JPH05314551A

JPH05314551A - 記録媒体製造方法及び記録媒体

Info

Publication number: JPH05314551A
Application number: JP4141923A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Yanagisawa; 芳浩柳沢; Yuji Kasanuki; 有二笠貫; Harunori Kawada; 春紀河田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-05-08
Filing date: 1992-05-08
Publication date: 1993-11-26
Anticipated expiration: 2015-05-22
Also published as: JP3044421B2

Abstract

(57)【要約】【目的】信頼性の高い記録媒体、及びこの製造方法を
提供する。【構成】トンネル電流を検知して情報の記録再生を行
う情報処理装置に用いられる記録媒体の製造方法におい
て、基板１上に形成された基板電極２にトラック４を形
成する際に、基板電極２上にマスク３を形成した後、集
束イオンビーム法によりトラック４を形成することによ
り、基板電極２表面に生じるダメージを防止して、表面
の平滑性を高めることができ、情報の記録再生時におい
てＳ／Ｎ比が高く、ビットエラーレートの非常に小さい
信頼性の高い記録媒体となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
の技術を応用した情報処理装置に用いられる記録媒体並
びにその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、メモリー素子の用途はコンピュー
タ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオー
ディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなす
ものであり、その開発も活発に進んでいる。メモリー素
子に要求される性能は一般的には（１）高密度で、記録容量が大きい（２）記録・再生の応答速度が速い（３）エラーレートが小さい（４）消費電力が少ない（５）生産性が高く、価格が安い等が挙げられる。

【０００３】従来までは磁性体や半導体を素材とした半
導体メモリや磁気メモリが主であったが、近年レーザー
技術の進展に伴い、有機色素、フォトポリマーなどの有
機薄膜を用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体
が登場してきた。

【０００４】一方、最近、導体の表面原子の電子構造を
直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと
略す）が開発され［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇｅｔａｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９８
２）］、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも試料に電流による損
傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、さらに大
気中でも動作し、種々の材料に対して用いることができ
るため広範囲な応用が期待されている。

【０００５】かかるＳＴＭは、金属の探針（プローブ電
極）と導電性物質間に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離ま
で近づけるとトンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針を走査することによ
り、実空間の表面構造を描くことができると同時に表面
原子の全電子雲に関する種々の情報をも読みとることが
できる。この際面内方向の分解能は０．１ｎｍ程度であ
る。従って、ＳＴＭの原理を応用すれば十分に原子オー
ダー（０．数ｎｍ）での高密度記録再生を行うことが可
能である。この際の記録再生方法としては、プローブ電
極と基板電極間に局所的電界を加えることにより、基板
電極の表面形状を局所的に変化させる方法や、粒子線
（電子線、イオン線）或はＸ線等の高エネルギー電磁波
及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な記録
層の表面状態を変化させて記録を行い、ＳＴＭで再生す
る方法や、記録層として電圧・電流のスイッチング特性
に対してメモリ効果（電気メモリー効果）をもつ材料、
例えばπ電子系有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜層
を用いて、記録・再生をＳＴＭを用いて行う方法等が提
案されている。この方法によれば、記録のビットサイズ
を１０ｎｍとすれば、１０¹²ｂｉｔ／ｃｍ² もの高密度
で大容量記録再生が可能である。

【０００６】このような大容量高密度記録装置を用い
て、実際に多量の情報を記録・再生する為には、プロー
ブ電極のＸＹ方向（記録媒体面内方向）の位置検出及び
補正制御（トラッキング）が必要となる。このトラック
の形成方法としては、既に記録媒体基板の原子配列を利
用して、高密度かつ高精度に行う方法が提案されている
が、原子配列の検出を極めて高精度に行う必要があるた
め、取扱上簡便とはいい難かった。

【０００７】そこで、トラッキングを簡便に行うため
に、記録媒体の基板にあらかじめ凹凸を設けることによ
り案内溝（トラック）を形成し、そのトラックの凹状部
分あるいは凸状部分にプローブ電極を追従させることに
より、トラッキングを行う方法が提案されている。

【０００８】係る基板上に凹型または、凸型の段差を形
成する方法としては、従来のレジストを用いたリソグラ
フィー技術を利用した金属、無機物、有機物等のエッチ
ングやリフトオフ、或いはレジストそのものを段差とし
て利用することも可能である。また、電子ビームやイオ
ンビーム等の高エネルギーの放射線を照射することによ
り基板電極や基板を加工して、これらに直接段差を形成
することも考えられる。

【０００９】この、イオンビームによって電極を加工す
る方法は、一般には、集束させたビームを利用するため
に、集束イオンビーム法と呼ばれ、ビームで直接、電極
などに所定のトラックパターンの描画をするだけの工程
であるため、極めて簡便なトラック形成方法であるとい
える。

【００１０】また、上記トラック以外にも、記録媒体上
に位置に関する何らかの情報を設置しておき、係る情報
を検出してトラッキングを行う方法もある。

【００１１】具体的には、記録媒体上に位置に関する基
準（以後基準目盛りと呼ぶ）と係る基準目盛りの原点を
設定して、係る原点より基準目盛りで測定して記録媒体
上の位置を特定している。係る基準目盛りとしては、例
えば結晶性基板の規則的な原子配列である結晶格子を利
用し、原点として例えば人工的に設けた凹凸を利用する
例がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の集束イオンビーム法によるトラックの形成にお
いては、イオンビームを照射した影響がイオンビームの
径の外側にも生じ、記録媒体の記録面となるところの電
極表面の平滑性を悪化させる場合があるため、記録・再
生時のビットエラーレートが増加するという問題があっ
た。

【００１３】また、基準目盛りを設けた記録媒体では、
記録媒体上での記録領域位置を特定するアドレスが無か
ったため、ランダムアクセスを行うのが困難であった。

【００１４】即ち、本発明の目的は、上記従来技術の問
題点に鑑みなされたものであり、記録媒体に集束イオン
ビーム法によりトラックを形成する際に生じていた記録
媒体表面のダメージを無くし、平滑性、Ｓ／Ｎ比の高い
記録媒体、また、ランダムアクセスが可能で高速アクセ
スが得られる記録媒体、及び記録媒体の製造方法を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的は、以
下の本発明により達成される。

【００１６】即ち、本発明の第１は、トンネル電流を検
知して情報の記録再生を行う情報処理装置に用いられ基
板電極上に記録層を有する記録媒体の製造方法におい
て、該基板電極上にマスクを形成した後に集束イオンビ
ーム法でトラックを形成するか、或いはまた、該基板電
極に対して直接集束イオンビーム法でトラックを形成し
た後にエッチングにより該基板表面を平滑化することを
特徴とする記録媒体の製造方法である。

【００１７】上記本発明第１によれば、基板電極上にマ
スクを形成することにより、集束イオンビーム法でトラ
ックを形成する際に生じるダメージを防止することがで
き、或いはまた、基板電極に直接集束イオンビーム法で
トラックを形成した際に生じたダメージをエッチングに
より除去することにより、基板表面を平滑にすることが
可能であり、プローブ電極を用いた電気的な高密度記録
再生を再現性良く行うことができる。

【００１８】次に、図面を用いて本発明第１を詳細に説
明する。

【００１９】図１は、基板電極上にマスクを形成し、集
束イオンビーム法（以下、ＦＩＢ法と略す）にてトラッ
クを形成する際に生じるダメージを防止する、本発明第
１の記録媒体製造方法の工程図の一例である。

【００２０】図１（ａ）に示すように、まず、基板１上
に基板電極２を形成する。

【００２１】基板１は、後述する記録層５となる有機化
合物絶縁層と、トラック４が形成された基板電極２を支
持し、さらに、基板電極２上にマスク３を形成するため
に用いるので、表面が平滑であれば、どの様な材料を用
いても良いが、記録層５となる有機化合物絶縁層、トラ
ック４、基板電極２、さらには、マスク３の形成法によ
ってある程度利用できる基板材料は限定される。

【００２２】基板電極２の材料は、高い導電性を有する
ものであればよく、例えばＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａ
ｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｗなどの金属やこれらの合金、
さらにはグラファイトやシリサイド、またさらにはＩＴ
Ｏなどの導電性酸化物を始めとして数多くの材料が挙げ
られ、これらの本発明への適用が考えられる。これらの
材料を用いた基板電極２の形成法としては従来公知の薄
膜技術で十分である。但し、基板電極２の材料は表面が
記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつくらない導電材
料、例えば貴金属やＩＴＯなどの導電性酸化物を用いる
ことが望ましく、なおかつ何れの材料を用いるにしても
その表面が平滑であることが好ましい。

【００２３】次に、図１（ｂ）に示すように、基板電極
２上にマスク３を形成する。マスク３の材料としては、
イオンビームによるエッチングが可能であれば良く、金
属、金属合金、有機物、無機物等の数多くの材料が挙げ
られる。ただし、この際、マスク形成時に、基板電極２
との界面で反応が生じない材料が好ましい。

【００２４】次に、図１（ｃ）に示すように基板電極２
にトラック４となる凹型の溝をＦＩＢ法により形成す
る。このＦＩＢ法において、イオン種は、マスク３及び
基板電極２をエッチングできれば良く、元素としては、
Ａｕ，Ｓｉ，Ｂｅ等の数多くの種類を挙げることができ
る。但し、この時イオンの重量により、溝を形成する際
のドーズ量を適当に選択する必要がある。

【００２５】ＦＩＢ法により、トラック４を形成した
後、図１（ｄ）に示すように、マスク３を取り除く。こ
の手段は、基板電極２にダメージを与えないでマスク３
を取り除くことができれば、どのような手段をとっても
良く、例えば、マスク３が金属であれば、基板電極２と
の選択エッチングが可能なエッチング液を使用する方法
が好適であり、また、マスク３が有機物である場合は、
洗剤等で取り除く方法や、酸・アルカリ・有機溶剤等で
溶かし去る方法が考えられる。

【００２６】最後に、図１（ｅ）に示すように、記録層
５を、基板電極２上に形成する。記録層５として用いる
有機化合物絶縁層の材料としては、絶縁性を示す有機材
料であれば何を用いても良い。

【００２７】有機化合物絶縁層の形成には、具体的に
は、蒸着法やクラスターイオンビーム法等の適用も可能
であるが、制御性、容易性そして再現性から公知の従来
技術の中ではＬＢ法が極めて好適である。

【００２８】このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部
位と親水性部位とを有する有機化合物の単分子膜または
その累積膜を基板上に容易に形成することができ、分子
オーダーの厚みを有し、かつ大面積にわたって均一、均
質な有機超薄膜を安定に供給することができる。

【００２９】ＬＢ法は分子内に親水性部位と疎水性部位
とを有する構造の分子において、両者のバランス（両親
媒性のバランス）が適度に保たれているとき、分子は水
面上で親水性基を下に向けて単分子の層になることを利
用して単分子膜またはその累積膜を作成する方法であ
る。

【００３０】疎水性部位を構成する基としては、一般に
広く知られている飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環
芳香族基及び鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げ
られる。これらは各々単独又はその複数が組み合わされ
て疎水性部位を構成する。一方、親水性部位の構成要素
として最も代表的なものは、例えばカルボキシル基、エ
ステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更
にはアミノ基（１，２，３級及び４級）等の親水性基等
が挙げられる。これらも各々単独又はその複数が組み合
わされて上記分子の親水性部分を構成する。

【００３１】これらの疎水性基と親水性基をバランス良
く併有し、絶縁性を有する有機分子であれば、水面上で
単分子膜を形成することが可能であり、本発明に対して
極めて好適な材料となる。

【００３２】本発明で用いる記録層としては、さらに特
開昭６３−１６１５５２及び６３−１６１５５３に於い
て開示したような、電流−電圧特性に於いてメモリース
イッチング現象（電気メモリー効果）を有する材料、例
えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位を持つ群とを有
する分子を電極上に積層した有機単分子膜あるいはその
累積膜を用いることが可能となる。

【００３３】一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしく
は半絶縁性を示すことから、本発明に適用可能なπ電子
準位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわたる。

【００３４】本発明に好適なπ電子系を有する色素の構
造として、例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポ
ルフィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクア
リリウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として持
つアズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベ
ンゾオキサゾール等の２個の含窒素複素環をスクアリリ
ウム基及びクロコニックメチン基により結合したシアニ
ン系類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン及
びピレン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化
合物が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合
体、さらにはテトラシアノキノジメタンまたはテトラチ
アフルバレンの誘導体およびその類縁体およびその電荷
移動錯体、またさらにはフェロセン、トリスビピリジン
ルテニウム錯体等の金属錯体化合物が挙げられる。

【００３５】また本発明で用いる記録層に好適な高分子
材料としては、例えばポリアクリル酸誘導体等の付加重
合体、ポリイミド等の縮合重合体、ナイロン等の開環重
合体、バクテリオロドプシン等の生体高分子が挙げられ
る。

【００３６】上述の、本発明で用いられる記録層として
極めて好適な材料の具体例としては、例えば下記のよう
な分子等が挙げられる。＜有機材料＞［Ｉ］クロコニックメチン色素

【００３７】

【化１】

【００３８】

【化２】ここでＲ₁ は前述のσ電子準位をもつ群に相当したもの
で、しかも水面上で単分子膜を形成し易くするために導
入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ≦３
０が好適である。［ＩＩ］スクアリリウム色素［Ｉ］で挙げた化合物のクロコニックメチン基を下記の
構造を持つスクアリリウム基で置き換えた化合物。

【００３９】

【化３】［ＩＩＩ］ポルフィリン系色素化合物

【００４０】

【化４】

【００４１】

【化５】

【００４２】

【化６】Ｒは単分子膜を形成しやすくするために導入されたもの
で、ここで挙げた置換基に限るものではない。又、Ｒ₁
〜Ｒ₄ ，Ｒは前述したσ電子準位をもつ群に相当してい
る。［ＩＶ］縮合多環芳香族化合物

【００４３】

【化７】［Ｖ］ジアセチレン化合物

【００４４】

【化８】Ｘは親水基で一般的には−ＣＯＯＨが用いられるが−Ｏ
Ｈ，−ＣＯＮＨ₂ 等も使用できる。［ＶＩ］その他

【００４５】

【化９】＜有機高分子材料＞［Ｉ］付加重合体

【００４６】

【化１０】［ＩＩ］縮合重合体

【００４７】

【化１１】［ＩＩＩ］開環重合体

【００４８】

【化１２】前記化学式中、Ｒ₁ は水面上で単分子膜を形成し易くす
るために導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは
５≦ｎ≦３０が好適である。

【００４９】また、Ｒ₅ は短鎖アルキル基であり、炭素
数ｎは１≦ｎ≦４が好適である。重合度ｍは１００≦ｍ
≦５０００が好適である。

【００５０】以上、具体例として挙げた化合物は基本構
造のみであり、これら化合物の種々の置換体も本発明に
於いて好適である。

【００５１】尚、上記以外でもＬＢ法に適している有機
材料、有機高分子材料であれば、本発明に好適であり、
例えば近年研究が盛んになりつつある生体材料（例えば
バクテリオロドプシンやチトクロームＣ）や合成ポリペ
プチド（ＰＢＬＧ）等も適用が可能である。

【００５２】これらのπ電子準位を有する化合物の電気
メモリー効果は数１０μｍ以下の膜厚のもので観測され
ているが、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間に
流れるトンネル電流を用いるため、プローブ電極と基板
電極間にトンネル電流が流れるよう両者間の距離を近づ
けなければならないので、本発明の記録層と有機化合物
絶縁層を加えた膜厚は、好ましくは０．数ｎｍ以上１０
ｎｍ以下、より好ましくは、０．数ｎｍ以上３ｎｍ以下
である。

【００５３】また、図２は基板電極に直接集束イオンビ
ーム法でトラックを形成した際に生じたダメージをエッ
チングで除去する本発明第１の記録媒体製造方法の工程
図の一例である。

【００５４】図２（ａ）に示すように、まず、基板１上
に基板電極２を形成する。次に、図２（ｂ）に示すよう
に、基板電極２にトラック４となる凹型の溝をＦＩＢ法
により形成する。

【００５５】このＦＩＢ法において、イオン種は、Ａ
ｕ，Ｓｉ，Ｂｅ等の数多くの種類を挙げることができ、
この時、イオンの重量により、溝を形成する際のドーズ
量を適当に選択する必要があるのは、図１で説明した製
造方法と同様である。

【００５６】次に、図２（ｃ）に示すように、ＦＩＢ法
により基板電極２にトラック４を形成した際に、ＦＩＢ
のビーム径外の基板電極面に生じた荒れをエッチングに
よって取り除いている。このエッチングの方法として
は、ドライ・ウエットの何れでも可能であるが、本発明
においては、エッチングは、単にＦＩＢによって生じた
表面の凹凸をならすためだけに行うので、極めて、簡単
に行うだけでよい。

【００５７】最後に、図２（ｄ）に示すように、記録層
５を、基板電極２上に形成する。

【００５８】図２に示したような記録媒体の製造方法に
おいても、基板１，基板電極２，記録層５に用いられる
材料等は、図１に示したような記録媒体の製造方法と同
様のものが適用できる。

【００５９】次に本発明の第２について述べる。

【００６０】本発明の第２は、トンネル電流を検知して
情報の記録再生を行う情報処理装置に用いられる記録媒
体において、少なくとも、互いに平行かつその間隔が予
め定められた数列からなる直線状トラックの第１の集合
と、該直線状トラックの第１の集合と交差し、互いに平
行かつその間隔が予め定められた数列からなる直線状ト
ラックの第２の集合を有することを特徴とする記録媒体
である。

【００６１】本発明第２の記録媒体において、第１の集
合及び第２の集合のトラックの間隔の組み合わせは、記
録媒体上のトラックで四方を囲まれた領域に割り当てる
アドレスとして使用可能である。このため記録媒体を記
録再生装置に於いてあらかじめ決められた方位に設置す
れば、プローブ電極がトラックの形成されたいずれの領
域にあったとしてもそのトラック間の幅を読み出すこと
で記録媒体上の位置が検知できる。さらに、トラックの
間隔は、予め定められた数列であることから、プローブ
電極の現在の位置が検知できれば、記録媒体上の他の任
意のアドレスまで最短距離を経由してアクセスが可能に
なる。

【００６２】図３に本発明第２の記録媒体の断面図の例
を示す。本発明第２の記録媒体は、基本的には基板１上
に基板電極２、記録層５を順次積層することにより形成
することができる。トラックは、素子において基板・基
板電極・記録層のいずれかに形成される。トラックとし
ては、凹凸形状を形成する場合と導電率の差を形成する
場合がある。具体的には、凹凸形状３１を形成する例と
して基板１自身に溝を形成する構成（図３（ａ）参
照）、基板電極２に溝を形成する構成（図３（ｂ）参
照）がある。また導電率の差を形成する構成としては、
電気メモリー効果を有する記録層の一部に導電性の異な
る部位３２を形成した構成（図３（ｃ）参照）がある。
また、記録層に凹凸を形成した構造も可能である。以上
のトラックの形成方法も従来公知の方法で容易に達成可
能である。例えば基板に形成するのであれば、電子ビー
ムを用いたコンタミの付着・レジストのパターニング等
数多くの方法が挙げられ、基板電極に形成するのであれ
ば、集束化イオンビームを用いた基板電極の直接パター
ニングなどが挙げられる。また、記録層に形成するので
あれば電気メモリー効果を有する記録層の一部に導電性
の異なる部位を形成する方法などがある。

【００６３】本発明第２に於けるトラックの間隔は、あ
らかじめ定めた数列をとる必要があり、各々の数列の中
の各値が、互いに少なくとも０．１μｍ以上の差があれ
ば、どのような数列も可能で、例えば単調に増加する数
列や、あるいは等差数列・等比級数などの規則性を有す
るもの、あるいはまた、ランダムな数列であってもかま
わない。

【００６４】また、前記第１の集合及び第２の集合のト
ラックは、互いに垂直に交差しても良いし、垂直以外で
交差しても良い。

【００６５】本発明第２において、基板１，基板電極
２，記録層５に用いられる材料等は、先述した本発明第
１と同様のものが適用できる。

【００６６】

【実施例】次に、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。

【００６７】実施例１本実施例は、本発明第１に関連し、図１に示したような
製造方法によって、１０ロットの記録媒体を同じ条件で
作製し、情報の記録・再生・消去の実験を行ったもので
ある。

【００６８】まず、光学研磨したガラス基板（基板１）
を中性洗剤及びトリクレンを用いて洗浄した後、蒸着法
によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを１００ｎｍ、Ａｌを１０ｎ
ｍ順次積層した。

【００６９】次に、この基板１上にＡｌ側から集束イオ
ンビーム照射装置を用いて、Ａｕの２価のプラスのイオ
ン・ビームを照射して、トラック４となる溝を形成し
た。この時のイオン・ビームの描画条件は、加速電圧４
０ｋＶ、イオン電流３０ｐＡ、ドーズ量５．０×１０¹¹
ｉｏｎｓ／ｃｍで行い、１．０ｍｍ×０．５ｍｍの領域
に２．０μｍピッチで幅約０．５μｍの溝を形成した。

【００７０】次に、この基板からマスクとして使用した
Ａｌをウエットエッチングにより取り除いた後、ＳＴＭ
により、溝周辺部の平滑性を確認したところ、１０ロッ
トのすべてが、通常のＡｕ面と同程度の平滑性であるこ
とが確認された。この後、記録層５となるポリイミドＬ
Ｂ膜を形成した。以下に、このＬＢ膜の成膜方法を示
す。

【００７１】ポリアミック酸（以下ＰＡと略す）を繰り
返し単位濃度１．０ｍｏｌ／ｌで溶かしたジメチルアセ
トアミドとベンゼンの混合溶液を、２０℃の純水上に展
開し、水面から溶媒を蒸発除去させた後、その表面圧を
２５ｍＮ／ｍに高めて水面上単分子膜を形成させた。次
に、この表面圧を一定に保持したまま、前記基板を水面
に横切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、更に引
き上げて２層のＹ形単分子膜の累積を行った。次に、係
る基板を３００℃で１０分間熱処理する事によりＰＡ累
積膜をイミド化してポリイミド（以下ＰＩと略す）薄膜
を形成し、記録層とした。

【００７２】以上の様な方法により作製したすべての記
録媒体に対して、図４に示した記録・再生装置を用いて
記録・再生・消去の実験を行った。

【００７３】図４中、４１は記録媒体に電圧を印加する
ためのプローブ電極であり、このプローブ電極４１から
記録層５に電圧を印加することによって記録・再生を行
う。

【００７４】記録媒体は、ＸＹステージ４２上に載置さ
れる。このＸＹステージ４２により、記録媒体上で記録
・再生を行う、大まかな場所が設定される。４３はプロ
ーブ電流増幅器で、４４は、プローブ電極の記録媒体か
らの高さが一定になるように圧電素子を用いたＺ方向微
動制御機構４５を制御するサーボ回路である。４６はプ
ローブ電極４１と基板電極２との間に記録・消去用のパ
ルス電圧を印加するための電源である。なお、パルス電
圧を印加するときに、プローブ電流が急激に変化するた
めサーボ回路４４は、その間出力電圧が一定になるよう
に、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするように制御している。

【００７５】４７は、プローブ電極４１を、４８のＸＹ
方向微動制御機構を用いてＸＹ方向に移動制御するため
のＸＹ走査駆動回路である。４９の粗動機構と５０の粗
動駆動回路は、あらかじめ１０^-9Ａ程度のプローブ電流
が得られるようにプローブ電極４１と記録媒体との距離
を粗動制御したり、プローブ電極４１と基板１とのＸＹ
方向相対変位を大きくとる（微動制御機構の範囲外）の
に用いられる。

【００７６】これらの各機器は、全てマイクロコンピュ
ータ５１により中央制御されている。また５２は表示装
置を表している。

【００７７】本実施例では、プローブ電極４１として、
電界研磨法によって作製した白金／ロジウム製のプロー
ブ電極を用いた。

【００７８】プローブ電極６の材料は、導電性を示すも
のであれば何を用いてもよく、例えばＰｔ，Ｐｔ−Ｉ
ｒ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられる。またプローブ電極
の先端は、記録・再生・消去の分解能を上げるためでき
るだけ尖らせる必要があるがその作成方法及び形状は、
本実施例に限定されない。

【００７９】また、プローブ電極の本数も一本に限る必
要はなく、位置検出用と記録・再生用とを分ける等、複
数のプローブ電極を用いても良い。

【００８０】また、本装置の圧電素子を用いた移動制御
における機械的性能を下記に示す。

【００８１】Ｚ方向微動制御範囲：０．１ｎｍ〜１μｍＺ方向粗動制御範囲：１０ｎｍ〜１０ｍｍＸＹ方向走査範囲：０．１ｎｍ〜１μｍＸＹ方向粗動制御範囲：１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差：＜０．１ｎｍ（微動制御
時）計測、制御許容誤差：＜１ｎｍ（粗動制御
時）本装置において、プローブ電極４１と記録層５の距離
（Ｚ）は、サーボ回路４４からＺ方向微動制御機構４５
に適度な電圧を与えることにより制御し、さらにこの機
能を保持したまま、プローブ電極４１が面内（Ｘ，Ｙ）
方向にも移動制御できるようにＸＹ方向微動制御機構４
８をＸＹ走査駆動回路４７によって制御している。ま
た、記録媒体は高精度のＸＹステージ４２の上に置か
れ、任意の位置に移動させることができる。よって、こ
れらの移動制御機構によりプローブ電極４１で記録媒体
の任意の位置で記録・再生及び消去を行うことができ
る。

【００８２】前述したＰＩ２層を累積した記録層５を持
つ記録媒体を記録・再生装置にセットした。この時、ト
ラックの長さ方向と記録・再生装置のＹ方向がほぼ平行
となる様に設置した。次に、記録媒体の基板電極２に対
してプローブ電極４１に−１．０Ｖの電圧を印加し、記
録層５に流れる電流をモニターしながらプローブ電極４
１と基板電極２との距離（Ｚ）を調整した。その後、Ｚ
方向微動制御機構４５を制御してプローブ電極４１と記
録層５の表面までの距離を変えていくと、図５に示すよ
うな電流特性が得られた。なお、プローブ電流及び、プ
ローブ電圧を変化させることでプローブ電極４１と記録
層５の表面との距離（Ｚ）を調整することができるが、
距離（Ｚ）を適当な値で一定に保持するためには、プロ
ーブ電流Ｉ_P が１０^-7Ａ≧Ｉ_P ≧１０^-12 Ａ、好適には
１０^-8Ａ≧Ｉ_P ≧１０^-10 Ａになるようにプローブ電圧
を調整する必要がある。ここではプローブ電圧を０．５
Ｖとし、プローブ電流Ｉ_P を１０^-9Ａ（図５のｂ領域に
相当する。）に設定して、プローブ電極４１と記録層５
の表面までの距離（Ｚ）を制御した。次にこの距離
（Ｚ）を一定に保ちながら、プローブ電極４１をＸ方
向、即ちトラック４を横切る方向に走査させ、記録媒体
にトラックが形成されていることを確認した後、プロー
ブ電極４１を任意の隣合う２本のトラックの間（記録
面）で保持した。

【００８３】次に、プローブ電極４１をトラック４にそ
って走査させながら、１０ｎｍピッチで情報の記録を行
った。トラッキングは、サーボ回路４４の出力電圧を一
定（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）でも、サーボ回路４４を動作さ
せたまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）でも行うことができ
る。この時トラックの検出は、サーボ回路４４の出力電
圧を一定にした場合（ＨＯＬＤ回路ＯＮ）は、プローブ
電流が測定限界までの減少、サーボ回路４４を動作させ
たまま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）の場合は、サーボ回路の
出力電圧の変化として、０．１Ｖの減少をもってトラッ
クと認識した。かかる情報の記録は、図６に示すような
波形を有するしきい値電圧Ｖ_thＯＮ以上のパルス電圧
（Ｖ_max ＝−１５Ｖ）を印加して、ＯＮ状態を書き込ん
だ。なお、パルス電圧を印加する際は、サーボ回路４４
の出力電圧を一定にしている。書き込まれた情報は、書
き込みの際と同じ条件でプローブ電極４１と記録層５の
表面までの距離を制御した後、サーボ回路４４の出力を
一定に保持したままで、プローブ電極４１を走査し、Ｏ
Ｎ状態領域とＯＦＦ状態領域とのプローブ電流の変化で
直接読みとるか、または、サーボ回路４４を動作させた
まま（ＨＯＬＤ回路ＯＦＦ）プローブ電極４１を走査し
て、ＯＮ状態領域とＯＦＦ状態領域とでのサーボ回路４
４の出力電圧の変化で読みとることができる。本実施例
では、ＯＮ状態領域でのプローブ電流が記録前（または
ＯＦＦ状態領域）と比較して３桁以上変化していたこと
を確認した。

【００８４】更に書き込みの際と同じ条件でプローブ電
極４１と記録層５の表面までの距離を制御した後サーボ
回路４４の出力を一定に保持し、プローブ電圧をＶ_thＯ
ＦＦ以上の８Ｖに設定して、再びプローブ電極４１を走
査して記録位置に図７に示すような波形を有するパルス
電圧を印加した結果、全ての記録状態が消去され、ＯＦ
Ｆ状態に遷移したことも確認した。以上の再生実験に於
いて、ビットエラーレートは３×１０^-6程度であった。

【００８５】実施例２本実施例は本発明第１に関連し、実施例１の他の態様を
示すものである。

【００８６】実施例１に対して、マスクとして、実施例
１で示したＰＩの２層のＬＢ膜を使用した以外は、同様
に形成した記録媒体１０ロットに対して実施例１と同様
に溝周辺部の平滑性を調べ、また記録・再生・消去の実
験を行った。その結果、平滑性に問題はなく、また、記
録・再生・消去の実験に於いて、ビットエラーレートは
３×１０^-6であり、消去も可能であった。尚、マスクと
して使用したＰＩのＬＢ膜の除去は、メルク社製、ＲＢ
Ｓ３５の２０％溶液中で３０分間超音波洗浄することに
より行った。

【００８７】実施例３本実施例は本発明第１に関連し、図２に示したような製
造方法により記録媒体を作製し、情報の記録・再生・消
去の実験を行ったものである。

【００８８】まず、光学研磨したガラス基板（基板１）
を中性洗剤およびトリクレンを用いて洗浄した後、蒸着
法によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを１００ｎｍ順次積層し
た。

【００８９】次に、この基板１上にＡｕ側から集束イオ
ンビーム照射装置を用いてイオン・ビームを照射して、
トラック４となる溝を形成した。この時のイオン・ビー
ムの描画条件は、加速電圧４０ｋＶ、イオン電流３０ｐ
Ａ、ドーズ量５．０×１０¹¹ｉｏｎｓ／ｃｍで行い、
１．０ｍｍ×０．５ｍｍの領域に２．０μｍピッチで幅
約０．５μｍの溝を形成した。

【００９０】次に、この基板電極上の荒れをウエットエ
ッチングを行って取り除いた。この時の条件は、Ｉ₂ が
０．０２５Ｎで、ＫＩが０．２５Ｎである水溶液を用
い、１秒間行った。この基板電極の表面をＳＴＭで観察
したところ、荒れは除去され、平滑性は、全体的に通常
の蒸着面程度に回復した。

【００９１】最後に、記録層となるポリイミドＬＢ膜を
形成した。

【００９２】このＬＢ膜の成膜方法は、実施例１と同様
である。

【００９３】このようにして作製した記録媒体に対し
て、図４に示した記録・再生装置を用いて、実施例１と
同様に、記録・再生・消去の実験を行ったところ、実施
例１と同様に、ビットエラーレートは３×１０^-6であ
り、消去も可能であった。

【００９４】実施例４本実施例は本発明第１に関連し、実施例３の他の態様を
示すものである。

【００９５】実施例３に対して、ＦＩＢによって生じた
基板電極上の荒れを取り除く際に、ドライエッチングに
よって行った以外は、同様に形成した記録媒体に対して
実施例３と同様の記録・再生・消去の実験を行った。そ
の結果、ビットエラーレートは３×１０^-6であり、消去
も可能であった。この時のドライエッチングの条件は、
使用ガスとして、ＣＦ₄ を用いて、圧力４Ｐａ、パワー
デンシティー４７０Ｗ／ｃｍ² 、エッチングレート６．
５ｎｍ／ｍｉｎで行った。

【００９６】実施例５本実施例は本発明第２の記録媒体に関連し、図３（ａ）
に示したような記録媒体を作製し、情報の記録・再生・
消去の実験を行ったものである。

【００９７】まず、熱酸化膜を３００ｎｍ形成したＳｉ
ウエハを基板１とした。続いて基板１上に電子線描画装
置を用いてエレクトロン・ビーム照射でコンタミを付着
させてトラックとなる凹凸形状３１を形成した。この時
のエレクトロン・ビームの描画条件は、加速電圧３０ｋ
Ｖ、電子線電流８×１０^-11 Ａ、スポット径０．１μ
ｍ、掃引速度１０^-4ｍｍ／ｓｅｃで行った。描画のパタ
ーンは図８に示したように第１のトラックの集合８１を
Ｙ方向に平行に、第２のトラックの集合８２をＸ方向に
平行にとり、第１、第２のトラックを直交させた。トラ
ックの間隔は、１．０μｍから単調に０．１μｍずつ増
加させて５．０μｍまで第１、第２のトラックの集合を
それぞれ４０本、長さ１２０μｍ、トラック幅０．１μ
ｍとして形成した。次に係るトラックが形成された基板
上に真空蒸着法によりＡｕを１００ｎｍ成膜して基板電
極２を形成した。最後に、基板電極２上に記録層５とな
るポリイミド（以下ＰＩと略記する）ＬＢ膜を形成し
た。以下に、このＬＢ膜の成膜方法を示す。

【００９８】（１）式に示すポリアミック酸（以下ＰＡ
と略す）をＮ，Ｎ−ジメチルアセドアミド−ベンゼン混
合溶液１：１（Ｖ／Ｖ）に溶解させた（単量体換算濃度
１×１０^-3Ｍ）後、別途調整したＮ，Ｎ−ジメチルオク
タデシルアミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍとを１：２
（Ｖ／Ｖ）に混合して（２）式に示すポリアミド酸オク
タデシルアミン塩溶液を調整した。係る溶液を、２０℃
の純水上に展開し、水面から溶媒を蒸発除去させた後、
その表面圧を２５ｍＮ／ｍに高めて水面上単分子膜を形
成させた。次に、この表面圧を一定に保持したまま、前
記基板を水面に横切るように速度５ｍｍ／分で静かに浸
漬し、更に引き上げる動作を繰り返して４層のＹ形単分
子膜の累積を行った。最後に、係る基板を３００℃で１
０分間熱処理することによりＰＡ累積膜をイミド化して
（（３）式）記録層５となるＰＩ薄膜を形成し、記録媒
体を得た。

【００９９】

【化１３】次に以上のように作製した記録媒体に対して、図４に示
した記録・再生装置を用いて記録・再生・消去の実験を
行った。まず第１、第２のトラックの集合の各数列をマ
イクロコンピューター５１に記憶させた。次にＸＹステ
ージ４２上に記録媒体のＸＹ方向を一致させて設置し、
白金／ロジウムのプローブ電極４１を記録媒体上のトラ
ック４を形成した領域に接近させた。この時、記録媒体
の基板電極２に対してプローブ電極４１に−１．０Ｖの
電圧を印加し、記録層５に流れる電流をモニターしなが
らプローブ電極４１と記録層５表面との距離（Ｚ）を調
整した。その後、Ｚ方向微動制御機構４５を制御してプ
ローブ電極４１と記録層５表面までの距離を変えていく
と、図５に示すような電流特性が得られた。なお、プロ
ーブ電流及びプローブ電圧を変化させることでプローブ
電極４１と記録層５表面との距離（Ｚ）を調整すること
ができるが、距離（Ｚ）を適当な値で一定に保持するた
めには、プローブ電流Ｉ_P が１０^-7Ａ≧Ｉ_P ≧１０^-12
Ａ、好適には１０^-8Ａ≧Ｉ_P ≧１０^-10 Ａになるように
プローブ電圧を調整する必要がある。ここでは、プロー
ブ電圧を０．５Ｖとし、プローブ電流Ｉ_P を１０^-9Ａ
（図５のｂの領域に相当する。）に設定して、プローブ
電極４１と記録層５表面との距離を調整した。この時の
記録媒体上の位置を図９（ａ）に示すように第１の記録
点９１とした。第１の記録点９１の記録媒体上の位置の
特定をするために、プローブ電極４１をＸ・Ｙ方向に掃
引してＸ・Ｙ方向のトラックの間隔及び第１の記録点９
１のトラックよりの距離を測定した。係るＸ・Ｙ方向の
トラックの間隔は、記録媒体のアドレスとなる。この時
の記録条件は、プローブ電極４１を＋側、基板電極２を
−側にして、電気メモリー材料（ポリイミドＬＢ膜４
層）が低抵抗状態（ＯＮ状態）に変化する図６に示すし
きい値電圧Ｖ_thＯＮ以上の矩形パルス電圧を加えた。次
に図９（ｂ）に示すように第２の記録点９２に記録を行
った。第２の記録点９２として記録媒体上の任意の場所
を得るため、１度プローブ電極４１を記録媒体から引き
離した後、再び記録媒体に近づけた。第１の記録点９１
を検知した方法と同様の操作で記録媒体上の位置を特定
したところ、第２の記録点９２の場所を特定できた。さ
らに係る場所に第１の記録点９１と同様の条件で記録を
行った。

【０１００】次に係る第１の記録点９１・第２の記録点
９２の読み出しを行った。このためにまずプローブ電極
４１を一度記録媒体より離した後、プローブ電極４１を
記録媒体に接近させ、上記した方法によって現在プロー
ブ電極があるアドレスを判断し、第１の記録点９１及び
第２の記録点９２までの距離・方向をマイクロコンピュ
ーター５１で計算し、ＸＹステージ４２及びプローブ電
極４１を操作して係る第１及び第２の記録点の存在する
アドレスまでアクセスした。係る各アドレスに於ける記
録点は、プローブ電極４１を操作することにより捜し当
てることができた。各記録点に於いては、１０ｎＡ程度
のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっていることが示
された。係る再生の操作の後、係る記録の消去も可能で
あった。係る記録ビットの消去の条件は、図７に示し
た、プローブ電圧を電気メモリー材料がＯＮ状態からＯ
ＦＦ状態に変化するしきい値電圧Ｖ_thＯＦＦ以上の１０
Ｖに設定して行った。

【０１０１】実施例６本実施例は本発明第２の記録媒体に関連し、実施例５の
他の態様を示すものである。

【０１０２】実施例５で使用した数列を無秩序な数列に
順番を変えた以外は、同様に形成した記録媒体を作製し
た。この時の数列は、マイクロコンピューター５１に記
憶させた。次に係る記録媒体に対して実施例５と同様に
実験を行ったところ、実施例５と同様の結果を得た。

【０１０３】実施例７本実施例は本発明第２の記録媒体に関連し、実施例５，
６の他の態様を示すものである。

【０１０４】実施例５に対して、トラックの第１の集合
と第２の集合が垂直に交わらず、かつ平行でもない以外
は同様に形成した記録媒体を作製した。この時トラック
の第１の集合と第２の集合の交わる角度を４５度とし
た。

【０１０５】次に係る記録媒体に対して実施例５と同様
に実験を行ったところ、実施例５と同様の結果を得た。
この時の第１の記録点１０１を図１０（ａ）に、第２の
記録点１０２を図１０（ｂ）に示す。

【０１０６】実施例８本実施例は本発明第２の記録媒体に関連し、図３（ｂ）
に示したような記録媒体を作製し、情報の記録・再生・
消去の実験を行ったものである。

【０１０７】実施例５に対してトラックを基板電極に形
成した以外は同様に形成した記録媒体を作製した。この
時の記録媒体の作製手順は、基板上に基板電極を蒸着法
で実施例５と同様に形成した後、集束化イオンビーム法
によりドーズ量１×１０¹¹ｉｏｎｓ／ｃｍで基板電極に
実施例５と同様のパターンで直接トラックとなる溝を形
成した。

【０１０８】次に係る記録媒体に対して実施例５と同様
に実験を行ったところ、実施例５と同様の結果を得た。

【０１０９】実施例９本実施例は本発明第２の記録媒体に関連し、基板電極自
身に情報の記録を行ったものである。

【０１１０】実施例５の記録媒体に対して記録層を形成
しないで、Ａｕのプローブ電極を用いて、プローブ電極
・基板電極間の局所的電界印加による基板電極の表面形
状の局所的変化を利用して、実施例５と同様のアドレス
確認の実験を行った。電圧は、プローブ側をアースにし
て、波高値３．６Ｖ／パルス幅６００ｎｓｅｃで行っ
た。なお記録場所を観察したところ、大きさが直径２０
ｎｍ・高さが３ｎｍの記録ビットを見いだすことが出来
た。

【０１１１】以上述べてきた実施例５〜９中では、トラ
ックとして記録媒体表面で直線であるとしたが、アドレ
スが判明できれば曲線も使用可能であり、トラックが基
板の深さ方向、あるいはその逆方向の３次元的にとられ
ていても良い。また記録層の形成にＬＢ法を使用してき
たが、極めて薄く均一な膜が作成できる成膜法であれば
ＬＢ法に限らず使用可能であり、具体的には蒸着法、Ｍ
ＢＥ法などが挙げられる。また、基板電極の成膜法とし
ても公知のいずれの方法の適用が可能であり具体的に
は、ＭＢＥ法やＣＶＤ法等の成膜法が挙げられる。更に
基板材料やその形状も本発明は何ら限定するものではな
い。さらには、本実施例に於いてはプローブ電極を１本
としたが、記録・再生用のものとトラッキング用のもの
を各々分けて２本以上としても良い。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明第１の記録
媒体では、集束イオンビーム法でトラックを形成する際
に生じていたダメージの防止或いは除去をして、記録媒
体表面の平滑性を高めることにより、情報の記録再生時
においてＳ／Ｎ比が高く、ビットエラーレートが非常に
小さい信頼性の高い記録媒体となった。

【０１１３】また、本発明第２の記録媒体では、トラッ
クの間隔を記録媒体のアドレスとして使用することによ
り、極めて単純な構成の高密度記録媒体においてランダ
ムアクセスが可能であり、任意のアドレスまで最短距離
でアクセスすることができるため、情報の高速処理可能
な記録媒体となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１の記録媒体の製造方法の工程図の一
例である。

【図２】本発明第１の記録媒体の製造方法の工程図の他
の例である。

【図３】本発明第２の記録媒体の断面図の例である。

【図４】本発明の記録媒体に対して情報の記録再生の実
験を行った記録・再生装置のブロック構成図である。

【図５】プローブ電極と記録層表面との距離と、流れる
電流の関係を示す図である。

【図６】本発明の記録媒体に対して記録を行う際に加え
るパルス信号波形である。

【図７】本発明の記録媒体に対して記録の消去を行う際
に加えるパルス信号波形である。

【図８】本発明第２の記録媒体のトラックパターンの一
例である。

【図９】本発明第２の記録媒体における記録点を示す図
である。

【図１０】本発明第２の記録媒体における記録点を示す
図である。

【符号の説明】

１基板２基板電極３マスク４トラック５記録層３１トラックとなる凹凸形状３２導電性の異なる部位４１プローブ電極４２ＸＹステージ４３プローブ電流増幅器４４サーボ回路４５Ｚ方向微動制御機構４６パルス電源４７ＸＹ走査駆動回路４８ＸＹ方向微動制御機構４９粗動機構５０粗動駆動回路５１マイクロコンピューター５２表示装置８１第１のトラックの集合８２第２のトラックの集合９１第１の記録点９２第２の記録点１０１第１の記録点１０２第２の記録点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トンネル電流を検知して情報の記録再生
を行う情報処理装置に用いられ基板電極上に記録層を有
する記録媒体の製造方法において、該基板電極上にマス
クを形成した後、集束イオンビーム法でトラックを形成
することを特徴とする記録媒体製造方法。
【請求項２】トンネル電流を検知して情報の記録再生
を行う情報処理装置に用いられ基板電極上に記録層を有
する記録媒体の製造方法において、該基板電極に対して
直接集束イオンビーム法でトラックを形成した後、エッ
チングにより該基板電極表面を平滑化することを特徴と
する記録媒体製造方法。
【請求項３】前記マスクが金属或いは金属合金である
ことを特徴とする請求項１に記載の記録媒体製造方法。
【請求項４】前記マスクが有機物であることを特徴と
する請求項１に記載の記録媒体製造方法。
【請求項５】前記記録層の膜厚が０．数ｎｍ以上１０
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載
の記録媒体製造方法。
【請求項６】前記記録層の膜厚が０．数ｎｍ以上３ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
記録媒体製造方法。
【請求項７】前記記録層として、電気メモリー効果を
有する記録層を設けることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の記録媒体製造方法。
【請求項８】前記記録層が、有機化合物の単分子膜又
は該単分子膜を累積した累積膜を有することを特徴とす
る請求項７に記載の記録媒体製造方法。
【請求項９】前記単分子膜又は累積膜を、ＬＢ法によ
り成膜することを特徴とする請求項８に記載の記録媒体
製造方法。
【請求項１０】前記有機化合物が、分子中にπ電子準
位を持つ群とσ電子準位を持つ群とを有することを特徴
とする請求項８に記載の記録媒体製造方法。
【請求項１１】前記エッチングが、ウエットエッチン
グ或いはドライエッチングであることを特徴とする請求
項２に記載の記録媒体製造方法。
【請求項１２】トンネル電流を検知して情報の記録再
生を行う情報処理装置に用いられる記録媒体において、
少なくとも、互いに平行かつその間隔が予め定められた
数列からなる直線状トラックの第１の集合と、該直線状
トラックの第１の集合と交差し、互いに平行かつその間
隔が予め定められた数列からなる直線状トラックの第２
の集合を有することを特徴とする記録媒体。
【請求項１３】前記予め定められた各々の数列の中の
各値が、互いに少なくとも０．１μｍ以上の差を有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の記録媒体。
【請求項１４】前記予め定められた数列が単調に増加
する数列であることを特徴とする請求項１２又は１３に
記載の記録媒体。
【請求項１５】前記予め定められた数列が無秩序な数
列であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の
記録媒体。
【請求項１６】前記トラックが記録媒体の基板に形成
されていることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれ
かに記載の記録媒体。
【請求項１７】前記トラックが記録媒体の基板電極に
形成されていることを特徴とする請求項１２〜１５のい
ずれかに記載の記録媒体。
【請求項１８】前記トラックを、電子ビームを照射し
たときに照射面に付加されるコンタミで形成することを
特徴とする請求項１６に記載の記録媒体。
【請求項１９】前記トラックを、集束化イオンビーム
法により形成することを特徴とする請求項１７に記載の
記録媒体。
【請求項２０】前記基板電極が貴金属であることを特
徴とする請求項１７に記載の記録媒体。
【請求項２１】請求項１２〜２０のいずれかに記載の
記録媒体の記録層として、電気メモリー効果を有する記
録層を設けたことを特徴とする記録媒体。
【請求項２２】前記記録層が、有機化合物の単分子膜
又は該単分子膜を累積した累積膜を有することを特徴と
する請求項２１に記載の記録媒体。
【請求項２３】前記単分子膜又は累積膜を、ＬＢ法に
より成膜することを特徴とする請求項２２に記載の記録
媒体。
【請求項２４】前記有機化合物が、分子中にπ電子準
位を持つ群とσ電子準位を持つ群とを有することを特徴
とする請求項２２に記載の記録媒体。
【請求項２５】請求項１２〜２０のいずれかに記載の
記録媒体において、該記録媒体の基板電極が記録層であ
ることを特徴とする記録媒体。