式にしたがって算出する。 オリフラ部 {−sin-1(L−r)/r<θ<sin-1(L−r)/rの範囲} d=(L−r)/sinθ 円弧部 {sin-1(L−r)/r<θ<360°−sin-1(L−r)/rの範囲} d=r 算出された距離dを使用して、サーボ機構13によりス
ライドテーブル14を移動させ、低速度で回転するウエ
ハー2の側周面に、砥石駆動モータ15により回転して
いる回転バフ砥石9を当接し鏡面面取りする。
上面に吸着した回転ステージ6を軸支するウエハー駆動
モータ10により、回転ステージ6を回転しながら、図
2に示すように、ウエハー2の円弧部11の半径r、円
弧部11からオリフラ部12への最大距離Lを画像処理
装置7により測定し、円弧の中心8より任意角度θの方
向における、ウエハーの円弧の中心8より外周までの距
離dを下式にしたがって算出する。 オリフラ部 {−sin-1(L−r)/r<θ<sin-1(L−r)/rの範囲} d=(L−r)/sinθ 円弧部 {sin-1(L−r)/r<θ<360°−sin-1(L−r)/rの範囲} d=r 算出された距離dを使用して、サーボ機構13によりス
ライドテーブル14を移動させ、低速度で回転するウエ
ハー2の側周面に、砥石駆動モータ15により回転して
いる回転バフ砥石9を当接し鏡面面取りする。
【0012】(第3の発明)上面にウエハー2を吸着し
た回転ステージ6を、ウエハー駆動モータ10により回
転させながら、回転バフ砥石9をウエハー2の側周面に
当接させて面取りする場合、回転バフ砥石9をさらに適
切な圧力でウエハー2に当接させるため、回転バフ砥石
9の受ける圧力をロードセル16により検出し、これに
よってスライドテーブル14のサーボ機構13による移
動を微調整して、適当な当接圧力で鏡面面取りを行う。
ロードセル16は回転ステージ6側に設けてもよい。
た回転ステージ6を、ウエハー駆動モータ10により回
転させながら、回転バフ砥石9をウエハー2の側周面に
当接させて面取りする場合、回転バフ砥石9をさらに適
切な圧力でウエハー2に当接させるため、回転バフ砥石
9の受ける圧力をロードセル16により検出し、これに
よってスライドテーブル14のサーボ機構13による移
動を微調整して、適当な当接圧力で鏡面面取りを行う。
ロードセル16は回転ステージ6側に設けてもよい。
【0013】(第4の発明)負荷電流測定手段17によ
り得た回転ステージ6のウエハー駆動モータ10の負荷
電流を参照し、位置制御機構18を介して、サーボ機構
13によりスライドテーブル14の移動を微調整し、負
荷電流が大きい場合は当接圧力を小、小さい場合は当接
圧力を大にして、適当な当接圧力で鏡面面取りを行うも
のである。負荷電流は砥石駆動モーター15のものを参
照して行ってもよい。
り得た回転ステージ6のウエハー駆動モータ10の負荷
電流を参照し、位置制御機構18を介して、サーボ機構
13によりスライドテーブル14の移動を微調整し、負
荷電流が大きい場合は当接圧力を小、小さい場合は当接
圧力を大にして、適当な当接圧力で鏡面面取りを行うも
のである。負荷電流は砥石駆動モーター15のものを参
照して行ってもよい。
【0014】ウエハー2の全外周の鏡面面取りが終了し
たならば、搬送アーム3をレール5上を移動させ、水中
搬送装置19上でウエハー2を搬送アーム3より水中に
落とし、水流で搬送してカセット20に自動的に収納す
る。サーボ機構21は回転バフ砥石9を上下させて面取
りに使用する回転バフ砥石の面を変更するためのもので
ある。
たならば、搬送アーム3をレール5上を移動させ、水中
搬送装置19上でウエハー2を搬送アーム3より水中に
落とし、水流で搬送してカセット20に自動的に収納す
る。サーボ機構21は回転バフ砥石9を上下させて面取
りに使用する回転バフ砥石の面を変更するためのもので
ある。
【0015】
【発明の効果】本発明の装置、方法により、ウエハーの
全側周面をきわめて効率的にかつ精度よく鏡面面取りす
ることができる。
全側周面をきわめて効率的にかつ精度よく鏡面面取りす
ることができる。
【図1】(a)は本発明の装置の説明平面図、(b)は
回転ステージと回転バフ砥石の説明側面図である。
回転ステージと回転バフ砥石の説明側面図である。
【図2】ウエハーの外形図である。
1 コンベア 13 サーボ機構 2 ウエハー 14 スライドテ
ーブル 3 搬送アーム 15 砥石駆動モ
ーター 4 頭部 16 ロードセル 5 レール 17 負荷電流測
定手段 6 回転ステージ 18 位置制御機
構 7 画像処理装置 19 水中搬送装
置 8 円弧の中心 20 カセット 9 回転ハブ砥石 21 サーボ機構 10 ウエハー駆動モーター 11 円弧部
ーブル 3 搬送アーム 15 砥石駆動モ
ーター 4 頭部 16 ロードセル 5 レール 17 負荷電流測
定手段 6 回転ステージ 18 位置制御機
構 7 画像処理装置 19 水中搬送装
置 8 円弧の中心 20 カセット 9 回転ハブ砥石 21 サーボ機構 10 ウエハー駆動モーター 11 円弧部
Claims (7)
- 【請求項1】半導体ウエハーの側周面に、回転バフ砥石
を当接させて行う側周面の鏡面面取り装置において、 (1)半導体ウエハーを頭部下面に吸着し、伸縮すると
ともにこれと直角方向に移動する搬送アーム、 (2) 搬送アームよりウエハーを受け取り上面に吸着
して回転する回転ステージ、 (3) 回転ステージに対向して上方に設けられたウエ
ハーの画像処理装置 を備え、 搬送アームは、画像処理装置の測定値により制御されて
伸縮、移動し、頭部下面に吸着したウエハーの円弧の中
心を回転ステージの回転の中心と一致させた後、ウエハ
ーの側周面に回転バフ砥石を当接させて行うことを特徴
とするウエハー側周面の鏡面面取り装置。 - 【請求項2】半導体ウエハーの側周面に、回転バフ砥石
を当接させて行うウエハー側周面の鏡面面取り装置にお
いて、 (1) ウエハーを上面に吸着して回転する回転ステー
ジ、 (2) 回転ステージに対向して上方に設けられたウエ
ハーの画像処理装置、 (3) 回転バフ砥石を載置し移動するスライドテーブ
ル を備え、 画像処理装置によって得た、回転ステージ上のウエハー
の円弧の中心から外周までの距離により、スライドテー
ブルを移動して、ウエハーの側周面と回転バフ砥石を一
定圧力で当接させて行うことを特徴とするウエハー側周
面の鏡面面取り装置。 - 【請求項3】半導体ウエハーの側周面に、回転バフ砥石
を当接させて行うウエハー側周面の鏡面面取り装置にお
いて、 (1) ウエハーを上面に吸着して回転する回転ステー
ジ、 (2) 回転バフ砥石を載置し移動するスライドテーブ
ル を備え、 回転ステージとスライドテーブルの少なくとも一方に、
その受ける当接圧力を検出するロードセルを設け、検出
値によってスライドテーブルを移動し、一定の当接圧力
になるよう調節して行うことを特徴とするウエハー側周
面の鏡面面取り装置。 - 【請求項4】半導体ウエハーの側周面に、回転バフ砥石
を当接させて行うウエハー側周面の鏡面面取り装置にお
いて、 (1) ウエハーを上面に吸着した回転ステージを回転
させるウエハー駆動モーター、 (2) 回転バフ砥石を回転させる砥石駆動モーター、 (3) ウエハー駆動モーターと砥石駆動モーターの少
なくとも一方に設けられた負荷電流の測定手段、 (4) 負荷電流測定手段の測定結果に基づいてウエハ
ーの側周面と回転バフ砥石とを一定圧力で当接させる位
置制御機構 を備えたことを特徴とするウエハー側周面の鏡面面取り
装置。 - 【請求項5】半導体ウエハーの側周面に、回転バフ砥石
を当接させて行うウエハー側周面の鏡面面取り方法にお
いて、ウエハーと回転バフ砥石の間隔を調節し、両者間
の当接圧力を一定にして行うことを特徴とするウエハー
側周面の鏡面面取り方法。 - 【請求項6】当接圧力を、ウエハー駆動モーターと砥石
駆動モーターのいずれか一方の負荷電流によって一定に
する請求項5に記載の方法。 - 【請求項7】当接圧力を、回転ステージと回転バフ砥石
のいずれか一方に設けたロードセルにより得た検出値に
よって一定にする請求項5に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12817192A JP3137730B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | ウエハー側周面の鏡面面取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12817192A JP3137730B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | ウエハー側周面の鏡面面取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299399A true JPH05299399A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3137730B2 JP3137730B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=14978165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12817192A Expired - Fee Related JP3137730B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | ウエハー側周面の鏡面面取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137730B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252288A (ja) * | 2000-08-03 | 2005-09-15 | Accretech Usa Inc | ウェーハ・ノッチ研磨機およびウェーハの配向ノッチ研磨方法 |
| CN113084639A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-07-09 | 成都青洋电子材料有限公司 | 一种自动化单晶硅片倒角装置 |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP12817192A patent/JP3137730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252288A (ja) * | 2000-08-03 | 2005-09-15 | Accretech Usa Inc | ウェーハ・ノッチ研磨機およびウェーハの配向ノッチ研磨方法 |
| CN113084639A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-07-09 | 成都青洋电子材料有限公司 | 一种自动化单晶硅片倒角装置 |
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