JPH05308204A - ストリップラインフィルタの減衰極調整法 - Google Patents
ストリップラインフィルタの減衰極調整法Info
- Publication number
- JPH05308204A JPH05308204A JP13986592A JP13986592A JPH05308204A JP H05308204 A JPH05308204 A JP H05308204A JP 13986592 A JP13986592 A JP 13986592A JP 13986592 A JP13986592 A JP 13986592A JP H05308204 A JPH05308204 A JP H05308204A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 減衰域の低域部分と高域部分に減衰極を生じ
るストリップラインフィルタにおいて、両減衰極の間隔
を後発的に調整することができるようにする。 【構成】 誘電体基板１ａの積層面９の両側縁に、帯状
共振導体２と並行に内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを形成
し、該内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを部分的に削除する
ことによって、減衰域の低域部分と高域部分に生ずる両
減衰極の間隔を調整する。
るストリップラインフィルタにおいて、両減衰極の間隔
を後発的に調整することができるようにする。 【構成】 誘電体基板１ａの積層面９の両側縁に、帯状
共振導体２と並行に内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを形成
し、該内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを部分的に削除する
ことによって、減衰域の低域部分と高域部分に生ずる両
減衰極の間隔を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通過帯域の両側におい
て減衰極を生じるストリップラインフィルタの減衰極調
整法に関する。
て減衰極を生じるストリップラインフィルタの減衰極調
整法に関する。
【０００２】
【従来の技術】受信機などに用いられるストリップライ
ンフィルタは、急峻な選択度特性（shape factorのよい
特性）を有することが要求される。この要求に対処する
手段の一つとして、通過帯域の両側に減衰極を生じさせ
ることにより、急峻な選択度特性を得るようにしたスト
リップラインフィルタがある。
ンフィルタは、急峻な選択度特性（shape factorのよい
特性）を有することが要求される。この要求に対処する
手段の一つとして、通過帯域の両側に減衰極を生じさせ
ることにより、急峻な選択度特性を得るようにしたスト
リップラインフィルタがある。
【０００３】この種のストリップラインフィルタは、図
１１に示すように、誘電体基板ａの表面に所要の共振周
波数に応じた長さを有する複数の帯域内共振導体ｂを配
設するとともに、該帯域内共振導体ｂの外側に夫々少な
くとも一つの帯域外共振導体ｃを配設することによっ
て、図１２に示すように通過帯域に対し低域部分あるい
は高域部分に減衰極Ａ，Ｂを生じさせるようにしてい
る。
１１に示すように、誘電体基板ａの表面に所要の共振周
波数に応じた長さを有する複数の帯域内共振導体ｂを配
設するとともに、該帯域内共振導体ｂの外側に夫々少な
くとも一つの帯域外共振導体ｃを配設することによっ
て、図１２に示すように通過帯域に対し低域部分あるい
は高域部分に減衰極Ａ，Ｂを生じさせるようにしてい
る。
【０００４】また、図１３（実公昭６０−７５２５号公
報参照）に示すように、誘電体基板ａの表面に複数の共
振導体ｄを配設するとともに、該共振導体ｄのうち異な
る共振導体ｄ’間に亘って結合導体ｅを配設し、該結合
導体ｅを介して前記両共振導体ｄ’間を磁気結合若しく
は静電結合させることにより、上記と同様に図１２に示
すような減衰極Ａ，Ｂを生じさせるようにしたものもあ
る。
報参照）に示すように、誘電体基板ａの表面に複数の共
振導体ｄを配設するとともに、該共振導体ｄのうち異な
る共振導体ｄ’間に亘って結合導体ｅを配設し、該結合
導体ｅを介して前記両共振導体ｄ’間を磁気結合若しく
は静電結合させることにより、上記と同様に図１２に示
すような減衰極Ａ，Ｂを生じさせるようにしたものもあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように誘電体基
板ａに配設される所定の導体パターンは、スクリーン印
刷などの印刷手段により形成されるものであり、減衰極
Ａ，Ｂの間隔Ｃ（図１２参照）が所定値となるように予
め設定されているため、印刷後において該間隔Ｃを後発
的に調整することができないという欠点がある。
板ａに配設される所定の導体パターンは、スクリーン印
刷などの印刷手段により形成されるものであり、減衰極
Ａ，Ｂの間隔Ｃ（図１２参照）が所定値となるように予
め設定されているため、印刷後において該間隔Ｃを後発
的に調整することができないという欠点がある。
【０００６】また、誘電体基板ａ上に帯域外共振導体ｃ
や結合導体ｅを配設するスペースが必要であるため、そ
れだけ寸法が大きくなる欠点がある。
や結合導体ｅを配設するスペースが必要であるため、そ
れだけ寸法が大きくなる欠点がある。
【０００７】本発明は、後発的に減衰極の深度及び間隔
を調整可能とし、且つ、小型化したストリップラインフ
ィルタの提供を目的とするものである。
を調整可能とし、且つ、小型化したストリップラインフ
ィルタの提供を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、外表面と側面
に外部シールド導体が形成された一対の誘電体基板の積
層面に、複数の帯状共振導体からなる所定導体パターン
を配設し、該所定導体パターンの各帯状共振導体の一端
を前記側面の外部シールド導体に接続したストリップラ
インフィルタにおいて、積層面の両側縁に側面の外部シ
ールド導体と接続された内部シールド導体を前記帯状共
振導体と平行に形成し、該内部シールド導体を部分的に
削除することによって通過帯或の両側に生ずる低域減衰
極と高域減衰極の深度及び両減衰極の間隔を調整するこ
とを特徴とするものである。
に外部シールド導体が形成された一対の誘電体基板の積
層面に、複数の帯状共振導体からなる所定導体パターン
を配設し、該所定導体パターンの各帯状共振導体の一端
を前記側面の外部シールド導体に接続したストリップラ
インフィルタにおいて、積層面の両側縁に側面の外部シ
ールド導体と接続された内部シールド導体を前記帯状共
振導体と平行に形成し、該内部シールド導体を部分的に
削除することによって通過帯或の両側に生ずる低域減衰
極と高域減衰極の深度及び両減衰極の間隔を調整するこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】積層面の両側縁に形成された内部シールド導体
を部分的に削除することにより通過帯或の両側に減衰極
が生じ、該シールド導体の削除量を増やすほど両減衰極
の間隔が狭くなり、かつ深度が大きくなることが見出さ
れた。そこで、内部シールド導体の削除量を加減するこ
とによって任意の周波数に減衰極を移動させたり、その
深さを変えることが可能となり、所定周波数の通過帯域
波形を後発的に調整することが可能となる。
を部分的に削除することにより通過帯或の両側に減衰極
が生じ、該シールド導体の削除量を増やすほど両減衰極
の間隔が狭くなり、かつ深度が大きくなることが見出さ
れた。そこで、内部シールド導体の削除量を加減するこ
とによって任意の周波数に減衰極を移動させたり、その
深さを変えることが可能となり、所定周波数の通過帯域
波形を後発的に調整することが可能となる。
【００１０】
【実施例】添付図面について、本発明の一実施例を説明
する。本発明に係るストリップラインフィルタは、図１
及び図２に示すように、上下に積層して一体化される一
対の誘電体基板１ａ，１ｂからなる。各誘電体基板１
ａ，１ｂは矩形をなす誘電体セラミックからなり、その
外表面及び側面には外部シールド導体５ａ，５ｂが夫々
形成される。一方の誘電体基板１ａの積層面９（両誘電
体基板１ａ，１ｂを積層した状態における内表面）には
所定の共振周波数に応じた長さを有する複数の帯状共振
導体２が形成され、各帯状共振導体２の一端は前記側面
の外部シールド導体５ａに接続される。また、この各帯
状共振導体２からなる所定導体パターンの両最外位置の
帯状共振導体２から側面側へそれぞれ入出力用導電枝
７，７が延成される。
する。本発明に係るストリップラインフィルタは、図１
及び図２に示すように、上下に積層して一体化される一
対の誘電体基板１ａ，１ｂからなる。各誘電体基板１
ａ，１ｂは矩形をなす誘電体セラミックからなり、その
外表面及び側面には外部シールド導体５ａ，５ｂが夫々
形成される。一方の誘電体基板１ａの積層面９（両誘電
体基板１ａ，１ｂを積層した状態における内表面）には
所定の共振周波数に応じた長さを有する複数の帯状共振
導体２が形成され、各帯状共振導体２の一端は前記側面
の外部シールド導体５ａに接続される。また、この各帯
状共振導体２からなる所定導体パターンの両最外位置の
帯状共振導体２から側面側へそれぞれ入出力用導電枝
７，７が延成される。
【００１１】また、誘電体基板１ａの積層面９には、前
記帯状共振導体２と平行な両側縁に沿って内部シールド
導体８Ｒ，８Ｌが形成される。該内部シールド導体８
Ｒ，８Ｌは前記入出力用導電枝７，７の延成部分を除い
て配設され、その外側縁は前記側面の外部シールド導体
５ａに夫々接続される。
記帯状共振導体２と平行な両側縁に沿って内部シールド
導体８Ｒ，８Ｌが形成される。該内部シールド導体８
Ｒ，８Ｌは前記入出力用導電枝７，７の延成部分を除い
て配設され、その外側縁は前記側面の外部シールド導体
５ａに夫々接続される。
【００１２】誘電体基板１ａの外表面には、前記入出力
用導電枝７，７に表裏で対応する位置に入出力端子３，
３が設けられ、また、その側面には該入出力端子３，３
に対応させて接続路１０，１０が設けられる。該接続路
１０，１０と入出力端子３，３はその周囲を囲繞する絶
縁部４，４により外部シールド導体５ａと電気的に離隔
されている。そして前記帯状共振導体２に入出力用導電
枝７，７及び接続路１０，１０を介して入出力端子３，
３を接続させ、該入出力端子３，３によって外部電路と
の電気的接続を可能としている。
用導電枝７，７に表裏で対応する位置に入出力端子３，
３が設けられ、また、その側面には該入出力端子３，３
に対応させて接続路１０，１０が設けられる。該接続路
１０，１０と入出力端子３，３はその周囲を囲繞する絶
縁部４，４により外部シールド導体５ａと電気的に離隔
されている。そして前記帯状共振導体２に入出力用導電
枝７，７及び接続路１０，１０を介して入出力端子３，
３を接続させ、該入出力端子３，３によって外部電路と
の電気的接続を可能としている。
【００１３】また、前記誘電体基板１ａ，１ｂのうち、
他方の誘電体基板１ｂの積層面９には、上述した誘電体
基板１ａの各帯状共振導体２からなる所定導体パターン
及び内部シールド導体８Ｒ，８Ｌと鏡像関係となる所定
導体パターンと内部シールド導体が夫々形成され、積層
状態で互いに密着するようにしている。また、誘電体基
板１ｂの側面には、前記絶縁部４，４に対応させて絶縁
部６，６が形成され、該絶縁部６，６によって入出力用
導電枝７，７と外部シールド導体５ｂとの絶縁を確保し
ている。尚、誘電体基板１ｂの積層面９の前記所定パタ
ーを省略し、誘電体基板１ａの各帯状共振導体２からな
る所定導体パターンと内部シールド導体８Ｒ，８Ｌのみ
で、所要の濾波作用を生じさせるようにしても良い。
他方の誘電体基板１ｂの積層面９には、上述した誘電体
基板１ａの各帯状共振導体２からなる所定導体パターン
及び内部シールド導体８Ｒ，８Ｌと鏡像関係となる所定
導体パターンと内部シールド導体が夫々形成され、積層
状態で互いに密着するようにしている。また、誘電体基
板１ｂの側面には、前記絶縁部４，４に対応させて絶縁
部６，６が形成され、該絶縁部６，６によって入出力用
導電枝７，７と外部シールド導体５ｂとの絶縁を確保し
ている。尚、誘電体基板１ｂの積層面９の前記所定パタ
ーを省略し、誘電体基板１ａの各帯状共振導体２からな
る所定導体パターンと内部シールド導体８Ｒ，８Ｌのみ
で、所要の濾波作用を生じさせるようにしても良い。
【００１４】そして、かかる構成から成る誘電体基板１
ａ，１ｂを積層して一体化するのであるが、これに先立
ち選択度特性の調整が行なわれる。即ち、スクリーン印
刷等の手段で導電層を塗着することにより形成される各
導体にあって、内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを部分的に
削除することによって選択度特性を変化させることがで
きる。
ａ，１ｂを積層して一体化するのであるが、これに先立
ち選択度特性の調整が行なわれる。即ち、スクリーン印
刷等の手段で導電層を塗着することにより形成される各
導体にあって、内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを部分的に
削除することによって選択度特性を変化させることがで
きる。
【００１５】図３乃至図１０は本発明における内部シー
ルド導体８Ｒ，８Ｌの削除量と選択度特性の変化の関係
を表わす図であり、図３に示すように内部シールド導体
８Ｒ，８Ｌを全く削除しない場合には、図４に示すよう
に通過帯或に減衰極のない選択度特性を有するが、図５
に示すように内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを略２分の１
まで削除すると、図６に示すように通過帯或の両側の低
域部分及び高域部分に減衰極Ａ，Ｂが生じる。そして更
に内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを図７に示すように略４
分の１まで削除すると、図８に示すように、図６におけ
る減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃが次第に狭くなっていき、内部
シールド導体８Ｒ，８Ｌを図９に示すように全て削除す
ると、図１０に示すように減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃを最も
狭くすることができる。
ルド導体８Ｒ，８Ｌの削除量と選択度特性の変化の関係
を表わす図であり、図３に示すように内部シールド導体
８Ｒ，８Ｌを全く削除しない場合には、図４に示すよう
に通過帯或に減衰極のない選択度特性を有するが、図５
に示すように内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを略２分の１
まで削除すると、図６に示すように通過帯或の両側の低
域部分及び高域部分に減衰極Ａ，Ｂが生じる。そして更
に内部シールド導体８Ｒ，８Ｌを図７に示すように略４
分の１まで削除すると、図８に示すように、図６におけ
る減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃが次第に狭くなっていき、内部
シールド導体８Ｒ，８Ｌを図９に示すように全て削除す
ると、図１０に示すように減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃを最も
狭くすることができる。
【００１６】したがって、このように内部シールド導体
８Ｒ，８Ｌの削除量によって減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃ及び
深度を任意に調整することができるため、両減衰極Ａ，
Ｂを所定周波数の通過帯域に近づけて急峻な選択度特性
を得ることができる。このことは当然ながら、コムライ
ン構造のフィルタにおいても同一の作用を得る。
８Ｒ，８Ｌの削除量によって減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃ及び
深度を任意に調整することができるため、両減衰極Ａ，
Ｂを所定周波数の通過帯域に近づけて急峻な選択度特性
を得ることができる。このことは当然ながら、コムライ
ン構造のフィルタにおいても同一の作用を得る。
【００１７】尚、図９に示すように内部シールド導体８
Ｒ，８Ｌを全て削除すると、図１０に示すように減衰極
Ａ，Ｂの間隔Ｃが最も狭くなるが、該減衰極Ａ，Ｂを挟
む低域側及び高域側の通過帯域の減衰量が増加する不具
合が生じるため、図８に示すような選択度特性波形が得
られるように減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃを調整することが好
ましい。
Ｒ，８Ｌを全て削除すると、図１０に示すように減衰極
Ａ，Ｂの間隔Ｃが最も狭くなるが、該減衰極Ａ，Ｂを挟
む低域側及び高域側の通過帯域の減衰量が増加する不具
合が生じるため、図８に示すような選択度特性波形が得
られるように減衰極Ａ，Ｂの間隔Ｃを調整することが好
ましい。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上述のように、帯状共振導体と
平行な積層面の両側縁に内部シールド導体を形成し、該
内部シールド導体を部分的に削除するようにしたから、
減衰域の低域部分と高域部分に減衰極を生じさせること
ができるととともに、該内部シールド導体の削除量によ
って両減衰極の間隔及び深度を後発的に調整することが
できる。このため、所定周波数の通過帯域の波形を正確
に調整することができる優れた効果がある。
平行な積層面の両側縁に内部シールド導体を形成し、該
内部シールド導体を部分的に削除するようにしたから、
減衰域の低域部分と高域部分に減衰極を生じさせること
ができるととともに、該内部シールド導体の削除量によ
って両減衰極の間隔及び深度を後発的に調整することが
できる。このため、所定周波数の通過帯域の波形を正確
に調整することができる優れた効果がある。
【００１９】また、従来のように誘電体基板上に帯域外
共振導体や結合導体を配設するスペースを確保する必要
がないので、寸法を小型化することが可能である。
共振導体や結合導体を配設するスペースを確保する必要
がないので、寸法を小型化することが可能である。
【図１】本発明にかかるストリップラインフィルタの一
実施例を表わす分離斜視図である。
実施例を表わす分離斜視図である。
【図２】一方の誘電体基板１ａの裏面図である。
【図３】内部シールド導体を削除していない誘電体基板
の平面図である。
の平面図である。
【図４】図３における選択度特性図である。
【図５】内部シールド導体を２分の１削除した誘電体基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図６】図５における選択度特性図である。
【図７】内部シールド導体を４分の１削除した誘電体基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図８】図７における選択度特性図である。
【図９】内部シールド導体を全て削除した誘電体基板の
平面図である。
平面図である。
【図１０】図９における選択度特性図である。
【図１１】従来のストリップラインフィルタの平面図で
ある。
ある。
【図１２】従来のストリップラインフィルタの選択度特
性図である。
性図である。
【図１３】従来の他のストリップラインフィルタの平面
図である。
図である。
１ａ，１ｂ 誘電体基板 ２ 共振導体 ３ 入出力端子 ４ 絶縁部 ５ａ，５ｂ 外部シールド導体 ６ 絶縁部 ７，７ 入出力用導電枝 ８Ｒ，８Ｌ 内部シールド導体 ９ 積層面
Claims (1)
- 【請求項１】 外表面と側面に外部シールド導体が形成
された一対の誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導
体からなる所定導体パターンを配設し、該所定導体パタ
ーンの各帯状共振導体の一端を前記側面の外部シールド
導体に接続したストリップラインフィルタにおいて、 積層面の両側縁に側面の外部シールド導体と接続された
内部シールド導体を前記帯状共振導体と平行に形成し、
該内部シールド導体を部分的に削除することによって通
過帯或の両側に生ずる低域減衰極と高域減衰極の深度及
び両減衰極の間隔を調整することを特徴とするストリッ
プラインフィルタの減衰極調整法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13986592A JPH05308204A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | ストリップラインフィルタの減衰極調整法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13986592A JPH05308204A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | ストリップラインフィルタの減衰極調整法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308204A true JPH05308204A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=15255353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13986592A Pending JPH05308204A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | ストリップラインフィルタの減衰極調整法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05308204A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1329977A1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-23 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable combline filter with asymmetric response |
| EP1328039A3 (en) * | 2002-01-09 | 2004-02-25 | Broadcom Corporation | Printed bandpass filter for a double conversion tuner |
| KR101247673B1 (ko) * | 2011-06-27 | 2013-04-01 | 강인호 | 소형 λ/4 전송선로를 이용한 소형 대역 통과 필터 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP13986592A patent/JPH05308204A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1328039A3 (en) * | 2002-01-09 | 2004-02-25 | Broadcom Corporation | Printed bandpass filter for a double conversion tuner |
| US7071798B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Broadcom Corporation | Printed bandpass filter for a double conversion tuner |
| US7084720B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-08-01 | Broadcom Corporation | Printed bandpass filter for a double conversion tuner |
| US7375604B2 (en) | 2002-01-09 | 2008-05-20 | Broadcom Corporation | Compact bandpass filter for double conversion tuner |
| US7567153B2 (en) | 2002-01-09 | 2009-07-28 | Broadcom Corporation | Compact bandpass filter for double conversion tuner |
| EP1329977A1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-23 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable combline filter with asymmetric response |
| KR101247673B1 (ko) * | 2011-06-27 | 2013-04-01 | 강인호 | 소형 λ/4 전송선로를 이용한 소형 대역 통과 필터 |
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