JPH053107B2 - - Google Patents
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- JPH053107B2 JPH053107B2 JP62173897A JP17389787A JPH053107B2 JP H053107 B2 JPH053107 B2 JP H053107B2 JP 62173897 A JP62173897 A JP 62173897A JP 17389787 A JP17389787 A JP 17389787A JP H053107 B2 JPH053107 B2 JP H053107B2
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- work holder
- ion implantation
- work
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体や化合物半導体の製造或は物質
の表面改質に使用されるイオン注入装置に関す
る。
の表面改質に使用されるイオン注入装置に関す
る。
(従来の技術)
従来のこの種のイオン注入装置は、例えば第1
図示のようにイオン注入室a内にプラテンfで保
持してウエハ等のワークbを設け、その前方のイ
オンビームcの径路にフアラデーフラツグdと該
径路の側方にフアラデー箱eを設けて構成される
を一般とし、フアラデーフラツグdによりイオン
ビームcの電流測定すると共にワークbに均一に
イオン注入するためにビーム走査系を調整したの
ち該フラツグdを側方に退去させ、イオンビーム
cをワークbに照射し、その際フアラデー箱eは
ワークbに注入されるイオンのドーズ量を正確に
測定するためにワークbの表面からイオン衝撃に
より飛び出した2次電子をビーム電流測定系から
逃さないように作用する。
図示のようにイオン注入室a内にプラテンfで保
持してウエハ等のワークbを設け、その前方のイ
オンビームcの径路にフアラデーフラツグdと該
径路の側方にフアラデー箱eを設けて構成される
を一般とし、フアラデーフラツグdによりイオン
ビームcの電流測定すると共にワークbに均一に
イオン注入するためにビーム走査系を調整したの
ち該フラツグdを側方に退去させ、イオンビーム
cをワークbに照射し、その際フアラデー箱eは
ワークbに注入されるイオンのドーズ量を正確に
測定するためにワークbの表面からイオン衝撃に
より飛び出した2次電子をビーム電流測定系から
逃さないように作用する。
(発明が解決しようとする問題点)
前記のように従来のイオン注入装置はワークを
例えば−170℃から500℃の範囲で温度制御し乍ら
イオン注入処理を施す手段は備えておらず、ワー
クはイオン注入に伴なう発熱による昇温にまかさ
れており、所定温度状態でイオン注入を行なえな
い。また、従来のイオン注入装置はイオン注入室
へワークを出し入れする都度、該注入室内が外部
に開かれるので注入室内が汚染される不都合があ
り、ワーク自体も大気に曝されて汚染し易く、取
出したときにワークの温度と大気温度との間に差
があるのでワーク品質に変化を来たす欠点があ
る。
例えば−170℃から500℃の範囲で温度制御し乍ら
イオン注入処理を施す手段は備えておらず、ワー
クはイオン注入に伴なう発熱による昇温にまかさ
れており、所定温度状態でイオン注入を行なえな
い。また、従来のイオン注入装置はイオン注入室
へワークを出し入れする都度、該注入室内が外部
に開かれるので注入室内が汚染される不都合があ
り、ワーク自体も大気に曝されて汚染し易く、取
出したときにワークの温度と大気温度との間に差
があるのでワーク品質に変化を来たす欠点があ
る。
本発明はこうした従来のイオン注入装置の不都
合、欠点を解消することを目的とする。
合、欠点を解消することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明では、真空のイオン注入室内にウエハそ
の他のワークを設置し、その前面にイオンビーム
を照射してイオン注入処理を施すようにしたもの
に於て、該イオン注入室内に、ワークを取付けた
ワークホルダを保持して前後に移動自在にワーク
ホルダ移動装置を設け、該ワークホルダの背後に
該ワークホルダ移動装置の後退時に該ワークホル
ダの背面と当接する液体窒素等の低温媒体を導入
したタンクを設置し、該ワークの前方にこれを加
熱する赤外線ヒータその他の第1輻射加熱装置を
設け、該イオン注入室の外部から該イオン注入室
の透窓を介して該ワーク表面温度を測定する放射
温度計に該第1輻射加熱装置を制御すべく接続
し、更に該イオン注入室の側方に該イオン注入室
と仕切弁を介して連通し且つ真空圧と大気圧とに
制御可能なロードロツク室を設け、その内部に、
該ワークホルダを該仕切弁を介してワークホルダ
移動装置へと往復搬送するワークホルダ搬送装置
と、該ワークホルダの前方からワークを加熱する
赤外線ヒータその他の第2輻射加熱装置と、該ワ
ークホルダの背面に接離自在のワーク冷却装置並
びに該ワークをワークホルダとの間に密封する蓋
体を着脱自在に保持し且つ該ワークホルダへ該蓋
体を接離すべく移動自在の蓋体移動装置を設ける
ことにより、前記問題点を解決するようにした。
の他のワークを設置し、その前面にイオンビーム
を照射してイオン注入処理を施すようにしたもの
に於て、該イオン注入室内に、ワークを取付けた
ワークホルダを保持して前後に移動自在にワーク
ホルダ移動装置を設け、該ワークホルダの背後に
該ワークホルダ移動装置の後退時に該ワークホル
ダの背面と当接する液体窒素等の低温媒体を導入
したタンクを設置し、該ワークの前方にこれを加
熱する赤外線ヒータその他の第1輻射加熱装置を
設け、該イオン注入室の外部から該イオン注入室
の透窓を介して該ワーク表面温度を測定する放射
温度計に該第1輻射加熱装置を制御すべく接続
し、更に該イオン注入室の側方に該イオン注入室
と仕切弁を介して連通し且つ真空圧と大気圧とに
制御可能なロードロツク室を設け、その内部に、
該ワークホルダを該仕切弁を介してワークホルダ
移動装置へと往復搬送するワークホルダ搬送装置
と、該ワークホルダの前方からワークを加熱する
赤外線ヒータその他の第2輻射加熱装置と、該ワ
ークホルダの背面に接離自在のワーク冷却装置並
びに該ワークをワークホルダとの間に密封する蓋
体を着脱自在に保持し且つ該ワークホルダへ該蓋
体を接離すべく移動自在の蓋体移動装置を設ける
ことにより、前記問題点を解決するようにした。
(作用)
イオン注入処理されるべきワークを載せたワー
クホルダが真空排気されたロードロツク室から仕
切弁を介して真空のイオン注入室内へワークホル
ダ搬送装置により運び込まれ、ワークホルダ移動
装置に保持されると、イオン注入条件に応じて該
ワークホルダ移動装置が後退しワークホルダをタ
ンクに当接させるか或はワーク前方の第1輻射加
熱装置が作動され、ワークを冷却或は加熱する。
ワーク温度が予定値に達するとワークの前面にイ
オンビームが照射され、所定量のイオン注入が終
了すると再び仕切弁が開かれ、ワークホルダ搬送
装置がワークをワークホルダと共に真空のロード
ロツク室へと戻す。処理済みのワークの温度は常
温と差異があり、真空中でワーク温度を常温に戻
すには長い時間が掛るが、その時間を短縮するた
めに、ワーク温度が高いときはワークホルダの背
面にワーク冷却装置が接してワークを強制的に冷
却し、またワーク温度が低いときは第2輻射加熱
装置がワークを加熱して常温にまで戻す。次で蓋
体移動装置が常温に戻つたワークをワークホルダ
との間に密封すべく蓋体を被せ、該蓋体はロード
ロツク室内を大気圧に戻したときに蓋体内との圧
力差によりワークホルダと気密に接し、ワークを
真空状態に密封する。従つて該ワークを次工程に
於ける処理のためにロードロツク室から大気に曝
さずに移送することが出来、ワークの品質低下を
妨げる。
クホルダが真空排気されたロードロツク室から仕
切弁を介して真空のイオン注入室内へワークホル
ダ搬送装置により運び込まれ、ワークホルダ移動
装置に保持されると、イオン注入条件に応じて該
ワークホルダ移動装置が後退しワークホルダをタ
ンクに当接させるか或はワーク前方の第1輻射加
熱装置が作動され、ワークを冷却或は加熱する。
ワーク温度が予定値に達するとワークの前面にイ
オンビームが照射され、所定量のイオン注入が終
了すると再び仕切弁が開かれ、ワークホルダ搬送
装置がワークをワークホルダと共に真空のロード
ロツク室へと戻す。処理済みのワークの温度は常
温と差異があり、真空中でワーク温度を常温に戻
すには長い時間が掛るが、その時間を短縮するた
めに、ワーク温度が高いときはワークホルダの背
面にワーク冷却装置が接してワークを強制的に冷
却し、またワーク温度が低いときは第2輻射加熱
装置がワークを加熱して常温にまで戻す。次で蓋
体移動装置が常温に戻つたワークをワークホルダ
との間に密封すべく蓋体を被せ、該蓋体はロード
ロツク室内を大気圧に戻したときに蓋体内との圧
力差によりワークホルダと気密に接し、ワークを
真空状態に密封する。従つて該ワークを次工程に
於ける処理のためにロードロツク室から大気に曝
さずに移送することが出来、ワークの品質低下を
妨げる。
続いて次のワークを処理する場合、ロードロツ
ク室内のワークホルダ搬送装置にワークとワーク
ホルダを保持させると共に蓋体移動装置に蓋体を
保持させ、再び前記したように真空排気されたロ
ードロツク室から仕切弁を介してワークホルダ搬
送装置がイオン注入室へとワークを運び、イオン
注入処理が繰返される。
ク室内のワークホルダ搬送装置にワークとワーク
ホルダを保持させると共に蓋体移動装置に蓋体を
保持させ、再び前記したように真空排気されたロ
ードロツク室から仕切弁を介してワークホルダ搬
送装置がイオン注入室へとワークを運び、イオン
注入処理が繰返される。
尚、該ワークはワークホルダと蓋体とで予め真
空状態に密封しておいたものをロードロツク室内
へ運び込むようにしてもよく、この場合、該ロー
ドロツク室内を真空排気したときに蓋体内外の圧
力がバランスするので蓋体移動装置によりワーク
ホルダから簡単に蓋体を取外せ、ワークをワーク
ホルダと共にイオン注入室内へ搬入することも出
来る。
空状態に密封しておいたものをロードロツク室内
へ運び込むようにしてもよく、この場合、該ロー
ドロツク室内を真空排気したときに蓋体内外の圧
力がバランスするので蓋体移動装置によりワーク
ホルダから簡単に蓋体を取外せ、ワークをワーク
ホルダと共にイオン注入室内へ搬入することも出
来る。
(実施例)
本発明の実施例を別紙図面につき説明すると、
第2図に於て符号1は真空ポンプにより真空排気
されるイオン注入室、2は該イオン注入室1に導
入されたイオンビーム、3はイオンビーム2の照
射を受けその前面にイオン注入処理が施されるSi
ウエハ等のワークを示し、該ワーク3は板状のワ
ークホルダ4の前面に静電チヤツクにより或は機
械的手段により密接するように取付けされる。該
ワークホルダ4は、例えば該イオン注入室1の外
部から導入したエアシリンダ5とそのロツド6の
先端に設けたクランプ7からなるワークホルダ移
動装置8に着脱自在に保持され、該ロツド6の往
復動により該ワークホルダ4がイオンビーム2の
方向に前後に移動される。9はワークホルダ4の
背後に配置され、イオン注入室1の外部から補給
管10を介して液体窒素、液体ヘリウム等の低温
媒体が供給されるタンク、11はワークホルダ移
動装置8に保持したワーク3の前方からその前面
を照射するように設置された赤外線ヒータからな
る第1輻射加熱装置である。該第1輻射加熱装置
11は例えばハロゲンランプにリフレクタを設け
て構成され、その熱量はイオン注入室1に設けた
透窓12を介して該ワーク3の表面温度を測定す
る放射温度計13により制御されるようにした。
14は放射温度計13がワーク3からの光の波長
を分析して出力する電気信号をリニアライズする
変換器、15は該変換器14からの信号が入力し
てワーク3が設定温度になるように微細制御する
温度調節器、16は該温度調節器15からの制御
出力を受けて第1輻射加熱装置11への電力を調
節する電力制御器である。
第2図に於て符号1は真空ポンプにより真空排気
されるイオン注入室、2は該イオン注入室1に導
入されたイオンビーム、3はイオンビーム2の照
射を受けその前面にイオン注入処理が施されるSi
ウエハ等のワークを示し、該ワーク3は板状のワ
ークホルダ4の前面に静電チヤツクにより或は機
械的手段により密接するように取付けされる。該
ワークホルダ4は、例えば該イオン注入室1の外
部から導入したエアシリンダ5とそのロツド6の
先端に設けたクランプ7からなるワークホルダ移
動装置8に着脱自在に保持され、該ロツド6の往
復動により該ワークホルダ4がイオンビーム2の
方向に前後に移動される。9はワークホルダ4の
背後に配置され、イオン注入室1の外部から補給
管10を介して液体窒素、液体ヘリウム等の低温
媒体が供給されるタンク、11はワークホルダ移
動装置8に保持したワーク3の前方からその前面
を照射するように設置された赤外線ヒータからな
る第1輻射加熱装置である。該第1輻射加熱装置
11は例えばハロゲンランプにリフレクタを設け
て構成され、その熱量はイオン注入室1に設けた
透窓12を介して該ワーク3の表面温度を測定す
る放射温度計13により制御されるようにした。
14は放射温度計13がワーク3からの光の波長
を分析して出力する電気信号をリニアライズする
変換器、15は該変換器14からの信号が入力し
てワーク3が設定温度になるように微細制御する
温度調節器、16は該温度調節器15からの制御
出力を受けて第1輻射加熱装置11への電力を調
節する電力制御器である。
17は該イオン注入室1の側方に仕切弁18を
介して連通するように設けられたロードロツク室
を示し、その内部の圧力は真空排気孔19による
真空排気と空気その他のガスの導入とにより真空
圧と大気圧とに制御される。該ロードロツク室1
7内には、ワーク3を取付けたワークホルダ4を
機械的或は電気的に着脱自在に保持してロードロ
ツク室17とイオン注入室1内のワークホルダ移
動装置8との間で受け渡し搬送するワークホルダ
搬送装置20、該ワークホルダ4の前方からワー
ク3を加熱する赤外線ヒータその他の第2輻射加
熱装置21、該ワークホルダ4の背面に接離自在
の冷し板等の冷却装置22及び該ワーク3をワー
クホルダ4との間に密封する蓋体23を磁石或は
機械的手段により着脱自在に保持すると共にシリ
ンダ等により該蓋体23をワークホルダ4へ接離
すべく往復動自在の蓋体移動装置24が設けられ
る。該冷却装置22はロードロツク室17の側方
の開閉自在の扉25に挿通して設けたロツド26
により往復動されてワークホルダ4の背面と接離
し、該扉25を開いたときに、ワークホルダ搬送
装置20の中間部の固定ピン29を外すと、先端
部20aが回転軸27を中心として鎖線で示すよ
うに屈曲してワークホルダ4がロードロツク室1
7の外部へと移動するようにした。28は蓋体2
3の前端周縁に設けた真空シール用ガスケツトで
ある。
介して連通するように設けられたロードロツク室
を示し、その内部の圧力は真空排気孔19による
真空排気と空気その他のガスの導入とにより真空
圧と大気圧とに制御される。該ロードロツク室1
7内には、ワーク3を取付けたワークホルダ4を
機械的或は電気的に着脱自在に保持してロードロ
ツク室17とイオン注入室1内のワークホルダ移
動装置8との間で受け渡し搬送するワークホルダ
搬送装置20、該ワークホルダ4の前方からワー
ク3を加熱する赤外線ヒータその他の第2輻射加
熱装置21、該ワークホルダ4の背面に接離自在
の冷し板等の冷却装置22及び該ワーク3をワー
クホルダ4との間に密封する蓋体23を磁石或は
機械的手段により着脱自在に保持すると共にシリ
ンダ等により該蓋体23をワークホルダ4へ接離
すべく往復動自在の蓋体移動装置24が設けられ
る。該冷却装置22はロードロツク室17の側方
の開閉自在の扉25に挿通して設けたロツド26
により往復動されてワークホルダ4の背面と接離
し、該扉25を開いたときに、ワークホルダ搬送
装置20の中間部の固定ピン29を外すと、先端
部20aが回転軸27を中心として鎖線で示すよ
うに屈曲してワークホルダ4がロードロツク室1
7の外部へと移動するようにした。28は蓋体2
3の前端周縁に設けた真空シール用ガスケツトで
ある。
その作動を説明すると、まずロードロツク室1
7の扉25を開いてワークホルダ搬送装置20に
ワーク3を取付けたワークホルダ4を保持させる
と共に蓋体移動装置24に蓋体23を保持させ、
扉25を閉じてその内部を真空排気孔19から真
空に排気する。次いで仕切弁18を開いて真空の
イオン注入室1内へワークホルダ搬送装置20を
進出させ、これに保持したワークホルダ4及びワ
ーク3をワークホルダ移動装置8に渡したのち後
退して仕切弁18を閉じる。該ワーク3に対する
イオン注入を高温状態で行なう予定のときは、放
射温度計13と連動する第1輻射加熱装置11を
作動させてワーク3の前面を例えば500℃の設定
温度に加熱したのちイオンビーム2を照射し、も
し低温状態でイオン注入するときは該ワークホル
ダ移動装置8を後退動させ、ワークホルダ4の背
面をタンク9に当接させて熱伝導によりワーク3
を例えば−170℃に冷却したのちイオンビーム2
を照射する。所定量のイオン注入が終ると、もし
ワークホルダ移動装置8が移動しているときは元
に戻し、再び仕切弁18を開いてロードロツク室
17からワークホルダ搬送装置20がワーク3及
びワークホルダ4をワークホルダ移動装置8から
受取るべく進出させ、これを受取つてロードロツ
ク室17へと戻り仕切弁18を閉じる。該ワーク
3及びワークホルダ4はイオン注入条件により高
温或は低温状態にあり、これを常温にまで戻すに
は真空中では時間が掛るが、該ロードロツク室1
7に設けた第2輻射装置21を作動させて低温の
ワーク3を常温にまで加熱するか或は冷却装置2
2をワークホルダ4に当接させて熱伝導により高
温のワーク3を常温にまで冷却することにより短
時間で行なえる。ワーク3が常温に戻ると、蓋体
移動装置24が蓋体23をワーク3を覆うように
ワークホルダ4に当接させ、ロードロツク室17
内が大気圧に戻される。これにより蓋体23は、
その内部が真空圧で外部が大気圧となるので、ワ
ークホルダ4との間にワーク3を密封するように
圧接し、この状態でロードロツク室17からワー
クホルダ4を取出せば、ワーク3を大気に曝さず
に次の処理工程へ移送出来、イオン注入済みワー
クの品質の低下がない。
7の扉25を開いてワークホルダ搬送装置20に
ワーク3を取付けたワークホルダ4を保持させる
と共に蓋体移動装置24に蓋体23を保持させ、
扉25を閉じてその内部を真空排気孔19から真
空に排気する。次いで仕切弁18を開いて真空の
イオン注入室1内へワークホルダ搬送装置20を
進出させ、これに保持したワークホルダ4及びワ
ーク3をワークホルダ移動装置8に渡したのち後
退して仕切弁18を閉じる。該ワーク3に対する
イオン注入を高温状態で行なう予定のときは、放
射温度計13と連動する第1輻射加熱装置11を
作動させてワーク3の前面を例えば500℃の設定
温度に加熱したのちイオンビーム2を照射し、も
し低温状態でイオン注入するときは該ワークホル
ダ移動装置8を後退動させ、ワークホルダ4の背
面をタンク9に当接させて熱伝導によりワーク3
を例えば−170℃に冷却したのちイオンビーム2
を照射する。所定量のイオン注入が終ると、もし
ワークホルダ移動装置8が移動しているときは元
に戻し、再び仕切弁18を開いてロードロツク室
17からワークホルダ搬送装置20がワーク3及
びワークホルダ4をワークホルダ移動装置8から
受取るべく進出させ、これを受取つてロードロツ
ク室17へと戻り仕切弁18を閉じる。該ワーク
3及びワークホルダ4はイオン注入条件により高
温或は低温状態にあり、これを常温にまで戻すに
は真空中では時間が掛るが、該ロードロツク室1
7に設けた第2輻射装置21を作動させて低温の
ワーク3を常温にまで加熱するか或は冷却装置2
2をワークホルダ4に当接させて熱伝導により高
温のワーク3を常温にまで冷却することにより短
時間で行なえる。ワーク3が常温に戻ると、蓋体
移動装置24が蓋体23をワーク3を覆うように
ワークホルダ4に当接させ、ロードロツク室17
内が大気圧に戻される。これにより蓋体23は、
その内部が真空圧で外部が大気圧となるので、ワ
ークホルダ4との間にワーク3を密封するように
圧接し、この状態でロードロツク室17からワー
クホルダ4を取出せば、ワーク3を大気に曝さず
に次の処理工程へ移送出来、イオン注入済みワー
クの品質の低下がない。
尚、該ロードロツク室17を大気圧に戻す前
に、室内に多少の不活性ガスを導入すれば、不活
性ガス雰囲気でワーク3をワークホルダ4と蓋体
23で密封することが出来る。
に、室内に多少の不活性ガスを導入すれば、不活
性ガス雰囲気でワーク3をワークホルダ4と蓋体
23で密封することが出来る。
第2図の符号30はイオンビーム2のイオン電
流を測定するフアラデーフラツグを示し、該フア
ラデーフラツグ30はイオン注入中は側方へ退去
する。
流を測定するフアラデーフラツグを示し、該フア
ラデーフラツグ30はイオン注入中は側方へ退去
する。
イオン注入に際してワーク3の冷却スピードや
温度制御のために、ワークホルダ移動装置8の後
退力を放射温度計13と連動して変化させ、ワー
クホルダ4とタンク9との圧接力を例えば0〜5
Kg/cm2の範囲で変化させるようにしてもよく、ま
たワークホルダ4とタンク9との間に、例えばレ
ニウム、アルミニウム、真鍮、真空グリース等の
介在物を設け、ワーク3の降温の速さと到達温度
を可変制御することも出来る。
温度制御のために、ワークホルダ移動装置8の後
退力を放射温度計13と連動して変化させ、ワー
クホルダ4とタンク9との圧接力を例えば0〜5
Kg/cm2の範囲で変化させるようにしてもよく、ま
たワークホルダ4とタンク9との間に、例えばレ
ニウム、アルミニウム、真鍮、真空グリース等の
介在物を設け、ワーク3の降温の速さと到達温度
を可変制御することも出来る。
更にロードロツク室1にイオン注入のために運
び込まれるワーク3は、予め他の場所でワークホ
ルダ4と蓋体23で密封されたものであつてもよ
く、この場合、該ワークホルダ4をワークホルダ
搬送装置20に保持させ、蓋体移動装置24を前
進させて蓋体23へこれを保持すべく当接させ
る。そしてロードロツク室17内を真空化すると
蓋体23の内外の圧力が釣合うようになり、ワー
クホルダ4と密接していた蓋体23が簡単に外
れ、該蓋体23を保持した蓋体移動装置24を後
退させると、第2図示のイオン注入室1へワーク
3及びワークホルダ4を搬入する状態となし得
る。
び込まれるワーク3は、予め他の場所でワークホ
ルダ4と蓋体23で密封されたものであつてもよ
く、この場合、該ワークホルダ4をワークホルダ
搬送装置20に保持させ、蓋体移動装置24を前
進させて蓋体23へこれを保持すべく当接させ
る。そしてロードロツク室17内を真空化すると
蓋体23の内外の圧力が釣合うようになり、ワー
クホルダ4と密接していた蓋体23が簡単に外
れ、該蓋体23を保持した蓋体移動装置24を後
退させると、第2図示のイオン注入室1へワーク
3及びワークホルダ4を搬入する状態となし得
る。
(発明の効果)
以上のように本発明によるときは、イオン注入
室内に低温媒体を導入したタンクを設け、これに
ワークホルダ移動装置により保持したワークホル
ダの背面を当接自在とすると共に該ワークの前方
に放射温度計と連動する第1輻射加熱装置を設け
てワークの加熱制御出来るようにしたので、イオ
ン注入中のワーク温度を設定温度に維持すること
が出来、所望の表面質のイオン注入ワークを製作
し得、該イオン注入室の側方に真空圧と大気圧と
に制御自在のロードロツク室を仕切弁を介して設
け、その室内にイオン注入室へワークを取付けた
ワークホルダを往復搬送するワークホルダ搬送装
置と、イオン注入室から戻つたワーク及びワーク
ホルダを常温に戻す第2輻射加熱装置及び冷却装
置と、該ワークをワークホルダとの間に密封する
蓋体の蓋体移動装置とを設けるようにしたので、
イオン注入されたワークを迅速に常温に戻し蓋体
で密封することが出来、イオン注入済みワークの
変質、汚染を防ぐことが出来る等の効果がある。
室内に低温媒体を導入したタンクを設け、これに
ワークホルダ移動装置により保持したワークホル
ダの背面を当接自在とすると共に該ワークの前方
に放射温度計と連動する第1輻射加熱装置を設け
てワークの加熱制御出来るようにしたので、イオ
ン注入中のワーク温度を設定温度に維持すること
が出来、所望の表面質のイオン注入ワークを製作
し得、該イオン注入室の側方に真空圧と大気圧と
に制御自在のロードロツク室を仕切弁を介して設
け、その室内にイオン注入室へワークを取付けた
ワークホルダを往復搬送するワークホルダ搬送装
置と、イオン注入室から戻つたワーク及びワーク
ホルダを常温に戻す第2輻射加熱装置及び冷却装
置と、該ワークをワークホルダとの間に密封する
蓋体の蓋体移動装置とを設けるようにしたので、
イオン注入されたワークを迅速に常温に戻し蓋体
で密封することが出来、イオン注入済みワークの
変質、汚染を防ぐことが出来る等の効果がある。
第1図は従来のイオン注入装置の截断側面図、
第2図は本発明の実施例の截断側面図である。 1……イオン注入室、2……イオンビーム、3
……ワーク、4……ワークホルダ、8……ワーク
ホルダ移動装置、9……タンク、11……第1輻
射加熱装置、12……透窓、13……放射温度
計、17……ロードロツク室、18……仕切弁、
20……ワークホルダ搬送装置、21……第2輻
射加熱装置、22……冷却装置、23……蓋体、
24……蓋体移動装置。
第2図は本発明の実施例の截断側面図である。 1……イオン注入室、2……イオンビーム、3
……ワーク、4……ワークホルダ、8……ワーク
ホルダ移動装置、9……タンク、11……第1輻
射加熱装置、12……透窓、13……放射温度
計、17……ロードロツク室、18……仕切弁、
20……ワークホルダ搬送装置、21……第2輻
射加熱装置、22……冷却装置、23……蓋体、
24……蓋体移動装置。
Claims (1)
- 1 真空のイオン注入室内にウエハその他のワー
クを設置し、その前面にイオンビームを照射して
イオン注入処理を施すようにしたものに於て、該
イオン注入室内に、ワークを取付けたワークホル
ダを保持して前後に移動自在のワークホルダ移動
装置を設け、該ワークホルダの背後に該ワークホ
ルダ移動装置の後退時に該ワークホルダの背面と
当接する液体窒素等の低温媒体を導入したタンク
を設置し、該ワークの前方にこれを加熱する赤外
線ヒータその他の第1輻射加熱装置を設け、該イ
オン注入室の外部から該イオン注入室の透窓を介
して該ワークの表面温度を測定する放射温度計に
該第1輻射加熱装置を制御すべく接続し、更に該
イオン注入室の側方に該イオン注入室と仕切弁を
介して連通し且つ真空圧と大気圧とに制御可能な
ロードロツク室を設け、その内部に、該ワークホ
ルダを該仕切弁を介してワークホルダ移動装置へ
と往復搬送するワークホルダ搬送装置と、該ワー
クホルダの前方からワークを加熱する赤外線ヒー
タその他の第2輻射加熱装置と、該ワークホルダ
の背面に接離自在のワーク冷却装置並びに該ワー
クをワークホルダとの間に密封する蓋体を着脱自
在に保持し且つ該ワークホルダへ該蓋体を接離す
べく移動自在の蓋体移動装置を設けたことを特徴
とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62173897A JPS6419668A (en) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62173897A JPS6419668A (en) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | Ion implanter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6419668A JPS6419668A (en) | 1989-01-23 |
| JPH053107B2 true JPH053107B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15969114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62173897A Granted JPS6419668A (en) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | Ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6419668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999015885A1 (fr) * | 1997-09-19 | 1999-04-01 | Japan Science And Technology Corporation | Instrument de mesure xafs a vide pousse |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02258689A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Canon Inc | 結晶質薄膜の形成方法 |
| DE102014110724B4 (de) * | 2014-07-29 | 2016-09-01 | European Molecular Biology Laboratory | Manipulationsbehälter für die Kryo-Mikroskopie |
-
1987
- 1987-07-14 JP JP62173897A patent/JPS6419668A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999015885A1 (fr) * | 1997-09-19 | 1999-04-01 | Japan Science And Technology Corporation | Instrument de mesure xafs a vide pousse |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6419668A (en) | 1989-01-23 |
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