JPH05307779A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 単層の垂直磁化膜を記録層とする光磁気記録
媒体を用い、一定の外部磁界を印加し、磁区形成時には
強度Ｐｗ₁・時間τ₁のパルスレーザーを所望の長さの磁
区となるまで数回にわたり連続的に照射し、磁区消去時
には強度Ｐ₀、時間τ₀のパルスレーザーを消去磁区が所
望の長さとなるまで数回にわたり連続的に照射する方式
（ただし、Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₀、τ₁はτ₁≧τ₀及びＰ
ｗ₁・τ₁＞Ｐｗ₀・τ₀なる関係を満足する）においてオ
ーバーライトをより確実に行える記録媒体を提供する。 【構成】 光磁気記録媒体の垂直磁化膜に特定の組成範
囲に限定されたＴｂＤｙＦｅＣｏを用いるとともに、特
定形状のガイドトラックが形成された基板を用い、記録
磁区にかかる反磁界を大きさを調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はオーバーライトを可能と
した光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光磁気記録は従来の磁気記録に比
べて大容量であり、しかも情報の書き換えが可能である
ことから活発な開発がなされており、一部では既に市販
されてもいる。

【０００３】しかしながら現在市販されている光磁気記
録装置の多くは、情報を書き換える際に元の情報を予め
消去しその後に新しい情報を書く、という行程を踏む必
要があるため消去操作に時間がかかり時間的なロスとな
っている。

【０００４】またオーバーライトを可能とする光磁気記
録方法も種々提案されているが問題点が多く実用化には
至っていない。

【０００５】ここで従来の光磁気記録方法としては以下
のものが知られている。 一般的光変調方式（例えば応用磁気学会誌Vol.8、No.
5(1984)等）。 ２層膜を使用した光強度変化によるオーバーライト方
式（応用磁気研究会資料53-15(1988)等）。 固定磁石による磁界変調方式（電気学会マグネティッ
クス研究会資料 MAG-86-95(1986)等）。 浮上ヘッドによる磁界変調方式（電気学会マグネティ
ックス研究会資料 MAG-87-178(1987)、特開昭６３−２
０４５３２号公報、特開昭６３−２１７５４８号公報
等）。 共振回路を持つ磁気ヘッド及びパルス状レーザーを使
用したオーバーライト方式（IEEE Trans. Magn.24,P.66
6(1988)、特開昭６３−３７８４２号公報）。 反磁界を利用する方式（Han-Ping D. Shieh and Mark
H. Kryder; Appl.Phys.Lett. 49(1986)473、Han-Ping
D. Shieh and Mark H. Kryder; IEEE Trans. Magn. Vo
l. MAG-23(1987)171、M. D. Schultz, H-P D. Shieh, a
nd M. H. Kryder;J. Appl. Phys. 63(1988)3844)。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の光磁気記録
方法のうちの光変調方式は一般にオーバーライトがで
きないために消去動作を必要とし、書き換えに時間がか
かるという欠点がある。従ってハードディスクの代替な
どの使用は不可能である。

【０００７】またの２層膜を使用した光強度変化によ
るオーバーライト方式では記録層が２層または３層以上
となり、また２層間の交換結合の調整が微妙で難しく、
しかも大きな初期化磁界を必要とし、初期化用磁石のコ
スト高、装置の大型化等の問題がある。また記録層の
“１”、“０”間の光パワーの差が小さく、夫々の許容
差が限定され記録の確実性に不安がある。

【０００８】またの固定磁石による磁界変調方式で
は、磁石にある程度の大きさのものが必要となり消費電
力が大きくなる。また高速化が非常に困難で１ＭＨｚ程
度のデジタル記録が限界と思われる。

【０００９】またの浮上磁気ヘッドによる磁界変調方
式では磁気ヘッドを媒体にほぼ接触させる形となり、光
ディスクの非接触というメリットがなくなる。また単板
にする必要があり、記憶容量、基板のそり及び磁性膜の
保護の点で問題がある。

【００１０】またの共振回路を持つ磁気ヘッド及びパ
ルス状レーザーを使用する方式では、上記の方式より
はよいが同じ課題を持つ。

【００１１】またの反磁界を利用する方法では、以前
に記録されていたビットと同じ場所にレーザーパルスを
照射する必要があるためレーザーパルス照射位置の制御
が困難であり、またビットポジション記録しかできない
等の問題がある。

【００１２】一方、上記問題、特にの方式における問
題を解決すべく、本出願人は特願平３−２２１１２５号
明細書において新規な光磁気記録方式を提案した。

【００１３】この方式は、単層の垂直磁化膜を記録層と
する光磁気記録媒体を用いて一定外部磁界のもとで磁区
の形成、消去を制御することによりオーバーライト可能
な光磁気記録を行う光磁気記録方式において、磁区形成
時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを光磁気記
媒媒体に対し所望の長さの磁区となるまで数回に渡り連
続的に照射し、磁区消去時には強度Ｐｗ₀、時間τ₀のパ
ルスレーザーを消去磁区が所望の長さとなるまで数回に
渡り連続的に照射する光磁気記録方式であって、かつＰ
ｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₀、τ₁がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐ
ｗ₀・τ₀なる関係を満足することを特徴とするものであ
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
式によってオーバーライトを行った場合、記録ビットに
かかる反磁界の大きさによってはオーバーライトの安定
性がゆらぐことがある。これについて図１を参照しなが
ら説明する。

【００１５】図１は希土類金属（ＲＥ）−遷移金属（Ｔ
Ｍ）非晶質合金の磁気温度特性であり、Ｈｃは保磁力、
Ｍｓは飽和磁化を示す。図１ではからにかけてＴＭ
リッチからＲＥリッチへと組成変化している。上記方式
では、記録、消去とも、冷却過程で記録磁区の磁化方向
が決定される。従って、では記録温度Ｔｗ付近での磁
化Ｍｓがかなり大きく、そのためレーザー照射位置にか
かる反磁界Ｈｄが大きくなりすぎるため書き込みは容易
であるが、消去困難となり、オーバーライトの確実性が
低下する。この場合、オーバーライトを確実に行うため
には室温での磁化と逆方向の外部磁界を印加しなければ
ならない。では記録温度Ｔｗ付近での磁化Ｍｓが作る
反磁界Ｈｄは記録が行い易くかつ消去に対しても影響が
及ばない大きさである。また記録温度Ｔｗ付近での保磁
力Ｈｃは小さいので、この場合は外部磁界を印加する必
要はない。では記録温度Ｔｗ付近での大きい保磁力に
打ち勝って磁化方向を決定するには、磁化Ｍｓが作る反
磁界だけでは足りず記録困難となる。この場合、オーバ
ーライトを確実に行うためには室温での磁化と同方向の
外部磁界を印加しなければならない。

【００１６】このように、特願平３−２２１１２５号明
細書に示されている光磁気記録方式を実施する上で光磁
気記録媒体の組成がＲＥリッチあるいはＴＭリッチにず
れることによって、記録、消去位置にかかる反磁界Ｈｄ
の大きさが変動し、オーバーライトの確実性が低下する
ことになる。それを避けるためには外部磁界の印加が必
要となる。そしてその外部磁界は、組成のずれが大きく
なるにつれて大きくしなければならず、大きな外部磁界
印加機構を設置しなければならなくなる。

【００１７】本発明は上記問題点を解決し、垂直磁化膜
の組成がずれても外部磁界を印加しないですむような反
磁界を形成せしめ、上記光磁気記録方式におけるオーバ
ーライトを安定、かつ確実なものとする光磁気記録媒体
を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、ガイドトラックが形成され
た基板上に単層の垂直磁化膜を設けてなり、一定外部磁
界のもとで磁区の形成、消去を制御することによりオー
バーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録方式であ
って、磁区形成時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレー
ザーを光磁気記媒媒体に対し所望の長さの磁区となるま
で数回にわたり連続的に照射し、磁区消去時には強度Ｐ
ｗ₀、時間τ₀のパルスレーザーを消去磁区が所望の長さ
となるまで数回にわたり連続的に照射し、その際Ｐ
ｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₀、τ₁がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐ
ｗ₀・τ₀なる関係を満足するように照射を行う光磁気記
録方式に使用される光磁気記録媒体において、前記垂直
磁化膜が下記一般式化１で表わされる非晶質合金膜から
なり、下記一般式化１のｘ，ｙ，ｚが（ａ）ｘ＝０，
０．２≦ｙ≦０．２２，０≦ｚ≦０．２、（ｂ）０＜ｘ
≦０．３，０．２≦ｙ≦０．２４，０≦ｚ≦０．２、
（ｃ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２≦ｙ≦０．２３，
０≦ｚ≦０．２のいずれかを満足し、前記ガイドトラッ
クが断面略台形状のランドと断面略逆台形状のグルーブ
を形成し、かつ前記ガイドトラックが、 ０＜Ｘ₁−Ｒ≦０．０５（μｍ） ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
（μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。

【化１】

【００１９】また、本発明によれば、ガイドトラックが
形成された基板上に単層の垂直磁化膜を設けてなり、一
定外部磁界のもとで磁区形成、消去を制御することによ
りオーバーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録方
式であって、磁区形成時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパル
スレーザーを光磁気記録媒体に対し所望の長さの磁区と
なるまで数回にわたり連続的に照射し、磁区消去時には
強度Ｐｗ₁、時間τ₀のパルスレーザーを消去磁区が所望
の長さとなるまで数回にわたり連続的に照射し、その際
Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₁、τ₀がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞
Ｐｗ₀・τ₀なる関係を満足するように照射を行う光磁気
記録方式に使用される光磁気記録媒体において、前記垂
直磁化膜が下記一般式化１で表される非晶質合金膜から
なり、下記一般式化１のｘ，ｙ，ｚが（ａ）ｘ＝０，
０．２≦ｙ≦０．２２，０≦ｚ≦０．２、（ｂ）０＜ｘ
≦０．３，０．２≦ｙ≦０．２４，０≦ｚ≦０．２、
（ｃ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２≦ｙ≦０．２３，
０≦ｚ≦０．２のいずれかを満足し、前記ガイドトラッ
クが断面略台形状のランドと断面略逆台形状のグルーブ
を形成し、かつ前記ガイドトラックが、 （Ｘ₂＋２．０Ｘ₃）Ｇ≧０．１１（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）×
２．０ｈ ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
（μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０＜Ｒ＜Ｘ₁ ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。

【化１】

【００２１】また、本発明によれば、ガイドトラックが
形成された基板上に単層の垂直磁化膜を設けてなり、一
定外部磁界のもとで磁区形成、消去を制御することによ
りオーバーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録方
式であって、磁区形成時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパル
スレーザーを光磁気記録媒体に対し所望の長さの磁区と
なるまで数回にわたり連続的に照射し、磁区消去時には
強度Ｐｗ₀、時間τ₀のパルスレーザーを消去磁区が所望
の長さとなるまで数回にわたり連続的に照射し、その際
Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₁、τ₀がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞
Ｐｗ₀・τ₀なる関係を満足するように照射を行う光磁気
記録方式に使用される光磁気記録媒体において、前記垂
直磁化膜が下記一般式化１で表される非晶質合金膜から
なり、下記一般式化１のｘ，ｙ，ｚが（ｄ）ｘ＝０，
０．２４≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、（ｅ）０＜ｘ
≦０．２，０．２４５≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、
（ｆ）０．２≦ｘ≦０．３，０．２６≦ｙ≦０．３，０
≦ｚ≦０．２、（ｇ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２４
５≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２のいずれかを満足し、
前記ガイドトラックが断面略台形状のランドと断面略逆
台形状のグルーブを形成し、かつ前記ガイドトラック
が、 Ｘ₁−Ｒ≧０．０５（μｍ） ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
（μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。

【化１】

【００２２】さらに、本発明によれば、ガイドトラック
が形成された基板上に単層の垂直磁化膜を設けてなり、
一定外部磁界のもとで磁区形成、消去を制御することに
よりオーバーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録
方式であって、磁区形成時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパ
ルスレーザーを光磁気記録媒体に対し所望の長さの磁区
となるまで数回にわたり連続的に照射し、磁区消去時に
は強度Ｐｗ₀、時間τ₀のパルスレーザーを消去磁区が所
望の長さとなるまで数回にわたり連続的に照射し、その
際Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₁、τ₀がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁
＞Ｐｗ₀・τ₀なる関係を満足するように照射を行う光磁
気記録方式に使用される光磁気記録媒体において、前記
垂直磁化膜が下記一般式化１で表される非晶質合金膜か
らなり、下記一般式化１のｘ，ｙ，ｚが（ｄ）ｘ＝０，
０．２４≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、（ｅ）０＜ｘ
≦０．２，０．２４５≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、
（ｆ）０．２≦ｘ≦０．３，０．２６≦ｙ≦０．３，０
≦ｚ≦０．２、（ｇ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２４
５≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２のいずれかを満足し、
前記ガイドトラックが断面略台形状のランドと断面略逆
台形状のグルーブを形成し、かつ前記ガイドトラック
が、 ０＜（Ｘ₂＋２．０Ｘ₃）Ｇ≦０．１１（Ｘ₁＋Ｘ₂＋
Ｘ₃）×２．０ｈ ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
（μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０＜Ｒ＜Ｘ₁ ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。

【化１】

【００２２】以下本発明の光磁気記録媒体について詳述
するが、先ず、本発明の光磁気記録媒体に適用される上
記光磁気記録方式（特願平３−２２１１２５号明細書）
について説明する。

【００２３】この光磁気記録方式を実施するにあたり、
まず光磁気記録装置として、信号記録、消去時に光磁気
記録媒体のレーザー照射部に、一定外部磁界を必要とす
る場合、数十〜数百Ｏｅの一定外部磁界を印加する機構
を設ける必要があるが、これには従来使用されている永
久磁石、電磁石等を用いればよく、従来技術で用いたよ
うな初期化用磁界あるいは交流磁界等は一切必要ない。
またレーザー出力については、前記の如く信号記録、消
去時に光磁気記録媒体に照射するＰｗ₁、Ｐｗ₀の強度の
パルスレーザーと、信号再生時に光磁気記録媒体に照射
する強度ＰｒのＤＣレーザーとが用意される（ただしＰ
ｒ＜Ｐｗ₁、Ｐｒ＜Ｐｗ₀）。その他、この方式を実施す
る上で、特に付加すべき機構はなく、従来用いられてい
た光磁気記録装置に簡単な改良を施すだけで使用するこ
とができる。

【００２４】この方式では、上記のようなきわめて簡単
な構成の装置を用いて次のような条件でオーバーライト
が達成される。すなわち、外部磁界が必要な場合は、一
定外部磁界を印加し、磁区形成時すなわち信号記録には
強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを所望の長さの磁
区となるまで数回に渡り連続的に照射し、磁区消去時す
なわち信号消去時には強度Ｐｗ₀、時間τ₀のパルスレー
ザーを消去磁区が所望の長さとなるまで数回にわたり連
続的に照射する。ただし、Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及びτ₀、τ₁は
τ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐｗ₀・τ₀なる関係を満足す
るものとする。このレーザー照射条件を図２に示す。

【００２５】この方式の提案するにあたり、本発明者ら
は組成、膜厚等を変化させていくつかの光磁気記録媒体
を作製し、以下の方法によりオーバーライト実験を行っ
た。まず、光磁気記録媒体に、静止状態において強度Ｐ
ｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを、膜面に対し垂直な方
向に印加される一定磁界Ｈexのもとで照射し、磁区の形
成される範囲を得た（Ａ条件と呼ぶ）。次に、このＡ条
件を用いて、該光磁気記録媒体を、レーザーに対し微動
させながら連続的にパルスレーザーを発振させ光磁気記
録媒体に照射してストライプ状の磁区を得、このストラ
イプ状の磁区の上に再度レーザーを照射し、磁区の切断
される条件（Ａ′条件と呼ぶ）を得た。次に、これらの
条件をもとに実際にオーバーライトを実施した。ここで
は磁性膜としてＴｂＦｅＣｏ系アモルファス磁性膜（膜
厚２０００Å）を記録層とする光磁気記録媒体をサンプ
ルに用いて評価した結果を示す。本サンプルは基板にガ
ラスを、保護膜にＳｉＮ膜を使用した。図３は、１００
Ｏｅの外部磁界を磁区書込に有利な方向（ＲＥリッチ膜
での室温での磁化と同方向）に印加した状態での上記
Ａ、Ａ′条件を示したものである。図３に示したＡ、
Ａ′条件のうちＡ条件として１０ｍＷ、１０００ｎｓｅ
ｃを固定してＡ′条件となるべきパワー、照射時間を種
々変更し、また、Ａ′条件として１５ｍＷ、２００ｎｓ
ｅｃを固定してＡ条件となるべきパワー、照射時間を種
々変更して、各種の照射条件の組合わせでオーバーライ
ト実験を行った。尚、パルスレーザーの膜面上での照射
位置が０．８μｍ間隔となるように設定した。その結
果、図３に示すようにＡ条件に相当する領域では磁区が
形成され、Ａ′条件に相当する部分では磁区は形成され
ないか、あるいは以前磁区が存在していた場合は完全に
消去された。これは以前書かれていた磁区情報には一切
依存せず、Ａ、Ａ′の２値条件のみにより決定された。
Ａ条件及びＡ′条件の組み合わせとオーバーライトの可
否の例を表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】ところで、上記光磁気記録方式を実施する
上で光磁気記録媒体の組成がずれることによって、記
録、消去位置にかかる反磁界Ｈdの大きさが変動し、オ
ーバーライトの確実性が低下することを述べたが、光磁
気記録媒体の記録層が下記一般式化１で表される非晶質
合金膜からなり、化１のｘ，ｙ，ｚが下記の（ａ）〜
（ｃ）のいずれかを満足する場合、該合金膜はＴＭリッ
チ膜となり、そのため記録、消去位置にかかる反磁界Ｈ
dが大きくなり、消去困難となるためオーバーライトの
安定性がゆらぐことになる。そこで安定にオーバーライ
トを行うには、大きな反磁界を打ち消すように外部磁界
を印加することが必要となる。

【００２７】請求項１の発明ではガイドトラックを特定
形状とすることで反磁界の大きさを調整し、外部磁界を
印加しない、あるいは小さな外部磁界で安定にオーバー
ライトができるようにしたものである。

【化１】 （ａ）ｘ＝０，０．２≦ｙ≦０．２２，０≦ｚ≦０．２ （ｂ）０＜ｘ≦０．３，０．２≦ｙ≦０．２４，０≦ｚ
≦０．２ （ｃ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２≦ｙ≦０．２３，
０≦ｚ≦０．２

【００２８】即ち、その構成上の特徴は、図４及び図５
に示すように、垂直磁化膜１を担持する基板２に形成さ
れるガイドトラックが、断面略台形状のランド３と断面
略逆台形状のグルーブ４を形成し、かつ、下記の（ｉ）
〜（ｖ）の条件を満足するような形状とした点にある。 （ｉ）０＜Ｘ₁−Ｒ≦０．０５（μｍ） （ii）０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦
２．０（μｍ） （iii）ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ （iv）０．０２（μｍ）＜ｈ＜ ０．５（μｍ） （ｖ）０≦Ｘ₂／Ｇ 但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１／
２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端までの
水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、Ｒ
は当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、ｈ
は垂直磁化膜の膜厚である。

【００２９】上記組成のようなＴＭリッチ膜を使用する
と、記録温度での磁化がかなり大きく、そのためレーザ
ー照射位置にかかる反磁界Ｈdが大きくなりすぎるため
消去困難となる。光磁気記録媒体として上記組成のよう
なＴＭリッチ膜を使う場合、ガイドトラックは、反磁界
がなるべく小さくなるような形状にすべきである。

【００３０】先ず、上記の（ｉ）の条件について説明す
る。図６はガイドトラックの形成されている基板２上に
ＴＭリッチ垂直磁化膜１を設けた光磁気記録媒体の一例
であり、Ｘ₁−Ｒ＞０．０５（μｍ）となっているもの
である。このときの記録磁区Ａ付近の磁化Ｍsと反磁界
Ｈdの大きさを図７に示す。ここではランド３の端と記
録磁区Ａとの相対的な距離Ｘ₁−Ｒが大きいため、ＴＭ
リッチ膜で上記光磁気記録方式を実施するには記録磁区
にかかる反磁界が大きくなりすぎ、消去困難となるため
オーバーライトが不安定となる。一方、図８はトラック
形状がＸ₁−Ｒ≦０．０５（μｍ）となっている光磁気
記録媒体である。この場合は記録磁区Ａにかかる反磁界
Ｈdは図９のように小さくなり、ＴＭリッチ膜で上記光
磁気記録方式を実施する上で適当な大きさとなり、確実
にオーバーライトができる。なお、図６と図８を比べる
とＸ₁は一定としてＲを変化させているが（ｉ）の条件
とするためにはＸ₁とＲの両方を調整してもよい。また
Ｘ₁≦Ｒの場合には記録磁区がランドからはみ出す。ラ
ンド端からグルーブの底への段差の部分では磁壁エネル
ギーの不連続による磁区のピニングが起こり易い。その
ため、本発明で解決しようとしている反磁界の問題とは
別の理由で消し残りが生じることになる。

【００３１】次に、（ii）〜（ｖ）の条件について説明
する。２．０（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）が０．２（μｍ）未満
であると、Ｘ₁は大きくても０．１（μｍ）未満であ
り、するとＲは大きくても０．０５（μｍ）未満であ
る。半径０．０５（μｍ）の記録磁区を書き込むのは困
難である。２．０（μｍ）を越えるとグルーブの１ピッ
チが大きくなりすぎ情報の高密度化は望めない。またＸ
₁が大きくなりすぎると書き込み、消去の際、トラッキ
ングサーボがかかりにくくなるという弊害もある。従っ
て、２．０（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）は０．２（μｍ）〜２．
０（μｍ）でなければならない。Ｇがｈ／１０以下であ
るとトラッキングサーボがかかりにくい。またＧがｈ以
上に厚くなってくると製膜時に図４で示されるＸ₂の部
分に膜が形成されにくく、膜の均一性が保てない可能性
がある。ｈが０．０２（μｍ）以下であると、書き込み
照射条件と消去照射条件とでレーザーの照射による温度
差がつきにくく、オーバーライトは確実に行えない。ｈ
が０．５（μｍ）を越えると通常のレーザー照射条件で
は書き込み、消去に充分なだけ膜の温度が上昇しなくな
る。グルーブの底への傾斜が負（０＞Ｘ₂／Ｇ）である
と、製膜時に図４で示されるＸ₂の部分に膜が形成され
ない。そのため０≦Ｘ₂／Ｇでなくてはならない。

【００３２】以上のように基板に形成されるガイドトラ
ックの形状が（ｉ）〜（ｖ）の条件を満たしていれば、
磁区Ａにかかる反磁界は上記組成のＴＭリッチ膜で上記
光磁気記録方法を実施するうえで、適当な大きさとなり
確実にオーバーラトができるようになる。

【００３３】次に、請求項２の説明について説明する。
上記化１で表される非晶質合金膜からなり、化１のｘ，
ｙ，ｚが上記の（ａ）〜（ｃ）のいずれかを満足する場
合、該合金膜はＴＭリッチ膜となり、そのため記録、消
去位置にかかる反磁界Ｈdが大きくなり、消去困難とな
るためオーバーライトの安定性がゆらぐことになる。そ
こで安定にオーバーライトを行うには、大きな反磁界を
打ち消すように外部磁界を印加することが必要となる。

【００３４】請求項２の発明ではガイドトラックを特定
形状とすることで反磁界の大きさを調整し、外部磁界を
印加しない、あるいは小さな外部磁界で安定にオーバー
ライトができるようにしたものである。

【００３５】即ち、その構成上の特徴は、図４及び図５
に示すように、垂直磁化膜１を担持する基板２に形成さ
れるガイドトラックが、断面略台形状のランド３と断面
略逆台形状のグルーブ４を形成し、かつ、下記の（vi）
〜（xi）の条件を満足するような形状とした点にある。 （vi）（Ｘ₂＋２．０Ｘ₃）Ｇ≧０．１１（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ
₃）×２．０ｈ （vii）０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦
２．０（μｍ） （viii）ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ （ix）０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） （x）０＜Ｒ＜Ｘ₁ （xi）０≦Ｘ₂／Ｇ 但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１／
２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端までの
水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、Ｒ
は当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、ｈ
は垂直磁化膜の膜厚である。

【００３６】上記組成のようなＴＭリッチ膜を使用する
と、記録温度での磁化がかなり大きく、そのためレーザ
ー照射位置にかかる反磁界Ｈdが大きくなりすぎるため
消去困難となる。光磁気記録媒体として上記組成のＴＭ
リッチ膜を使う場合、ガイドトラックは、反磁界がなる
べく小さくなるような形状にすべきである。

【００３７】先ず、上記（vi）の条件について説明す
る。図１０は、ガイドトラックの形成されている基板２
上にＴＭリッチ垂直磁化膜１を設けた光磁気記録媒体の
一例であり、断面図でのグルーブの面積Ｓ′（＝（Ｘ₂
＋２Ｘ₃）Ｇ）が、ワンピッチの膜全体の面積Ｓ（＝
（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）２ｈ）の１１％以下（Ｓ′＝０．０
５Ｓ）の場合である。このとき記録磁区Ａ付近の磁化Ｍ
sと反磁界Ｈdの大きさを図１１に示す。ここではＳ′が
小さいため、記録磁区Ａにかかる反磁界ＨdはＴＭリッ
チ膜で上記光磁気記録方法を実施するうえでは大きす
ぎ、消去困難となるためオーバーライトは不安定とな
る。一方、図１２ではＳ′がＳの１１％より大きくなっ
ている場合（Ｓ′＝０．３Ｓ）である。ここではＳ′が
大きいため記録磁区Ａにかかる反磁界Ｈdは図１３に示
すように小さくなり、ＴＭリッチ膜で上記光磁気記録方
法を実施するうえで適当な大きさとなり、確実にオーバ
ーライトができる。

【００３８】（vii）、（viii）、（ix）、（xi）の条
件については前述の（ii）、（iii）、（iv）、（ｖ）
と同様の理由により設定される。

【００３９】（x）については以下のように説明され
る。Ｘ₁≦Ｒの場合には記録磁区がランドからはみ出
す。ランド端からグルーブの底への段差の部分では磁界
エネルギーの不連続による磁区のピニングが起り易い。
そのため、本発明で解決しようとしている反磁界の問題
とは別の理由で消し残りが生じることになる。

【００４０】以上のように基板に形成されるガイドトラ
ックの形状が（vi）〜（xi）の条件を満たしていれば、
磁区Ａにかかる反磁界は上記組成のＴＭリッチ膜で上記
光磁気記録方法を実施するうえで適当な大きさとなり、
確実にオーバーライトができるようになる。

【００４１】次に、請求項３の発明について説明する。
上記化１で表される非晶質合金膜からなり、化１のｘ，
ｙ，ｚが下記の（ｄ）〜（ｇ）のいずれかを満足する場
合、該合金膜はＲＥリッチ膜となり、そのため記録、消
去位置にかかる反磁界Ｈdが小さくなり、記録困難とな
るためオーバーライトの安定性がゆらぐことになる。そ
こで安定にオーバーライトを行うには、反磁界を助ける
ように外部磁界を印加することが必要となる。

【００４２】請求項３の発明ではガイドトラックを特定
形状とすることで反磁界の大きさを調整し、外部磁界を
印加しない、あるいは小さな外部磁界で安定にオーバー
ライトができるようにしたものである。

【化１】 （ｄ）ｘ＝０，０．２４≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２ （ｂ）０＜ｘ≦０．２，０．２４５≦ｙ≦０．３，０≦
ｚ≦０．２ （ｃ）０．２≦ｘ≦０．３，０．２６≦ｙ≦０．３，０
≦ｚ≦０．２ （ｄ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２４５≦ｙ≦０．
３，０≦ｚ≦０．２

【００４３】即ち、その構成上の特徴は、図４及び図５
に示すように、垂直磁化膜１を担持する基板２を形成さ
れるガイドトラックが、断面略台形状のランド３と断面
略逆台形状のグルーブ４を形成し、かつ下記の（１）〜
（５）の条件を満足するような形状とした点にある。 （１）Ｘ₁−Ｒ≧０．０５（μｍ） （２）０．２（μｍ）≦０．２×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦
２．０（μｍ） （３）ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ （４）０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） （５）０≦Ｘ₂／Ｇ 但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１／
２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端までの
水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、Ｒ
は当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、ｈ
は垂直磁化膜の膜厚である。

【００４４】上記組成のようなＲＥリッチ膜を使用する
と、記録温度での磁化が小さくなりそのためレーザー照
射位置にかかる反磁界Ｈdが小さくなる。また同時に膜
の保磁力も大きくなるので記録困難となる。光磁気記録
媒体として上記組成のようなＲＥリッチ膜を使う場合、
ガイドトラックは、反磁界がなるべく大きくなるような
形状にすべきである。

【００４５】先ず、上記（１）の条件について説明す
る。図１４はガイドトラックの形成されている基板２に
ＲＥリッチ垂直磁化膜１を設けた光磁気記録媒体の一例
であり、Ｘ₁−Ｒ≧０．０５（μｍ）となっているもの
である。このときの記録磁区Ａ付近の磁界Ｍsと反磁界
Ｈdの大きさを図１５に示す。ここではランド３の端と
記録磁区Ａとの相対的な距離Ｘ₁−Ｒが小さいため、Ｒ
Ｅリッチ膜で上記光磁気記録方式を実施するには記録磁
区にかかる反磁界が小さすぎ、記録困難となるためオー
バーライトが不安定となる。一方、図１６はトラック形
状がＸ₁−Ｒ≧０．０５（μｍ）となっている光磁気記
録媒体である。この場合は記録磁区Ａにかかる反磁界Ｈ
dは図１７のように大きくなり、ＲＥリッチ膜で上記光
磁気記録方式を実施する上で適当な大きさとなり、確実
にオーバーライトができる。なお、図１４と図１６を比
べるとＸ₁は一定としてＲを変化させているが、（１）
の条件とするためにはＸ₁とＲの両方どちらを調整して
もよい。

【００４６】（２）、（３）、（４）、（５）の条件に
ついては前述の（ii）、（iii）、（iv）、（ｖ）と同
様の理由により設定される。

【００４７】以上のように基板に形成されるガイドトラ
ックの形状が（１）〜（５）の条件を満たしていれば、
磁区Ａにかかる反磁界は上記組成のＲＥリッチ膜で上記
光磁気記録方法を実施するうえで、適当な大きさとなり
確実にオーバーライトができるようになる。

【００４８】次に、請求項４の発明について説明する。
上記化１で表される非晶質合金膜からなり、化１のｘ，
ｙ，ｚが上記（ｄ）〜（ｇ）のいずれかを満足する場
合、該合金膜はＲＥリッチ膜となり、そのため記録、消
去位置にかかる反磁界Ｈdが小さくなり、記録困難とな
るためオーバーライトの安定性がゆらぐことになる。そ
こで安定にオーバーライトを行うには、反磁界を助ける
ように外部磁界を印加することが必要となる。

【００４９】請求項４の発明ではガイドトラックを特定
形状とすることで反磁界の大きさを調整し、外部磁界を
印加しない、あるいは小さな外部磁界で安定にオーバー
ライトができるようにしたものである。

【００５０】即ち、その構成上の特徴は、図４及び図５
に示すように、垂直磁化膜１を担持する基板２に形成さ
れるガイドトラックが、断面略台形状のランド３と断面
略逆台形状のグルーブ４を形成し、かつ下記の（６）〜
（１１）の条件を満足するような形状とした点にある。 （６）０＜（Ｘ₂＋２．０Ｘ₃）Ｇ≦０．１１（Ｘ₁＋Ｘ₂
＋Ｘ₃）×２．０ｈ （７）０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦
２．０（μｍ） （８）ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ （９）０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） （１０）０＜Ｒ＜Ｘ₁ （１１）０≦Ｘ₂／Ｇ 但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１／
２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端までの
水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、Ｒ
は当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、ｈ
は垂直磁化膜の膜厚である。

【００５１】上記組成のようなＲＥリッチ膜を使用する
と、記録温度での磁化が小さくなりそのためレーザー照
射位置にかかる反磁界Ｈdが小さくなる。また同時に膜
の保磁力も大きくなるので記録困難となる。光磁気記録
媒体として上記組成のようなＲＥリッチ膜を使う場合、
ガイドトラックは、反磁界がなるべく大きくなるような
形状にすべきである。

【００５２】先ず、上記（６）の条件について説明す
る。図１８はガイドトラックの形成されている基板２に
ＲＥリッチ垂直磁化膜１を設けた光磁気記録媒体の一例
であり、断面図でのグルーブの面積Ｓ′（＝（Ｘ₂＋２
Ｘ₃）Ｇ）が、ワンピッチの膜全体の面積Ｓ（＝（Ｘ₁＋
Ｘ₂＋Ｘ₃）２ｈ）の１１％より大きい（Ｓ′＝０．０３
Ｓ）の場合である。このとき記録磁区Ａ付近の磁化Ｍs
と反磁界Ｈdの大きさを図１９に示す。ここではＳ′が
大きいため、記録磁区Ａにかかる反磁界ＨdはＲＥリッ
チ膜で上記光磁気記録方法を実施するうえでは小さすぎ
記録困難となるため、オーバーライトは不安定となる。
一方、図２０ではＳ′がＳの１１％以下になっている場
合（Ｓ′＝０．０５Ｓ）である。ここではＳ′が小さい
ため記録磁区Ａにかかる反磁界Ｈdは図２１に示すよう
に大きくなり、ＲＥＭリッチ膜で上記光磁気記録方法を
実施するうえで適当な大きさとなり、確実にオーバーラ
イトができる。

【００５３】（７）、（８）、（９）、（１１）の条件
については前述の（２）、（３）、（４）、（５）と同
様の理由により設定される。

【００５４】（１０）については以下のように説明され
る。Ｘ₁≦Ｒの場合には記録磁区がランドからはみ出
す。ランド端からグルーブの底への段差の部分では磁壁
エネルギーの不連続による磁区のピニングが起り易い。
そのため、本発明で解決しようとしている反磁界の問題
とは別の理由で消し残りが生じることになる。

【００５５】以上のように基板に形成されるガイドトラ
ックの形状が（６）〜（１１）の条件を満たしていれ
ば、磁区Ａにかかる反磁界は上記組成のＲＥリッチ膜で
上記光磁気記録方法を実施するうえで、適当な大きさと
なり確実オーバーライトができるようになる。

【００５６】

【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。

【００５７】実施例１、２及び比較例１ 記録層として（Ｔｂ₀.₈₇₅Ｄｙ₀.₁₂₅）₀.₂₃（Ｆｅ₀.₉Ｃ
ｏ₀.₁）₀.₇₇膜を用いるとともに、基板に形成されるガ
イドトラックの形状（Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｇ）を表２に示
すように様々に変えて上記光磁気記録方式でオーバーラ
イト特性を評価した。その結果を表２に併せて示す。膜
厚ｈは全て０．２（μｍ）、ピッチは１．６（μｍ）と
した。

【００５８】以上のオーバーライト実験の結果、一般式
化１（ａ）〜（ｃ）の条件及び（i）〜（ｖ）の条件の
全てを満たしている実施例１の記録媒体ではオーバーラ
イトが可能であった。一方（i）〜（ｖ）のいずれかを
満足しない比較例１の記録媒体ではオーバーライトは不
可能であった。また、表２に上げられた以外にも様々な
ガイドトラック形状の基板上の様々な組成のＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜についてオーバーライト評価を行った結果、一
般式化１（ａ）〜（ｃ）の条件及び（i）〜（ｖ）の条
件を全て満たしている記録媒体についてはオーバーライ
トが可能であったが、それ以外のものはオーバーライト
が不可能であるか、１００（Ｏｅ）以上の大きな外部磁
界を必要とした。また以上のオーバーライト実験の結
果、一般式化１（ａ）〜（ｃ）の条件及び（vi）〜（x
i）の条件の全てを満たしている実施例２の記録媒体で
はオーバーライトが可能であった。一方（vi）〜（xi）
のいずれかを満足しない比較例１の記録媒体ではオーバ
ーライトは不可能であった。また、表２に挙げられた以
外にも様々なガイドトラック形状の基板上の様々な組成
のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜についてオーバーライト評価を行
った結果、一般式化１（ａ）〜（ｃ）の条件及び（vi）
〜（xi）条件を全て満たしている記録媒体についてはオ
ーバーライトが可能であったが、それ以外のものはオー
バーライトが不可能であるか、１００（Ｏｅ）以上の大
きな外部磁界を必要とした。

【００５９】

【表２】

【００６０】実施例３、４及び比較例２ 記録層として（Ｔｂ₀.₇₅Ｄｙ₀.₂₅）₀.₂₇（Ｆｅ₀.₉Ｃ
ｏ₀.₁）₀.₇₃膜を用いるとともに、基板に形成されるガ
イドトラックの形状（Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｇ）を表３に示
すように様々に変えて上記光磁気記録称方式でオーバー
ライト特性を評価した。その結果を表３に併せて示す。
膜厚ｈは全て０．２（μｍ）、ピッチは１．６（μｍ）
とした。

【００６１】以上のオーバーライト実験の結果、一般式
化１（ｄ）〜（ｇ）の条件及び（１）〜（５）の条件の
全てを満たしている実施例３の記録媒体ではオーバーラ
イトが可能であった。一方（１）〜（５）のいずれかを
満足しない比較例２の記録媒体ではオーバーライトは不
可能であった。また、表３に挙げられた以外にも様々な
ガイドトラック形状の基板上の様々な組成のＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜についてオーバーライト評価を行った結果、一
般式化１（ｄ）〜（ｇ）の条件及び（１）〜（５）の条
件を全て満たしている記録媒体についてはオーバーライ
トが可能であったが、それ以外のものはオーバーライト
が不可能であるか、−１００（Ｏｅ）以上の大きな外部
磁界を必要とした。また以上のオーバーライト実験の結
果、一般式化１（ｄ）〜（ｇ）の条件及び（６）〜（１
１）の条件の全てを満たしている実施例４の記録媒体で
はオーバーライトが可能であった。一方（６）〜（１
１）のいずれかを満足しない比較例２の記録媒体ではオ
ーバーライトは不可能であった。また、表３に挙げられ
た以外にも様々なガイドトラック形状の基板上の様々な
組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜についてオーバーライト評価
を行った結果、一般式化１（ｄ）〜（ｇ）の条件及び
（６）〜（１１）の条件を全て満たしている記録媒体に
ついてはオーバーライトが可能であったが、それ以外の
ものはオーバーライトが不可能であるか、−１００（Ｏ
ｅ）以上の大きな外部磁界を必要とした。

【００６２】

【表３】

【００６３】

【発明の効果】請求項１〜４の発明によれば、基板のガ
イドトラックの形状を、垂直磁化膜の組成ごとに前記の
ごとく規定したので、垂直磁化膜に用いる磁性材料の組
成が前記のごとくＴＭリッチ、あるいはＲＥリッチ側に
ずれることによって、レーザー照射位置にかかる反磁界
Ｈdの値が変化しても、大きな外部磁界を印加すること
なく安定してオーバーライトが行えるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】希土類金属−遷移金属非晶質合金の磁気温度特
性を示す図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体に適用される光磁気記
録方式におけるレーザー照射条件の説明図である。

【図３】オーバーライト実験の結果を示す図である。

【図４】本発明による光磁気記録媒体の断面形状を示す
図である。

【図５】本発明による光磁気記録媒体の断面形状及びガ
イドトラックを示す斜視断面図である。

【図６】Ｘ₁−Ｒに係る条件の説明図である。

【図７】図６の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの大き
さを示す図である。

【図８】Ｘ₁−Ｒに係る条件の説明図である。

【図９】図８の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの大き
さを示す図である。

【図１０】Ｓ′に係る条件の説明図である。

【図１１】図９の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの大
きさを示す図である。

【図１２】Ｓ′に係る条件の説明図である。

【図１３】図１２の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの
大きさを示す図である。

【図１４】グルーブの深さに係る条件の説明図である。

【図１５】図１４の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの
大きさを示す図である。

【図１６】グルーブの深さに係る条件の説明図である。

【図１７】図１６の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの
大きさを示す図である。

【図１８】ランドからグルーブの底への傾斜に係る条件
の説明図である。

【図１９】図１８の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの
大きさを示す図である。

【図２０】ランドからグルーブの底への傾斜に係る条件
の説明図である。

【図２１】図２０の場合の磁化Ｍｓ及び反磁界−Ｈｄの
大きさを示す図である。

【図２２】記録ビット端の説明図である。

【符号の説明】

１ 垂直磁化膜 ２ 基板 ３ ランド ４ グルーブ Ａ 記録磁区

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 元治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 野々山 治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガイドトラックが形成された基板上に単
   層の垂直磁化膜を設けてなり、一定外部磁界のもとで磁
   区の形成、消去を制御することによりオーバーライト可
   能な光磁気記録を行う光磁気記録方式であって、磁区形
   成時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを光磁気
   記録媒体に対し所望の長さの磁区となるまで数回にわた
   り連続的に照射し、磁区消去時には強度Ｐｗ₀、時間τ₀
   のパルスレーザーを消去磁区が所望の長さとなるまで数
   回にわたり連続的に照射し、その際Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及びτ
   ₀、τ₁がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐｗ₀・τ₀なる関係
   を満足するように照射を行う光磁気記録方式に使用され
   る光磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜が下記一般
   式化１で表わされる非晶質合金膜からなり、下記一般式
   化１のｘ，ｙ，ｚが（ａ）ｘ＝０，０．２≦ｙ≦０．２
   ２，０≦ｚ≦０．２、（ｂ）０＜ｘ≦０．３，０．２≦
   ｙ≦０．２４，０≦ｚ≦０．２、（ｃ）０．３≦ｘ≦
   ０．４５，０．２≦ｙ≦０．２３，０≦ｚ≦０．２のい
   ずれかを満足し、前記ガイドトラックが断面略台形状の
   ランドと断面略逆台形状のグルーブを形成し、かつ前記
   ガイドトラックが、 ０＜Ｘ₁−Ｒ≦０．０５（μｍ） ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
   （μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
   ／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
   の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
   Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
   ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】
2. 【請求項２】 ガイドトラックが形成された基板上に単
   層の垂直磁化膜を設けてなり、一定外部磁界のもとで磁
   区形成、消去を制御することによりオーバーライト可能
   な光磁気記録を行う光磁気記録方式であって、磁区形成
   時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを光磁気記
   録媒体に対し所望の長さの磁区となるまで数回にわたり
   連続的に照射し、磁区消去時には強度Ｐｗ₁、時間τ₀の
   パルスレーザーを消去磁区が所望の長さとなるまで数回
   にわたり連続的に照射し、その際Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及び
   τ₁、τ₀がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐｗ₀・τ₀なる関
   係を満足するように照射を行う光磁気記録方式に使用さ
   れる光磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜が下記一
   般式化１で表される非晶質合金膜からなり、下記一般式
   化１のｘ，ｙ，ｚが（ａ）ｘ＝０，０．２≦ｙ≦０．２
   ２，０≦ｚ≦０．２、（ｂ）０＜ｘ≦０．３，０．２≦
   ｙ≦０．２４，０≦ｚ≦０．２、（ｃ）０．３≦ｘ≦
   ０．４５，０．２≦ｙ≦０．２３，０≦ｚ≦０．２のい
   ずれかを満足し、前記ガイドトラックが断面略台形状の
   ランドと断面略逆台形状のグルーブを形成し、かつ前記
   ガイドトラックが、 （Ｘ₂＋２．０Ｘ₃）Ｇ≧０．１１（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）×
   ２．０ｈ ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
   （μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０＜Ｒ＜Ｘ₁ ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
   ／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
   の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
   Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
   ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】
3. 【請求項３】 ガイドトラックが形成された基板上に単
   層の垂直磁化膜を設けてなり、一定外部磁界のもとで磁
   区形成、消去を制御することによりオーバーライト可能
   な光磁気記録を行う光磁気記録方式であって、磁区形成
   時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを光磁気記
   録媒体に対し所望の長さの磁区となるまで数回にわたり
   連続的に照射し、磁区消去時には強度Ｐｗ₀、時間τ₀の
   パルスレーザーを消去磁区が所望の長さとなるまで数回
   にわたり連続的に照射し、その際Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及び
   τ₁、τ₀がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐｗ₀・τ₀なる関
   係を満足するように照射を行う光磁気記録方式に使用さ
   れる光磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜が下記一
   般式化１で表される非晶質合金膜からなり、下記一般式
   化１のｘ，ｙ，ｚが（ｄ）ｘ＝０，０．２４≦ｙ≦０．
   ３，０≦ｚ≦０．２、（ｅ）０＜ｘ≦０．２，０．２４
   ５≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、（ｆ）０．２≦ｘ≦
   ０．３，０．２６≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、
   （ｇ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２４５≦ｙ≦０．
   ３，０≦ｚ≦０．２のいずれかを満足し、前記ガイドト
   ラックが断面略台形状のランドと断面略逆台形状のグル
   ーブを形成し、かつ前記ガイドトラックが、 Ｘ₁−Ｒ≧０．０５（μｍ） ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
   （μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
   ／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
   の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
   Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
   ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】
4. 【請求項４】 ガイドトラックが形成された基板上に単
   層の垂直磁化膜を設けてなり、一定外部磁界のもとで磁
   区形成、消去を制御することによりオーバーライト可能
   な光磁気記録を行う光磁気記録方式であって、磁区形成
   時には強度Ｐｗ₁、時間τ₁のパルスレーザーを光磁気記
   録媒体に対し所望の長さの磁区となるまで数回にわたり
   連続的に照射し、磁区消去時には強度Ｐｗ₀、時間τ₀の
   パルスレーザーを消去磁区が所望の長さとなるまで数回
   にわたり連続的に照射し、その際Ｐｗ₁、Ｐｗ₀及び
   τ₁、τ₀がτ₁≧τ₀及びＰｗ₁・τ₁＞Ｐｗ₀・τ₀なる関
   係を満足するように照射を行う光磁気記録方式に使用さ
   れる光磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜が下記一
   般式化１で表される非晶質合金膜からなり、下記一般式
   化１のｘ，ｙ，ｚが（ｄ）ｘ＝０，０．２４≦ｙ≦０．
   ３，０≦ｚ≦０．２、（ｅ）０＜ｘ≦０．２，０．２４
   ５≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、（ｆ）０．２≦ｘ≦
   ０．３，０．２６≦ｙ≦０．３，０≦ｚ≦０．２、
   （ｇ）０．３≦ｘ≦０．４５，０．２４５≦ｙ≦０．
   ３，０≦ｚ≦０．２のいずれかを満足し、前記ガイドト
   ラックが断面略台形状のランドと断面略逆台形状のグル
   ーブを形成し、かつ前記ガイドトラックが、 ０＜（Ｘ₂＋２．０Ｘ₃）Ｇ≦０．１１（Ｘ₁＋Ｘ₂＋
   Ｘ₃）×２．０ｈ ０．２（μｍ）≦２．０×（Ｘ₁＋Ｘ₂＋Ｘ₃）≦２．０
   （μｍ） ｈ／１０＜Ｇ＜ｈ ０．０２（μｍ）＜ｈ＜０．５（μｍ） ０＜Ｒ＜Ｘ₁ ０≦Ｘ₂／Ｇ （但し、式中Ｇはグルーブの深さ、Ｘ₁はランド幅の１
   ／２、Ｘ₂はランドの端から隣接するグルーブの端まで
   の水平方向の距離、Ｘ₃はグルーブの底の幅の１／２、
   Ｒは当該光磁気記録媒体に記録されるべき磁区の半径、
   ｈは垂直磁化膜の膜厚である）なる条件を満足すること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】