JPH05311432A - Magnetron sputtering method - Google Patents
Magnetron sputtering methodInfo
- Publication number
- JPH05311432A JPH05311432A JP13978292A JP13978292A JPH05311432A JP H05311432 A JPH05311432 A JP H05311432A JP 13978292 A JP13978292 A JP 13978292A JP 13978292 A JP13978292 A JP 13978292A JP H05311432 A JPH05311432 A JP H05311432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- plasma
- magnet unit
- cylinder
- air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWDJIKFUVRYBJF-UHFFFAOYSA-N Cyanthoate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)SCC(=O)NC(C)(C)C#N TWDJIKFUVRYBJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンスパッタ
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetron sputtering method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】マグネトロンスパッタは、陰極側のタ−
ゲットの表面付近に、磁界を利用して高密度のプラズマ
を形成し、このプラズマ中のイオンをタ−ゲットに衝突
させて叩き出された粒子を、対向する陽極側の被処理体
上に推積させる成膜技術であり、被膜の密着性が優れて
いる上、コントロ−ル因子も少ないため、ウエハを大量
処理するのに適しており、例えばＤＲＡＭのビット線を
形成する場合などに適用されている。2. Description of the Related Art Magnetron sputtering is a cathode side target.
A high-density plasma is formed in the vicinity of the surface of the get using a magnetic field, and the ions in this plasma are collided with the target and the particles knocked out are pushed onto the object to be processed on the opposite anode side. It is a film-forming technique for stacking, which is suitable for large-scale processing of wafers because it has excellent adhesion of the film and has few control factors. For example, it is applied when forming bit lines of DRAM. ing.
【０００３】この方法を利用して半導体を成膜する装置
は、図４に示すように真空チャンバ１内にタ−ゲット１
１及びウエハ支持台１２を対向して配置すると共に、タ
−ゲット１１の表面（下面）付近に磁場を形成するよう
に裏面（上面）側に磁石ユニット１３をタ−ゲット１１
の周方向に移動自在に（公転可能に）設けて構成されて
おり、この装置では真空チャンバ１内に不活性ガスを導
入すると共に、タ−ゲット１１及び真空チャンバ１間に
電圧Ｅを印加してプラズマを発生させ、このプラズマの
イオンをタ−ゲット１１に衝突させてタ−ゲット１１よ
り叩き出された粒子がウエハＷ表面に堆積される。An apparatus for forming a semiconductor film by using this method has a target 1 in a vacuum chamber 1 as shown in FIG.
1 and the wafer support 12 are opposed to each other, and a magnet unit 13 is provided on the back surface (upper surface) side of the target 11 so as to form a magnetic field near the front surface (lower surface) of the target 11.
This device is configured to be movable (revolutionally revolving) in the circumferential direction of 1. In this device, an inert gas is introduced into the vacuum chamber 1, and a voltage E is applied between the target 11 and the vacuum chamber 1. Plasma is generated, and the ions of this plasma are made to collide with the target 11, and the particles knocked out from the target 11 are deposited on the surface of the wafer W.
【０００４】ここでタ−ゲット１１の表面全体に均一な
プラズマを形成することは極めて困難であるため、上述
の装置ではプラズマリングを発生させてこれをタ−ゲッ
ト１１の表面に沿って回転させ、当該表面を均一にスパ
ッタするようにしている。Since it is extremely difficult to form a uniform plasma on the entire surface of the target 11, it is necessary to generate a plasma ring and rotate it along the surface of the target 11 in the above apparatus. The surface is uniformly sputtered.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところでプラズマ中の
イオンによりスパッタされたタ−ゲット１１の粒子はタ
−ゲット１１の表面から例えば余弦分布形状の角度分布
で放出され、しかもタ−ゲット１１をウエハよりも可成
り大きくすることは装置が大型化して得策ではないこと
から、ウエハＷに対して均一な膜付けを行なうためには
タ−ゲット１１の表面をその周縁にできるだけ近い領域
までプラズマによりなぞること即ち磁石ユニット１３の
公転領域の外縁部をできるだけタ−ゲット１１の周縁側
に位置させることが必要である。By the way, the particles of the target 11 sputtered by the ions in the plasma are emitted from the surface of the target 11 in an angular distribution of, for example, a cosine distribution shape, and the target 11 is a wafer. Since it is not a good idea to make the size considerably larger than that, the size of the apparatus is not good, so in order to apply a uniform film to the wafer W, the surface of the target 11 is traced by plasma to a region as close as possible to its periphery. That is, it is necessary to position the outer edge of the revolution area of the magnet unit 13 as close to the peripheral edge of the target 11 as possible.
【０００６】一方、タ−ゲット１１の表面側ではプラズ
マリングが形成されるため、真空チャンバ１内の圧力が
１．０ｍＴｏｒｒ程度と可成り低い場合には、磁石ユニ
ット１３をタ−ゲット１１の周縁に近づけすぎると、磁
力線が水平となる部分がタ−ゲット１１からはみ出して
電子がタ−ゲット１１の表面（下面）領域から飛び出し
て消失してしまうので、プラズマの着火性が悪くなる。On the other hand, since a plasma ring is formed on the surface side of the target 11, when the pressure inside the vacuum chamber 1 is as low as about 1.0 mTorr, the magnet unit 13 is attached to the periphery of the target 11. If it is brought too close to, the portion where the magnetic force lines are horizontal protrudes from the target 11 and the electrons fly out from the surface (lower surface) region of the target 11 and disappear, so that the ignitability of plasma deteriorates.
【０００７】このため従来では真空チャンバ１内の圧力
を例えば２．０ｍＴｏｒｒ程度に設定することによって
プラズマの着火性を向上させるようにしていたが、その
ため次のような問題があった。即ち真空チャンバ１内に
は例えば高純度のアルゴンガスが導入されるが、この気
体中には極僅かではあるが不純物が混入しているため、
真空チャンバ１内の気体量が多くなるとウエハＷとタ−
ゲット１１の表面に混入する不純物が多くなり、この結
果歩留まりが低下するといった問題も生じる。For this reason, conventionally, the pressure in the vacuum chamber 1 has been set to, for example, about 2.0 mTorr to improve the ignitability of plasma, but there is the following problem. That is, for example, high-purity argon gas is introduced into the vacuum chamber 1, but impurities are mixed in this gas, although the amount is very small,
When the amount of gas in the vacuum chamber 1 increases, the wafer W and the wafer W
The amount of impurities mixed in the surface of the get 11 increases, and as a result, the yield decreases.
【０００８】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、低圧力気体雰囲気中でプラズ
マを確実に着火させることができ、これにより被処理体
への不純物の混入を抑えることができると共に、有限の
大きさのタ−ゲットを用いてもウエハＷに対して均一な
膜付けを行なうことができるマグネトロンスパッタ方法
を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to reliably ignite a plasma in a low-pressure gas atmosphere, whereby impurities are mixed into an object to be processed. It is an object of the present invention to provide a magnetron sputtering method capable of suppressing the above-mentioned problem and performing uniform film formation on the wafer W even if a target having a finite size is used.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、磁石ユニット
をタ−ゲットの周方向に移動させて当該タ−ゲットの表
面に沿ってプラズマリングを回転させるマグネトロンス
パッタ方法において、タ−ゲットの周縁部と前記タ−ゲ
ットの中心部との間で磁石ユニットを移動させる移動機
構を設け、プラズマ着火時は前記着火位置に磁石ユニッ
トを位置させ、プラズマ着火後は前記周縁部に移動させ
ることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a magnetron sputtering method for moving a magnet unit in the circumferential direction of a target to rotate a plasma ring along the surface of the target. A moving mechanism for moving the magnet unit between the target portion and the center of the target, the magnet unit is positioned at the ignition position during plasma ignition, and moved to the peripheral portion after plasma ignition. And
【００１０】[0010]
【作用】プラズマ着火時には移動機構によって磁石ユニ
ットをタ−ゲットの中心部の着火位置に置くことによ
り、磁石ユニットをタ−ゲットの周縁部に位置させて着
火する場合に比べて低い圧力でもプラズマが確実に着火
する。一方、プラズマ着火後はプラズマリングが安定す
ると共にタ−ゲットの周縁部からはみ出してもプラズマ
が消火しないので、磁石ユニットをタ−ゲットの周縁部
の所定位置に移動させて周方向に公転させることによっ
てタ−ゲット周縁部までスパッタすることができる。従
って、低圧力気体雰囲気中でプラズマが確実に着火する
と共に、タ−ゲット表面が均一にスパッタされる。When plasma is ignited, the moving unit moves the magnet unit to the ignition position in the center of the target, so that the plasma is generated even at a lower pressure than in the case where the magnet unit is positioned at the periphery of the target and ignited. Be sure to ignite. On the other hand, after plasma ignition, the plasma ring is stable and the plasma does not extinguish even if it sticks out from the peripheral edge of the target, so move the magnet unit to a predetermined position on the peripheral edge of the target and revolve it in the circumferential direction. Thus, it is possible to sputter up to the peripheral portion of the target. Therefore, the plasma is surely ignited in the low-pressure gas atmosphere, and the target surface is uniformly sputtered.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は本発明の実施例を示す縦断側面図であ
る。図１中２は真空チャンバであり、この真空チャンバ
２の上部にはマグネトロンカソ−ド３が設けられると共
に、真空チャンバ２の下部には、前記マグネトロンカソ
−ド３と対向するよう被処理体としての半導体ウエハＷ
を載置するための載置台４が加熱機構４１の上に配置さ
れている。この加熱機構４１の周囲にはカバ−板４２が
設けられている。前記真空チャンバ２には、イオン化ガ
スである例えばアルゴンガスを導入するためのガス導入
管２１及び所定の圧力に減圧するための排気管２２が接
続されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a vertical sectional side view showing an embodiment of the present invention. Reference numeral 2 in FIG. 1 denotes a vacuum chamber, and a magnetron cathode 3 is provided on an upper portion of the vacuum chamber 2, and a lower portion of the vacuum chamber 2 is a target to be treated so as to face the magnetron cathode 3. Semiconductor wafer W
The mounting table 4 for mounting the is placed on the heating mechanism 41. A cover plate 42 is provided around the heating mechanism 41. The vacuum chamber 2 is connected to a gas introduction pipe 21 for introducing an ionized gas such as argon gas and an exhaust pipe 22 for reducing the pressure to a predetermined pressure.
【００１２】前記マグネトロンカソ−ド３は、真空チャ
ンバ２の上面に絶縁リング３０を介して取り付けられた
有底筒状体３１を備えており、この筒状体３１の下面に
は、周縁下面が内方側に傾斜した例えばアルミニウムよ
りなる円形状のタ−ゲット５が着脱自在に取り付けられ
ている。また真空チャンバ２とタ−ゲット５との間には
タ−ゲット５側がカソ−ドとなるように図示しない直流
電源が接続されている。The magnetron cathode 3 is provided with a bottomed cylindrical body 31 attached to the upper surface of the vacuum chamber 2 through an insulating ring 30, and the lower surface of the cylindrical body 31 has a peripheral lower surface. A circular target 5 made of, for example, aluminum, which is inclined inward, is detachably attached. A DC power source (not shown) is connected between the vacuum chamber 2 and the target 5 so that the target 5 side is a cathode.
【００１３】前記筒状体３１の中空部内には冷却水が満
たされていると共に、当該筒状体３１の上面を貫通して
回転軸３２が挿入されており、この回転軸３２の上部外
周にはモ−タ３３に設けられた歯車３３ａと歯合する歯
車３２ａが設けられている。一方、回転軸３２の下部に
は一端が回転軸３２に接続されて水平に支持されると共
に、長さ方向に図示しないガイド用切欠部が形成されて
いる例えば板状体よりなる保持体３２ｂが設けられてい
る。前記保持体３２ｂには、図２に示すように中心部に
吊設部をなす軸部６ａが取り付けられた磁石ユニット６
が、当該軸部６ａの頭頂部が保持体３２ｂのガイト用切
欠部と係合して水平方向に移動自在に吊設されている。
前記磁石ユニット６は図３に示すように内側がＳ極、外
側がＮ極となるように着磁された複数の磁石体６１によ
り構成されており、また当該磁石ユニット６の外周面に
は後述する移動機構７の一部を構成するシリンダ７３の
一端が接続されている。The hollow portion of the tubular body 31 is filled with cooling water, and a rotary shaft 32 is inserted through the upper surface of the tubular body 31. Is provided with a gear 32a that meshes with a gear 33a provided on the motor 33. On the other hand, at the lower part of the rotary shaft 32, one end is connected to the rotary shaft 32 and supported horizontally, and a holding body 32b made of, for example, a plate-shaped body in which a notch for guide (not shown) is formed in the length direction is provided. It is provided. As shown in FIG. 2, the holder 32b has a magnet unit 6 having a shaft portion 6a, which forms a suspending portion, attached to the center portion thereof.
However, the top portion of the shaft portion 6a is engaged with the guide notch portion of the holding body 32b, and is suspended so as to be movable in the horizontal direction.
As shown in FIG. 3, the magnet unit 6 is composed of a plurality of magnet bodies 61 that are magnetized so that the inside is an S pole and the outside is an N pole, and the outer peripheral surface of the magnet unit 6 will be described later. One end of a cylinder 73 that constitutes a part of the moving mechanism 7 is connected.
【００１４】前記移動機構７は図２に示すとおり、例え
ばエア−供給管７１、シリンダ作動部７２及びシリンダ
７３により構成されており、エア−供給管７１は一端側
が図示しないエア−供給源に接続されると共に、途中回
転軸３２を貫通して他端側がシリンダ作動部７２に接続
されている。前記シリンダ作動部７２は前記シリンダ７
３を常時縮退する方向（図２中シリンダ作動部７２の方
向）に付勢された図示しないバネを内蔵し、前記エア−
供給管７１から供給されるエア−によってこのバネの復
元力に抗してシリンダ７３を押し出すように構成されて
いる。前記シリンダ７３は縮退時には磁石ユニット６が
タ−ゲット５の周縁部よりも内方側の所定位置即ち磁力
線が水平となる部分がタ−ゲットの表面領域内となる位
置に置かれ、またエア−供給管７１よりのエア−供給に
よって押し出されているときには、磁石ユニット６の外
縁部がタ−ゲト５の周縁部（磁力線が水平となる部分が
タ−ゲットの表面領域から若干はみ出す位置）に置かれ
るようにストロ−クが設定されている。As shown in FIG. 2, the moving mechanism 7 is composed of, for example, an air supply pipe 71, a cylinder operating portion 72, and a cylinder 73. One end of the air supply pipe 71 is connected to an air supply source (not shown). At the same time, the other end side is connected to the cylinder operating portion 72 while penetrating the rotating shaft 32 on the way. The cylinder operating portion 72 is the cylinder 7
3 has a built-in spring (not shown) which is biased in a direction to always retract (the direction of the cylinder operating portion 72 in FIG. 2).
The cylinder 73 is pushed out against the restoring force of this spring by the air supplied from the supply pipe 71. When the cylinder 73 is retracted, the magnet unit 6 is placed at a predetermined position on the inner side of the peripheral edge of the target 5, that is, a position where the line of magnetic force is horizontal is within the surface area of the target, and the air- When pushed out by the air supply from the supply pipe 71, the outer edge portion of the magnet unit 6 is placed at the peripheral edge portion of the target 5 (the portion where the magnetic force lines are horizontal is slightly protruding from the surface area of the target). The stroke is set so that it can be played.
【００１５】次に上述実施例の作用について説明する。
まず真空チャンバ２内を図示しない真空ポンプにより排
気管を介して真空引きした後、ガス導入管２１より真空
チャンバ２内に例えばアルゴンガスを所定圧力例えば
０．１ｍＴｏｒｒ程度となるように導入すると共に、シ
リンダ作動部７２内のエア−圧力を解除してバネの復元
力によってシリンダ７３を図２中シリンダ作動部７２の
方向に収縮させることによって、磁石ユニット６をタ−
ゲット５の周縁部より内方側の所定の着火位置に位置さ
せる。そして、タ−ゲット５側をカソ−ドとして図示し
ない直流電源によりタ−ゲット５と真空チャンバ２との
間に直流電圧を印加してアルゴンガスを放電させてプラ
ズマを着火し、プラズマリングを生成する。Next, the operation of the above embodiment will be described.
First, the inside of the vacuum chamber 2 is evacuated by an unillustrated vacuum pump through an exhaust pipe, and then, for example, argon gas is introduced into the vacuum chamber 2 through the gas introduction pipe 21 so that a predetermined pressure, for example, about 0.1 mTorr, The air pressure in the cylinder operating portion 72 is released and the restoring force of the spring causes the cylinder 73 to contract in the direction of the cylinder operating portion 72 in FIG.
It is located at a predetermined ignition position on the inner side of the peripheral portion of the get 5. A DC voltage is applied between the target 5 and the vacuum chamber 2 by a DC power source (not shown) with the target 5 side as a cathode to discharge argon gas and ignite plasma to generate a plasma ring. To do.
【００１６】次いで、プラズマ着火後にエア−供給管７
１よりシリンダ作動部７２内にエア−を供給することに
よって前記バネの付勢力に抗してシリンダ７３を伸長さ
せる。これによって磁石ユニット６を保持体３２ｂに沿
ってタ−ゲット５の周縁部の所定位置に移動させ、更に
モ−タ３３を駆動させギヤ−３３ａ、３２ａを介して回
転軸３２を回転させる。この結果磁石ユニット６が周方
向に移動（公転）してプラズマリングもタ−ゲット５の
周方向に表面をなぞりながら回転し、プラズマ中のイオ
ンがタ−ゲット５の表面に衝突して、アルミニウム粒子
をスパッタする。こうしてスパッタされたアルミニウム
粒子は、加熱機構４１により加熱されたウエハＷの表面
に堆積されていく。Next, after plasma ignition, the air-supply pipe 7
By supplying air into the cylinder operating portion 72 from No. 1, the cylinder 73 is extended against the biasing force of the spring. As a result, the magnet unit 6 is moved to a predetermined position on the peripheral portion of the target 5 along the holder 32b, and the motor 33 is driven to rotate the rotary shaft 32 via the gears 33a and 32a. As a result, the magnet unit 6 moves (revolves) in the circumferential direction and the plasma ring also rotates while tracing the surface in the circumferential direction of the target 5, ions in the plasma collide with the surface of the target 5, and the aluminum Sputter particles. The aluminum particles thus sputtered are deposited on the surface of the wafer W heated by the heating mechanism 41.
【００１７】以上の実施例によれば、プラズマ着火時に
は磁石ユニット６をタ−ゲット５の周縁部よりも内方側
の所定の着火位置に置いているため、磁石ユニット６か
らの磁力線のＺ軸成分が零となる部分がタ−ゲット５の
表面領域上に位置しているの、真空チャンバ２内のアル
ゴンガスの圧力を例えば０．８ｍＴｏｒｒ程度の低圧と
してもプラズマを確実に着火させることができる。従っ
て、アルゴンガス中に含まれる不純物の真空チャンバ２
内への導入を低減できるので、ウエハＷへの不純物の混
入が低減されると共に、アルゴンガス粒子とスパッタさ
れたアルムニウム粒子との衝突頻度も低減するので、ウ
エハＷに対して均一に膜付けを行なうことができ、歩留
まりの低下を防止できる。According to the above embodiment, since the magnet unit 6 is placed at a predetermined ignition position inward of the peripheral portion of the target 5 during plasma ignition, the Z-axis of the magnetic force line from the magnet unit 6 is set. Since the portion where the component becomes zero is located on the surface area of the target 5, the plasma can be surely ignited even if the pressure of the argon gas in the vacuum chamber 2 is set to a low pressure of, for example, about 0.8 mTorr. .. Therefore, the vacuum chamber 2 for impurities contained in the argon gas
Since the amount of impurities introduced into the wafer W can be reduced and the frequency of collision between the argon gas particles and the sputtered aluminum particles is also reduced, the film can be uniformly applied to the wafer W. It is possible to prevent the decrease in yield.
【００１８】以上において、本発明では移動機構７は上
述の実施例の如くエア−駆動によるものに限られず、例
えばピニオンラックやモ−タ等を組み合わせて磁石ユニ
ット６を移動させるものであってもよい。また、タ−ゲ
ット５としてはタルタン、モリブデン、タングステン等
を用いてもよいし、イオン化ガスとしてはクリプトン、
窒素ガス等を用いることもできる。更に、磁石ユニット
６の磁石体は、内側、外側に夫々着磁する代りに、上面
側及び下面側に夫々Ｎ、Ｓ極の一方及び他方を着磁する
ようにしてもよいし、永久磁石の代りに電磁石を用いて
もよい。In the above, in the present invention, the moving mechanism 7 is not limited to the one driven by air as in the above-mentioned embodiment, but may be one that moves the magnet unit 6 by combining a pinion rack, a motor and the like. Good. Further, tartan, molybdenum, tungsten, or the like may be used as the target 5, and krypton or ionized gas may be used.
Nitrogen gas or the like can also be used. Further, the magnet body of the magnet unit 6 may be configured such that one and the other of the N and S poles are magnetized on the upper surface side and the lower surface side, respectively, instead of magnetizing the inside and the outside, respectively. An electromagnet may be used instead.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明によれば、一旦プラズマが着火す
るとその後はプラズマは安定して消えにくいことに着目
して、プラズマ着火時に磁石ユニットをタ−ゲットの周
縁部より中心部に置いて確実にプラズマを着火させるこ
とができる。また、プラズマ着火後、磁石ユニットをタ
−ゲットの周縁部の所定位置に移動させることができる
ので、タ−ゲットの周縁部までスパッタすることができ
る。According to the present invention, attention is paid to the fact that once the plasma is ignited, the plasma is stable and difficult to extinguish, so that the magnet unit is placed closer to the center than the peripheral portion of the target during plasma ignition. The plasma can be ignited. Further, since the magnet unit can be moved to a predetermined position on the peripheral portion of the target after plasma ignition, sputtering can be performed up to the peripheral portion of the target.
【図１】本発明の実施例の全体構成を示す縦断側面図で
ある。FIG. 1 is a vertical sectional side view showing an overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例の要部を示す縦断側面図であ
る。FIG. 2 is a vertical sectional side view showing a main part of an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例の要部を示す概観斜視図であ
る。FIG. 3 is a schematic perspective view showing a main part of the embodiment of the present invention.
【図４】マグネトロンスパッタ方法全体の従来例の概略
を示す縦断側面図である。FIG. 4 is a vertical sectional side view showing an outline of a conventional example of the entire magnetron sputtering method.
２ 真空チャンバ ３ マグネトロンカソ−ド ３２ｂ 保持体 ４ 載置台 ５ タ−ゲット ６ 磁石ユニット ７ 移動機構 ７１ エア−供給管 ７２ シリンダ作動部 ７３ シリンダ 2 vacuum chamber 3 magnetron cathode 32b holder 4 mounting table 5 target 6 magnet unit 7 moving mechanism 71 air-supply pipe 72 cylinder working part 73 cylinder
Claims (1)
動させて、当該タ−ゲットの表面に沿って形成されるプ
ラズマリングを回転させるマグネトロンスパッタ方法に
おいて、 タ−ゲットの周縁部と前記タ−ゲットの中心部との間で
磁石ユニットを移動させる移動機構を設け、プラズマ着
火時は前記中心部に磁石ユニットを位置させ、プラズマ
着火後は前記周縁部に移動させることを特徴とするマグ
ネトロンスパッタ方法。1. A magnetron sputtering method in which a magnet unit is moved in the circumferential direction of a target to rotate a plasma ring formed along the surface of the target, the peripheral portion of the target and the target. A magnetron sputter characterized in that a moving mechanism for moving the magnet unit to and from the center of the get is provided, the magnet unit is positioned at the center during plasma ignition, and is moved to the peripheral edge after plasma ignition. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13978292A JP3172890B2 (en) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | Magnetron sputtering method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13978292A JP3172890B2 (en) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | Magnetron sputtering method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311432A true JPH05311432A (en) | 1993-11-22 |
| JP3172890B2 JP3172890B2 (en) | 2001-06-04 |
Family
ID=15253300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13978292A Expired - Fee Related JP3172890B2 (en) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | Magnetron sputtering method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172890B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007514058A (en) * | 2003-12-12 | 2007-05-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
| US8273592B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-09-25 | Showa Denko K.K. | Method of manufacturing group-III nitride semiconductor light emitting device, group III nitride semiconductor light emitting device and lamp |
| JP2020015958A (en) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 株式会社アルバック | Magnetron sputtering apparatus |
| CN121109976A (en) * | 2025-11-10 | 2025-12-12 | 无锡尚积半导体科技股份有限公司 | A magnetron sputtering device |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP13978292A patent/JP3172890B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007514058A (en) * | 2003-12-12 | 2007-05-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
| US8273592B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-09-25 | Showa Denko K.K. | Method of manufacturing group-III nitride semiconductor light emitting device, group III nitride semiconductor light emitting device and lamp |
| JP2020015958A (en) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 株式会社アルバック | Magnetron sputtering apparatus |
| CN121109976A (en) * | 2025-11-10 | 2025-12-12 | 无锡尚积半导体科技股份有限公司 | A magnetron sputtering device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3172890B2 (en) | 2001-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4547279A (en) | Sputtering apparatus | |
| TWI499682B (en) | Plasma processing chambers and methods of depositing thin films | |
| JPH04124264A (en) | Method and apparatus for building up substance layer on substrate | |
| RU2625698C1 (en) | Method of application of protective coatings and device for its implementation | |
| JP2009057637A (en) | Ionized physical vapor deposition system using helical magnetic resonance coil | |
| JPH05214522A (en) | Sputtering process and apparatus | |
| TWI464285B (en) | Film forming method and film forming device | |
| JP2000506225A (en) | Method and apparatus for coating workpieces | |
| KR20010099597A (en) | Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation | |
| JPH10147864A (en) | Formation of thin film and sputtering device | |
| CN115928031A (en) | Magnetron sputtering coating device and magnetron sputtering coating method | |
| US6187160B1 (en) | Apparatus for the coating of substrates in a vacuum chamber | |
| JPH07166346A (en) | Magnetron sputtering device | |
| JPH05311432A (en) | Magnetron sputtering method | |
| JP2001081550A (en) | Reactive sputtering apparatus and method for producing film | |
| JP2004346387A (en) | Sputtering source, sputtering apparatus and sputtering method | |
| JP2005232554A (en) | Sputtering equipment | |
| CN116783324B (en) | Cathode unit for magnetron sputtering device and magnetron sputtering device | |
| JPH03140467A (en) | Sputtering device | |
| JPH0565634A (en) | Sputtering apparatus | |
| CN221371265U (en) | Multi-surface magnetron sputtering device | |
| JPS6116346B2 (en) | ||
| JPS63291421A (en) | Treatment of semiconductor wafer | |
| JPH1136063A (en) | Arc type evaporating source | |
| JP2003293129A (en) | Sputtering system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |