JPH05304454A

JPH05304454A - 駆動回路、１方向絶縁型スイッチング回路、双方向絶縁型スイッチング回路、絶縁型３端子スイッチング回路、点火配電回路、スイッチング回路、及び、３端子スイッチング回路

Info

Publication number: JPH05304454A
Application number: JP4351475A
Authority: JP
Inventors: Toshiyasu Suzuki; 利康鈴木
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1991-11-18
Filing date: 1992-11-18
Publication date: 1993-11-16

Abstract

(57)【要約】【目的】直流電源がキャパシタンス手段の充電とスイ
ッチング手段の制御端子・主端子間のバイアスを同時に
行い、その放電によりそれと逆向きのバイアスを行う場
合、その充電電圧が前者のバイアス電圧の影響を受けな
い様にすること．【構成】例えば、抵抗１０、１１がコンデンサ８を挟
む様にこれらをトランジスタ２のゲート端子・ソース端
子間に直列接続してコンデンサ８がその放電エネルギー
により前記両端子間に順バイアス電圧を供給する第１の
閉回路を形成し、トランジスタ３がオンのとき直流電源
１が前記両端子間に逆バイアス電圧を供給する第２の閉
回路を形成し、トランジスタ３がオンのとき直流電源１
がコンデンサ８を充電する第３の閉回路を形成したこと
を特徴とする．このことによって、トランジスタ３がオ
ンの時そのゲート・ソース間静電容量とコンデンサ８は
並列に充電されるので、後者の充電電圧はその逆バイア
ス電圧の影響を受けない．

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、直流電源を１つしか使わ
ずに可制御なスイッチング手段に順バイアス電圧あるい
は順バイアス電流を供給したり、逆バイアス電圧あるい
は逆バイアス電流を供給したり、することができる駆動
回路に関する。そして、この駆動回路を利用した、条件
付きながら絶縁することができる１方向絶縁型スイッチ
ング回路、双方向絶縁型スイッチング回路、１方向、双
方向および１方向双方向混合の絶縁型３端子スイッチン
グ回路、点火配電回路、絶縁型でないスイッチング回路
および３端子スイッチング回路に関する。従って、本発
明を電力変換回路、スイッチング回路、リレー、電子交
換機、点火回路など広い分野に利用することができる。
尚、点火配電回路とは、例えば、内燃機関用点火装置な
どにおいて複数の点火コイル（点火用昇圧変圧器）それ
ぞれの２次側に接続された点火用放電ギャップのうち、
所定の点火用放電ギャップだけに高電圧を供給する回路
のことである。

【０００２】

【背景技術】従来技術として、直流電源を１つし
か使わずに可制御なスイッチング手段に順バイアス電圧
あるいは順バイアス電流を供給したり、逆バイアス電圧
あるいは逆バイアス電流を供給したり、することができ
る駆動回路を図２に示す。参照：特開昭６３−３０２２１７号の第１８図と第１９
図の各ＴＲ２２特願昭６２−５０４７８５号の第１８図
〜第２５図、（ＰＣＴ／ＪＰ８７／００６１２号、ＷＯ
８８／０１８０５号）特開平１−１１７４１６号のト
リガー回路、特開平２−１４６２６５号の第２０図、実
開平３−６９９３６号、特開平４−１７０８１
３号、図２の駆動回路では、トランジスタ３がオンのと
き、直流電源１がコンデンサ９（トランジスタ２のゲー
ト・ソース両端子間静電容量）とコンデンサ８を充電す
るので、トランジスタ２が逆バイアスされる。その後、
トランジスタ３がターン・オフすると、コンデンサ８が
抵抗１４を介してトランジスタ２を順バイアスするの
で、トランジスタ２がターン・オンする。

【０００３】尚、トランジスタ３の電流制限作用が足り
ない場合、トランジスタ３の代わりに抵抗あるいは定電
流手段とトランジスタ３の直列回路を使えば良い。ま
た、抵抗１３が接続されている場合、そのゲート逆バイ
アス電圧の値は安定する。この場合、両ツェナー・ダイ
オード７の代わりに抵抗でも良い。さらに、ダイオード
６がある場合、図３の回路の様に直流電源１に対してそ
のソース電位が変化する使い方ができる。そして、図２
の回路において、ダイオード６、１２がある場合、『ト
ランジスタ２の内蔵ダイオードあるいはダイオード１２
と、ダイオード６が同時にオンとならない限り』という
条件付きながら、直流電源１とスイッチ端子ｔ１１又は
ｔ１２を絶縁する絶縁スイッチとして図２の回路を使用
することができる。それから、トランジスタ２の代わり
に可制御なスイッチング手段なら、何でも使うことがで
きる。そのスイッチング手段の駆動信号の順逆バイアス
電圧極性がトランジスタ２と同じなら、トランジスタ３
がオフのとき、それはオンとなる。一方、ＰＮＰ型トラ
ンジスタ、Ｐチヤネル型ＭＯＳ・ＦＥＴ等の様にそのス
イッチング手段の駆動信号の順逆バイアス電圧極性がト
ランジスタ２と反対なら、そのオン、オフ動作は後述す
る図４のトランジスタ１５の様に正反対になる。

【０００４】図３の回路は図２の回路を２つ使って３端
子スイッチを構成した３端子型スイッチング回路であ
る。その３端子とはスイッチ端子ｔ１３〜ｔ１５のこと
である。尚、この回路の様に図で上側のトランジスタ２
側にダイオード６、１２を接続して絶縁化することによ
って初めて両トランジスタ２がオフのとき条件付きなが
ら直流電源１とスイッチ端子ｔ１４を絶縁することがで
きる。図４の回路は図２の回路にＰチャネル型トランジ
スタ１５を組み合わせた３端子スイッチング回路で、ト
ランジスタ１５の内蔵ダイオードが図２のダイオード６
の役割を果たし、トランジスタ１５にとっても駆動回路
が構成されている。

【０００５】しかしながら、図２の回路において、直流
電源１がコンデンサ８を充電するとき、その充電はコン
デンサ９を介して行われるので、コンデンサ８の充電電
圧の最大値はその電源電圧からトランジスタ２のバイア
ス電圧（コンデンサ９の充電電圧）分だけ差し引かれ、
コンデンサ８の充電電圧が小さくなってしまう。この事
は次の問題を引き起こす。例えば、その電源電圧が１２
ボルトで、そのゲート順、逆バイアス電圧としてトラン
ジスタ２にプラス、マイナス１０ボルトを供給しようと
する場合、逆バイアス電圧として１０ボルトを供給する
と、コンデンサ８の充電電圧は最大２ボルトにしかなら
ないから、その順バイアス電圧として最大２ボルトしか
供給することができない。また、仮に、その電源電圧が
２０ボルト有って、コンデンサ８の充電電圧が１０ボル
トになっても、コンデンサ８がコンデンサ９をプラス１
０ボルトに充電するとき、その順バイアス電圧の立ち上
がりは鈍くなってしまう。従って、バイアス用キャパシ
タンス手段（コンデンサ８）の充電電圧がスイッチング
手段（トランジスタ２）の駆動信号のバイアス電圧に影
響されないことが望まれる、という問題点が従来技術に
有る。（問題点）そこで、本発明は、バイアス用キャパシタンス手段の充
電電圧がスイッチング手段の駆動信号のバイアス電圧に
影響されない駆動回路を提供することを目的としてい
る。そして、この駆動回路を利用した１方向絶縁型スイ
ッチング回路、双方向絶縁型スイッチング回路、絶縁型
３端子スイッチング回路、点火配電回路、スイッチング
回路および３端子スイッチング回路を提供することも目
的としている。

【０００６】

【発明の開示】即ち、本発明は、第１、第２の
電流制限手段がキャパシタンス手段を挟む様にこれらを
第１のスイッチング手段の駆動信号入力用に対を成す制
御端子と主端子の間に直列接続して、前記キャパシタン
ス手段がその放電エネルギーによって前記制御端子・前
記主端子間に第１のバイアス電圧を供給する第１の閉回
路を形成し、自己ターン・オフ機能を持つ第２のスイッ
チング手段がオンのとき、第１の直流電源が前記制御端
子・前記主端子間に前記第１のバイアス電圧と逆極性の
第２のバイアス電圧を供給する第２の閉回路を形成し、
第２のスイッチング手段がオンのとき、前記第１の直流
電源が前記キャパシタンス手段を充電する第３の閉回路
を形成した駆動回路である。

【０００７】このことによって、前記第２のスイッチン
グ手段がオンのとき、前記第１の直流電源が前記制御端
子・前記主端子間をバイアスし、同時に前記キャパシタ
ンス手段を充電する。一方、前記第２のスイッチング手
段がオフのとき、前記キャパシタンス手段が前記制御端
子・前記主端子間を先程と逆向きにバイアスする。その
結果、直流電源を１つしか使わなくても前記第１のスイ
ッチング手段を順バイアスしたり、逆バイアスしたり、
することができる。しかも、前記第２のスイッチング手
段がオンの時、前記制御端子・主端子間静電容量と前記
キャパシタンス手段が前記第１の直流電源に並列に接続
されるから、前記キャパシタンス手段の充電電圧は前記
第１のスイッチング手段のバイアス電圧（前記制御端子
・主端子間静電容量の充電電圧）に影響されることは無
い。（本発明の効果）

【０００８】ただし、前記第３の閉回路を構成する時、
当然の事ながら、前記キャパシタンス手段がエネルギー
を放出する際に行う前述の様なバイアス作用をその構成
は邪魔しない。また、前記各電流制限手段はその通流電
流の上限を制限するものなら何でも良い。さらに、自己
ターン・オフ機能とは自己消弧機能のことである。

【０００９】

【発明を実施するための最良の形態】本発明をより詳細
に説明するために、以下添付図面に従ってこれを説明す
る。図１の実施例は請求項１、２又は１３記載の駆動回
路などに対応する。そして、次の様にそれぞれがそれぞ
れに相当する。ａ）直流電源１が前述の第１の直流電源に。ｂ）トランジスタ２、３が前述の第１、第２のスイッ
チング手段に。ｃ）トランジスタ２のゲート端子とソース端子が前述
の制御端子、主端子に。ｄ）抵抗１０、１１が前述の第１、第２の電流制限手
段に。ｅ）コンデンサ８、９が前述のキャパシタンス手段、
前述の前記制御端子・前記主端子間静電容量に。ｆ）そのゲート順バイアス電圧が前述の第１のバイア
ス電圧に。ｇ）そのゲート逆バイアス電圧が前述の第２のバイア
ス電圧に。ｈ）コンデンサ８、抵抗１０、コンデンサ９等及び抵
抗１１を含む閉回路が前述の第１の閉回路に。ｉ）直流電源１、（ダイオード６）、コンデンサ９等
及びトランジスタ３を含む閉回路が前述の第２の閉回路
に。ｊ）直流電源１、ダイオード４、コンデンサ８、ダイ
オード５及びトランジスタ３を含む閉回路が前述の第３
の閉回路に。ｋ）ダイオード６、１２、４が請求項２４記載中の第
１〜第３の非可制御スイッチに。

【００１０】その作用は次の通りである。トランジスタ
３がオンのとき、直流電源１がダイオード４、５とトラ
ンジスタ３を介してコンデンサ８を充電し、同時に、
（ダイオード６と）トランジスタ３を介してトランジス
タ２を逆バイアスする。その後、トランジスタ３がター
ン・オフすると、コンデンサ８が抵抗１０、１１を介し
てコンデンサ９を先程と逆向きに充電し、トランジスタ
２を順バイアスする。従って、コンデンサ８が電源コン
デンサとして働き、直流電源１、トランジスタ３、ダイ
オード４、５及びコンデンサ８がもう１つ別の直流電源
を構成すると考えることができ、このため、直流電源を
１つしか使わなくてもトランジスタ２を順バイアスした
り、逆バイアスしたり、することができる。それから、
トランジスタ３がオンのとき、コンデンサ８、９が直流
電源１に並列に接続されるから、コンデンサ８の充電電
圧はコンデンサ９の充電電圧（トランジスタ２のゲート
逆バイアス電圧）に影響されることは無い。（本発明の
効果）こういう効果がこの実施例を含め、本発明に有る。

【００１１】尚、トランジスタ３の電流制限作用が足り
ない場合は、トランジスタ３の代わりに抵抗あるいは定
電流手段とトランジスタ３の直列回路を用いる。また、
抵抗１０又は１１の代わりに電流制限手段として定電流
ダイオード等の定電流手段、コイル等のインダクタンス
手段と抵抗または定電流手段の直列回路、ドレインとゲ
ートを接続したＭＯＳ・ＦＥＴ等を使っても構わない。
さらに、トランジスタ２の代わりに可制御なスイッチン
グ手段なら、何でも使うことができる。そのスイッチン
グ手段の駆動信号の順逆バイアス電圧の極性がトランジ
スタ２と同じなら、トランジスタ３がオフのとき、それ
はオンとなる。一方、ＰＮＰ型トランジスタ、Ｐチャネ
ル型ＭＯＳ・ＦＥＴ等の様にその順逆バイアス電圧の極
性がトランジスタ２と反対なら、そのオン、オフ動作は
後述する図６のトランジスタ１５の様に正反対になる。
そして、ダイオード６がある場合、後述する図５、図７
の各回路の様に直流電源１に対してそのソース電位が変
化する使い方ができる。ダイオード６の接続位置は図１
に示す接続位置の他にダイオード４のアノードと抵抗１
１の接続点と直流電源１の間でも良い。

【００１２】それから、ダイオード６、１２がある場
合、この実施例は請求項２４記載の１方向絶縁型スイッ
チング回路に対応するようになり、変圧器や発光、受光
ダイオード・ペアー等のアイソレーション手段を使わな
くても、トランジスタ２とダイオード１２を直列接続し
た１方向可制御スイッチを条件付きながら絶縁スイッチ
として使うことができる、という効果が生じる。
（追加される効果）具体的に言えば、『スイッチ端子ｔ１、ｔ２どちらの電
位も直流電源１のプラス電源端子電位より高い限り』す
なわち『ダイオード４又は６と、ダイオード１２又はト
ランジスタ２の内蔵ダイオードが同時にオンとならない
限り』という条件付きながら、直流電源１と各スイッチ
端子ｔ１、ｔ２は常に絶縁状態となる。ただし、各アノ
ード・カソード間静電容量などは無視している。その理
由は以下の通りである。トランジスタ３とダイオード
４、６がオンのとき、トランジスタ２、その内蔵ダイオ
ード及びダイオード１２がオフとなるから、各スイッチ
端子ｔ１、ｔ２と直流電源１は絶縁される。一方、トラ
ンジスタ３とダイオード４、６がオフのとき、直流電源
１とトランジスタ２側の接続が切れるから、やはり、各
スイッチ端子ｔ１、ｔ２と直流電源１は絶縁される。従
って、上述の条件付きながら、直流電源１と両スイッチ
端子ｔ１、ｔ２は常に絶縁状態となる。

【００１３】そして、ダイオード６、１２がある場合、
直流電源１の電位が安定していれば、もう１つ、変圧器
や発光、受光ダイオード・ペアー等を使った絶縁スイッ
チには無い、両スイッチ端子ｔ１・ｔ２間のシールド機
能という効果もこの回路は持つ。
（追加される効果）なぜなら、トランジスタ３がオンのとき、そのソースが
ダイオード６を介して直流電源１に直結され、そのソー
ス電位が固定され、両スイッチ端子ｔ１・ｔ２間がシー
ルドされる、からである。その結果、トランジスタ２又
はダイオード１２の漏れ電流などが両スイッチ端子ｔ１
・ｔ２間を直接流れることは無い。

【００１４】ところで、ダイオード４又は５の代わりに
抵抗、双方向の定電流手段または異種類の非可制御スイ
ッチ等を使っても構わない。これらの役割は、トランジ
スタ３がオンのとき直流電源１がコンデンサ８を充電す
る第３の閉回路を形成する際、トランジスタ３がオフの
ときコンデンサ８がその放電エネルギーによってトラン
ジスタ２を順バイアスする第１の閉回路の作用を妨害し
ない様にする、ことである。但し、ダイオード４のとこ
ろに非可制御スイッチを使わないと、ダイオード６、１
２を接続しても、この回路を絶縁スイッチとして使うこ
とはできない。

【００１５】図５の実施例は、請求項３３記載の３端子
スイッチング回路などに対応し、ダイオード６、１２が
有る図１の回路とそれらが無い図１の回路を組み合わ
せ、直流電源１を共通化して１つにまとめた３端子スイ
ッチング回路である。尚、３端子スイッチの３端子とは
スイッチ端子ｔ１６〜ｔ１８のことである。また、この
回路の様に図５上側のトランジスタ２側にダイオード
６、１２を接続して絶縁化することによって初めて両ト
ランジスタ２がオフのとき条件付きながら直流電源１と
スイッチ端子ｔ１７を絶縁できる３端子スイッチを構成
することができる。さらに、図５下側のトランジスタ
２、３、ダイオード４及びコンデンサ８等が無ければ、
この実施例は請求項３２記載のスイッチング回路などに
対応する。

【００１６】図６の実施例は、図１の回路において、Ｎ
チャネル型のトランジスタ２の代わりにＰチャネル型の
トランジスタ１５を接続した駆動回路である。このた
め、トランジスタ２、１５の駆動信号の順逆バイアス電
圧極性が反対だから、トランジスタ３のオン、オフとト
ランジスタ１５のオン、オフは同じタイミングになる。
この同じタイミング等のため、ダイオード６、１２が有
っても、この回路は前述と同様に条件付きながら絶縁ス
イッチとして使うことはできない。なぜなら、トランジ
スタ３、１５がオンのとき、ダイオード４、６もオンで
あり、トランジスタ１５はその内蔵ダイオードの作用に
より双方向に対して導通だから、スイッチ端子ｔ２０は
直流電源１と導通状態にある、からである。そういう訳
で、本発明の駆動回路から絶縁スイッチを構成するに
は、前述の第１、第２のスイッチング手段のオン、オフ
が逆である必要がある。つまり、前述の第１のバイアス
電圧が前述の第１のスイッチング手段にとって順バイア
ス電圧である必要がある。この回路ではその第１のバイ
アス電圧がトランジスタ１５にとって逆バイアス電圧に
なっている。

【００１７】図７の実施例は請求項３４記載の３端子ス
イッチング回路などに対応する。この実施例は、図６の
回路においてダイオード６の部分の代わりにトランジス
タ１５の内蔵ダイオードの部分を使い、ダイオード１２
を使わず、Ｎチャネル型のトランジスタ２を組み合わせ
て３端子スイッチを構成した３端子スイッチング回路で
ある。トランジスタ２にとっても図１の様な駆動回路が
構成されている。

【００１８】図８の実施例は、請求項１４記載の駆動回
路などに対応し、図１の回路において前述の第２の電流
制限手段として抵抗１１の代わりにトランジスタ１６、
ダイオード１７及び抵抗１８を図８の様に接続したもの
を用いた駆動回路である。次の様にそれぞれがそれぞれ
に相当する。ａ）トランジスタ１６が同項記載中の第４のスイッチ
ング手段に。ｂ）ダイオード１７が同項記載中の電圧降下手段に。ｃ）抵抗１８が同項記載中の抵抗に。図１の回路では、トランジスタ３がオンのとき抵抗１
０、１１が電流を消費するが、この消費を小さくするた
めに各抵抗値を大きくすると、コンデンサ８がトランジ
スタ２を順バイアスする際に流れる順バイアス電流も小
さくなり、そのゲート順バイアス電圧の立ち上がりが鈍
ってしまう、という問題点がある。そこで、図８の実施
例は、トランジスタ１６等の使用によりその問題点を半
分（抵抗１１によるエネルギー損失）改善することがで
きる、という効果を持つ。

【００１９】図８の回路において、トランジスタ３がオ
ンのとき、コンデンサ８の充電電流がダイオード１７を
流れて電圧降下を生じ、トランジスタ１６を逆バイアス
するので、トランジスタ１６はオフである。抵抗１８の
値は図１の抵抗１１の値よりかなり大きいので、それに
よる電流消費は小さくなり改善される。一方、トランジ
スタ３がオフで、コンデンサ８がトランジスタ１９を順
バイアスするとき、抵抗１８の電流がトランジスタ１６
を順バイアスするから、そのエミッタ電流はほぼ抵抗１
８の電流にその電流増幅率を掛けた値になる。その結
果、見掛け上そのスイッチング手段の抵抗値は抵抗１８
の値をその電流増幅率で割った値になるから、ゲート順
バイアス電流が大きくなって、そのゲート順バイアス電
圧の立ち上がりが鋭くなり改善される。尚、抵抗２０が
接続されていると、トランジスタ３のオン期間中にコン
デンサ８の充電が完了しても、抵抗２０の電流がダイオ
ード１７に電圧降下を生じ、トランジスタ１６をしっか
りとオフに保つ。この事は、後述する図１０、図１１、
図１４、図１５、図１７〜図２８の各実施例についても
同様に言える。

【００２０】図９の実施例は、請求項３記載の駆動回路
などに対応し、図１の回路において前述の第１の電流制
限手段として抵抗１０の代わりにトランジスタ１６、ダ
イオード１７及び抵抗１８を図９の様に接続したものを
用いた駆動回路である。次の様にそれぞれがそれぞれに
相当する。ａ）トランジスタ１６が同項記載中の第３のスイッチ
ング手段に。ｂ）ダイオード１７が同項記載中の電圧降下手段に。ｃ）抵抗１８が同項記載中の抵抗に。この実施例も、図８の実施例と同様にトランジスタ１６
等を用いることによって図１の回路の問題点を半分（抵
抗１０によるエネルギー損失）改善することができる、
という効果を持つ。ただし、図９の回路では、トランジ
スタ２１がオンのとき、トランジスタ１９のゲート・エ
ミッタ間静電容量の充電電流がダイオード１７を流れて
電圧降下を生じ、トランジスタ１６を逆バイアスする。
尚、両ツェナー・ダイオード７が接続されず、抵抗２２
が接続されていれば、トランジスタ２１のオン期間中に
トランジスタ１９のゲート・エミッタ間静電容量の充電
が完了しても、抵抗２２の電流がダイオード１７に電圧
降下を生じ、トランジスタ１６をしっかりとオフに保
つ。この事は、後述する図１０、図１２、図１３、図１
５、図１６、図１８〜図２８の各実施例についても同様
に言える。

【００２１】図１０の実施例は、請求項３、４、１４又
は１５記載の駆動回路、又は、請求項３２記載のスイッ
チング回路、等を利用した３端子スイッチング回路であ
る。この実施例では、図１の回路において前述の第１、
第２の電流制限手段として抵抗１０、１１の代わりにト
ランジスタ１６、ダイオード１７及び抵抗１８を図１０
の様に接続したものを２つ用いている。このため、図１
の回路の問題点を全部（抵抗１０、１１によるエネルギ
ー損失）解決することができる、という効果がこの実施
例に有る。この事は後述する図１５、図２０〜図２８の
各実施例についても同様に言える。

【００２２】図１１の実施例は、請求項１６又は１７記
載の駆動回路などに対応する。この実施例では、図８の
回路においてトランジスタ１６の代わりにトランジスタ
２３、１６等が構成するサイリスタの等価回路を用いた
ので、抵抗１８の値をさらに大きくでき、これによる電
流消費をさらに低減できる、という効果をこの実施例は
持つ。この事は、後述する図１６、図１８、図２０〜図
２８の各実施例についても同様に言える。抵抗１８の代
わりに定電流手段を使っても構わない。もちろん、その
等価回路の代わりに本物のＧＴＯサイリスタ又はＳＩサ
イリスタを使うこともできるが、その必要とする逆バイ
アス電圧に応じて電圧降下の大きい電圧降下手段を使う
必要がある。この場合、この実施例は請求項１８又は１
４記載の駆動回路などに対応する。

【００２３】図１２の実施例は、請求項５記載の駆動回
路などに対応する。この実施例でも、図９の回路におい
て同様にトランジスタ１６の代わりにトランジスタ２
３、１６が構成するサイリスタの等価回路を用いたの
で、抵抗１８の値をさらに大きくでき、これによる電流
消費をさらに低減できる、という効果を持つ。この事
は、後述する図１７、図１９、図２０〜図２２、図２５
〜図２８の各実施例についても同様に言える。抵抗１８
の代わりに定電流手段を使っても構わない。もちろん、
その等価回路の代わりに本物のＧＴＯサイリスタ又はＳ
Ｉサイリスタを使うこともできるが、その必要とする逆
バイアス電圧に応じて電圧降下の大きい電圧降下手段を
使う必要がある。この場合、この実施例は、請求項７又
は３記載の駆動回路などに対応する。

【００２４】図１３の実施例は、請求項１４又は１５記
載の駆動回路などに対応し、図８の回路においてＮＰＮ
型のトランジスタ１６の代わりにＰＮＰ型のトランジス
タ２３を用い、ノーマリィ・オンのトランジスタ２５を
逆バイアスする閉回路にダイオード１７を含ませた駆動
回路である。従って、ダイオード１７に電圧降下を生じ
させるのは、そのゲート・ソース間静電容量の充電電流
などである。

【００２５】図１４の実施例は、請求項３又は４記載の
駆動回路などに対応し、図９の回路において同様にＮＰ
Ｎ型のトランジスタ１６の代わりにＰＮＰ型のトランジ
スタ２３を用い、コンデンサ８を充電する閉回路にダイ
オード１７を含ませた駆動回路である。従って、ダイオ
ード１７に電圧降下を生じさせるのは、コンデンサ８の
充電電流などである。

【００２６】図１５の実施例は、請求項３、４、１４又
は１５記載の駆動回路、又は、請求項３２記載のスイッ
チング回路、等を用いた３端子スイッチング回路であ
る。この実施例は、図１４の回路と対称関係にある駆動
回路に似たものにおいて、もう一方の電流制限手段とし
て抵抗の代わりにトランジスタ１６、ダイオード１７及
び抵抗１８を接続したものを用いた回路である。このた
め、図１の回路の問題点を全部解決することができる、
という効果がこの実施例にも有る。尚、前述の『対称関
係にある回路』の意味は、元の回路において、方向性の
有る各回路素子の向きを反対にし、元のスイッチング手
段を反対の順逆バイアス電圧極性を持つスイッチング手
段で置き変えた回路のことである。

【００２７】図１６の実施例は、請求項１４、１５、１
６又は１７記載の駆動回路などに対応する。この実施例
は、図１３の回路においてトランジスタ２３の代わりに
トランジスタ２３、１６等が構成するサイリスタの等価
回路を用いた回路なので、抵抗１８の値をより大きくし
て、これによる電流消費をさらに低減できる、という効
果を持つ。もちろん、その等価回路の代わりに本物のＧ
ＴＯサイリスタ又はＳＩサイリスタを使うこともできる
が、その必要とする逆バイアス電圧に応じて電圧降下の
大きい電圧降下手段を使う必要がある。この場合、この
実施例は請求項１８、１４又は１５記載の駆動回路など
に対応する。

【００２８】図１７の実施例は、請求項３、４、５又は
６記載の駆動回路などに対応する。この実施例は、図１
４の回路においてトランジスタ２３の代わりにトランジ
スタ２３、１６等が構成するサイリスタの等価回路を用
いた回路なので、抵抗１８の値をより大きくして、これ
による電流消費をさらに低減できる、という効果を持
つ。もちろん、その等価回路の代わりに本物のＧＴＯサ
イリスタ又はＳＩサイリスタを使うこともできるが、そ
の必要とする逆バイアス電圧に応じて電圧降下の大きい
電圧降下手段を使う必要がある。この場合、この実施例
は、請求項６、７、３又は４記載の駆動回路などに対応
する。

【００２９】図１８の実施例は、請求項１９又は２０記
載の駆動回路などに対応する。この実施例では、トラン
ジスタ１６、２３それぞれが各ダイオード１７の順電圧
によって逆バイアスされる様にしたので、トランジスタ
２３、１６が構成するサイリスタの等価回路のターン・
オフが図１１、図１６の各回路に比べて早くなり、その
オフの保持も安定する様になる、という効果が有る。も
ちろん、その等価回路の代わりにプラス・ゲート（＝カ
ソード・ゲート）とマイナス・ゲート（＝アノード・ゲ
ート）を持つ本物のＧＴＯサイリスタ又はＳＩサイリス
タを使うこともできる。その必要とする各逆バイアス電
圧に応じて電圧降下の大きい電圧降下手段をそれぞれに
使う必要がある。この場合、この実施例は請求項２１記
載の駆動回路などに対応する。

【００３０】図１９の実施例は、請求項８又は９記載の
駆動回路などに対応する。この実施例でも、トランジス
タ１６、２３それぞれが各ダイオード１７の順電圧によ
って逆バイアスされる様にしたので、トランジスタ２
３、１６が構成するサイリスタの等価回路のターン・オ
フが図１２、図１７の各回路に比べて早くなり、そのオ
フの保持も安定する様になる、という効果が有る。もち
ろん、その等価回路の代わりにプラス・ゲートとマイナ
ス・ゲートを持つ本物のＧＴＯサイリスタ又はＳＩサイ
リスタを使うこともできる。その必要とする各逆バイア
ス電圧に応じて電圧降下の大きい電圧降下手段をそれぞ
れに使う必要がある。この場合、この実施例は請求項１
０記載の駆動回路などに対応する。

【００３１】図２０の実施例は、請求項８、９、１９又
は２０記載の駆動回路などに対応する。この実施例で
は、図１の回路において前述の第１、第２の電流制限手
段として抵抗１０、１１の代わりにトランジスタ１６、
２３、２つのダイオード１７及び抵抗１８を図２０の様
に接続したものを２つ用いている。このため、図１の回
路の問題点を全部解決することができる、という効果が
この実施例に有る。もちろん、各サイリスタの等価回路
の代わりにプラス・ゲートとマイナス・ゲートを持つＧ
ＴＯサイリスタ又はＳＩサイリスタを１つずつ使うこと
もできる。この場合、この実施例は請求項１０又は２１
記載の駆動回路などに対応する。

【００３２】尚、図１８〜図２０等の各回路において、
抵抗１８がトランジスタ１６、２３の両ベース間に接続
されているが、抵抗１８の代わりに定電流手段を用いて
も良いし、図１１、図１２、図１６、図１７の各回路の
様に一方のコレクタ・エミッタ間に抵抗１８又は定電流
手段を接続しても良いし、さらに、他方のコレクタ・エ
ミッタ間にも抵抗１８又は定電流手段を接続しても良
い。その定電流手段としては、定電流ダイオード、バイ
ポーラ・トランジスタのコレクタ・ベース間に定電流ダ
イオードを接続したもの等が有る。

【００３３】図２１の実施例は、請求項３３記載の３端
子スイッチング回路などに対応し、図２０の駆動回路な
どを図５の様に組み合わせて３端子スイッチを構成した
３端子スイッチング回路である。

【００３４】図２２の実施例は、請求項３４記載の３端
子スイッチング回路などに対応し、図８、図１９の各駆
動回路を組み合わせて３端子スイッチを構成した３端子
スイッチング回路と対称関係にある３端子スイッチング
回路である。

【００３５】図２３の実施例は、請求項２５記載の双方
向絶縁型スイッチング回路などに対応する。この実施例
は、図１の回路においてダイオード６、１２を設け、ダ
イオード１２の代わりに別のトランジスタ２の内蔵ダイ
オードを使い、今まで述べて来たいくつかの変更と改良
を施した回路である。尚、ダイオード内蔵の両トランジ
スタ２はどちらも１方向だけ可制御な１方向可制御双方
向スイッチである。この回路にも、図１の回路の説明で
述べた条件付きながら直流電源１と各スイッチ端子ｔ
３、ｔ４の間が常に絶縁される、という効果が有る。ま
た、この回路には、直流電源１の電位が安定していれ
ば、スイッチ２６がオンのとき、両スイッチ端子ｔ３、
ｔ４間をシールドするシールド効果も有る。なぜなら、
両ソースがダイオード６、１７を介して直流電源１に直
結される。からである。このため、漏れ電流などが一方
のスイッチ端子から他方のスイッチ端子へ流れようとし
ても、それは直流電源１の方に流れてしまい、漏れ電流
が両端子間を直接流れることが阻止される。さらに、後
述する図２７の回路の様にこの回路２つをスイッチ端子
同士で接続すれば、双方向の絶縁型３端子スイッチング
回路を構成することができる。その際、両直流電源１を
別々にしても良いし、共通化して１つにまとめても良
い。あるいは、２つのスイッチ１６を１つの３端子スイ
ッチで置き換えても良い。

【００３６】図２４の実施例は、請求項２６記載の双方
向絶縁型スイッチング回路などに対応し、前述と同様に
条件付きながら『直流電源１と各スイッチ端子ｔ５、ｔ
６の間が常に絶縁される』という効果を持つ。この回路
を２つ使つて同様に双方向の絶縁型３端子スイッチング
回路を構成できるし、図２３、図２４の両回路を組み合
わせて同様に双方向の絶縁型３端子スイッチング回路を
構成できる。

【００３７】図２５の実施例は、請求項２８記載の絶縁
型３端子スイッチング回路などに対応する。２つの１方
向絶縁型スイッチング回路が同一方向に直列接続されて
いるが、両者を内向きに又は外向きに直列接続した絶縁
型３端子スイッチング回路もまた可能である。また、両
者を逆並列接続すれば、この実施例は請求項２７記載の
双方向絶縁型スイッチング回路に対応する様になる。本
発明者は、各トランジスタ２７、２８を電圧降下手段と
して使っているが、各バックゲート・ソース間を各コン
デンサ８の電圧で逆バイアスすることにより各内蔵ダイ
オードの作用を無くしている。各トランジスタ１６、２
３のエミッタ接合の順電圧が各内蔵ダイオード順電圧よ
り小さければ、各バックゲートを各ソースに直接接続し
ても構わない。（参照：特開昭６０−２７２２７
号）

【００３８】図２６の実施例は、請求項２８記載の絶縁
型３端子スイッチング回路などに対応し、請求項１１、
１２、２２又は２３記載の駆動回路などに対応する駆動
回路を使用している。２つの１方向絶縁型スイッチング
回路が内向きに直列接続されているが、両者を同じ向き
に又は外向きに直列接続した絶縁型３端子スイッチング
回路もまた可能である。また、両者を逆並列接続すれ
ば、この実施例は請求項２７記載の双方向絶縁型スイッ
チング回路に対応する様になる。

【００３９】図２７の実施例は、請求項３０記載の絶縁
型３端子スイッチング回路などに対応し、請求項２５記
載の双方向絶縁型スイッチング回路などにも対応する。
各トランジスタ１６、２３に接続される電圧降下手段と
してダイオードと抵抗の直列回路が使われているが、ダ
イオードと抵抗の並列回路を使う方法もある。

【００４０】図２８の実施例は、請求項３０記載の絶縁
型３端子スイッチング回路などに対応し、請求項２６記
載の双方向絶縁型スイッチング回路などにも対応する。
各バイポーラ・トランジスタに接続される電圧降下手段
としてダイオードと抵抗の直列回路または並列回路が使
われている。

【００４１】図２９の実施例は、前述の第１、第２の電
流制限手段として抵抗１０とコイル２９の直列回路、及
び、抵抗１１とコイル３０の直列回路が使われている駆
動回路である。この回路では、トランジスタ３１がター
ン・オフすると、コンデンサ８と共にコイル２９、３０
がゲート順バイアスのエネルギーをトランジスタ２に供
給するので、コンデンサ８の充電電圧つまり直流電源１
の電圧が必要とするゲート順バイアス電圧より小さくて
も大丈夫である。なぜなら、その電圧不足分をコイル２
９、３０が補う、からである。こういう効果がこの実施
例を含め、どちらかの電流制限手段にコイル等のインダ
クタンス手段を使う本発明に有る。

【００４２】最後に、以下の事を補足する。ａ）図８〜図１０、図１５等の各回路において、トラ
ンジスタ１６の代わりにＮチャネル型の、ＦＥＴ、ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ又はプラス・ゲートのＧ
ＴＯサイリスタ等、駆動信号の順逆バイアス電圧極性が
トランジスタ１６と同じで、自己ターン・オフ機能を持
つスイッチング手段なら何でも使うことができる。但
し、必要とする逆バイアス電圧の大きさに応じて電圧降
下手段の電圧降下を大きくする必要がある。ｂ）図１３、図１４等の各回路において、トランジス
タ２３の代わりにＰチャネル型の、ＦＥＴ、ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ又はマイナス・ゲートのＧＴＯ
サイリスタ等、駆動信号の順逆バイアス電圧極性がトラ
ンジスタ２３と同じで、自己ターン・オフ機能を持つス
イッチング手段なら何でも使うことができる。但し、必
要とする逆バイアス電圧の大きさに応じて電圧降下手段
の電圧降下を大きくする必要がある。ｃ）図１１、図１２、図１６〜図２５、図２７、図２
８等の各回路において、サイリスタの等価回路を形成す
るバイポーラ・トランジスタの一方もしくはそれぞれの
代わりに駆動信号の厘逆バイアス電圧極性がそれのと同
じで、自己ターン・オフ機能を持つスイッチング手段な
ら何でも使うことができる。ただし、必要とする逆バイ
アス電圧の大きさに応じて電圧降下手段の電圧降下を大
きくする必要があるし、その電圧降下手段は双方向の通
流電流に対して電圧降下を生じる必要がある。ノーマリ
ィ・オン型ＳＩＴの場合そのＰＮ接合もその電圧降下手
段に含まれる。

【００４３】ｄ）前述の第１又は第２の電流制限手段
はその通流電流の上限を制限するものなら何でも構わな
い。例えば、抵抗の他に定電流ダイオード、トランジス
タのコレクタ・ベース間に定電流ダイオードを接続した
もの、定電流手段、コイルと抵抗の直列回路、これらを
組み合わせたもの、等。ｅ）前述の電圧降下手段としては、ダイオードの他に
抵抗、抵抗とダイオードの直列回路または並列回路、定
電圧手段、ツェナー・ダイオード、２つのツェナー・ダ
イオードを逆向きに直列接続したもの、ノーマリィオフ
型スイッチング手段の駆動信号入力用に対を成さない制
御端子と主端子を接続したもの、これらを組み合わせた
もの、等が有る。ｆ）前述した様に条件付きで絶縁化した図１、図２、
図６、図８、図９、図１１〜図１４、図１６〜図２０い
ずれか２つの１方向絶縁型スイッチング回路をスイッチ
端子同士で同じ向きに、内向きに、あるいは、外向きに
直列接続した絶縁型３端子スイッチング回路も可能であ
る。（請求項２８記載の絶縁型３端子スイッチング回路
に対応。）ｇ）その中のいずれか２つの１方向絶縁型スイッチン
グ回路を両スイッチ端子同士で逆並列接続した双方向絶
縁型スイッチング回路も可能である。（請求項２７記載
の双方向絶縁型スイッチング回路に対応。）

【００４４】ｈ）その中のいずれか１つの１方向絶縁
型スイッチング回路と、その逆並列接続した双方向絶縁
型スイッチング回路または図２３、図２４どちらかの双
方向絶縁型スイッチング回路などをそのスイッチ端子同
士で直列接続した絶縁型３端子スイッチング回路もまた
可能である。ただし、その１方向絶縁型スイッチング回
路の向きによってさらに種類が２倍になる。（請求項２
９記載の絶縁型３端子スイッチング回路に対応。）ｉ）その逆並列接続した双方向絶縁型スイッチング回
路、図２３、図２４の双方向絶縁型スイッチング回路な
どのいずれか２つをスイッチ端子同士で直列接続した絶
縁型３端子スイッチング回路も可能である。（請求項３
０記載の絶縁型３端子スイッチング回路に対応。）ｊ）これまで述べて来た双方向絶縁型スイッチング回
路のいずれか１つのスイッチ端子に点火コイル（点火用
昇圧変圧器）の１次コイルを接続した直列回路を所定の
数だけ並列接続すれば、所定の点火コイルすなわちその
２次側に接続される点火用放電ギャップを指定できる点
火配電回路を構成することができる。（請求項３１記載
の点火配電回路に対応。）

【００４５】

【先行技術】（１）駆動回路に関する技術：米国特許４１２５８１４号特開昭５４−
１３２７２７号特開昭６２−１４７９５３号特開昭６３−
９９７８０号特開昭６３−２９９７６８号特開平２−１
０１９５６号特開平２−１２３８１６号特開平３−１
７９８Ｉ５号特開平４−１７０８１３号実開平１−１３２１２９号実開平３−６
９９３６号実開平３−８０６９１号実開平３−８
２９３１号（２）絶縁型スイッチング回路に関する技術：特開昭５５−１３６７２０〜１号特開昭５９−
１４９４２１号特開昭６２−１９５９１７号特開平１−２
５９６２０号実開昭５７−１３６７２０号

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図であ
る。

【図２】従来の駆動回路の１例を示す回路図である。

【図３】従来の３端子スイッチング回路の１例を示す回
路図である。

【図４】従来の３端子スイッチング回路の１例を示す回
路図である。

【図５】本発明の３端子スイッチング回路の１実施例を
示す回路図である。

【図６】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図であ
る。

【図７】本発明の３端子スイッチング回路の１実施例を
示す回路図である。

【図８】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図であ
る。

【図９】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図であ
る。

【図１０】本発明のスイッチング回路の１実施例を示す
回路図である。

【図１１】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１２】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１３】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１４】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１５】本発明のスイッチング回路の１実施例を示す
回路図である。

【図１６】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１７】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１８】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図１９】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図２０】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【図２１】本発明の３端子スイッチング回路の１実施例
を示す回路図である。

【図２２】本発明の３端子スイッチング回路の１実施例
を示す回路図である。

【図２３】本発明の双方向絶縁型スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図２４】本発明の双方向絶縁型スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図２５】本発明の絶縁型３端子スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図２６】本発明の絶縁型３端子スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図２７】本発明の絶縁型３端子スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図２８】本発明の絶縁型３端子スイッチング回路の１
実施例を示す回路図である。

【図２９】本発明の駆動回路の１実施例を示す回路図で
ある。

【符号の説明】

ｔ１〜ｔ６スイッチ端子ｔ１１〜ｔ２０スイッチ端子１９、２１トランジスタ（ＩＧＢＴ）２４トランジスタ（ノーマリィオン型ＳＩＴ）２５トランジスタ（ノーマリィ・オン型ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０３Ｋ 17/73 17/732 // Ｈ０２Ｍ 3/00 Ｓ 8726−5Ｈ 7/537 Ｚ 9181−5Ｈ 7827−5ＪＨ０３Ｋ 17/73 Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１、第２の電流制限手段がキャパシタン
ス手段を挟む様にこれらを第１のスイッチング手段の駆
動信号入力用に対を成す制御端子と主端子の間に直列接
続して、前記キャパシタンス手段がその放電エネルギー
によって前記制御端子・前記主端子間に第１のバイアス
電圧を供給する第１の閉回路を形成し、自己ターン・オフ機能を持つ第２のスイッチング手段が
オンのとき、第１の直流電源が前記制御端子・前記主端
子間に前記第１のバイアス電圧と逆極性の第２のバイア
ス電圧を供給する第２の閉回路を形成し、前記第２のスイッチング手段がオンのとき、前記第１の
直流電源が前記キャパシタンス手段を充電する第３の閉
回路を形成したことを特徴とする駆動回路。
【請求項２】前記第１の電流制限手段として、抵抗、定
電流ダイオード、定電流手段、コイル又はインダクタン
ス手段を用いたことを特徴とする請求項１記載の駆動回
路。
【請求項３】前記第１の電流制限手段として、自己ター
ン・オフ機能を持つ第３のスイッチング手段の駆動信号
入力用に対を成す制御端子と主端子の間にその電圧降下
がその逆バイアス電圧となる様に電圧降下手段を接続
し、そのもう１つの主端子・前記制御端子間に抵抗、定
電流ダイオード又は定電流手段を接続したものを用い、
前記電圧降下手段を前記第２又は第３の閉回路に含ませ
たことを特徴とする請求項１記載の駆動回路。
【請求項４】前記電圧降下手段として、非可制御スイッ
チ、ツェナー・ダイオード、定電圧手段、抵抗、又は、
スイッチング手段の駆動信号入力用に対を成さない制御
端子と主端子を接続したものを用いたことを特徴とする
請求項３記載の駆動回路。
【請求項５】前記第１の電流制限手段として、サイリス
タの等価回路を構成するＰＮＰ型、ＮＰＮ型トランジス
タの一方のエミッタ接合に逆バイアス電圧を印加する様
に前記エミッタ接合に電圧降下手段を並列接続し、他方
のエミッタ接合に抵抗を並列接続し、この他方のコレク
タ・エミッタ間に抵抗、定電流ダイオード又は定電流手
段を接続したものを用い、前記電圧降下手段を前記第２又は第３の閉回路に含ませ
たことを特徴とする請求項１記載の駆動回路。
【請求項６】前記電圧降下手段として、非可制御スイッ
チ、ツェナー・ダイオード、定電圧手段、抵抗、又は、
スイッチング手段の駆動信号入力用に対を成さない制御
端子と主端子を接続したものを用いたことを特徴とする
請求項５記載の駆動回路。
【請求項７】前記サイリスタの等価回路の代わりに本物
のＧＴＯサイリスタ又はＳＩサイリスタを用いたことを
特徴とする請求項５又は６記載の駆動回路。
【請求項８】前記第１の電流制限手段として、サイリス
タの等価回路を構成するＰＮＰ型、ＮＰＮ型トランジス
タの各エミッタ接合に逆バイアス電圧を印加する様に前
記各エミッタ接合に電圧降下手段を１つずつ並列接続
し、一方のベースと他方のベース又はエミッタの間に抵
抗、定電流ダイオード又は定電流手段を接続したものを
用い、前記第２、第３の各閉回路に前記電圧降下手段を１つず
つ含ませたことを特徴とする請求項１記載の駆動回路。
【請求項９】少なくとも一方の前記電圧降下手段とし
て、非可制御スイッチ、ツェナー・ダイオード、定電圧
手段、抵抗、又は、スイッチング手段の駆動信号入力用
に対を成さない制御端子と主端子を接続したものを用い
たことを特徴とする請求項８記載の駆動回路。
【請求項１０】前記サイリスタの等価回路の代わりにプ
ラス・ゲートとマイナス・ゲートを持つ、本物のＧＴＯ
サイリスタ又はＳＩサイリスタを用いたことを特徴とす
る請求項８又は９記載の駆動回路。
【請求項１１】前記ＰＮＰ型トランジスタの代わりにマ
イナス駆動電圧を順バイアス電圧とする電圧駆動型スイ
ッチング手段を用い、これに接続される方の前記電圧降
下手段として双方向の電圧降下手段を用いたことを特徴
とする請求項８又は９記載の駆動回路。
【請求項１２】前記ＮＰＮ型トランジスタの代わりにプ
ラス駆動電圧を順バイアス電圧とする電圧駆動型スイッ
チング手段を用い、これに接続される方の前記電圧降下
手段として双方向の電圧降下手段を用いたことを特徴と
する請求項８、９又は１１記載の駆動回路。
【請求項１３】前記第２の電流制限手段として、抵抗、
定電流ダイオード、定電流手段、コイル又はインダクタ
ンス手段を用いたことを特徴とする請求項１〜１２のい
ずれか１項に記載の駆動回路。
【請求項１４】前記第２の電流制限手段として、自己タ
ーン・オフ機能を持つ第４のスイッチング手段の駆動信
号入力用に対を成す制御端子と主端子の間にその電圧降
下がその逆バイアス電圧となる様に電圧降下手段を接続
し、そのもう１つの主端子・前記制御端子間に抵抗、定
電流ダイオード又は定電流手段を接続したものを用い、前記電圧降下手段を前記第２又は第３の閉回路に含ませ
たことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記
載の駆動回路。
【請求項１５】前記電圧降下手段として、非可制御スイ
ッチ、ツェナー・ダイオード、定電圧手段、抵抗、又
は、スイッチング手段の駆動信号入力用に対を成さない
制御端子と主端子を接続したものを用いたことを特徴と
する請求項１４記載の駆動回路。
【請求項１６】前記第２の電流制限手段として、サイリ
スタの等価回路を構成するＰＮＰ型、ＮＰＮ型トランジ
スタの一方のエミッタ接合に逆バイアス電圧を印加する
様に前記エミッタ接合に電圧降下手段を並列接続し、他
方のエミッタ接合に抵抗を並列接続し、この他方のコレ
クタ・エミッタ間に抵抗、定電流ダイオード又は定電流
手段を接続したものを用い、前記電圧降下手段を前記第２又は第３の閉回路に含ませ
たことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記
載の駆動回路。
【請求項１７】前記電圧降下手段として、非可制御スイ
ッチ、ツェナー・ダイオード、定電圧手段、抵抗、又
は、スイッチング手段の駆動信号入力用に対を成さない
制御端子と主端子を接続したものを用いたことを特徴と
する請求項１６記載の駆動回路。
【請求項１８】前記サイリスタの等価回路の代わりに本
物のＧＴＯサイリスタ又はＳＩサイリスタを用いたこと
を特徴とする請求項１６又は１７記載の駆動回路。
【請求項１９】前記第２の電流制限手段として、サイリ
スタの等価回路を構成するＰＮＰ型、ＮＰＮ型トランジ
スタの各エミッタ接合に逆バイアス電圧を印加する様に
前記各エミッタ接合に電圧降下手段を１つずつ並列接続
し、一方のベースと他方のベース又はエミッタの間に抵
抗、定電流ダイオード又は定電流手段を接続したものを
用い、前記第２、第３の各閉回路に前記電圧降下手段を１つず
つ含ませたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか
１項に記載の駆動回路。
【請求項２０】少なくとも一方の前記電圧降下手段とし
て、非可制御スイッチ、ツェナー・ダイオード、定電圧
手段、抵抗、又は、スイッチング手段の駆動信号入力用
に対を成さない制御端子と主端子を接続したものを用い
たことを特徴とする請求項１９記載の駆動回路。
【請求項２１】前記サイリスタの等価回路の代わりにプ
ラス・ゲートとマイナス・ゲートを持つ、本物のＧＴＯ
サイリスタ又はＳＩサイリスタを用いたことを特徴とす
る請求項１９又は２０記載の駆動回路。
【請求項２２】前記ＰＮＰ型トランジスタの代わりにマ
イナス駆動電圧を順バイアス電圧とする電圧駆動型スイ
ッチング手段を用い、これに接続される方の前記電圧降
下手段として双方向の電圧降下手段を用いたことを特徴
とする請求項１９又は２０記載の駆動回路。
【請求項２３】前記ＮＰＮ型トランジスタの代わりにプ
ラス駆動電圧を順バイアス電圧とする電圧駆動型スイッ
チング手段を用い、これに接続される方の前記電圧降下
手段として双方向の電圧降下手段を用いたことを特徴と
する請求項１９、２０又は２２記載の駆動回路。
【請求項２４】請求項１〜２３のいずれか１項に記載の
駆動回路において、前記第１のバイアス電圧が順バイアス電圧で、前記第２
の閉回路中で前記第１の直流電源を前記第１のスイッチ
ング手段の前記主端子と前記第２のスイッチング手段の
間に接続し、さらに前記第２の閉回路中で前記第１の直
流電源と前記第１のスイッチング手段の前記主端子の間
に第１の非可制御スイッチを接続し、前記第１のスイッ
チング手段の前記主端子に第２の非可制御スイッチを接
続して１方向可制御スイッチを構成し、前記第３の閉回
路中で前記第１の直流電源と前記キャパシタンス手段の
間に第３の非可制御スイッチを接続したことを特徴とす
る１方向絶縁型スイッチング回路。
【請求項２５】請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチ
ング回路において、前記第１のスイッチング手段に１方向可制御双方向スイ
ッチを用い、前記第２の非可制御スイッチに別の１方向
可制御双方向スイッチ中の非可制御スイッチを用い、両
方の前記１方向可制御双方向スイッチの駆動信号の順逆
バイアス電圧極性が同じで、両方の制御端子同士を接続
したことを特徴とする双方向絶縁型スイッチング回路。
【請求項２６】請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチ
ング回路において、前記第２の非可制御スイッチと第４〜第６の非可制御ス
イッチ４個を使ってブリッジ接続型整流回路を構成し、
その両直流端子間に前記第１のスイッチング手段を接続
したことを特徴とする双方向絶縁型スイッチング回路。
【請求項２７】請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチ
ング回路と請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチング
回路を逆並列接続したことを特徴とする双方向絶縁型ス
イッチング回路。
【請求項２８】請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチ
ング回路と請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチング
回路を同じ向きに、内向きに、又は、外向きに直列接続
したことを特徴とする絶縁型３端子スイッチング回路。
【請求項２９】請求項２４記載の１方向絶縁型スイッチ
ング回路と請求項２５、２６又は２７記載の双方向絶縁
型スイッチング回路を直列接続したことを特徴とする絶
縁型３端子スイッチング回路。
【請求項３０】請求項２５、２６又は２７記載の双方向
絶縁型スイッチング回路と請求項２５、２６又は２７記
載の双方向絶縁型スイッチング回路を直列接続したこと
を特徴とする絶縁型３端子スイッチング回路。
【請求項３１】請求項２５、２６又は２７記載の双方向
絶縁型スイッチング回路のスイッチ端子側に点火コイル
の１次コイルを直列接続した直列回路を所定の数だけ並
列接続したことを特徴とする点火配電回路。
【請求項３２】請求項２４記載の絶縁型スイッチング回
路において、前記第１のスイッチング手段の前記制御端子と対を成さ
ない方の主端子と前記第１の直流電源の間に第２の直流
電源を前記１方向可制御スイッチの向きに接続したこと
を特徴とするスイッチング回路。
【請求項３３】請求項１〜２３のいずれか１項に記載の
駆動回路と請求項３２記載のスイッチング回路を組み合
わせ、前者の第１のスイッチング手段と前記１方向可制
御スイッチを前記第２の直流電源の両電源端子間に直列
接続し、前記両第１の直流電源を共通にして１つにまと
めたことを特徴とする３端子スイッチング回路。
【請求項３４】請求項１〜２３のいずれか１項に記載の
駆動回路において、前記第１のスイッチング手段と駆動
電圧の順、逆バイアス極性が正反対の第５のスイッチン
グ手段があって、両者のオン、オフが逆になる様に両方
の制御端子同士と主端子同士をそれぞれ接続したことを
特徴とする３端子スイッチング回路。