JPH05314566A - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JPH05314566A JPH05314566A JP4119076A JP11907692A JPH05314566A JP H05314566 A JPH05314566 A JP H05314566A JP 4119076 A JP4119076 A JP 4119076A JP 11907692 A JP11907692 A JP 11907692A JP H05314566 A JPH05314566 A JP H05314566A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 情報に応じてレーザー光のパワーをハイレベ
ルＰH またはローレベルＰL に変調し、光磁気メモリー
素子に照射することにより、記録ビットを形成する光磁
気記録方法において、ローレベルＰL に対応した記録ビ
ットを形成する場合にその記録ビットが長いほどローレ
ベルＰL のパワーをより高めに補正するか、または、ハ
イレベルＰH に対応した記録ビットを形成する場合にそ
の記録ビットが長いほどハイレベルＰH のパワーをより
低めに補正するかの少なくともいずれか一方のレーザー
光のパワー補正を行う。 【効果】 垂直磁化膜の上昇温度が記録ビットの長さに
依らずほぼ一定となる。これにより、所望の長さの記録
ビットを形成することができる。このため、再生時に良
好な信号品質を得ることができる。
ルＰH またはローレベルＰL に変調し、光磁気メモリー
素子に照射することにより、記録ビットを形成する光磁
気記録方法において、ローレベルＰL に対応した記録ビ
ットを形成する場合にその記録ビットが長いほどローレ
ベルＰL のパワーをより高めに補正するか、または、ハ
イレベルＰH に対応した記録ビットを形成する場合にそ
の記録ビットが長いほどハイレベルＰH のパワーをより
低めに補正するかの少なくともいずれか一方のレーザー
光のパワー補正を行う。 【効果】 垂直磁化膜の上昇温度が記録ビットの長さに
依らずほぼ一定となる。これにより、所望の長さの記録
ビットを形成することができる。このため、再生時に良
好な信号品質を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク等の光
磁気メモリー素子に対して、光変調方式によりオーバー
ライトを行うための光磁気記録方法に関するものであ
る。
磁気メモリー素子に対して、光変調方式によりオーバー
ライトを行うための光磁気記録方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光磁気ディスク等の光磁気メモリ
ー素子は、情報の書き換え可能な高密度・大容量のメモ
リー素子として注目されている。中でも、情報の書き換
えに際して情報の消去を必要とせず、両面記録にも対応
でき、マルチビーム化も容易とされる光変調方式による
オーバーライトが可能な光磁気メモリー素子の必要性が
年々高まっている。
ー素子は、情報の書き換え可能な高密度・大容量のメモ
リー素子として注目されている。中でも、情報の書き換
えに際して情報の消去を必要とせず、両面記録にも対応
でき、マルチビーム化も容易とされる光変調方式による
オーバーライトが可能な光磁気メモリー素子の必要性が
年々高まっている。
【０００３】このタイプの光磁気メモリー素子は、Jpn.
J.Appl.Phys.,Vol.26(1987)Suppl.pp155-159に記載され
ているように、垂直磁化膜からなるメモリー層および補
助層を有している。メモリー層は、情報の保持および読
み出しを行うために、高い保磁力と低いキュリー点を有
しており、補助層は、メモリー層に情報を転写してオー
バーライトを行うために、上記メモリー層よりも低い保
磁力と高いキュリー点を有している。情報の記録あるい
は消去は、メモリー層と補助層との間に働く交換結合力
を利用して実行される。なお、情報の記録に先立って、
補助層の初期化が必要である。このため、初期化磁界を
印加して補助層の磁化の向きを一方向に揃えている。
J.Appl.Phys.,Vol.26(1987)Suppl.pp155-159に記載され
ているように、垂直磁化膜からなるメモリー層および補
助層を有している。メモリー層は、情報の保持および読
み出しを行うために、高い保磁力と低いキュリー点を有
しており、補助層は、メモリー層に情報を転写してオー
バーライトを行うために、上記メモリー層よりも低い保
磁力と高いキュリー点を有している。情報の記録あるい
は消去は、メモリー層と補助層との間に働く交換結合力
を利用して実行される。なお、情報の記録に先立って、
補助層の初期化が必要である。このため、初期化磁界を
印加して補助層の磁化の向きを一方向に揃えている。
【０００４】J.Appl.Phys.,Vol.67,No.9,1 May 1990,pp
4415-4416 には、光磁気メモリー素子に初期化層を設け
ることにより、上記の初期化磁界を必要としない光磁気
メモリー素子が記載されている。この光磁気メモリー素
子は、メモリー層、補助層、制御層、および初期化層か
らなる交換結合四層膜を有している。そして、制御層に
よって、補助層と初期化層との交換結合をオン・オフす
ることにより、必要に応じて初期化層から補助層へ磁化
を転写し、補助層の磁化の向きを揃えている。
4415-4416 には、光磁気メモリー素子に初期化層を設け
ることにより、上記の初期化磁界を必要としない光磁気
メモリー素子が記載されている。この光磁気メモリー素
子は、メモリー層、補助層、制御層、および初期化層か
らなる交換結合四層膜を有している。そして、制御層に
よって、補助層と初期化層との交換結合をオン・オフす
ることにより、必要に応じて初期化層から補助層へ磁化
を転写し、補助層の磁化の向きを揃えている。
【０００５】したがって、この方式では、光磁気メモリ
ー素子を使用する前に、一度だけ初期化層の膜面に垂直
な磁界を印加して、初期化層の磁化を一方向に揃えてお
けば、それ以降、初期化を行う必要がない。
ー素子を使用する前に、一度だけ初期化層の膜面に垂直
な磁界を印加して、初期化層の磁化を一方向に揃えてお
けば、それ以降、初期化を行う必要がない。
【０００６】上記初期化磁界を用いる光磁気メモリー素
子および初期化層を有する光磁気メモリー素子では、図
１０（ａ）に示すように、情報に応じて、レーザー光の
パワーをハイレベルＰH またはローレベルＰL に切り換
えながら、オーバーライトが実行される。
子および初期化層を有する光磁気メモリー素子では、図
１０（ａ）に示すように、情報に応じて、レーザー光の
パワーをハイレベルＰH またはローレベルＰL に切り換
えながら、オーバーライトが実行される。
【０００７】すなわち、ハイレベルＰH のレーザー光を
照射すると、照射された部分の温度が補助層のキュリー
点付近まで上昇し、その部分の補助層の磁化の向きが記
録磁場によって反転される。レーザー光が光磁気メモリ
ー素子のトラックに沿って移動し、上記の部分の温度が
メモリー層のキュリー点付近まで冷却すると、メモリー
層と補助層との界面に作用する交換力によって、メモリ
ー層の磁化の向きが、補助層の磁化の向きと一致する。
これにより、記録磁場に平行な向きの磁化を有する記録
ビットがメモリー層に形成される。
照射すると、照射された部分の温度が補助層のキュリー
点付近まで上昇し、その部分の補助層の磁化の向きが記
録磁場によって反転される。レーザー光が光磁気メモリ
ー素子のトラックに沿って移動し、上記の部分の温度が
メモリー層のキュリー点付近まで冷却すると、メモリー
層と補助層との界面に作用する交換力によって、メモリ
ー層の磁化の向きが、補助層の磁化の向きと一致する。
これにより、記録磁場に平行な向きの磁化を有する記録
ビットがメモリー層に形成される。
【０００８】一方、ローレベルＰL のレーザー光を照射
すると、温度はメモリー層のキュリー点付近までしか上
昇せず、補助層の磁化の向きは記録磁場によって反転さ
れない。しかし、メモリー層の磁化の向きは、補助層の
磁化の向きと一致するように、反転する。
すると、温度はメモリー層のキュリー点付近までしか上
昇せず、補助層の磁化の向きは記録磁場によって反転さ
れない。しかし、メモリー層の磁化の向きは、補助層の
磁化の向きと一致するように、反転する。
【０００９】また、再生時には、ローレベルＰL のレー
ザー光よりもさらに低いレベルのレーザー光をメモリー
層に照射し、磁気光学効果を利用して情報が再生され
る。
ザー光よりもさらに低いレベルのレーザー光をメモリー
層に照射し、磁気光学効果を利用して情報が再生され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
構成では、記録時、ハイレベルＰH またはローレベルＰ
L のレーザー光の照射時間の長さによってメモリー層お
よび補助層の上昇温度が異なるため、所望の記録ビット
長が得られないという問題点を有している。
構成では、記録時、ハイレベルＰH またはローレベルＰ
L のレーザー光の照射時間の長さによってメモリー層お
よび補助層の上昇温度が異なるため、所望の記録ビット
長が得られないという問題点を有している。
【００１１】例えば、図１０（ａ）のように、ハイレベ
ルＰH のレーザー光の照射時間を一定にし、ローレベル
ＰL のレーザー光の照射時間の長さを変えながら記録を
行うと、補助層の温度がキュリー点ＴC 以上に昇温する
領域は、同図（ｂ）に示すように、ローレベルＰL のレ
ーザー光の照射時間が長くなるにしたがって小さくな
る。このため、メモリー層に形成される記録ビットの長
さが、同図（ｃ）に示すように、ハイレベルＰH のレー
ザー光の照射時間に相当する長さよりも短くなってしま
う。
ルＰH のレーザー光の照射時間を一定にし、ローレベル
ＰL のレーザー光の照射時間の長さを変えながら記録を
行うと、補助層の温度がキュリー点ＴC 以上に昇温する
領域は、同図（ｂ）に示すように、ローレベルＰL のレ
ーザー光の照射時間が長くなるにしたがって小さくな
る。このため、メモリー層に形成される記録ビットの長
さが、同図（ｃ）に示すように、ハイレベルＰH のレー
ザー光の照射時間に相当する長さよりも短くなってしま
う。
【００１２】これとは逆に、図１１（ａ）のように、ロ
ーレベルＰL のレーザー光の照射時間を一定にし、ハイ
レベルＰH のレーザー光の照射時間の長さを変えながら
記録を行うと、補助層の温度がキュリー点ＴC 以上に昇
温する領域は、同図（ｂ）に示すように、ハイレベルＰ
H のレーザー光の照射時間が長くなるにしたがって大き
くなる。このため、メモリー層に形成される記録ビット
の長さが、同図（ｃ）に示すように、ハイレベルＰH の
レーザー光の照射時間に相当する長さよりも長くなって
しまう。
ーレベルＰL のレーザー光の照射時間を一定にし、ハイ
レベルＰH のレーザー光の照射時間の長さを変えながら
記録を行うと、補助層の温度がキュリー点ＴC 以上に昇
温する領域は、同図（ｂ）に示すように、ハイレベルＰ
H のレーザー光の照射時間が長くなるにしたがって大き
くなる。このため、メモリー層に形成される記録ビット
の長さが、同図（ｃ）に示すように、ハイレベルＰH の
レーザー光の照射時間に相当する長さよりも長くなって
しまう。
【００１３】以上のように、ハイレベルＰH またはロー
レベルＰL のレーザー光の持続時間によって記録ビット
の長さが影響されるため、所望の記録ビット長が得られ
ないという問題点を有している。
レベルＰL のレーザー光の持続時間によって記録ビット
の長さが影響されるため、所望の記録ビット長が得られ
ないという問題点を有している。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気記録
方法は、上記の課題を解決するために、情報に応じてレ
ーザー光のパワーをハイレベルまたはローレベルに変調
し、垂直磁化膜を有する光磁気ディスク等の光磁気メモ
リー素子に照射することにより、上向きまたは下向きの
磁化を有する記録ビットを形成する光磁気記録方法にお
いて、ローレベルに対応した記録ビットを形成する場合
に、その記録ビットが長いほどローレベルのパワーをよ
り高めに補正するか、または、ハイレベルに対応した記
録ビットを形成する場合に、その記録ビットが長いほど
ハイレベルのパワーをより低めに補正するかの少なくと
もいずれか一方のレーザー光のパワー補正を行うことを
特徴としている。
方法は、上記の課題を解決するために、情報に応じてレ
ーザー光のパワーをハイレベルまたはローレベルに変調
し、垂直磁化膜を有する光磁気ディスク等の光磁気メモ
リー素子に照射することにより、上向きまたは下向きの
磁化を有する記録ビットを形成する光磁気記録方法にお
いて、ローレベルに対応した記録ビットを形成する場合
に、その記録ビットが長いほどローレベルのパワーをよ
り高めに補正するか、または、ハイレベルに対応した記
録ビットを形成する場合に、その記録ビットが長いほど
ハイレベルのパワーをより低めに補正するかの少なくと
もいずれか一方のレーザー光のパワー補正を行うことを
特徴としている。
【００１５】
【作用】上記の構成により、情報に応じてレーザー光の
パワーをハイレベルまたはローレベルに変調し、垂直磁
化膜を有する光磁気ディスク等の光磁気メモリー素子に
照射することにより、上向きまたは下向きの磁化を有す
る記録ビットを形成する光磁気記録方法において、ロー
レベルに対応した記録ビットを形成する場合に、その記
録ビットが長いほどローレベルのパワーをより高めに補
正するか、または、ハイレベルに対応した記録ビットを
形成する場合に、その記録ビットが長いほどハイレベル
のパワーをより低めに補正するかの少なくともいずれか
一方のレーザー光のパワー補正を行うので、垂直磁化膜
の上昇温度が記録ビットの長さに依らずほぼ一定とな
る。これにより、所望の長さの記録ビットを形成するこ
とができる。このため、再生時に良好な信号品質を得る
ことができる。
パワーをハイレベルまたはローレベルに変調し、垂直磁
化膜を有する光磁気ディスク等の光磁気メモリー素子に
照射することにより、上向きまたは下向きの磁化を有す
る記録ビットを形成する光磁気記録方法において、ロー
レベルに対応した記録ビットを形成する場合に、その記
録ビットが長いほどローレベルのパワーをより高めに補
正するか、または、ハイレベルに対応した記録ビットを
形成する場合に、その記録ビットが長いほどハイレベル
のパワーをより低めに補正するかの少なくともいずれか
一方のレーザー光のパワー補正を行うので、垂直磁化膜
の上昇温度が記録ビットの長さに依らずほぼ一定とな
る。これにより、所望の長さの記録ビットを形成するこ
とができる。このため、再生時に良好な信号品質を得る
ことができる。
【００１６】
【実施例】本発明の第１の実施例について図１ないし図
３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１７】本実施例で使用される光磁気メモリー素子
としての光磁気ディスクは、光透過性を有する円盤形状
の基板と、基板上に形成された光磁気記録媒体層を備え
ている。
としての光磁気ディスクは、光透過性を有する円盤形状
の基板と、基板上に形成された光磁気記録媒体層を備え
ている。
【００１８】上記の基板には、トラッキングのために、
らせん状もしくは同心円状の案内溝が形成されている。
基板材料としては、ガラスあるいは、ポリカーボネート
等のプラスチックが用いられる。
らせん状もしくは同心円状の案内溝が形成されている。
基板材料としては、ガラスあるいは、ポリカーボネート
等のプラスチックが用いられる。
【００１９】光磁気記録媒体層は、磁化が基板面に対し
て垂直に配向する垂直磁化膜からなるメモリー層および
補助層を有している。上記垂直磁化膜としては、例え
ば、ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属アモルファス合
金が用いられる。上記メモリー層および補助層は、互い
に交換力で結合した交換結合二層膜を構成している。こ
のため、情報の記録に先立って初期化磁界を印加し、上
記補助層の磁化の向きを一方向に揃える、いわゆる補助
層の初期化を行う必要がある。
て垂直に配向する垂直磁化膜からなるメモリー層および
補助層を有している。上記垂直磁化膜としては、例え
ば、ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属アモルファス合
金が用いられる。上記メモリー層および補助層は、互い
に交換力で結合した交換結合二層膜を構成している。こ
のため、情報の記録に先立って初期化磁界を印加し、上
記補助層の磁化の向きを一方向に揃える、いわゆる補助
層の初期化を行う必要がある。
【００２０】上記の光磁気ディスクにおいて、信頼性の
向上および再生時の性能向上のため、交換結合二層膜の
両面に誘電体層を配置してもよい。さらに、光磁気記録
媒体層の基板側でない面上に、Ａｌ等の金属からなる反
射層が設けることにより、反射型の光磁気ディスクとし
て用いてもよい。なお、光磁気記録媒体層上もしくは反
射層上には、信頼性向上を図るために紫外線効果樹脂等
よりなる保護層が通常形成されている。
向上および再生時の性能向上のため、交換結合二層膜の
両面に誘電体層を配置してもよい。さらに、光磁気記録
媒体層の基板側でない面上に、Ａｌ等の金属からなる反
射層が設けることにより、反射型の光磁気ディスクとし
て用いてもよい。なお、光磁気記録媒体層上もしくは反
射層上には、信頼性向上を図るために紫外線効果樹脂等
よりなる保護層が通常形成されている。
【００２１】本実施例の光変調方式のオーバーライト方
法では、図１（ａ）に示すように、ハイレベルＰH のレ
ーザー光の照射時間の長さを一定にし、ローレベルＰL
のレーザー光の照射時間の長さを変えながら記録を行う
場合、ローレベルＰL のレーザー光の照射時間の長さに
応じて、ローレベルＰL のパワーを変化させている。
法では、図１（ａ）に示すように、ハイレベルＰH のレ
ーザー光の照射時間の長さを一定にし、ローレベルＰL
のレーザー光の照射時間の長さを変えながら記録を行う
場合、ローレベルＰL のレーザー光の照射時間の長さに
応じて、ローレベルＰL のパワーを変化させている。
【００２２】すなわち、図２の補正曲線に示すように、
ローレベルＰL のレーザー光の照射時間が長くなるにし
たがって、ローレベルＰL のパワーを大きくしている。
換言すれば、ローレベルＰL に対応する記録ビットの長
さが長くなるにしたがって、ローレベルＰL のパワーを
大きくしている。これにより、補助層の温度がキュリー
点ＴC 以上に昇温する領域は、図１（ｂ）に示すよう
に、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間の長さに相
当する大きさになり、ローレベルＰL のレーザー光の照
射時間の長さに依らなくなる。したがって、図１（ｃ）
に示すように、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間
の長さに対応する長さの記録ビットをメモリー層に形成
することができる。このため、再生時に良好な信号品質
を得ることができる。
ローレベルＰL のレーザー光の照射時間が長くなるにし
たがって、ローレベルＰL のパワーを大きくしている。
換言すれば、ローレベルＰL に対応する記録ビットの長
さが長くなるにしたがって、ローレベルＰL のパワーを
大きくしている。これにより、補助層の温度がキュリー
点ＴC 以上に昇温する領域は、図１（ｂ）に示すよう
に、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間の長さに相
当する大きさになり、ローレベルＰL のレーザー光の照
射時間の長さに依らなくなる。したがって、図１（ｃ）
に示すように、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間
の長さに対応する長さの記録ビットをメモリー層に形成
することができる。このため、再生時に良好な信号品質
を得ることができる。
【００２３】なお、ローレベルＰL のレーザー光のパワ
ーを、図３に示すように、ローレベルＰL に対応する記
録ビットの長さに応じて、離散的に補正するようにして
もかまわない。
ーを、図３に示すように、ローレベルＰL に対応する記
録ビットの長さに応じて、離散的に補正するようにして
もかまわない。
【００２４】本発明の第２の実施例について図４ないし
図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、光磁気メモリー素子としての光磁気ディ
スクの構成は前記の実施例と同一であるので、その説明
を省略する。
図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、光磁気メモリー素子としての光磁気ディ
スクの構成は前記の実施例と同一であるので、その説明
を省略する。
【００２５】本実施例の光変調方式のオーバーライト方
法では、図４（ａ）に示すように、ローレベルＰL のレ
ーザー光の照射時間の長さを一定にし、ハイレベルＰH
のレーザー光の照射時間の長さを変えながら記録を行う
場合、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間の長さに
応じて、ハイレベルＰH のパワーを変化させている。
法では、図４（ａ）に示すように、ローレベルＰL のレ
ーザー光の照射時間の長さを一定にし、ハイレベルＰH
のレーザー光の照射時間の長さを変えながら記録を行う
場合、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間の長さに
応じて、ハイレベルＰH のパワーを変化させている。
【００２６】すなわち、図５の補正曲線に示すように、
ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間が長くなるにし
たがって、ハイレベルＰH のパワーを小さくしている。
換言すれば、ハイレベルＰH に対応する記録ビットの長
さが長くなるにしたがって、ハイレベルＰH のパワーを
小さくしている。これにより、補助層の温度がキュリー
点ＴC 以上に昇温する領域は、図４（ｂ）に示すよう
に、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間の長さに相
当する大きさになり、ハイレベルＰH のレーザー光の照
射時間の長さに依らなくなる。したがって、図４（ｃ）
に示すように、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間
の長さに対応する長さの記録ビットをメモリー層に形成
することができる。このため、再生時に良好な信号品質
を得ることができる。
ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間が長くなるにし
たがって、ハイレベルＰH のパワーを小さくしている。
換言すれば、ハイレベルＰH に対応する記録ビットの長
さが長くなるにしたがって、ハイレベルＰH のパワーを
小さくしている。これにより、補助層の温度がキュリー
点ＴC 以上に昇温する領域は、図４（ｂ）に示すよう
に、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間の長さに相
当する大きさになり、ハイレベルＰH のレーザー光の照
射時間の長さに依らなくなる。したがって、図４（ｃ）
に示すように、ハイレベルＰH のレーザー光の照射時間
の長さに対応する長さの記録ビットをメモリー層に形成
することができる。このため、再生時に良好な信号品質
を得ることができる。
【００２７】なお、ハイレベルＰH のレーザー光のパワ
ーを、図６に示すように、ハイレベルＰH に対応する記
録ビットの長さに応じて、離散的に補正するようにして
もかまわない。
ーを、図６に示すように、ハイレベルＰH に対応する記
録ビットの長さに応じて、離散的に補正するようにして
もかまわない。
【００２８】本発明の第３の実施例について図７に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、光磁気メモリー素子としての光磁気ディスクの構成
は前記の実施例と同一であるので、その説明を省略す
る。
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、光磁気メモリー素子としての光磁気ディスクの構成
は前記の実施例と同一であるので、その説明を省略す
る。
【００２９】本実施例の光変調方式のオーバーライト方
法では、図７に示すように、ハイレベルＰH およびロー
レベルＰL のレーザー光の照射時間の長さを共に変えな
がら記録を行う場合、ハイレベルＰH のレーザー光の照
射時間の長さに応じて、ハイレベルＰH のパワーを変化
させていると共に、ローレベルＰL のレーザー光の照射
時間の長さに応じて、ローレベルＰL のパワーを変化さ
せている。
法では、図７に示すように、ハイレベルＰH およびロー
レベルＰL のレーザー光の照射時間の長さを共に変えな
がら記録を行う場合、ハイレベルＰH のレーザー光の照
射時間の長さに応じて、ハイレベルＰH のパワーを変化
させていると共に、ローレベルＰL のレーザー光の照射
時間の長さに応じて、ローレベルＰL のパワーを変化さ
せている。
【００３０】すなわち、前記第１の実施例と同様に、ロ
ーレベルＰL のレーザー光の照射時間が長くなるにした
がって、ローレベルＰL のパワーを大きくしていると共
に、前記第２の実施例と同様に、ハイレベルＰH のレー
ザー光の照射時間が長くなるにしたがって、ハイレベル
ＰH のパワーを小さくしている。
ーレベルＰL のレーザー光の照射時間が長くなるにした
がって、ローレベルＰL のパワーを大きくしていると共
に、前記第２の実施例と同様に、ハイレベルＰH のレー
ザー光の照射時間が長くなるにしたがって、ハイレベル
ＰH のパワーを小さくしている。
【００３１】ローレベルＰL およびハイレベルＰH の補
正は、前記実施例と同様に、連続的に、あるいは、離散
的に行われる。
正は、前記実施例と同様に、連続的に、あるいは、離散
的に行われる。
【００３２】本実施例では、ローレベルＰL およびハイ
レベルＰH の両方を補正しているので、前記実施例より
もさらに正確な長さの記録ビットを形成できる。このた
め、再生時により良好な信号品質を得ることができる。
レベルＰH の両方を補正しているので、前記実施例より
もさらに正確な長さの記録ビットを形成できる。このた
め、再生時により良好な信号品質を得ることができる。
【００３３】本発明の第４の実施例について図８および
図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、光磁気メモリー素子としての光磁気ディ
スクの構成は前記の実施例と同一であるので、その説明
を省略する。
図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、光磁気メモリー素子としての光磁気ディ
スクの構成は前記の実施例と同一であるので、その説明
を省略する。
【００３４】本実施例の光変調方式のオーバーライト方
法は、図８に示すように、一つの記録ビットを記録する
照射時間内で、ハイレベルＰH およびローレベルＰL を
連続的に（ノコギリ波状に）変化させている点で、前記
第３の実施例とは異なっている。
法は、図８に示すように、一つの記録ビットを記録する
照射時間内で、ハイレベルＰH およびローレベルＰL を
連続的に（ノコギリ波状に）変化させている点で、前記
第３の実施例とは異なっている。
【００３５】本実施例では、温度上昇時の温度勾配と温
度降下時の温度勾配との差が小さくので、前記実施例よ
りもさらに正確な長さの記録ビットを形成できる。この
ため、再生時により良好な信号品質を得ることができ
る。
度降下時の温度勾配との差が小さくので、前記実施例よ
りもさらに正確な長さの記録ビットを形成できる。この
ため、再生時により良好な信号品質を得ることができ
る。
【００３６】なお、図９に示すように、一つの記録ビッ
トを記録する照射時間内で、ハイレベルＰH およびロー
レベルＰL を離散的に（パルス状に）変化させてもかま
わない。
トを記録する照射時間内で、ハイレベルＰH およびロー
レベルＰL を離散的に（パルス状に）変化させてもかま
わない。
【００３７】以上の実施例では、補助層とメモリー層と
からなる交換結合二層膜を有する光磁気ディスクを例に
挙げ説明したが、補助層とメモリー層との間に、交換結
合力を減少させる中間層を挿入した交換結合三層膜、補
助層と交換結合する初期層を備え、初期化磁界が不要な
交換結合四層膜あるいは交換結合二層膜を有する光磁気
ディスクを用いた場合においても、本発明の適用が可能
である。
からなる交換結合二層膜を有する光磁気ディスクを例に
挙げ説明したが、補助層とメモリー層との間に、交換結
合力を減少させる中間層を挿入した交換結合三層膜、補
助層と交換結合する初期層を備え、初期化磁界が不要な
交換結合四層膜あるいは交換結合二層膜を有する光磁気
ディスクを用いた場合においても、本発明の適用が可能
である。
【００３８】また、光磁気メモリー素子として、光磁気
ディスク以外にも、光磁気カードや光磁気テープ等を使
用することも可能である。
ディスク以外にも、光磁気カードや光磁気テープ等を使
用することも可能である。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る光磁気記録方法は、以上の
ように、ローレベルに対応した記録ビットを形成する場
合に、その記録ビットが長いほどローレベルのパワーを
より高めに補正するか、または、ハイレベルに対応した
記録ビットを形成する場合に、その記録ビットが長いほ
どハイレベルのパワーをより低めに補正するかの少なく
ともいずれか一方のレーザー光のパワー補正を行う構成
であるので、垂直磁化膜の上昇温度が記録ビットの長さ
に依らずほぼ一定となる。これにより、所望の長さの記
録ビットを形成することができる。このため、再生時に
良好な信号品質を得ることができるという効果を奏す
る。
ように、ローレベルに対応した記録ビットを形成する場
合に、その記録ビットが長いほどローレベルのパワーを
より高めに補正するか、または、ハイレベルに対応した
記録ビットを形成する場合に、その記録ビットが長いほ
どハイレベルのパワーをより低めに補正するかの少なく
ともいずれか一方のレーザー光のパワー補正を行う構成
であるので、垂直磁化膜の上昇温度が記録ビットの長さ
に依らずほぼ一定となる。これにより、所望の長さの記
録ビットを形成することができる。このため、再生時に
良好な信号品質を得ることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明の第１の実施例の光磁気記録方法を示す
説明図であり、（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）
は光磁気ディスクの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレ
ベルに対応した記録ビットを示している。
説明図であり、（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）
は光磁気ディスクの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレ
ベルに対応した記録ビットを示している。
【図２】図１の光磁気記録方法において、記録ビット長
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線を
示すグラフである。
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線を
示すグラフである。
【図３】図１の光磁気記録方法において、記録ビット長
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線の
他の例を示すグラフである。
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線の
他の例を示すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施例の光磁気記録方法を示す
説明図であり、（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）
は光磁気ディスクの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレ
ベルに対応した記録ビットを示している。
説明図であり、（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）
は光磁気ディスクの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレ
ベルに対応した記録ビットを示している。
【図５】図４の光磁気記録方法において、記録ビット長
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線を
示すグラフである。
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線を
示すグラフである。
【図６】図４の光磁気記録方法において、記録ビット長
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線の
他の例を示すグラフである。
に対するローレベルのレーザー光のパワーの補正曲線の
他の例を示すグラフである。
【図７】本発明の第３の実施例の光磁気記録方法におけ
るレーザー光の強度変化を示す説明図である。
るレーザー光の強度変化を示す説明図である。
【図８】本発明の第４の実施例の光磁気記録方法におけ
るレーザー光の強度変化を示す説明図である。
るレーザー光の強度変化を示す説明図である。
【図９】本発明の第４の実施例の光磁気記録方法におけ
るレーザー光の強度変化の他の例を示す説明図である。
るレーザー光の強度変化の他の例を示す説明図である。
【図１０】従来の光磁気記録方法を示す説明図であり、
（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）は光磁気ディス
クの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレベルに対応した
記録ビットを示している。
（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）は光磁気ディス
クの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレベルに対応した
記録ビットを示している。
【図１１】従来の他の光磁気記録方法を示す説明図であ
り、（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）は光磁気デ
ィスクの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレベルに対応
した記録ビットを示している。
り、（ａ）はレーザー光の強度変化、（ｂ）は光磁気デ
ィスクの補助層の温度変化、（ｃ）はハイレベルに対応
した記録ビットを示している。
ＰH ハイレベルのレーザーパワー ＰL ローレベルのレーザーパワー ＴC 補助層のキュリー温度
Claims (1)
- 【請求項１】情報に応じてレーザー光のパワーをハイレ
ベルまたはローレベルに変調し、垂直磁化膜を有する光
磁気ディスク等の光磁気メモリー素子に照射することに
より、上向きまたは下向きの磁化を有する記録ビットを
形成する光磁気記録方法において、 ローレベルに対応した記録ビットを形成する場合に、そ
の記録ビットが長いほどローレベルのパワーをより高め
に補正するか、または、ハイレベルに対応した記録ビッ
トを形成する場合に、その記録ビットが長いほどハイレ
ベルのパワーをより低めに補正するかの少なくともいず
れか一方のレーザー光のパワー補正を行うことを特徴と
する光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119076A JPH05314566A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119076A JPH05314566A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314566A true JPH05314566A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14752290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4119076A Pending JPH05314566A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314566A (ja) |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP4119076A patent/JPH05314566A/ja active Pending
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