JPH05299847A - 多層配線基板および誘電体層材料 - Google Patents
多層配線基板および誘電体層材料Info
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- JPH05299847A JPH05299847A JP4129945A JP12994592A JPH05299847A JP H05299847 A JPH05299847 A JP H05299847A JP 4129945 A JP4129945 A JP 4129945A JP 12994592 A JP12994592 A JP 12994592A JP H05299847 A JPH05299847 A JP H05299847A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサを内蔵する多層配線基板におい
て、小型化および特性の向上を実現し、しかも、焼成の
際の反り発生を防ぐ。 【構成】 酸化アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩
系ガラスを含有する基板層と、酸化チタンおよびアルカ
リ土類珪酸塩系ガラスを含有するか、酸化チタン、酸化
アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有
する誘電体層とを有し、前記基板層の（酸化アルミニウ
ム）／（酸化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラ
ス）で表わされる体積比をＳA とし、前記誘電体層の
（酸化チタン＋酸化アルミニウム）／（酸化チタン＋酸
化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）で表わ
される体積比をＤTAとしたとき、ＤTA＝ＳA ±０．０５
とする。
て、小型化および特性の向上を実現し、しかも、焼成の
際の反り発生を防ぐ。 【構成】 酸化アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩
系ガラスを含有する基板層と、酸化チタンおよびアルカ
リ土類珪酸塩系ガラスを含有するか、酸化チタン、酸化
アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有
する誘電体層とを有し、前記基板層の（酸化アルミニウ
ム）／（酸化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラ
ス）で表わされる体積比をＳA とし、前記誘電体層の
（酸化チタン＋酸化アルミニウム）／（酸化チタン＋酸
化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）で表わ
される体積比をＤTAとしたとき、ＤTA＝ＳA ±０．０５
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサを有する多
層配線基板およびこの多層配線基板の誘電体層の材料に
関する。
層配線基板およびこの多層配線基板の誘電体層の材料に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子機器の配線基板などに用いる
基板材料として、軟化点７００〜９００℃程度のガラス
フリットとＡｌ2 Ｏ3 とを混合した低温焼成可能な材料
が開発されており、これにより基板材料、導体、抵抗体
等を例えば１０００℃以下の低温で同時一体焼成するこ
とが可能となっている。
基板材料として、軟化点７００〜９００℃程度のガラス
フリットとＡｌ2 Ｏ3 とを混合した低温焼成可能な材料
が開発されており、これにより基板材料、導体、抵抗体
等を例えば１０００℃以下の低温で同時一体焼成するこ
とが可能となっている。
【０００３】このような基板材料を用いた多層配線基板
内に高誘電率の誘電体層を設けることにより、コンデン
サを内蔵させてしかも小型化することが提案されてい
る。この場合、誘電体層材料には、前記基板材料と同時
焼成が可能なＰｂ系低温焼成誘電体材料（Ｐｂ系ペロブ
スカイト化合物）が用いられる。
内に高誘電率の誘電体層を設けることにより、コンデン
サを内蔵させてしかも小型化することが提案されてい
る。この場合、誘電体層材料には、前記基板材料と同時
焼成が可能なＰｂ系低温焼成誘電体材料（Ｐｂ系ペロブ
スカイト化合物）が用いられる。
【０００４】しかし、上記低温焼成基板材料とＰｂ系誘
電体材料とは拡散および焼結モードが異なり（Ｐｂ系誘
電体材料はガラスフリットに比べ焼結が遅い）、また、
これらは線膨張率が著しく異なるため、同時焼成した場
合に大きな反りが発生したり特性が不安定となってしま
う。
電体材料とは拡散および焼結モードが異なり（Ｐｂ系誘
電体材料はガラスフリットに比べ焼結が遅い）、また、
これらは線膨張率が著しく異なるため、同時焼成した場
合に大きな反りが発生したり特性が不安定となってしま
う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、コンデンサを内蔵する多層
配線基板において、小型化および特性の向上を実現し、
しかも、焼成の際の反り発生を防ぐことを目的とする。
情からなされたものであり、コンデンサを内蔵する多層
配線基板において、小型化および特性の向上を実現し、
しかも、焼成の際の反り発生を防ぐことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。
（１）〜（５）の本発明により達成される。
【０００７】（１）酸化アルミニウムおよびアルカリ土
類珪酸塩系ガラスを含有する基板層と、酸化チタンおよ
びアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有するか、酸化チタ
ン、酸化アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラ
スを含有する誘電体層とを有し、前記基板層の（酸化ア
ルミニウム）／（酸化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸
塩系ガラス）で表わされる体積比をＳA とし、前記誘電
体層の（酸化チタン＋酸化アルミニウム）／（酸化チタ
ン＋酸化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）
で表わされる体積比をＤTAとしたとき、ＤTA＝ＳA ±
０．０５であることを特徴とする多層配線基板。
類珪酸塩系ガラスを含有する基板層と、酸化チタンおよ
びアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有するか、酸化チタ
ン、酸化アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラ
スを含有する誘電体層とを有し、前記基板層の（酸化ア
ルミニウム）／（酸化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸
塩系ガラス）で表わされる体積比をＳA とし、前記誘電
体層の（酸化チタン＋酸化アルミニウム）／（酸化チタ
ン＋酸化アルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）
で表わされる体積比をＤTAとしたとき、ＤTA＝ＳA ±
０．０５であることを特徴とする多層配線基板。
【０００８】（２）ＳA ＝０．２〜０．５である上記
（１）に記載の多層配線基板。
（１）に記載の多層配線基板。
【０００９】（３）前記誘電体層の（酸化チタン）／
（酸化チタン＋酸化アルミニウム）で表わされる体積比
をＤT としたとき、ＤT ＝０．７〜１である上記（１）
または（２）に記載の多層配線基板。
（酸化チタン＋酸化アルミニウム）で表わされる体積比
をＤT としたとき、ＤT ＝０．７〜１である上記（１）
または（２）に記載の多層配線基板。
【００１０】（４）前記アルカリ土類珪酸塩系ガラスの
軟化点が７００〜９００℃である上記（１）ないし
（３）のいずれかに記載の多層配線基板。
軟化点が７００〜９００℃である上記（１）ないし
（３）のいずれかに記載の多層配線基板。
【００１１】（５）酸化チタンおよびアルカリ土類珪酸
塩系ガラスを含有するか、酸化チタン、酸化アルミニウ
ムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有し、（酸化
チタン）／（酸化チタン＋酸化アルミニウム）で表わさ
れる体積比をＤT としたとき、ＤT ＝０．７〜１である
ことを特徴とする誘電体層材料。
塩系ガラスを含有するか、酸化チタン、酸化アルミニウ
ムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有し、（酸化
チタン）／（酸化チタン＋酸化アルミニウム）で表わさ
れる体積比をＤT としたとき、ＤT ＝０．７〜１である
ことを特徴とする誘電体層材料。
【００１２】
【作用および効果】本発明の多層配線基板は、基板層と
誘電体層とが積層されており、コンデンサを内蔵するも
のである。基板層は、酸化アルミニウムの骨材とアルカ
リ土類珪酸塩系ガラスとを含有する低誘電率材料から構
成される。一方、誘電体層は、高誘電率材料である酸化
チタン、または酸化チタンと酸化アルミニウムとを骨材
として含有し、さらに基板層と同じアルカリ土類珪酸塩
系ガラスを含有する。そして、誘電体層における骨材の
体積比率ＤTAを、基板層における骨材の体積比率ＳAと
ほぼ同等（９５〜１０５％）とする。このため、基板層
と誘電体層とは、焼結モードがほぼ同じとなり、また、
両者の線膨張率がほぼ一致するようになる。従って、本
発明の多層配線基板は反りが極めて小さくなる。そし
て、誘電体層に含まれる骨材中の酸化チタンの比率が
０．７〜１と高いので高誘電率が得られるため、小型化
できる。また、基板層の誘電率が低いために、インピー
ダンスを小さくでき、伝播損失を小さくすることができ
る。
誘電体層とが積層されており、コンデンサを内蔵するも
のである。基板層は、酸化アルミニウムの骨材とアルカ
リ土類珪酸塩系ガラスとを含有する低誘電率材料から構
成される。一方、誘電体層は、高誘電率材料である酸化
チタン、または酸化チタンと酸化アルミニウムとを骨材
として含有し、さらに基板層と同じアルカリ土類珪酸塩
系ガラスを含有する。そして、誘電体層における骨材の
体積比率ＤTAを、基板層における骨材の体積比率ＳAと
ほぼ同等（９５〜１０５％）とする。このため、基板層
と誘電体層とは、焼結モードがほぼ同じとなり、また、
両者の線膨張率がほぼ一致するようになる。従って、本
発明の多層配線基板は反りが極めて小さくなる。そし
て、誘電体層に含まれる骨材中の酸化チタンの比率が
０．７〜１と高いので高誘電率が得られるため、小型化
できる。また、基板層の誘電率が低いために、インピー
ダンスを小さくでき、伝播損失を小さくすることができ
る。
【００１３】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の多層配線基板は、１０００℃程度
以下、例えば８００〜１０００℃程度の低温で焼成する
ことにより製造される。
に説明する。本発明の多層配線基板は、１０００℃程度
以下、例えば８００〜１０００℃程度の低温で焼成する
ことにより製造される。
【００１４】本発明の多層配線基板はコンデンサを内蔵
する多層配線基板であり、基板層と、この基板層よりも
誘電率の大きい誘電体層とを有する。
する多層配線基板であり、基板層と、この基板層よりも
誘電率の大きい誘電体層とを有する。
【００１５】基板層は、骨材とガラスとを含有する。
【００１６】基板層の骨材は、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化アル
ミニウムを主成分とする。
ミニウムを主成分とする。
【００１７】基板層のガラスはアルカリ土類珪酸塩系ガ
ラスである。焼成温度を１０００℃以下とするために
は、軟化点が７００〜９００℃程度のアルカリ土類珪酸
塩系ガラスを用いることが好ましい。軟化点が９００℃
を超えていると１０００℃以下の温度での焼成が困難で
あり、軟化点が７００℃未満ではシート成形時のバイン
ダが抜けにくく、絶縁性が不良となる傾向にある。この
ようなアルカリ土類珪酸塩系ガラスとしては、ストロン
チウムシリケート系ガラスやストロンチウムアルミナシ
リケート系ガラス等のストロンチウム珪酸塩系ガラスが
好ましい。具体的には、アルカリ土類金属酸化物の１種
以上：２５〜４５モル％、ＳｉＯ2 ：５０〜７０モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜２０モル％およびＢ2 Ｏ3 ：０〜
１０モル％を含有するガラスが好ましい。上記アルカリ
土類金属酸化物としては、ＳｒＯを必須とし、ＣａＯお
よびＭｇＯの１種以上を含むことが好ましく、特に前記
３種を併用することが好ましい。３種を併用する場合、
ＳｒＯの含有量は１５〜３０モル％、ＣａＯの含有量は
１〜８モル％、ＭｇＯの含有量は１〜７モル％が好まし
い。このような組成のガラスの４０〜２９０℃における
平均線膨張係数αは、５．５〜６．５×１０-6deg-1 程
度である。軟化点や線膨張係数αは、示差熱膨張計を用
いて測定することができる。本発明においてアルカリ土
類珪酸塩系ガラスを用いるのは、強度および高周波特性
が優れているからである。
ラスである。焼成温度を１０００℃以下とするために
は、軟化点が７００〜９００℃程度のアルカリ土類珪酸
塩系ガラスを用いることが好ましい。軟化点が９００℃
を超えていると１０００℃以下の温度での焼成が困難で
あり、軟化点が７００℃未満ではシート成形時のバイン
ダが抜けにくく、絶縁性が不良となる傾向にある。この
ようなアルカリ土類珪酸塩系ガラスとしては、ストロン
チウムシリケート系ガラスやストロンチウムアルミナシ
リケート系ガラス等のストロンチウム珪酸塩系ガラスが
好ましい。具体的には、アルカリ土類金属酸化物の１種
以上：２５〜４５モル％、ＳｉＯ2 ：５０〜７０モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜２０モル％およびＢ2 Ｏ3 ：０〜
１０モル％を含有するガラスが好ましい。上記アルカリ
土類金属酸化物としては、ＳｒＯを必須とし、ＣａＯお
よびＭｇＯの１種以上を含むことが好ましく、特に前記
３種を併用することが好ましい。３種を併用する場合、
ＳｒＯの含有量は１５〜３０モル％、ＣａＯの含有量は
１〜８モル％、ＭｇＯの含有量は１〜７モル％が好まし
い。このような組成のガラスの４０〜２９０℃における
平均線膨張係数αは、５．５〜６．５×１０-6deg-1 程
度である。軟化点や線膨張係数αは、示差熱膨張計を用
いて測定することができる。本発明においてアルカリ土
類珪酸塩系ガラスを用いるのは、強度および高周波特性
が優れているからである。
【００１８】基板層中の酸化アルミニウムとガラスとの
体積比は、（酸化アルミニウム）／（酸化アルミニウム
＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）で表わされる体積比を
ＳAとしたとき、ＳA ＝０．２〜０．５であることが好
ましい。ＳA が前記範囲を超えていると焼結性が不良と
なり、前記範囲未満であると十分な抗析強度が得られな
い。
体積比は、（酸化アルミニウム）／（酸化アルミニウム
＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）で表わされる体積比を
ＳAとしたとき、ＳA ＝０．２〜０．５であることが好
ましい。ＳA が前記範囲を超えていると焼結性が不良と
なり、前記範囲未満であると十分な抗析強度が得られな
い。
【００１９】本発明の多層配線基板の誘電体層は、誘電
体材料を含む骨材とガラスとを含有する。本発明では、
誘電体材料としてＴｉＯ2 等の酸化チタンを用い、さら
に必要に応じてＡｌ2 Ｏ3 等の酸化アルミニウムの骨材
を用い、ガラスとしてアルカリ土類珪酸塩系ガラスを用
いる。このアルカリ土類珪酸塩系ガラスは、上記した基
板層に用いるアルカリ土類珪酸塩系ガラスと同じガラス
である。この場合の同じガラスとは、ＳｒＯ等の各成分
ごとに比較してモル比が±１０％以下に収まるものであ
ることが好ましい。ただし実用上は、基板層と誘電体層
とで別種のガラスを用いることはコストアップにつなが
るので、両層で同一組成のガラスを用いることが好まし
い。
体材料を含む骨材とガラスとを含有する。本発明では、
誘電体材料としてＴｉＯ2 等の酸化チタンを用い、さら
に必要に応じてＡｌ2 Ｏ3 等の酸化アルミニウムの骨材
を用い、ガラスとしてアルカリ土類珪酸塩系ガラスを用
いる。このアルカリ土類珪酸塩系ガラスは、上記した基
板層に用いるアルカリ土類珪酸塩系ガラスと同じガラス
である。この場合の同じガラスとは、ＳｒＯ等の各成分
ごとに比較してモル比が±１０％以下に収まるものであ
ることが好ましい。ただし実用上は、基板層と誘電体層
とで別種のガラスを用いることはコストアップにつなが
るので、両層で同一組成のガラスを用いることが好まし
い。
【００２０】誘電体層中の酸化チタンと酸化アルミニウ
ムとの量比は、（酸化チタン）／（酸化チタン＋酸化ア
ルミニウム）で表わされる体積比をＤT としたとき、Ｄ
T ＝０．７〜１であることが好ましい。ＤT が前記範囲
未満であると誘電体層の誘電率が不足する。
ムとの量比は、（酸化チタン）／（酸化チタン＋酸化ア
ルミニウム）で表わされる体積比をＤT としたとき、Ｄ
T ＝０．７〜１であることが好ましい。ＤT が前記範囲
未満であると誘電体層の誘電率が不足する。
【００２１】なお、４０〜２９０℃における平均線膨張
係数αは、Ａｌ2 Ｏ3 が７．２×１０-6deg-1 程度であ
り、ＴｉＯ2 が７．１×１０-6deg-1 程度である。
係数αは、Ａｌ2 Ｏ3 が７．２×１０-6deg-1 程度であ
り、ＴｉＯ2 が７．１×１０-6deg-1 程度である。
【００２２】また、上記した各種骨材やガラスは化学量
論組成から多少偏倚した組成であってもよく、偏倚した
組成のものとの混合物、あるいは偏倚した組成のもの同
士の混合物であってもよい。
論組成から多少偏倚した組成であってもよく、偏倚した
組成のものとの混合物、あるいは偏倚した組成のもの同
士の混合物であってもよい。
【００２３】本発明では、基板層中の体積比ＳA ｛（酸
化アルミニウム）／（酸化アルミニウム＋アルカリ土類
珪酸塩系ガラス）｝と、誘電体層中の体積比ＤTA｛（酸
化チタン＋酸化アルミニウム）／（酸化チタン＋酸化ア
ルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）｝との関係
が、ＤTA＝ＳA ±０．０５となるように各層を構成す
る。ＤTAが前記範囲から外れると、基板層と誘電体層と
を同時一体焼成したときの反り量が大きくなってしま
う。
化アルミニウム）／（酸化アルミニウム＋アルカリ土類
珪酸塩系ガラス）｝と、誘電体層中の体積比ＤTA｛（酸
化チタン＋酸化アルミニウム）／（酸化チタン＋酸化ア
ルミニウム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）｝との関係
が、ＤTA＝ＳA ±０．０５となるように各層を構成す
る。ＤTAが前記範囲から外れると、基板層と誘電体層と
を同時一体焼成したときの反り量が大きくなってしま
う。
【００２４】本発明の多層配線基板の一構成例を図１に
示す。図示される多層配線基板１では、基板層２１、誘
電体層３１〜３２および基板層２２〜２４が積層されて
いる。基板層２１と誘電体層３１との間、誘電体層３１
と３２との間および誘電体層３２と基板層２２との間に
は、それぞれ内部電極４１、４２および４３が設けら
れ、各内部電極はスルーホール５内の導体を介して外部
導体６と電気的に接続されて、コンデンサを構成してい
る。
示す。図示される多層配線基板１では、基板層２１、誘
電体層３１〜３２および基板層２２〜２４が積層されて
いる。基板層２１と誘電体層３１との間、誘電体層３１
と３２との間および誘電体層３２と基板層２２との間に
は、それぞれ内部電極４１、４２および４３が設けら
れ、各内部電極はスルーホール５内の導体を介して外部
導体６と電気的に接続されて、コンデンサを構成してい
る。
【００２５】内部電極およびスルーホール内の導体に
は、導電性が良いこと等を優先させる点からＡｇまたは
Ｃｕを主体とする導体を用いることが好ましく、特に、
酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する場合にはＡｇ
を用いることが好ましい。また、外部導体には、耐マイ
グレーション性、ハンダ喰われ性、ハンダ濡れ性等の点
からＡｇまたはＣｕを主体とする導体を用いることが好
ましく、特に酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する
場合には、Ａｇと、Ｐｄおよび／またはＰｔとを含有す
る導体を用いることが好ましい。
は、導電性が良いこと等を優先させる点からＡｇまたは
Ｃｕを主体とする導体を用いることが好ましく、特に、
酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する場合にはＡｇ
を用いることが好ましい。また、外部導体には、耐マイ
グレーション性、ハンダ喰われ性、ハンダ濡れ性等の点
からＡｇまたはＣｕを主体とする導体を用いることが好
ましく、特に酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する
場合には、Ａｇと、Ｐｄおよび／またはＰｔとを含有す
る導体を用いることが好ましい。
【００２６】本発明の多層配線基板は、厚膜法により製
造される。厚膜法では、基板層用ペーストおよび誘電体
層用ペーストを用意する。基板層用ペーストは、骨材粒
子およびガラス粒子にビヒクルを加えて調製され、誘電
体層用ペーストは、誘電体材料粒子を含む骨材粒子とガ
ラス粒子とからなる誘電体層材料にビヒクルを加えて調
製される。
造される。厚膜法では、基板層用ペーストおよび誘電体
層用ペーストを用意する。基板層用ペーストは、骨材粒
子およびガラス粒子にビヒクルを加えて調製され、誘電
体層用ペーストは、誘電体材料粒子を含む骨材粒子とガ
ラス粒子とからなる誘電体層材料にビヒクルを加えて調
製される。
【００２７】骨材粒子の平均粒径に特に制限はないが、
０．５〜３μm 程度とすることが好ましい。前記範囲未
満ではシート形成が困難となり、前記範囲を超えると基
板層や誘電体層の強度が不足する傾向にある。ガラス粒
子の平均粒径には特に制限はないが、成形性等を考慮し
て、通常、１〜２．５μm 程度のものを用いる。
０．５〜３μm 程度とすることが好ましい。前記範囲未
満ではシート形成が困難となり、前記範囲を超えると基
板層や誘電体層の強度が不足する傾向にある。ガラス粒
子の平均粒径には特に制限はないが、成形性等を考慮し
て、通常、１〜２．５μm 程度のものを用いる。
【００２８】ペースト調製に用いるビヒクルとしては、
エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル
樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、アセテート、トルエン、アルコール、キシレン
等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が含ま
れるものであり、これらのうち任意のものが目的に応じ
て適宜選択される。ビヒクルの添加量は、骨材粒子およ
びガラス粒子の合計量１００重量部に対し、６５〜８５
重量部程度とすることが好ましい。
エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル
樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、アセテート、トルエン、アルコール、キシレン
等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が含ま
れるものであり、これらのうち任意のものが目的に応じ
て適宜選択される。ビヒクルの添加量は、骨材粒子およ
びガラス粒子の合計量１００重量部に対し、６５〜８５
重量部程度とすることが好ましい。
【００２９】また、内部電極用ペーストおよび外部導体
用ペーストをそれぞれ調製する。これらのペーストは、
導電粒子と、導電粒子に対し、１〜１０重量％程度のガ
ラスフリットと、ビヒクルとを混合して調製する。
用ペーストをそれぞれ調製する。これらのペーストは、
導電粒子と、導電粒子に対し、１〜１０重量％程度のガ
ラスフリットと、ビヒクルとを混合して調製する。
【００３０】次いで、誘電体層となるグリーンシートお
よび基板層となるグリーンシートを作製する。この場
合、前述した各ペーストを用い、例えばドクターブレー
ド法により所定枚数作製する。
よび基板層となるグリーンシートを作製する。この場
合、前述した各ペーストを用い、例えばドクターブレー
ド法により所定枚数作製する。
【００３１】次いで、グリーンシート上にパンチングマ
シーンや金型プレスを用いてスルーホールを形成し、そ
の後、内部電極用ペーストを各グリーンシート上に、例
えばスクリーン印刷法により印刷し、所定のパターンの
内部電極を形成するとともにスルーホール内に充填す
る。次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱プレス
（約４０〜１２０℃、５０〜１０００kgf/cm2 ) を加え
てグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バイン
ダ処理、切断用溝の形成等を行なう。
シーンや金型プレスを用いてスルーホールを形成し、そ
の後、内部電極用ペーストを各グリーンシート上に、例
えばスクリーン印刷法により印刷し、所定のパターンの
内部電極を形成するとともにスルーホール内に充填す
る。次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱プレス
（約４０〜１２０℃、５０〜１０００kgf/cm2 ) を加え
てグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バイン
ダ処理、切断用溝の形成等を行なう。
【００３２】次いで、グリーンシートの積層体を、通
常、空気中で、１０００℃程度以下、特に８００〜１０
００℃程度の温度で１０分間程度焼成して一体化する。
そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等によ
り印刷して焼成し、外部導体を形成するが、好ましくは
外部導体を基板層および誘電体層と一体同時焼成するこ
とにより形成する。なお、内部電極用ペースト中の導体
の融点以上の温度で焼成してもよい。
常、空気中で、１０００℃程度以下、特に８００〜１０
００℃程度の温度で１０分間程度焼成して一体化する。
そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等によ
り印刷して焼成し、外部導体を形成するが、好ましくは
外部導体を基板層および誘電体層と一体同時焼成するこ
とにより形成する。なお、内部電極用ペースト中の導体
の融点以上の温度で焼成してもよい。
【００３３】本発明の多層配線基板は、図示される構成
に限らず、コンデンサ回路に加えインダクタ回路等の各
種回路を設けることにより、共振器等の各種素子に適用
することができる。共振器として用いる場合、通常、
０．１GHz 以上、特に０．１〜２GHz 程度の周波数範囲
に適用されることが好ましい。上記した誘電体層では、
このような高周波用共振器に好適な誘電率が得られる。
に限らず、コンデンサ回路に加えインダクタ回路等の各
種回路を設けることにより、共振器等の各種素子に適用
することができる。共振器として用いる場合、通常、
０．１GHz 以上、特に０．１〜２GHz 程度の周波数範囲
に適用されることが好ましい。上記した誘電体層では、
このような高周波用共振器に好適な誘電率が得られる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００３５】下記表１に示される組成の基板層および誘
電体層を有する多層配線基板サンプルを作製した。
電体層を有する多層配線基板サンプルを作製した。
【００３６】まず、平均粒径１．９μm のガラス粒子お
よび平均粒径１．５μm のＡｌ2 Ｏ3 粒子を混合し、ビ
ヒクルを加えて基板層用ペーストを調製した。また、前
記ガラス粒子および平均粒径１．０μm のＴｉＯ2 粒
子、あるいはさらに前記Ａｌ2Ｏ3 粒子を混合し、ビヒ
クルを加えて誘電体層用ペーストを調製した。ガラス粒
子の組成は、ＳｉＯ2 ：６２モル％、Ａｌ2 Ｏ3 ：８モ
ル％、Ｂ2 Ｏ3 ：３モル％、ＳｒＯ：２０モル％、Ｃａ
Ｏ：４モル％、ＭｇＯ：３モル％であり、軟化点は８１
５℃であった。
よび平均粒径１．５μm のＡｌ2 Ｏ3 粒子を混合し、ビ
ヒクルを加えて基板層用ペーストを調製した。また、前
記ガラス粒子および平均粒径１．０μm のＴｉＯ2 粒
子、あるいはさらに前記Ａｌ2Ｏ3 粒子を混合し、ビヒ
クルを加えて誘電体層用ペーストを調製した。ガラス粒
子の組成は、ＳｉＯ2 ：６２モル％、Ａｌ2 Ｏ3 ：８モ
ル％、Ｂ2 Ｏ3 ：３モル％、ＳｒＯ：２０モル％、Ｃａ
Ｏ：４モル％、ＭｇＯ：３モル％であり、軟化点は８１
５℃であった。
【００３７】なお、上記のＡｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 および
ガラスをそれぞれ単独で焼結し、線膨張率αと２GHz で
の比誘電率εr とを求めたところ、 Ａｌ2 Ｏ3 ：α ＝７．２×１０-6deg-1 、εr ＝９．
８、 ＴｉＯ2 ：α ＝７．１×１０-6deg-1 、εr ＝１０
４、 ガラス ：α ＝６．０×１０-6deg-1 、εr ＝６．
５ であった。
ガラスをそれぞれ単独で焼結し、線膨張率αと２GHz で
の比誘電率εr とを求めたところ、 Ａｌ2 Ｏ3 ：α ＝７．２×１０-6deg-1 、εr ＝９．
８、 ＴｉＯ2 ：α ＝７．１×１０-6deg-1 、εr ＝１０
４、 ガラス ：α ＝６．０×１０-6deg-1 、εr ＝６．
５ であった。
【００３８】これらのペーストを用い、ドクターブレー
ド法によりグリーンシートを作製した。
ド法によりグリーンシートを作製した。
【００３９】次いで各グリーンシートに、Ａｇを用いた
内部電極用ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、
内部電極の形成およびスルーホール内への導体の充填を
行なった後、熱プレスにより積層してグリーンシート積
層体を得た。そして、この積層体を脱脂後、空気中で温
度９００℃で１０分間焼成し、さらに、Ａｇを用いた外
部導体用ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、空
気中で温度８５０℃で１０分間焼成して、図１に示され
る構成の多層配線基板サンプルを得た。基板寸法は、５
０mm×６０mm×１．０mmであった。
内部電極用ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、
内部電極の形成およびスルーホール内への導体の充填を
行なった後、熱プレスにより積層してグリーンシート積
層体を得た。そして、この積層体を脱脂後、空気中で温
度９００℃で１０分間焼成し、さらに、Ａｇを用いた外
部導体用ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、空
気中で温度８５０℃で１０分間焼成して、図１に示され
る構成の多層配線基板サンプルを得た。基板寸法は、５
０mm×６０mm×１．０mmであった。
【００４０】各サンプルについて、取得容量、１００MH
z におけるＱおよび反り量を測定した。取得容量はNo.
０を１．０とした相対値で評価した。反り量は、図２に
示されるようにＴおよびｔを測定し、Ｔ−ｔから算出し
た。結果を表１に示す。
z におけるＱおよび反り量を測定した。取得容量はNo.
０を１．０とした相対値で評価した。反り量は、図２に
示されるようにＴおよびｔを測定し、Ｔ−ｔから算出し
た。結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【図１】本発明の多層配線基板の一構成例を示す断面図
である。
である。
【図２】反り量の算出方法を示す図である。
【符号の説明】 １ 多層配線基板 ２１、２２、２３、２４ 基板層 ３１、３２ 誘電体層 ４１、４２、４３ 内部電極 ５ スルーホール ６ 外部導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/10 8019−5Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化アルミニウムおよびアルカリ土類珪
酸塩系ガラスを含有する基板層と、酸化チタンおよびア
ルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有するか、酸化チタン、
酸化アルミニウムおよびアルカリ土類珪酸塩系ガラスを
含有する誘電体層とを有し、 前記基板層の（酸化アルミニウム）／（酸化アルミニウ
ム＋アルカリ土類珪酸塩系ガラス）で表わされる体積比
をＳA とし、前記誘電体層の（酸化チタン＋酸化アルミ
ニウム）／（酸化チタン＋酸化アルミニウム＋アルカリ
土類珪酸塩系ガラス）で表わされる体積比をＤTAとした
とき、ＤTA＝ＳA ±０．０５であることを特徴とする多
層配線基板。 - 【請求項２】 ＳA ＝０．２〜０．５である請求項１に
記載の多層配線基板。 - 【請求項３】 前記誘電体層の（酸化チタン）／（酸化
チタン＋酸化アルミニウム）で表わされる体積比をＤT
としたとき、ＤT ＝０．７〜１である請求項１または２
に記載の多層配線基板。 - 【請求項４】 前記アルカリ土類珪酸塩系ガラスの軟化
点が７００〜９００℃である請求項１ないし３のいずれ
かに記載の多層配線基板。 - 【請求項５】 酸化チタンおよびアルカリ土類珪酸塩系
ガラスを含有するか、酸化チタン、酸化アルミニウムお
よびアルカリ土類珪酸塩系ガラスを含有し、（酸化チタ
ン）／（酸化チタン＋酸化アルミニウム）で表わされる
体積比をＤTとしたとき、ＤT ＝０．７〜１であること
を特徴とする誘電体層材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12994592A JP3190111B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 多層配線基板および誘電体層材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12994592A JP3190111B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 多層配線基板および誘電体層材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299847A true JPH05299847A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3190111B2 JP3190111B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=15022324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12994592A Expired - Fee Related JP3190111B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 多層配線基板および誘電体層材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3190111B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989012836A1 (fr) * | 1988-06-15 | 1989-12-28 | Japan Industrial Land Development Co., Ltd. | Un dispositif de releve du type a poursuite automatique |
| EP3346809A4 (en) * | 2016-03-04 | 2018-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic circuit module and method for testing electronic circuit module |
| CN112830771A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 氧化铝-氧化钛双层复合陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP12994592A patent/JP3190111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989012836A1 (fr) * | 1988-06-15 | 1989-12-28 | Japan Industrial Land Development Co., Ltd. | Un dispositif de releve du type a poursuite automatique |
| EP3346809A4 (en) * | 2016-03-04 | 2018-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic circuit module and method for testing electronic circuit module |
| CN112830771A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 氧化铝-氧化钛双层复合陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN112830771B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-06-10 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 氧化铝-氧化钛双层复合陶瓷及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3190111B2 (ja) | 2001-07-23 |
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