JPH05312852A - Electric power source voltage detecting cirucit - Google Patents
Electric power source voltage detecting cirucitInfo
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- JPH05312852A JPH05312852A JP11373792A JP11373792A JPH05312852A JP H05312852 A JPH05312852 A JP H05312852A JP 11373792 A JP11373792 A JP 11373792A JP 11373792 A JP11373792 A JP 11373792A JP H05312852 A JPH05312852 A JP H05312852A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は電源電圧検知回路に関
し、より詳細には、車載用機器のバックアップ電源、A
CC電源等における電源電圧検知回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply voltage detection circuit, and more particularly, to a backup power supply for in-vehicle equipment, A
The present invention relates to a power supply voltage detection circuit for a CC power supply or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3はバッテリからコントロールユニッ
トに電源を供給する場合の回路構成を示した概略図であ
る。図中、100はコントロ−ルユニット、103はバ
ッテリを示しており、コントロ−ルユニット100には
電源電圧検知回路20が内設され、バッテリ103には
プラス端子103a及びマイナス端子103bが設けら
れている。バッテリ103のマイナス端子103bはハ
ーネス102を介してコントロールユニット100のB
b端子に接続され、プラス端子103aはハ−ネス10
1を介してコントロ−ルユニット100のBa端子に接
続されている。ハ−ネス101はBa端子を介してコン
トロ−ルユニット100に入ると2つに分岐し、一方は
BIN端子を介して電圧検知回路20に接続され、もう一
方はその他の制御回路(図示せず)等に接続されてい
る。なお、図中に示した抵抗rはハ−ネス101が持つ
抵抗分を示したものであり、IONはハ−ネス101を流
れる電流、VDROPはIONが流れることにより抵抗rで生
じる電圧降下を示しており、V B はバッテリの電圧を示
している。2. Description of the Related Art FIG. 3 shows a control unit from a battery.
FIG. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration when power is supplied to the printer.
It In the figure, 100 is a control unit and 103 is a bar.
The control unit 100 is shown in FIG.
The power supply voltage detection circuit 20 is internally provided, and the battery 103 has
A plus terminal 103a and a minus terminal 103b are provided.
Has been. The negative terminal 103b of the battery 103 is
B of the control unit 100
The positive terminal 103a is connected to the terminal b
1 to the Ba terminal of the control unit 100
Has been continued. The harness 101 is connected via the Ba terminal.
When entering the control unit 100, it branches into two, one of which
BINConnected to the voltage detection circuit 20 via the terminal,
Is connected to other control circuits (not shown) etc.
It The resistance r shown in the figure is possessed by the harness 101.
It shows the resistance, IONFlows harness 101
Current, VDROPIs IONIs generated by resistance r
It shows the voltage drop B Indicates the battery voltage
is doing.
【0003】図4は従来の電源電圧検知回路20の構成
を示した回路図である。図中1はマイクロコンピュ−タ
を示しており、マイクロコンピュ−タ1にはPON端子及
びDET端子が設けられており、PON端子は機器の内部
電源をオン・オフさせるスイッチング回路(図示せず)
等に接続され、DET端子はトランジスタTr1 のコレ
クタに接続されている。また、マイクロコンピュ−タ1
の一端は接地され、もう一端はVCC(+5V)に接続さ
れており、VCCとトランジスタTr1 のコレクタとの間
には抵抗RL が介装されている。トランジスタTr1 の
エミッタは接地されており、ベ−スは抵抗R2 を介して
接地されると共に、抵抗R1 、ツェナ−ダイオ−ドZ1
を介してBIN端子に接続されてもいる。なお、図4にお
いて、VINは端子BINに印加される電圧、VZ はツェナ
−ダイオ−ドZ1 の両端の電圧、VR2は抵抗R2 の両端
にかかる電圧、VBEはトランジスタTr1 をオンさせる
のに必要なベ−ス・エミッタ間の電圧を示し、VDET は
DET端子に印加される電圧(=トランジスタTr1 の
コレクタ電圧)を示している。FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional power supply voltage detection circuit 20. Figure 1 is a microcomputer - represents the data, microcomputer - the motor 1 is provided with P ON terminal and DET pin, P ON terminal causes the switching circuit (shown for turning on and off the internal power source of the equipment No)
Etc., and the DET terminal is connected to the collector of the transistor Tr 1 . Also, the micro computer 1
Has one end grounded and the other end connected to V CC (+5 V), and a resistor R L is interposed between V CC and the collector of the transistor Tr 1 . The emitter of the transistor Tr 1 is grounded, the base is grounded via the resistor R 2 , and the resistor R 1 and the Zener diode Z 1 are grounded.
It is also connected to the B IN terminal via. In FIG. 4, V IN is the voltage applied to the terminal B IN , V Z is the voltage across zener diode Z 1 , V R2 is the voltage across resistor R 2 , and V BE is the transistor Tr. The voltage between the base and the emitter required to turn on 1 is shown, and V DET is the voltage applied to the DET terminal (= collector voltage of the transistor Tr 1 ).
【0004】上記した電源電圧検知回路20では、VIN
が所定値つまり検知スレッシュホ−ルド電圧VTH以上で
あればトランジスタTr1 がオンするように構成されて
いる。電源電圧検知回路20における検知スレッシュホ
−ルド電圧VTHを求めると、以下のようになる。In the power supply voltage detection circuit 20 described above, V IN
Is set to a predetermined value, that is, the detection threshold voltage V TH or more, the transistor Tr 1 is turned on. The detection threshold voltage V TH in the power supply voltage detection circuit 20 is calculated as follows.
【0005】入力電圧VINに対して、ツェナ−ダイオ−
ドZ1 、抵抗R1 、抵抗R2 は直列に接続されている。
したがって、抵抗R2 の両端にかかる電圧VR2は、 VR2=(VIN−VZ )×(R2 /(R1 +R2 )) で示される。ところで、図4から分かるように、VR2は
トランジスタTr1 のベース・エミッタ間にかかる電圧
でもある。よって、トランジスタTr1 をオンさせるた
めには、VR2≧VBEとなるように(VIN−VZ )が抵抗
R1 及び抵抗R2によって分圧されなければならない。
つまり、 {(VIN−VZ )×(R2 /(R1 +R2 ))}≧VBE ‥‥ の関係が満たされなければならない。ここで式からV
INを求めると、 VIN≧VZ +VBE(1+R1 /R2 ) ‥‥ となる。式からトランジスタTr1 をオンさせるのに
最低限必要な入力電圧V IN、つまり、検知スレッシュホ
−ルド電圧VTHは、 VTH=VZ +VBE(1+R1 /R2 ) ‥‥ となる。式に示したように、検知スレッシュホ−ルド
電圧VTHは、VZ 及びV BEを用いて表わされ、一定値に
保たれる。Input voltage VINOn the other hand, Zener-Dio-
De Z1 , Resistance R1 , Resistance R2 Are connected in series.
Therefore, the resistance R2 Voltage V acrossR2Is VR2= (VIN-VZ ) × (R2 / (R1 + R2 )). By the way, as can be seen from FIG.R2Is
Transistor Tr1 Voltage between base and emitter of
But also. Therefore, the transistor Tr1 Turned on
First, VR2≧ VBESo that (VIN-VZ ) Is resistance
R1 And resistance R2Must be divided by.
That is, {(VIN-VZ ) × (R2 / (R1 + R2 ))} ≧ VBE The relationship must be met. Where V from the formula
INAnd ask for VIN≧ VZ + VBE(1 + R1 / R2 ). From formula, transistor Tr1 To turn on
Minimum required input voltage V IN, That is, the detection threshold
-Voltage voltage VTHIs VTH= VZ + VBE(1 + R1 / R2 ). As shown in the equation, the detection threshold hold
Voltage VTHIs VZ And V BEIs expressed using
To be kept.
【0006】以上のように、電源電圧検知回路20にお
いては、VTHが一定値に保たれ、V IN≧VTHであればV
R2≧VBEとなってトランジスタTr1 がオンするように
回路素子(Z1 およびTr1 等の特性)が選択・構成さ
れている。例えば、車載用機器におけるバックアップ電
源、ACC電源に関する電源電圧検知回路の場合、検知
スレッシュホ−ルド電圧VTHが8V程度となるように、
上記回路素子が選択・構成されている。As described above, the power supply voltage detection circuit 20 has
By the way, VTHIs maintained at a constant value, V IN≧ VTHThen V
R2≧ VBEBecomes transistor Tr1 To turn on
Circuit element (Z1 And Tr1 Etc.) is selected and configured
Has been. For example, backup power for in-vehicle equipment
In case of power supply voltage detection circuit for power source and ACC power supply,
Threshold voltage VTHIs about 8V,
The circuit element is selected and configured.
【0007】以下、VIN≧VTHの場合と、VIN<VTHの
場合とに分けて、電源電圧検知回路20の動作を説明す
る。VIN≧VTHの場合。 BIN端子に入力する電圧VIN
が検知スレッシュホ−ルド電圧VTH以上となると、上記
したようにトランジスタTr1 がオンする。トランジス
タTr1 がオンすると、抵抗RL を介してVCC(+5
V)からトランジスタTr1 にコレクタ電流が流れてコ
レクタの電位が下がり、マイクロコンピュ−タ1のDE
T端子に入力する電圧VDET がロ−レベルとなる。V
DET がロ−レベルになると、マイクロコンピュ−タ1は
VIN≧VTHであると判断してPON端子からハイレベルの
電圧を出力し、機器の内部電源をオンさせる。The operation of the power supply voltage detection circuit 20 will be described below separately for the case of V IN ≧ V TH and the case of V IN <V TH . When V IN ≧ V TH Voltage V IN input to the B IN terminal
Becomes equal to or higher than the detection threshold voltage V TH , the transistor Tr 1 is turned on as described above. When the transistor Tr 1 is turned on, through a resistor R L V CC (+5
V), the collector current flows to the transistor Tr 1 and the potential of the collector decreases, and the DE of the microcomputer 1 is reduced.
The voltage V DET input to the T terminal becomes low level. V
When DET goes low, the microcomputer 1 judges that V IN ≧ V TH and outputs a high level voltage from the P ON terminal to turn on the internal power supply of the device.
【0008】VIN<VTHの場合。 VR2とVBEとの大小
関係が上記式を満たさなくなるので、トランジスタT
r1 がオフしてコレクタの電位が+5Vとなり、VDET
がハイレベルとなる。VDET がハイレベルになると、マ
イクロコンピュ−タ1はBIN端子に入力する電圧VINが
検知スレッショホ−ルド電圧VTH未満であると判断し
て、PON端子からロ−レベルの電圧を出力し、機器の内
部電源をオフする。When V IN <V TH Since the magnitude relation between V R2 and V BE does not satisfy the above equation, the transistor T
r 1 is turned off, the collector potential becomes +5 V, and V DET
Becomes a high level. When V DET becomes high level, the microcomputer 1 determines that the voltage V IN input to the B IN terminal is less than the detection threshold voltage V TH , and outputs a low level voltage from the P ON terminal. Then turn off the internal power of the device.
【0009】[0009]
【発明が解決しようする課題】上記電源電圧検知回路2
0のBIN端子は、図3に示したように、ハ−ネス101
を介してバッテリ103に接続されている。したがっ
て、内部電源がオンされて機器が動作を開始するとバッ
テリ103からハ−ネス101を介して電流IONが流れ
るので、BIN端子に表われる電圧は、バッテリの電圧V
B からハ−ネス101で生じた電圧降下分ION×rを差
し引いた値となる。つまり、電源電圧検知回路20のB
IN端子に印加される電圧VINは、機器が動作を開始する
と、 VIN=VB −VDROP ‥‥ となる。ただし、V
DROP=ION×rである。The power supply voltage detection circuit 2 described above.
The B IN terminal of 0, as shown in FIG.
It is connected to the battery 103 via. Therefore, when the internal power supply is turned on and the device starts operating, a current I ON flows from the battery 103 through the harness 101, so that the voltage appearing at the B IN terminal is the battery voltage V
It is a value obtained by subtracting the voltage drop I ON × r generated in the harness 101 from B. That is, B of the power supply voltage detection circuit 20
The voltage V IN applied to the IN terminal becomes V IN = V B −V DROP ... When the device starts operating. However, V
DROP = I ON × r.
【0010】通常、VINはVIN>VTHであるが、VB が
VTH<VB <VTH+ION×rになるまでバッテリが消耗
してしまうと、例えば、8Vに設定されたVTHに対して
VBが8.2V程度にまで消耗してしまうと、式で示
したようにVINは機器が動作を開始するとVB よりV
DROP分低くなるので、VB −VTH<VDROPとなり、VIN
<VTHとなってしまう。VIN<VTHとなると、上記で説
明したようにトランジスタTr1 がオフし、マイクロコ
ンピュ−タ1により内部電源がオフされる。つまり、電
源電圧検知回路20においては、バッテリ電圧VB が消
耗して上記のようにVTH近辺にまで低下した場合に機器
を動作させると前記電圧降下によりVIN<VTHとなる可
能性があり、その場合、実際にはVIN<VTH<VB であ
るにもかかわらず、マイクロコンピュ−タ1によりVB
<VTHであると誤判断されてしまっていた。Normally, V IN is V IN > V TH , but if the battery is exhausted until V B becomes V TH <V B <V TH + I ON × r, it is set to 8 V, for example. When V B is consumed up to about 8.2 V with respect to V TH , V IN becomes V more than V B when the device starts operating, as shown in the equation.
Since it drops by DROP , V B −V TH <V DROP and V IN
<It becomes V TH . When V IN <V TH , the transistor Tr 1 is turned off and the internal power supply is turned off by the microcomputer 1 as described above. That is, in the power supply voltage detection circuit 20, when the battery voltage V B is consumed and drops to around V TH as described above, when the device is operated, the voltage drop may cause V IN <V TH. There, in that case, even though it is actually a V iN <V TH <V B , microcomputer - V B by motor 1
I had been misjudged to be <V TH .
【0011】図5はバッテリの電圧VB が消耗して検知
スレッシュホ−ルド電圧VTH近辺にまで低下した場合に
おけるVINとVTHとの関係を概略的に示したグラフであ
る。縦軸は電圧を示し、横軸は時間経過を示している。
図5において、横軸に平行な点線は検知スレッシュホ−
ルド電圧VTH、横軸に平行な一点鎖線はバッテリ電圧V
B 、実線で示した(折れ線)グラフはVINをそれぞれ示
しており、 符合a、cは内部電源がオンされた時点にお
けるVINの値、符合b、dは内部電源がオフされた時点
におけるVINの値をそれぞれ示している。FIG. 5 is a graph schematically showing the relationship between V IN and V TH when the voltage V B of the battery is exhausted and drops to around the detection threshold voltage V TH . The vertical axis represents the voltage and the horizontal axis represents the passage of time.
In FIG. 5, the dotted line parallel to the horizontal axis is the detection threshold.
Voltage V TH , the dashed line parallel to the horizontal axis is the battery voltage V
B and solid line graphs show V IN , respectively , where signs a and c are V IN values at the time when the internal power supply is turned on, and signs b and d are values at the time when the internal power supply is turned off. The values of V IN are shown respectively.
【0012】機器が動作していない場合はIONが流れな
いのでVIN=VB の関係にある。しかし、a点で内部電
源がオンされ機器が動作を開始すると、式で示したよ
うに電圧降下VDROPが生じ、VINが検知スレッシュホ−
ルド電圧VTHよりも低くなり、図5で言えばa点からb
点にまで低下する。b点ではVIN<VTHであるので、マ
イクロコンピュ−タ1により内部電源がオフされる。内
部電源がオフされるとハ−ネス101を電流IONが流れ
なくなるので、VIN=VB の関係が再び取り戻され、V
INはグラフ上ではb点からc点に移動する。VINがc点
に達するとVIN=VB >VTHとなるので、マイクロコン
ピュ−タ1により内部電源がオンされる。以下、上記動
作が繰り返され、内部電源がオン・オフされる。When the device is not operating, I ON does not flow, so that V IN = V B. However, when the internal power source is turned on at point a and the device starts operating, a voltage drop V DROP occurs as shown in the equation, and V IN is the detection threshold voltage.
Voltage becomes lower than the threshold voltage V TH , and in FIG.
Drop to the point. Since V IN <V TH at the point b, the internal power supply is turned off by the microcomputer 1. When the internal power supply is turned off, the current I ON does not flow through the harness 101, so that the relationship of V IN = V B is restored and V IN = V B is restored.
IN moves from point b to point c on the graph. When V IN reaches the point c, V IN = V B > V TH , so the internal power supply is turned on by the microcomputer 1. Thereafter, the above operation is repeated to turn on / off the internal power supply.
【0013】このように、電源電圧検知回路20にあっ
ては、バッテリが消耗してVB が検知スレッショホ−ル
ド電圧VTH近辺にまで低下すると、ハ−ネス101の電
圧降下VDROPにより、マイクロコンピュ−タ1がVB <
VTHであると誤検知して上記したような内部電源のオン
・オフ動作を繰り返すという課題があった。As described above, in the power supply voltage detection circuit 20, when the battery is exhausted and V B drops to the vicinity of the detection threshold voltage V TH , the voltage drop V DROP of the harness 101 causes the micro voltage drop. Computer 1 has V B <
There is a problem that the internal power supply is repeatedly turned on and off as described above by erroneously detecting V TH .
【0014】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、バッテリの電圧が消耗して検知スレッシュホ−ルド
電圧近辺にまで低下しても、内部電源のオン・オフを繰
り返すような誤動作を防止することができる電源電圧検
知回路を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above problems, and prevents an erroneous operation in which the internal power supply is repeatedly turned on and off even when the battery voltage is exhausted and drops to around the detection threshold voltage. An object of the present invention is to provide a power supply voltage detection circuit capable of performing the above.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る電源電圧検知回路は、ヒステリシスを付
与する抵抗が付加接続されていることを特徴としてい
る。In order to achieve the above object, the power supply voltage detection circuit according to the present invention is characterized in that a resistor for giving a hysteresis is additionally connected.
【0016】[0016]
【作用】上記構成によれば、ヒステリシスを付与する抵
抗が付加接続されているので、内部電源がオンされてい
るか、あるいはオフされているかにより検知スレッシュ
ホ−ルド電圧の設定値が変更される。すなわち、内部電
源がオンされた時の検知スレッシュホ−ルド電圧VTHON
は、従来の検知スレッシュホ−ルド電圧VTHよりも低く
設定され、内部電源がオフされた時の検知スレッシュホ
−ルド電圧VTHOF F は、前記VTHよりも高く設定され
る。According to the above construction, since the resistor for giving hysteresis is additionally connected, the set value of the detection threshold voltage is changed depending on whether the internal power source is turned on or off. That is, the detection threshold voltage V THON when the internal power supply is turned on.
Is set lower than the conventional detection threshold voltage V TH , and the detection threshold voltage V THOF F when the internal power supply is turned off is set higher than the V TH .
【0017】上記のように検知スレッシュホ−ルド電圧
を設定すると、バッテリの電圧が前記検知スレッシュホ
−ルド電圧近辺にまで消耗した場合に内部電源がオンさ
れても、内部電源のオン・オフ動作が繰り返されるよう
な誤動作が防止され、内部電源はオン状態あるいはオフ
状態のどちらか一方に確定される。When the detection threshold voltage is set as described above, even if the internal power supply is turned on when the battery voltage is exhausted to the vicinity of the detection threshold voltage, the internal power supply is repeatedly turned on and off. Such an erroneous operation is prevented, and the internal power supply is set to either the on state or the off state.
【0018】[0018]
【実施例】以下、本発明に係る電源電圧検知回路の実施
例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一の機
能を有する構成部品については同じ符合を付すこととす
る。図1は実施例に係る電源電圧検知回路10を示した
回路構成図であり、図中、1はマイクロコンピュ−タを
示しており、マイクロコンピュ−タ1にはPON端子およ
びDET端子が設けられている。PON端子は、ヒステリ
シス抵抗RH を介してトランジスタTr1 のベ−スに接
続されると共に、内部電源をオン・オフするスイッチン
グ回路(図示せず)等にも接続され、DET端子はトラ
ンジスタTr 1 のコレクタに接続されている。また、マ
イクロコンピュ−タ1の一端は接地され、もう一端はV
CC(+5V)に接続されており、VCCとトランジスタT
r1 のコレクタとの間には抵抗RL が介装されている。Embodiments of the power supply voltage detection circuit according to the present invention will be described below.
An example will be described with reference to the drawings. In addition, the same machine as the conventional example
The same symbols shall be attached to the functional components.
It FIG. 1 shows a power supply voltage detection circuit 10 according to an embodiment.
FIG. 1 is a circuit configuration diagram, in which 1 is a microcomputer
It is shown, and P is attached to the microcomputer 1.ONTerminal and
And a DET terminal are provided. PONTerminal is hysterical
Cis resistance RH Through transistor Tr1 Contact the base of
Switch on for turning on and off the internal power supply
The DET terminal is also connected to a switching circuit (not shown).
Register Tr 1 Connected to the collector. Also,
One end of the icrocomputer 1 is grounded and the other end is V
CCIt is connected to (+ 5V) and VCCAnd transistor T
r1 Resistor R between the collector ofL Is installed.
【0019】トランジスタTr1 のエミッタは接地さ
れ、ベ−スには前記ヒステリシス抵抗RH 以外にも抵抗
R1 及び抵抗R2 が接続されている。トランジスタTr
1 のベ−スは抵抗R1 及びツェナ−ダイオ−ドZ1 を介
してBIN端子に接続され、また、抵抗R2 を介して接地
されている。なお、図1に示したVPON は端子PONから
出力される電圧を示し、VIN、VZ 、VR2、VBE及びV
DET の意味は、図4に示した従来例の場合と同じであ
る。The emitter of the transistor Tr 1 is grounded, and the resistor R 1 and the resistor R 2 are connected to the base in addition to the hysteresis resistor R H. Transistor Tr
1 of base - scan the resistor R 1 and the Zener - diode - via the de Z 1 is connected to the B IN terminal, also connected to ground via a resistor R 2. Note that V PON shown in FIG. 1 represents the voltage output from the terminal P ON , and V IN , V Z , V R2 , V BE and V
The meaning of DET is the same as that of the conventional example shown in FIG.
【0020】上記した電源電圧検知回路10では、VIN
がツェナ−ダイオ−ドZ1 、ヒステリシス抵抗RH 、抵
抗R1 及び抵抗R2 で分圧されてVR2≧VBE である場
合、つまり、VINが検知スレッシュホ−ルド電圧以上で
ある場合は、トランジスタTr 1 がオンしてVDET がロ
−レベルとなり、マイクロコンピュ−タ1のPON端子か
らハイレベルの電圧が出力され、機器の内部電源がオン
されるようになっている。逆に、VINが検知スレッシュ
ホ−ルド電圧以下となってVR2<VBEとなった場合、ト
ランジスタTr1 がオフしてVDET がハイレベルとな
り、マイクロコンピュ−タ1のPON端子からロ−レベル
の電圧が出力され、機器の内部電源がオフされるように
なっている。In the power supply voltage detection circuit 10 described above, VIN
Is Zener diode Z1 , Hysteresis resistance RH ,
Anti-R1 And resistance R2 Is divided by VR2≧ VBE Where is
That is, VINIs above the detection threshold voltage
Transistor Tr, if any 1 Turns on and VDET Is
-It becomes the level, and P of the micro computer 1ONTerminal?
Output a high level voltage and the internal power of the device is turned on.
It is supposed to be done. Conversely, VINIs a detection threshold
Below the hold voltage, VR2<VBEIf
Langista Tr1 Turns off and VDET Is a high level
, P of Microcomputer 1ONLow level from terminal
Voltage is output and the internal power of the device is turned off.
Is becoming
【0021】以上のように、電源電圧検知回路10にお
いては、VR2=VBEとなる時点を境界として動作が逆転
する。ただし、実施例においては、図1に示したように
マイクロコンピュ−タ1の出力VPON がヒステリシス抵
抗RH を介して電源電圧検知回路10にフィ−ドバック
されるので、VR2=VBEならしめるVINの大きさは、従
来例のように一定ではなく、VPON がハイレベルかロ−
レベルかにより異なる。以下、VPON がロ−レベルの場
合とハイレベルの場合とに分けて、VR2=VBEならしめ
るVIN、つまり、電源電圧検知回路10における検知ス
レッシュホ−ルド電圧VTHOFF (VPON =ロ−レベル)
及びVTHON(VPON =ハイレベル)を求める。As described above, the operation of the power supply voltage detecting circuit 10 is reversed at the time point when V R2 = V BE . However, in the embodiment, as shown in FIG. 1, the output V PON of the microcomputer 1 is fed back to the power supply voltage detection circuit 10 via the hysteresis resistance R H , so that if V R2 = V BE. The size of V IN is not constant as in the conventional example, but V PON is at a high level or low.
It depends on the level. Hereinafter, V PON Gallo - divided into the cases of level and high level, V R2 = V BE become occupied V IN, that is, the detection in the power supply voltage detection circuit 10 Suresshuho - field voltage V THOFF (V PON = b -Level)
And V THON (V PON = high level).
【0022】VPON がロ−レベルの場合(内部電源がオ
フされている場合)。 VPON =0ボルトとなるので、
ヒステリシス抵抗RH と抵抗R2 はVINに対して並列接
続されていることになる。RH とR2 の合成抵抗をR2H
とすると、 R2H=R2 ・RH /(R2 +RH ) ‥‥ とな
る。そうすると、入力電圧VINに対して、ツェナ−ダイ
オ−ドZ1 、抵抗R1 、合成抵抗R2Hは直列に接続され
ていることになる。したがって、抵抗R2 の両端にかか
る電圧VR2は、 VR2=(VIN−VZ )×(R2H/(R2H+R1 )) ‥
‥ となる。検知スレッシュホ−ルド電圧は、V
R2=VBEならしめるVINの大きさであるから、式のV
R2をVBEに置き換えてVINを求めると、 VIN=VZ +VBE(1+R1 /R2H) となる。ゆえ
に、VPON がロ−レベルである場合における検知スレッ
シュホ−ルド電圧VTHOFF は、 VTHOFF =VZ +VBE(1+R1 /R2H) ‥‥
となる。ここで、式と式との差を取ってみると、 VTHOFF −VTH=VBE(R1 /R2H−R1 /R2 ) =VBE・R1 /RH ‥‥ となり、ヒステリシス抵抗RH を付加接続すれば、V
THOFF を従来の検知スレッシュホ−ルド電圧VTHに比べ
てVBE・R1 /RH だけ高めに設定できることがわか
る。When V PON is low level (when the internal power supply is off). Since V PON = 0 volt,
The hysteresis resistance R H and the resistance R 2 are connected in parallel with V IN . The combined resistance of R H and R 2 is R 2H
Then, R 2H = R 2 · R H / (R 2 + RH ). Then, the Zener diode Z 1 , the resistor R 1 , and the combined resistor R 2H are connected in series with respect to the input voltage V IN . Therefore, the voltage V R2 applied across the resistor R 2 is V R2 = (V IN −V Z ) × (R 2H / (R 2H + R 1 )).
It becomes. The detection threshold voltage is V
Since R2 = V BE, which is the size of V IN , V in the formula
When determining the V IN by replacing R2 to V BE, the V IN = V Z + V BE (1 + R 1 / R 2H). Therefore, the detection threshold voltage V THOFF when V PON is low level is V THOFF = V Z + V BE (1 + R 1 / R 2H ).
Becomes Here, taking the difference between the equations, V THOFF −V TH = V BE (R 1 / R 2H −R 1 / R 2 ) = V BE · R 1 / RH ... If a resistor R H is additionally connected, V
It can be seen that TH OFF can be set higher by V BE · R 1 / RH than the conventional detection threshold voltage V TH .
【0023】VPON がハイレベルの場合(内部電源がオ
ンされている場合)。 VPON =5Vとなるので、抵抗
RH ・抵抗R2 の両端に5Vの電圧がかかり、抵抗R1
・抵抗R2 の両端に(VIN−VZ )の電圧がかかってい
ることになる。この条件下で抵抗R2 の両端にかかる電
圧VR2を求めると、 VR2=5×R12H /RH +(VIN−VZ )×R12H /R1 ‥‥ となる。ただし、ここで1/R12H =1/R1 +1/R
2 +1/RH を表わしている。次に上記と同様に、式
からVR2=VBEならしめるVINを求め、該VINをVTH ON
とおくと、 VTHON=VZ +VBE・R1 /R12H −5×R1 /RH =VZ +VBE(1+R1 /R2H)−5×R1 /RH ‥‥(10 )が得られる。(10)式と式を比べれば明らかであ
るように、VTHONはVTH OFF よりも5×R1 /RH だけ
低い値となる。また、式から、ヒステリシス抵抗RH
を付加すればVTHONをVTHよりも(5−VBE)×R1 /
RH だけ低く設定できることがわかる。When V PON is at a high level (when the internal power supply is turned on). Since V PON = 5V, a voltage of 5V is applied to both ends of the resistor R H and the resistor R 2 , and the resistor R 1
A voltage of (V IN −V Z ) is applied across the resistor R 2 . When the voltage V R2 across the resistor R 2 is obtained under this condition, V R2 = 5 × R 12H / RH + (V IN −V Z ) × R 12H / R 1 ... However, here 1 / R 12H = 1 / R 1 + 1 / R
It represents 2 + 1 / RH . Next, in the same manner as described above, V IN that V R2 = V BE is obtained from the equation, and V IN is V TH ON
In other words , V THON = V Z + V BE · R 1 / R 12H −5 × R 1 / RH = V Z + V BE (1 + R 1 / R 2H ) −5 × R 1 / RH ··· (10) Is obtained. As is clear by comparing the equation (10) with the equation, V THON becomes a value lower than V TH OFF by 5 × R 1 / RH . Also, from the equation, the hysteresis resistance R H
If adding V THON than the V TH (5-V BE) × R 1 /
It can be seen that the value can be set lower by R H.
【0024】以上のように実施例においては、内部電源
がオンされている場合とオフされている場合とで検知ス
レッシュホ−ルド電圧が変更され、上記したとうり、V
THONがVTHOFF よりも5×R1 /RH だけ低く設定され
ているので、以下のような場合に効果を発揮する。図2
は、バッテリが消耗してVB が検知スレッシュホ−ルド
電圧近辺にまで低下した場合におけるVINとVTHON及び
VTHOFF との関係を概略的に示したグラフである。縦軸
は電圧値を示し、横軸は時間経過を示している。As described above, in the embodiment, the detection threshold voltage is changed depending on whether the internal power source is on or off.
Since THON is set lower than V THOFF by 5 × R 1 / RH, it is effective in the following cases. Figure 2
6 is a graph schematically showing the relationship between V IN and V THON and V THOFF when the battery is exhausted and V B is reduced to the vicinity of the detection threshold voltage. The vertical axis represents the voltage value and the horizontal axis represents the passage of time.
【0025】VINの値がAである場合。 e点で内部電
源がオンされたとすると、内部電源がオンされたことに
より電流IONが流れ、電圧降下VDROPが生じる。該V
DROPによりVINはVTHOFF 、VTHを越えて低下するが、
VTHONを越えてまで低下することはない。したがって、
内部電源のオン・オフが繰り返されるといった不安定動
作が防止され、内部電源はオン状態で安定し、VINの値
はAから前記電圧降下V DROPを差し引いた値Cで安定す
る。VINIf the value of is A. Internal power supply at point e
If the power is turned on, it means that the internal power is turned on.
More current IONFlows, the voltage drop VDROPOccurs. The V
DROPBy VINIs VTHOFF , VTHLower than
VTHONIt does not fall beyond the range. Therefore,
Unstable operation such as internal power being turned on and off repeatedly
Operation is prevented, the internal power supply is stable in the ON state, and VINThe value of the
Is the voltage drop V from A DROPStable at value C after subtracting
It
【0026】VINの値がBである場合。 f点で内部電
源がオンされたとすると、電流IONが流れ、電圧降下V
DROPが生じる。該VDROPによりVINはVTHONを越えて低
下する。VTHONを越えて低下すると、マイクロコンピュ
ータ1により内部電源がオフされる。内部電源がオフさ
れると、電流IONが流れなくなるので、VIN=VB の関
係が取り戻され、VINが最初の値であるBまで上昇す
る。しかし、BはVTHOF F よりも低いので、前記上昇が
VTHOFF に達することはない。したがって、内部電源は
オフ状態で安定し、VINは最初の値であるBで安定す
る。When the value of V IN is B. If the internal power supply is turned on at point f, a current I ON flows and a voltage drop V
DROP occurs. The V DROP causes V IN to drop below V THON . When it drops below V THON , the internal power supply is turned off by the microcomputer 1. When the internal power supply is turned off, the current I ON stops flowing, so that the relationship of V IN = V B is restored and V IN rises to the initial value B. However, since B is lower than V THOF F , the rise never reaches V THOFF . Therefore, the internal power supply stabilizes in the off state, and V IN stabilizes at the initial value B.
【0027】以上説明したように実施例に係る電源電圧
検知回路10にあっては、ヒステリシス抵抗RH が付加
接続され、内部電源オン時の検知スレッシュホ−ルド電
圧V THONが内部電源オフ時の検知スレッシュホ−ルド電
圧VTHOFF よりも低く設定されているので、バッテリが
消耗してVB が検知スレッシュホ−ルド電圧近辺にまで
低下した場合に内部電源をオンさせても、従来例のよう
に内部電源のオン・オフ動作が繰り返されるようなこと
はない。つまり、電源電圧検知回路10を用いれば、内
部電源をオン状態あるいはオフ状態で安定させることが
でき、上記不安定動作を防止することができる。しかも
ヒステリシス抵抗RH を付加接続するだけの簡単な構成
の追加ですみ、コストアップを招くこともない。As described above, the power supply voltage according to the embodiment
In the detection circuit 10, the hysteresis resistance RH Is added
It is connected and detects the threshold voltage when the internal power is turned on.
Pressure V THONDetects the threshold voltage when the internal power is turned off.
Pressure VTHOFF Battery is set lower than
Exhausted VB Up to near the detection threshold voltage
Even if the internal power is turned on when the voltage drops, the
Repeatedly turning on / off the internal power supply
There is no. That is, if the power supply voltage detection circuit 10 is used,
It is possible to stabilize the power supply in the on or off state.
It is possible to prevent the unstable operation. Moreover,
Hysteresis resistance RH Simple configuration with additional connection
The addition of does not increase the cost.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上詳述したように本発明にかかる電源
電圧検知回路にあっては、ヒステリシスを付与する抵抗
が付加接続されているので、バッテリの電圧が消耗して
検知スレッシュホ−ルド電圧近辺にまで低下しても、内
部電源のオン・オフを繰り返すような誤動作を防止する
ことができる。しかも前記抵抗を付加接続するだけの簡
単な構成の追加ですみ、コストアップを招くこともな
い。As described above in detail, in the power supply voltage detecting circuit according to the present invention, since the resistor for giving the hysteresis is additionally connected, the battery voltage is consumed and the voltage around the detection threshold voltage is increased. It is possible to prevent malfunctions such as repeated turning on / off of the internal power supply even when the power consumption drops to. Moreover, it is possible to add a simple configuration in which the resistor is additionally connected, and the cost does not increase.
【図1】本発明に係る電源電圧検知回路の実施例を示し
た回路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an embodiment of a power supply voltage detection circuit according to the present invention.
【図2】実施例に係る電源電圧検知回路において、VIN
と検知スレッシュホ−ルド電圧VTHOFF と、VTHONとの
関係を概略的に示したグラフである。FIG. 2 is a diagram illustrating a power supply voltage detection circuit according to an embodiment, in which V IN
The detection Suresshuho - and field voltage V THOFF, is a graph schematically showing the relationship between V THON.
【図3】バッテリからコントロ−ルユニットに電源を供
給する場合の回路構成を示した概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration when power is supplied from a battery to the control unit.
【図4】従来の電源電圧検知回路を示した回路構成図で
ある。FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing a conventional power supply voltage detection circuit.
【図5】従来の電源電圧検知回路におけるVINと検知ス
レッシュホ−ルド電圧VTHとの関係を概略的に示したグ
ラフである。FIG. 5 is a graph schematically showing the relationship between V IN and the detection threshold voltage V TH in the conventional power supply voltage detection circuit.
1 マイクロコンピュ−タ 10 電源電圧検知回路 101 ハ−ネス 103 バッテリ RH ヒステリシス抵抗1 Microcomputer 10 Power supply voltage detection circuit 101 Harness 103 Battery RH Hysteresis resistance
Claims (1)
されていることを特徴とする電源電圧検知回路。1. A power supply voltage detection circuit, wherein a resistance for giving a hysteresis is additionally connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11373792A JP3256272B2 (en) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | Power supply voltage detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11373792A JP3256272B2 (en) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | Power supply voltage detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05312852A true JPH05312852A (en) | 1993-11-26 |
| JP3256272B2 JP3256272B2 (en) | 2002-02-12 |
Family
ID=14619862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11373792A Expired - Fee Related JP3256272B2 (en) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | Power supply voltage detection circuit |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256272B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006159A1 (en) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Device for detecting residual capacity of battery |
| CN117741494A (en) * | 2023-12-22 | 2024-03-22 | 山东省国防动员指挥保障中心 | Power supply state monitoring method and circuit of air quality monitoring device for civil air defense |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP11373792A patent/JP3256272B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006159A1 (en) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Device for detecting residual capacity of battery |
| US6064183A (en) * | 1996-08-05 | 2000-05-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Device detecting the amount of charge remaining in a battery |
| CN1089501C (en) * | 1996-08-05 | 2002-08-21 | 三洋电机株式会社 | Device for detecting residual capacity of battery |
| CN117741494A (en) * | 2023-12-22 | 2024-03-22 | 山东省国防动员指挥保障中心 | Power supply state monitoring method and circuit of air quality monitoring device for civil air defense |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3256272B2 (en) | 2002-02-12 |
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