JPH05305771A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の第１は、集光ビームをより細く絞る
ことが可能な６３０〜７００ｎｍの波長のレーザを用い
た光ピツクアップに適用できる記録媒体の提供を目的と
する。本発明の第２は、前記のような課題を解決し、熱
安定性及び光安定性に優れ、かつ７７０〜８３０ｎｍに
高い屈折率を有する有機色素を提供し、保存寿命が長く
再生劣化の少ない高反射率のＣＤ−ＷＯ記録媒体の提供
を目的とする。 【構成】 基板上に直接又は下引き層を介して有機色素
薄膜を設け、さらにその上に必要に応じて保護層を設け
てなる光情報記録媒体において、有機色素薄膜成分とし
て下記一般式（Ｉ）、（II）および（III）よりなる群
から選ばれた化合物の少なくとも１種を含有しているこ
とを特徴とする光情報記録媒体。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、光記録媒体、特に追記型ＣＤ
（ＣＤ−ＷＯ）記録媒体の分野に関する。

【０００２】

【従来技術】これまで提案されている光情報記録媒体に
は次のようなタイプのものがある。 （ａ）低融点金属薄膜を記録層に用いたもの （ｂ）反射膜と有機光吸収層の２層構造型記録層とした
もの （ｃ）高反射率の有機色素膜を記録層に用いたもの （ｄ）有機色素膜上に金属反射層を積層したもの （特開昭６３−２２４０４５、特開平２−４２６５２） 上記（ａ）のタイプの記録媒体は低融点金属のＴｅ等を
主成分とした薄膜により記録層を構成したもので、穴あ
け型と、結晶−アモルファスの相転移に伴う反射率変化
を利用した相変化型がある。このタイプの記録媒体は保
存安定性が悪く、穴あけ型のものは分解能が低く記録密
度があがらず、また相変化型のものは製造条件が難かし
くコストが高くなるという欠点がある。上記（ｂ）のタ
イプの記録媒体は金属の反射膜上に有機光吸収層をコー
ティングにより設け、該有機光吸収層にレーザ光を照射
して窪みを作り、情報の記録を行うものである。このタ
イプの記録媒体は、記録層が金属反射膜上に有機光吸収
層を積層した２層構造となっているため製造が面倒であ
り、また光や熱によって変形又は変質しない金属の反射
層を持つため基板側からの記録・再生が難しいという欠
点がある。上記（ｃ）のタイプの記録媒体は基板上に反
射率の高い有機色素薄膜を記録層として設けたものであ
る。有機色素薄膜は融点、分解温度が高く、熱伝導率も
低いので高感度、高Ｃ／Ｎ化、高信頼性が期待でき、ま
た膜形成がコーティングにより可能なため量産性が良
く、低コスト化が期待できる等の利点がある。しかしな
がら、これらの色素は７００ｎｍ以下の波長域に光吸収
性及び光反射性を持たず、高密度記録性に限界があっ
た。上記（ｄ）のタイプの記録媒体は、市販のＣＤプレ
ーヤーで再生可能な追記型ＣＤ（ＣＤ−ＷＯ）であり高
い反射率と高い安定性を両立し得る有機色素の開発が必
要であるが、未だ実用化し得るものが得られていない。

【０００３】

【目的】

（１）集光ビームは、波長が短くなる程細く絞ることが
可能で、従来の光ディスクで使用されてきた波長域（８
００ｎｍ程度）より短波長に発振波長（〜６８０ｎｍ）
を有する半導体レーザが実用化されはじめている。本発
明の第１は、集光ビームをより細く絞ることが可能な６
３０〜７００ｎｍの波長のレーザを用いた光ピツクアッ
プに適用できる記録媒体の提供を目的とする。 （２）基板上に有機薄膜および金属反射層を順次設け、
さらにその上に必要に応じて保護層を設けてなる再生可
能な追記型ＣＤ（ＣＤ−ＷＯ）記録媒体は、高い反射率
を必要とし、そのため再生波長域（７７０〜８３０ｎ
ｍ）に高い屈折率を有し、かつ安定性の高い有機色素薄
膜が必要であるが、本発明の第２は、前記のような課題
を解決し、熱安定性及び光安定性に優れ、かつ７７０〜
８３０ｎｍに高い屈折率を有する有機色素を提供し、保
存寿命が長く再生劣化の少ない高反射率のＣＤ−ＷＯ記
録媒体の提供を目的とする。

【０００４】

【構成】本発明の第１は、基板上に直接又は下引き層を
介して、有機色素薄膜を設け、さらにその上に必要に応
じて、保護層を設けてなる光情報記録媒体において、有
機色素薄膜成分として前記一般式（Ｉ）、（II）および
（III）よりなる群から選ばれた化合物の少なくとも１
種を含有していることを特徴とする光情報記録媒体に関
する。本発明の第２は、基板上に直接又は下引き層を介
して有機薄膜および金属反射層を順次設け、さらにその
上に必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体に
おいて、該有機色素薄膜中に前記一般式（Ｉ）、（II）
および（III）よりなる群から選ばれた化合物の少なく
とも１種を含有していることを特徴とする光情報記録媒
体に関する。本発明の前記の第１の記録媒体の実施態様
としては、図１に示すようなものが挙げられる。また、
本発明の前記第２の記録媒体の実施態様としては、図２
に示すようなものが挙げられる。さらに、少なくとも一
方の基板に図１または図２で示す記録媒体を使用して、
２枚の基板を記録層を内側にして貼り合わせたものであ
ってもよい。このような貼り合わせ構造の記録媒体とし
ては、中間に空間部を有するエアーサンドイッチ構造型
あるいは保護層等を介して接着剤等によって直接に接着
したもの等が挙げられる。

【０００５】以下、本発明の光情報記録媒体を構成する
材料及び各層の必要特性について述べる。 （１）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行う場
合のみ使用レーザ光に対して透明でなければならず、記
録層側から行う場合は透明である必要はない。基板材料
としては、例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリア
ミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラス
チック、ガラス、セラミックあるいは金属などを用いる
ことができる。なお、基板の表面にはトラッキング用の
案内溝や案内ピット、さらにアドレス信号などのプレフ
ォーマットが形成されていてもよい。

【０００６】（２）記録層 本発明における記録層はレーザ光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせその変化により情報を記録できる
ものであればよいが、この記録層中には本発明の前記一
般式（Ｉ）、（II）および（III）よりなる群から選ば
れた化合物の少なくとも１種は存在していることが必要
である。本発明で使用する前記一般式（Ｉ）の化合物と
しては、具体的には例えば以下のようなものがあげられ
る。

【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【０００７】また、本発明で使用する前記一般式（II）
または（III）の化合物としては、具体的には例えば以
下の表１および表２に記載のものがあげられる。 （以下余白）

【表１】

【０００８】

【表２】

【０００９】本発明の光吸収層は、前記一般式（Ｉ）、
（II）または（III）の化合物で示される有機色素の他
に、他の有機色素を加えてもよい。他の有機色素として
は、例えばフタロシアニン系染料、テトラヒドロコリン
系染料、ジオキサジン系染料、トリフエノチアジン系染
料、フエナンスレン系染料、シアニン（メロシアニン）
系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン（インダ
ンスレン）系染料、キサンテン系染料、本発明の上記色
素以外のトリフエニルメタン系染料、クロコニウム系染
料、ピリリウム系染料、アズレン系染料などまたは金
属、金属化合物例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、
Ｓｅ、ＴｅＯ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどと混合分散あ
るいは積層の形態で用いることもできる。また、本発明
の上記色素は高分子材料例えばアイオノマー樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシランカップリ
ング剤などの中に混合分散して用いてもよいし、あるい
は特性改良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分
散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤
などと一緒に用いることもできる。

【００１０】特に光吸収層に加える添加剤としては、色
素より長波長域に吸収能を有するアミニウム、イモニウ
ム、ジイモニウム系化合物等の有機化合物、または金属
錯化合物があり、耐光性向上に有効である。前記化合物
としては、例えば、以下の式（Ａ）、（Ｂ）または
（Ｃ）の化合物、あるいは金属錯体（Ｄ）があげられ
る。

【００１１】

【化８】 （式中、Ａはフェニル、シクロヘキシルアミノ、ジベン
ジルアミノまたはＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を有するジアルキ
ルアミノを表わし、ＢはＡと同じであるかあるいは水素
原子を表わし、Ｘは酸アニオンを表わしそして上記式中
に存在するすべての芳香核は低級アルキル、低級アルコ
キシ、低級アルキルチオ、ハロゲンまたは水酸基によっ
て置換されていてもよい）で表わされる化合物。

【００１２】

【化９】

【００１３】

【化１０】

【００１４】

【化１１】

【００１５】

【化１２】

【００１６】

【化１３】 （以下余白）

【００１７】

【化１４】 〔式中、Ｚは置換もしくは未置換の炭素環ケトンを完成
するのに必要な原子群を表わし、この炭素環には芳香族
環が縮合していてもよく、Ｒ₁およびＲ₂は同じかまたは
異なっていてもよくそしてそれぞれは置換もしくは未置
換アルキル基あるいは置換もしくは未置換アリール基を
表わし、Ｘは金属錯体アニオンを表わし、ｍは１または
２を表わし、そしてＡは

【化１５】 （ｎは１または２を示す）または

【化１６】 （ｍ＝２の場合）を表わし、該フェニル基はアルキル
基、アルコキシ基、、ハロゲンまたは水酸基で置換され
ていてもよい。〕 （以下余白）

【００１８】

【化１７】

【００１９】

【化１８】

【００２０】

【化１９】 〔式中、Ｒは水素または低級アルキル基を表わし、Ｘは
酸アニオンを表わし、ｍは０、１または２であり、Ａは

【化２０】 （ｎは１または２である）または

【化２１】 （ただしｍが２の場合）を表わし、そして存在するすべ
ての芳香核は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
ゲンまたは水酸基によって置換されていてもよい。〕 （以下余白）

【００２１】

【化２２】

【００２２】

【化２３】

【００２３】金属錯体（Ｄ） アセチルアセトナートキレート系（Ｄ−１） （１）Ｎｉ(II)アクリルアセトナート （２）Ｃｕ(II)アセチルアセトナート （３）Ｍｎ(III)アセチルアセトナート （４）Ｃｏ(II)アセチルアセトナート ビスジチオ−α−ジケトン系（Ｄ−２） （５）ビス（ジチオベンジル）ニッケル （６）ビス（ジチオビアセチル）ニッケル （７）ビス（４−ジエチルアミノベンジルジチオ）ニッ
ケル （８）ビス（４−ジメチルアミノベンジルジチオ）ニッ
ケル ビスフェニルジチオール系（Ｄ−３） （９）ビス（１，２−ジチオフェニル）ニッケル （１０）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジメチルフェ
ニル）ニッケル （１１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケル （１２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケル （１３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６−テト
ラメチルフェニル）ニッケル （１４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６−テト
ラクロロフェニル）ニッケル （１５）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジクロロフェ
ニル）ニッケル （１６）ビス（１，２−ジチオ−〔ｄ〕−ベンゾフェニ
ル）ニッケル （１７）ビス（１，２−ジチオ−３，６−メチル−
〔ｄ〕−ベンゾフェニル）ニッケル （１８）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケル （１９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケル （２０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケル （２１）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバルト （２２）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金 （２３）ビス（１，２−ジチオ−５−クロロフェニル）
ニッケル （２４）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケル また、これらの金属錯体はカチオンと塩を形成してもよ
く、たとえば下記の第４級アンモニウム塩をあげること
ができる。 （２５）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケルテトラブチルアンモニウム （２６）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケルテトラブチルアンモニウム （２７）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （２８）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （２９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３５）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバルトテト
ラプロピルアンモニウム （３６）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金ジプロピ
ルジブチルアンモニウム （３７）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３８）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム サリチルアルデヒドオキシム系（Ｄ−４）

【化２４】 ここに、Ｒ₁およびＲ₂は、アルキル基を表わし、ＭはＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の遷移金属原子を表わ
す。 （３９）Ｎｉ(II)Ｏ−（Ｎ−イソプロピルホルムイミド
イル）フェノール （４０）Ｎｉ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４１）Ｃｏ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４２）Ｃｕ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４３）Ｎｉ(II)２，２′−〔エチレンビス（ニトリロ
メチリジン）〕ジフェノール （４４）Ｃｏ(II)２，２′−〔エチレンビス（ニトリロ
メチリジン）〕ジフェノール （４５）Ｎｉ(II)２，２′−〔１，３−ナフチレンビス
（ニトリロメチリジン）〕ジフェノール （４６）Ｎｉ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４７）Ｃｏ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４８）Ｃｕ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４９）Ｎｉ(II)サリチルアルデヒドフェニルヒドラゾ
ン （５０）Ｎｉ(II)サリチルアルデヒドオキシム

【００２４】チオビスフェノレートキレート系（Ｄ−
５）

【化２５】 ここに、Ｍは前記と同じであり、Ｒ₃およびＲ₄は、アル
キル基を表わす。また、Ｍは−電荷をもち、カチオンと
塩とを形成していてもよい。 （５１）Ｎｉ(II)ｎ−ブチルアミノ〔２，２′−チオビ
ス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕〔Ｃｙａｓｏ
ｒｂ−ＵＶ−１０８４（アメリカンシアナミド カンパ
ニーリミテッド）〕 （５２）Ｃｏ(II)ｎ−ブチルアミノ〔２，２′−チオビ
ス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕 （５３）Ｎｉ(II)−２，２′−チオビス（４−ｔ−オク
チル）フェノレート

【００２５】ヒドラジン−ｓ−メチルジチオカルボキシ
レート類（Ｄ−６）

【化２６】 （５４）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｎｉ （５５）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５６）Ｒ＝４−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５７）Ｒ＝２−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５８）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｃｏ （５９）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｃｏ （６０）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｔ （６１）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｄ

【００２６】（Ｄ−７）

【化２７】 Ａ Ｘ Ｙ （６２） Ｎ Ｈ Ｈ （６３） Ｎ Ｃｌ Ｈ （６４） Ｎ ＣＨ₃ Ｈ （６５） Ｎ ＣＨ₃ ＣＨ₃ （６６） Ｎ ＣＨ₃ Ｃｌ （６７） Ｃ（ＣＮ） Ｈ Ｈ （６８） Ｃ（ＣＮ） Ｈ Ｃ₂Ｈ₅ （６９） Ｃ（ＣＮ） Ｂｒ Ｈ

【００２７】一般式

【化２８】 Ｍ Ｒ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ （７０）Ｎｉ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₉ ＣＨ₃ （７１）Ｎｉ ＣＨ₂Ｃｌ Ｃ₄Ｈ₉ Ｃ₂Ｈ₅ （７２）Ｃｏ Ｃ₄Ｈ₉ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₉ （７３）Ｐｔ ４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₉ ４−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ （７４）Ｎｉ ３−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₉ ３−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ （７５）Ｃｕ Ｃ₆Ｈ₅ ＣＨ₂＝ＣＨ− Ｃ₆Ｈ₅

【００２８】前記のような記録層の形成は蒸着、スパッ
タリング、ＣＶＤまたは溶液塗布などの通常の手段によ
って行なうことができる。塗布法を用いる場合には本発
明の色素などを有機溶媒に溶解してスプレー、ローラー
コーティング、ディッピングおよびスピンニングなどの
慣用のコーティング法によって行なわれる。有機溶媒と
しては一般にはメタノール、エタノール、イソプロパノ
ールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化
メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエ
タンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベン
ゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いるこ
とができる。記録層の膜厚は１００Å〜１０μｍ、好ま
しくは２００Å〜１０００Åが適当である。

【００２９】（３）下引き層 下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスなど
のバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上及び
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、
（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成な
どを目的として使用される。（ａ）の目的に対しては高
分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、
ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液
状ゴムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング
剤などを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に
対しては上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉ
Ｏ₂、ＭｇＦ₃、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓ
ｉＮなど、金属または半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｓ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用い
ることができる。また、（ｄ）の目的に対しては金属、
例えば、Ａｌ、Ａｇ、等や、金属光沢を有する有機薄
膜、例えば、メチン染料、キサンテン系染料等を用いる
ことができ、（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外
線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いること
ができる。下引き層膜厚は０．０１〜３０μｍ、好まし
くは、０．０５〜１０μｍである。

【００３０】（４）保護層 保護層は、（ａ）光反射吸収層をその傷、ホコリ、汚れ
等から保護する、（ｂ）光反射吸収層の保存安定性の向
上、（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。こ
れらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用
いることができる。また無機材料として、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ₂なども用いることができ、有機材料として、ポリメ
チルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、
ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロ
ース、脂肪族系炭化水素樹脂、芳香族系炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱
軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。本発明に
おいて、前記下引き層及び保護層には記録層の場合と同
様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界
面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。

【００３１】（５）金属反射層 単体で高反射率の得られる金属、半金属等が使用でき
る。材料例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、
Ｎなどが挙げられ、好ましくは、Ａｕ、Ａｌが良い。こ
れらの金属は単独で使用してもよく、合金としてもよ
い。膜厚は５０〜３０００Å、好ましくは１００〜１０
００Åである。

【００３２】

【実施例】

〈実施例１〉厚さ１．１５ｍｍのガラス基板上にフォト
ポリマー５０μｍにて、深さ８５０Å、半値巾０．３μ
ｍ、ピッチ１．３μｍの案内溝を形成した基板上に化合
物例（８）のクロロホルム溶液をスピナー塗布し、厚さ
６００Åの記録層を設け、記録媒体とした。 〈実施例２〉実施例１に於いて、化合物例（１５）を用
いたもの。 〈実施例３〉実施例１に於いて、化合物例（１７）を用
いたもの。 〈実施例４〉実施例１に於いて、記録層を化合物（８）
と前記Ｂ−（１０）のアミニウム塩との１０／１．２重
量比のクロロホルム溶液で７００Å形成したもの。 〈実施例５〉実施例２に於いて、記録層を化合物（１
５）と前記Ｃ−（７）のジイモニウム塩との１０／２重
量比のクロロホルム溶液で７００Å形成したもの。 〈実施例６〉実施例２に於いて、記録層を化合物（１
５）と前記ｆ−（２０）の金属錯体１０／１．５重量比
のクロロホルム溶液で７００Å形成したもの。 〈実施例７〉厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ板上に、フォト
ポリマー５０μｍにて深さ８５０Å、半値巾０．３μ
ｍ、ピッチ１．３μｍの案内溝を形成した基板上に化合
物例（１）のクロロホルム溶液をスピナー塗布し、厚さ
６２０Åの記録層を設け、記録媒体とした。 〈実施例８〜１０〉実施例７に於いて、それぞれ化合物
（６）、（７）、（１１）を用いたもの。 〈実施例１１〉実施例１に於いて、記録層を化合物
（１）とアミニウム塩Ｂ−（１０）の１０／１．２重量
比のクロロホルム溶液で６５０Å形成したもの。 〈実施例１２〉実施例１に於いて、記録層を化合物
（１）とジイモニウム塩Ｃ−（７）の１０／２重量比の
クロロホルム溶液で７００Å形成したもの。 〈実施例１３〉実施例３に於いて、記録層を化合物
（７）と金属錯体ｆ−（２０）の１０／１．５重量比の
クロロホルム溶液で６５０Å形成したもの。上記実施例
１〜１３の記録体を顕微鏡で観察したところ、いずれも
〜０．６５μｍの記録ビットが良好に形成されていた。
また、該記録体を用い以下の記録条件にて基板を介して
記録し、その後、上記記録位置をパワー０．２ｍＷの連
続光で再生し以下の条件にて、Ｃ／Ｎを測定した。 〈記録条件〉 ・線速 ２．１ｍ
／ｓｅｃ ・記録周波数 １．６ＭＨｚ ・ピックアップレンズ Ｎ．Ａ０．５ 〈再生条件〉 ・スキャニングフィルター ３０ＫＨ
ｚ その結果を、以下の表１に示す。 （以下余白）

【表３】

【００３３】〈実施例１４〉深さ９００Å、半値巾０．
４μｍ、ピッチ１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２
ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に化合物（１
７）の１，１，２−トリフルオロエタノール溶液をスピ
ナー塗布し、厚さ１５００Åの記録層を設け、さらにそ
の上に、１０^-5Ｔｏｒｒ下でＡｕを７００Å真空蒸着
し、反射層を設けた。 〈実施例１５〉実施例１４に於いて、化合物（２０）を
用いたもの。 〈実施例１６〉実施例１４で記録層を化合物（１７）と
前記Ａ−（９）のアミニウム塩１０／１．２重量比の
１，１，２−トリフルオロエタノール溶液で１５００Å
形成したもの。 〈実施例１７〉実施例１５で記録層を化合物（１７）と
前記Ｃ−（９）のジイモニウム塩１０／１．２重量比の
１，１，２−トリフルオロエタノール溶液で１５００Å
形成したもの。これら実施例１４〜１７の記録媒体に線
速１．３ｍ／ｓｅｃ、記録レーザパワー６ｍＷ、発振波
長７８０ｎｍのレーザでＥＦＭ信号を記録し、再生レー
ザパワー０．５ｍＷで再生波形を観測したところ、いず
れも、ＣＤの国際規格を満足する信号レベルが得られ、
反射率も７０％以上を有していた。次に同一トラックを
再生する再生劣化テストを行った処、実施例１４、１５
は徐々に信号の低下が見られたが、実施例１６、１７は
１００万回再生後も、ほとんど変化は見られなかった。

【００３４】〈実施例１８〉深さ９００Å、半値巾０．
４μｍ、ピッチ１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２
ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に化合物（１）
の１，１，２−トリフルオロエタノール溶液をスピナー
塗布し、厚さ１６００Åの記録層を設け、さらにその上
に、１０^-5Ｔｏｒｒ下で金を７００Å真空蒸着し、反射
層を設けた。 〈実施例１９〉実施例１８で化合物（１１）を用いたも
の。 〈実施例２０〉実施例１８で、化合物（１）とジイモニ
ウム塩Ｃ−（９）の１０／１．５重量比で記録層を形成
したもの。これらの記録媒体に線速１．３ｍ／ｓｅｃ、
発振波長７８０ｎｍ、記録パワー６ｍＷのレーザでＥＦ
Ｍ信号を記録し、再生レーザパワー０．５ｍＷで再生波
形を観測したところ、いずれも、ＣＤの国際規格を満足
する信号レベルが得られ、反射率も６５％以上を有して
いた。次に同一トラックを再生する再生劣化テストを行
ったところ、実施例１８、１９は、徐々に信号の低下が
見られたが、実施例２０は１００万回再生後も、ほとん
ど変化は見られなかった。

【００３５】

【効果】

（１）本発明の光記録媒体の光吸収層は、波長６３０〜
７００ｎｍに高い光吸収性と光高反射性を有しているた
め高密度記録可能な６３０〜７００ｎｍのレーザを用い
たピックアップに適用でき、現状の８００ｎｍにおける
記録密度より１．６〜１．８倍高密度化が達成できた。 （２）本発明の光記録媒体の光吸収層は、波長７７０〜
８３０ｎｍに高い屈折率を有し、かつ、高い安定性を有
するため、高反射率で、保存安定性及び再生安定性に優
れたＣＤ−ＷＯ用記録媒体が提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、基板上に直接又は下引き層
を介して有機色素薄膜を設けた型の記録媒体の構成を示
す。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、基板上に直接又は下引き層
を介して有機色素薄膜および金属反射層を設けた型の記
録媒体の構成を示す。

【符号の説明】 １ 基板 ２ 有機色素層 ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ 金属反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺村 薫 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介して有機
   色素薄膜を設け、さらにその上に必要に応じて保護層を
   設けてなる光情報記録媒体において、有機色素薄膜成分
   として下記一般式（Ｉ）、（II）および（III）よりな
   る群から選ばれた化合物の少なくとも１種を含有してい
   ることを特徴とする光情報記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₄：水素原子、ハロゲン、置換あるいは
   未置換のアルキル基 Ｒ₅〜Ｒ₉：水素原子、ハロゲン、ヒドロキシ基、置換あ
   るいは未置換のアルキル基、アリール基及びアミノ基を
   表わす。また、置換基Ｒ₁〜Ｒ₄およびＲ₅〜Ｒ₉は互いに
   結合して縮合ベンゼン環又は縮合ヘテロ環を形成しても
   よい。） 【化２】 （上記一般式（II）および（III）に於いて、Ａは下式
   （IV）又は（Ｖ）の共役環を表し、Ｂは下記（VI）又は
   （VII）で表わされる共役環を表す。前記ＡおよびＢの
   各共役環は、ハロゲン、アルコキシ、アルキル、カルボ
   キシル、アリール、ヒドロキシ、シアノ基で置換されて
   いても良い。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃は、水素原子；ハロゲン原
   子；ヒドロキシ基；シアノ基；置換又は未置換のアルキ
   ル基、アルコキシ基およびアリール基よりなる群から選
   ばれたものを表す。Ｚは、５員環又は６員環を形成する
   のに必要な２価の残基を表す。Ｘ^- は酸アニオンを表
   す。） 【化３】
2. 【請求項２】 基板上に直接又は下引き層を介して有機
   色素薄膜および金属反射層を順次設け、さらにその上に
   必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体におい
   て、該有機薄膜成分として、前記一般式（Ｉ）、（II）
   および（III）よりなる群から選ばれた化合物の少なく
   とも１種を含有していることを特徴とする基板側からの
   反射率が６５％以上である光情報記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１記載の光情報記録媒体におい
   て、該有機色素薄膜中に前記一般式（Ｉ）、（II）およ
   び（III）よりなる群から選ばれた化合物より長波長域
   に吸収能を有するアミニウム塩、ジイモニウム塩および
   金属錯体よりなる群から選ばれた化合物の少なくとも１
   種を含有させたことを特徴とする光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項２記載の光情報記録媒体におい
   て、該有機色素薄膜中に前記一般式（Ｉ）、（II）およ
   び（III）よりなる群から選ばれた化合物より長波長域
   に吸収能を有するアミニウム塩、ジイモニウム塩および
   金属錯体よりなる群から選ばれた化合物の少なくとも１
   種を含有させたことを特徴とする基板側からの反射率が
   ６５％以上である光情報記録媒体。