JPH05306470A - 選択的無電解めっき用触媒液 - Google Patents
選択的無電解めっき用触媒液Info
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- JPH05306470A JPH05306470A JP32302591A JP32302591A JPH05306470A JP H05306470 A JPH05306470 A JP H05306470A JP 32302591 A JP32302591 A JP 32302591A JP 32302591 A JP32302591 A JP 32302591A JP H05306470 A JPH05306470 A JP H05306470A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品基板の導体パターン上に無電解めっ
きを施すにあたって導体パターン上のみ選択的に金属Ｐ
ｄを析出させ、なお且つ工程管理の容易なものにする。 【構成】 水溶性Ｐｄ塩、Ｐｄイオンの錯化剤としてア
ンモニウム化合物、無機酸、ｐＨ調整剤を必須成分とす
る無電解めっき用触媒液において、アンモニウム化合物
をＰｄ塩１モルに対し、７５０から１５００モル、ｐＨ
値が２．５から４にする。これにより、導体パターン上
のみ選択的に金属Ｐｄを析出させることができ、なお且
つ液の最適使用条件範囲が広く、すなわち工程管理が容
易である。
きを施すにあたって導体パターン上のみ選択的に金属Ｐ
ｄを析出させ、なお且つ工程管理の容易なものにする。 【構成】 水溶性Ｐｄ塩、Ｐｄイオンの錯化剤としてア
ンモニウム化合物、無機酸、ｐＨ調整剤を必須成分とす
る無電解めっき用触媒液において、アンモニウム化合物
をＰｄ塩１モルに対し、７５０から１５００モル、ｐＨ
値が２．５から４にする。これにより、導体パターン上
のみ選択的に金属Ｐｄを析出させることができ、なお且
つ液の最適使用条件範囲が広く、すなわち工程管理が容
易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品等の基板上の
導体パターン上のみに選択的無電解めっきを施すための
無電解めっき用触媒液に関する。
導体パターン上のみに選択的無電解めっきを施すための
無電解めっき用触媒液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラスエポキシ樹脂、紙フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂等の合成樹脂基板上に銅（Ｃｕ）の
配線（導体）パターンを形成した後、更に導体パターン
上にニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）等の無電解めっきを
選択的に施す場合がある。その場合導体パターンを活性
化しなければならない。その活性化手段としては、一般
にＰｄを含む触媒液が用いられている。導体パターンの
金属とＰｄを置換させ、無電解めっき皮膜はこの金属Ｐ
ｄ上に析出する。このようなＰｄの活性による無電解め
っきを選択的析出する第１の方法は、金属パターンの被
めっき部分以外をレジストで被覆し、導体パターン上の
みにＰｄを析出させる方法がある。この方法を無電解Ｎ
ｉめっきの例で、さらに詳細に説明すれば、導体パター
ンが設けられた基板を第１すず（Ｓｎ）イオンを含むセ
ンシタイジング液（ＳｎＣｌ2 −ＨＣｌ）に浸漬した
後、Ｐｄイオンを含む活性化液（ＰｄＣｌ2 −ＨＣｌ）
に浸漬するか、あるいは第１ＳｎイオンとＰｄイオンと
を含む活性化液に浸漬する。しかし、第１Ｓｎイオン、
Ｐｄイオンは吸着性が強いため、結果的には基板全面に
Ｐｄが析出するといわれている（特開平２−２４０２７
１号参照）。従って、その後レジストを剥離し、導体パ
ターンに析出するＰｄのみを残存させ、Ｐｄを触媒とし
て導体パターン上のみに無電解Ｎｉめっきの初期析出を
行うものである。また第２の方法として、特公昭６１−
３１１８８号公報に示されるように、導体パターンが設
けられた基板を触媒活性の大きいＰｄ活性化を短時間行
うことと、触媒活性の小さいシアン化金による金活性と
の２段処理を行い、これら２つを併用する相乗効果によ
り、無電解めっきを行った段階で導体パターン間にブリ
ッヂを生じることなく無電解めっきを施す方法がある。
そして第３の方法では、特開昭６２−２３８３７４号公
報に示されるように、導体パターンが設けられている基
板の一部をＰｄ処理し、その後無電解めっき処理を行
う。するとＰｄ処理をした部分からめっき析出が始まっ
てから数十秒後にＰｄ未処理部分の導体パターン上に選
択的にめっき金属、例えばニッケル等を析出することが
できる。Ｐｄ処理部分においては、導体パターン外にも
無電解めっきが施されているので導体パターンは電気的
に短絡状態にある。従ってＰｄ処理部分を除去（切断）
し、これより回路的に独立した所望の導体パターンが得
られる方法がある。さらに第４の方法として、特開平２
−１０１１７２号公報に示されているように、タングス
テン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）皮膜を有するセラミッ
ク部品を、シアニド水溶液とＰｄＣｌ2 水溶液の２段処
理により、Ｗ、Ｍｏ膜上に選択的に金属Ｐｄを析出さ
せ、その後、無電解ニッケルめっき液中に浸漬し、セラ
ミックス部分にはめっき析出せず、Ｗ、Ｍｏ膜上のみ無
電解めっき被覆を形成させる方法がある。第５の方法と
して、導体パターンを形成した基板をそのままレジスト
被覆することなく、水溶性Ｐｄ塩に無機酸を添加したＰ
ｄ活性液に浸漬して導体パターン上を選択的に活性化す
る方法が従来ある。この方法は、Ｐｄの吸着ではなく、
導体パターンの金属（例えばＣｕ）とＰｄの置換反応に
基づくものであるため、Ｐｄの吸着性が導体上と非導体
上とで差があることを利用するものであるといわれてい
る（特開平２−２４０２７１号参照）。
脂、ポリイミド樹脂等の合成樹脂基板上に銅（Ｃｕ）の
配線（導体）パターンを形成した後、更に導体パターン
上にニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）等の無電解めっきを
選択的に施す場合がある。その場合導体パターンを活性
化しなければならない。その活性化手段としては、一般
にＰｄを含む触媒液が用いられている。導体パターンの
金属とＰｄを置換させ、無電解めっき皮膜はこの金属Ｐ
ｄ上に析出する。このようなＰｄの活性による無電解め
っきを選択的析出する第１の方法は、金属パターンの被
めっき部分以外をレジストで被覆し、導体パターン上の
みにＰｄを析出させる方法がある。この方法を無電解Ｎ
ｉめっきの例で、さらに詳細に説明すれば、導体パター
ンが設けられた基板を第１すず（Ｓｎ）イオンを含むセ
ンシタイジング液（ＳｎＣｌ2 −ＨＣｌ）に浸漬した
後、Ｐｄイオンを含む活性化液（ＰｄＣｌ2 −ＨＣｌ）
に浸漬するか、あるいは第１ＳｎイオンとＰｄイオンと
を含む活性化液に浸漬する。しかし、第１Ｓｎイオン、
Ｐｄイオンは吸着性が強いため、結果的には基板全面に
Ｐｄが析出するといわれている（特開平２−２４０２７
１号参照）。従って、その後レジストを剥離し、導体パ
ターンに析出するＰｄのみを残存させ、Ｐｄを触媒とし
て導体パターン上のみに無電解Ｎｉめっきの初期析出を
行うものである。また第２の方法として、特公昭６１−
３１１８８号公報に示されるように、導体パターンが設
けられた基板を触媒活性の大きいＰｄ活性化を短時間行
うことと、触媒活性の小さいシアン化金による金活性と
の２段処理を行い、これら２つを併用する相乗効果によ
り、無電解めっきを行った段階で導体パターン間にブリ
ッヂを生じることなく無電解めっきを施す方法がある。
そして第３の方法では、特開昭６２−２３８３７４号公
報に示されるように、導体パターンが設けられている基
板の一部をＰｄ処理し、その後無電解めっき処理を行
う。するとＰｄ処理をした部分からめっき析出が始まっ
てから数十秒後にＰｄ未処理部分の導体パターン上に選
択的にめっき金属、例えばニッケル等を析出することが
できる。Ｐｄ処理部分においては、導体パターン外にも
無電解めっきが施されているので導体パターンは電気的
に短絡状態にある。従ってＰｄ処理部分を除去（切断）
し、これより回路的に独立した所望の導体パターンが得
られる方法がある。さらに第４の方法として、特開平２
−１０１１７２号公報に示されているように、タングス
テン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）皮膜を有するセラミッ
ク部品を、シアニド水溶液とＰｄＣｌ2 水溶液の２段処
理により、Ｗ、Ｍｏ膜上に選択的に金属Ｐｄを析出さ
せ、その後、無電解ニッケルめっき液中に浸漬し、セラ
ミックス部分にはめっき析出せず、Ｗ、Ｍｏ膜上のみ無
電解めっき被覆を形成させる方法がある。第５の方法と
して、導体パターンを形成した基板をそのままレジスト
被覆することなく、水溶性Ｐｄ塩に無機酸を添加したＰ
ｄ活性液に浸漬して導体パターン上を選択的に活性化す
る方法が従来ある。この方法は、Ｐｄの吸着ではなく、
導体パターンの金属（例えばＣｕ）とＰｄの置換反応に
基づくものであるため、Ｐｄの吸着性が導体上と非導体
上とで差があることを利用するものであるといわれてい
る（特開平２−２４０２７１号参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の第１から第
４に示される方法では、工程数が多く、かつ複雑であ
り、作業能率が悪くなり、コストも高くなる。また、第
２、第４に示される方法は、最近、環境や作業者の健康
の点から非シアン化の要求が強まっているためあまり好
ましくない。従って、これらの問題を解決するものとし
ては、第５の方法が望ましく最近広く利用されている。
しかし、この方法は非導電性基板上へのＰｄ吸着量をＯ
Ｋするのは難しく、このため導体パターン間に電気的な
短絡が発生し易い。触媒液への浸漬時間が長くなればな
るほどブリッヂが発生し易いので、触媒液の最適使用範
囲が狭く、作業管理が難しいといえる。そこで本発明
は、導体パターン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させる
方法において、導体パターン間にブリッヂが生じること
なく、また触媒液の最適使用範囲が広く、作業管理が容
易である選択的無電解めっき用触媒を施すものである。
４に示される方法では、工程数が多く、かつ複雑であ
り、作業能率が悪くなり、コストも高くなる。また、第
２、第４に示される方法は、最近、環境や作業者の健康
の点から非シアン化の要求が強まっているためあまり好
ましくない。従って、これらの問題を解決するものとし
ては、第５の方法が望ましく最近広く利用されている。
しかし、この方法は非導電性基板上へのＰｄ吸着量をＯ
Ｋするのは難しく、このため導体パターン間に電気的な
短絡が発生し易い。触媒液への浸漬時間が長くなればな
るほどブリッヂが発生し易いので、触媒液の最適使用範
囲が狭く、作業管理が難しいといえる。そこで本発明
は、導体パターン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させる
方法において、導体パターン間にブリッヂが生じること
なく、また触媒液の最適使用範囲が広く、作業管理が容
易である選択的無電解めっき用触媒を施すものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の目的
を達成するために種々の検討を行った。その結果、水溶
性Ｐｄ塩とアンモニウム化合物とを１：７５０〜１：１
５００のモル比に調整し、ｐＨを２．５〜４．０に調整
し、この液で導体パターンの設けられている基板を処理
することにより、活性化工程を１回の処理で導体パター
ン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させることができ、な
おかつ、最適使用条件範囲が広く、これにより工程管理
も容易にすることができることを見いだした。そこで、
この方法を詳しく説明すると、水溶性Ｐｄ塩とアンモニ
ウム化合物のモル比が１：７５０未満、あるいはｐＨが
２．５未満では、導体パターンの活性化を処理温度２５
℃で５分間行い、更に無電解Ｎｉめっき処理した場合、
導体パターン間にＮｉブリッヂが発生し易く、処理時間
が長くなると更にＮｉブリッヂが発生し易くなることが
わかった。つまり、この条件では最適使用条件範囲が狭
く、これにより工程管理も難しいと言える。また、ｐＨ
が４を越えると、導体パターン上へのＰｄ触媒活性が弱
まり、導体パターン上への無電解めっき析出開始時間が
遅くなる。そして、ＰｄＣｌ2 とＮＨ4 Ｃｌのモル比が
１：１５００を越えると、ＮＨ4 Ｃｌの溶解が困難にな
るため製造上で不備な点がある。水溶性Ｐｄ塩とアンモ
ニウム化合物とのモル比の割合が１：７５０から１：１
５００の範囲でｐＨを２．５から４の範囲にすると、導
体パターン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させることが
でき、活性化の処理時間が長くても無電解めっき後、導
体パターン間に金属ブリッヂは発生しない。よって最適
使用条件範囲が広く、これにより工程管理も容易である
といえる。以上のことより、導体パターン上のみ選択的
に金属Ｐｄを析出させ、なお且つ最適使用条件範囲を広
くするためには、単に液中に生成しているＰｄ塩のＰｄ
イオンとアンモニウム化合物のアンモニウムイオンとの
パラジウムアンモニウム錯体の特性により、上記の目的
を達成するのではないことがわかった。むしろこの錯体
というのは、溶液中におけるＰｄイオンを安定にしてお
くという働きをするものであり、上記の目的を達成する
ためには、液中に含まれる過剰のアンモニウム化合物が
必要であるといえる。
を達成するために種々の検討を行った。その結果、水溶
性Ｐｄ塩とアンモニウム化合物とを１：７５０〜１：１
５００のモル比に調整し、ｐＨを２．５〜４．０に調整
し、この液で導体パターンの設けられている基板を処理
することにより、活性化工程を１回の処理で導体パター
ン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させることができ、な
おかつ、最適使用条件範囲が広く、これにより工程管理
も容易にすることができることを見いだした。そこで、
この方法を詳しく説明すると、水溶性Ｐｄ塩とアンモニ
ウム化合物のモル比が１：７５０未満、あるいはｐＨが
２．５未満では、導体パターンの活性化を処理温度２５
℃で５分間行い、更に無電解Ｎｉめっき処理した場合、
導体パターン間にＮｉブリッヂが発生し易く、処理時間
が長くなると更にＮｉブリッヂが発生し易くなることが
わかった。つまり、この条件では最適使用条件範囲が狭
く、これにより工程管理も難しいと言える。また、ｐＨ
が４を越えると、導体パターン上へのＰｄ触媒活性が弱
まり、導体パターン上への無電解めっき析出開始時間が
遅くなる。そして、ＰｄＣｌ2 とＮＨ4 Ｃｌのモル比が
１：１５００を越えると、ＮＨ4 Ｃｌの溶解が困難にな
るため製造上で不備な点がある。水溶性Ｐｄ塩とアンモ
ニウム化合物とのモル比の割合が１：７５０から１：１
５００の範囲でｐＨを２．５から４の範囲にすると、導
体パターン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させることが
でき、活性化の処理時間が長くても無電解めっき後、導
体パターン間に金属ブリッヂは発生しない。よって最適
使用条件範囲が広く、これにより工程管理も容易である
といえる。以上のことより、導体パターン上のみ選択的
に金属Ｐｄを析出させ、なお且つ最適使用条件範囲を広
くするためには、単に液中に生成しているＰｄ塩のＰｄ
イオンとアンモニウム化合物のアンモニウムイオンとの
パラジウムアンモニウム錯体の特性により、上記の目的
を達成するのではないことがわかった。むしろこの錯体
というのは、溶液中におけるＰｄイオンを安定にしてお
くという働きをするものであり、上記の目的を達成する
ためには、液中に含まれる過剰のアンモニウム化合物が
必要であるといえる。
【０００５】
【実施例】第一表に示す組成の無電解めっき用触媒液を
調整した。（但し、ｐＨはＮａＯＨで調整した。）次
に、Ｃｕパターンが形成されたガラスエポキシ基板を第
二表に示す工程により無電解ニッケル（Ｎｉ）めっきを
施した。その時の無電解めっき用触媒液の各基板処理時
間に対する無電解Ｎｉめっきの析出状態を第一表に併記
する。
調整した。（但し、ｐＨはＮａＯＨで調整した。）次
に、Ｃｕパターンが形成されたガラスエポキシ基板を第
二表に示す工程により無電解ニッケル（Ｎｉ）めっきを
施した。その時の無電解めっき用触媒液の各基板処理時
間に対する無電解Ｎｉめっきの析出状態を第一表に併記
する。
【０００６】
【表１】
【０００７】
【表２】
【０００８】第一表より、本発明の無電解めっき用触媒
液で処理したガラスエポキシ基板は確実に導体パターン
上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させ、そして無電解Ｎｉ
めっきを被覆させることができた。
液で処理したガラスエポキシ基板は確実に導体パターン
上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させ、そして無電解Ｎｉ
めっきを被覆させることができた。
【０００９】比較例 第三表に示す組成の無電解めっき用触媒液を調整した
（但し、ｐＨはＮａＯＨで調整した。）。次に、第三表
に示す無電解めっき用触媒液を実施例と同様に行った。
その時の無電解めっき用触媒液の各基板処理時間に対す
る無電解Ｎｉめっきの析出状態を第三表に併記する。
（但し、ｐＨはＮａＯＨで調整した。）。次に、第三表
に示す無電解めっき用触媒液を実施例と同様に行った。
その時の無電解めっき用触媒液の各基板処理時間に対す
る無電解Ｎｉめっきの析出状態を第三表に併記する。
【００１０】
【表３】
【００１１】第三表より、ＰｄＣｌ2 −ＨＣｌ系無電解
めっき用触媒液では処理時間が３０秒で、ｐＨが３以上
ならば導体パターン間にＮｉブリッヂは発生しなかっ
た。しかし、処理時間が３０秒を超えるとどのｐＨでも
Ｎｉブリッヂが発生した。またＰｄＣｌ2 ／ＮＨ4 Ｃｌ
＞１／７５０で、なお且つｐＨ＜２．５の無電解めっき
用触媒液では、処理時間が長くなるとＮｉブリッヂが発
生した。
めっき用触媒液では処理時間が３０秒で、ｐＨが３以上
ならば導体パターン間にＮｉブリッヂは発生しなかっ
た。しかし、処理時間が３０秒を超えるとどのｐＨでも
Ｎｉブリッヂが発生した。またＰｄＣｌ2 ／ＮＨ4 Ｃｌ
＞１／７５０で、なお且つｐＨ＜２．５の無電解めっき
用触媒液では、処理時間が長くなるとＮｉブリッヂが発
生した。
【００１２】
【発明の効果】本発明の無電解めっき用触媒液で導体パ
ターンが設けられている基板を処理することにより、導
体パターン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させ、選択的
に無電解めっきを施すことができる。また、本触媒液は
最適使用範囲が広く、よって作業管理も容易である。
ターンが設けられている基板を処理することにより、導
体パターン上のみ選択的に金属Ｐｄを析出させ、選択的
に無電解めっきを施すことができる。また、本触媒液は
最適使用範囲が広く、よって作業管理も容易である。
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【手続補正書】
【提出日】平成４年６月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 弘 茨城県下館市大字森添島1245番地 日立ボ ーデン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 水溶性パラジウム（Ｐｄ）塩、Ｐｄイオ
ンの錯化剤としてアンモニウム化合物、無機酸、ｐＨ調
整剤を必須成分とする無電解めっき用触媒液。 - 【請求項２】 水溶性Ｐｄ塩とアンモニウム化合物との
モル比が１：７５０から１：１５００の範囲であること
を特徴とする特許請求範囲第１項記載の無電解めっき用
触媒液。 - 【請求項３】 ｐＨが２．５から４．０の範囲であるこ
とを特徴とする特許請求範囲第１項及び第２項記載の無
電解めっき用触媒液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32302591A JPH05306470A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 選択的無電解めっき用触媒液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32302591A JPH05306470A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 選択的無電解めっき用触媒液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306470A true JPH05306470A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=18150284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32302591A Pending JPH05306470A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 選択的無電解めっき用触媒液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05306470A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241951A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解酸化亜鉛皮膜の形成方法 |
| KR101220327B1 (ko) * | 2010-11-18 | 2013-01-09 | 한국기계연구원 | 팔라듐 촉매잉크 조성물, 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 및 기판 표면처리 방법 |
| JP2013019044A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toray Eng Co Ltd | パラジウムアンミン錯塩水溶液からなるパラジウム触媒付与液およびそれを用いた銅配線基板の無電解ニッケルめっき方法 |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP32302591A patent/JPH05306470A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241951A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解酸化亜鉛皮膜の形成方法 |
| KR101220327B1 (ko) * | 2010-11-18 | 2013-01-09 | 한국기계연구원 | 팔라듐 촉매잉크 조성물, 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 및 기판 표면처리 방법 |
| JP2013019044A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toray Eng Co Ltd | パラジウムアンミン錯塩水溶液からなるパラジウム触媒付与液およびそれを用いた銅配線基板の無電解ニッケルめっき方法 |
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