JPH05315076A - 端面発光型ｅｌ素子のピクセル形成方法 - Google Patents
端面発光型ｅｌ素子のピクセル形成方法Info
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- JPH05315076A JPH05315076A JP12157392A JP12157392A JPH05315076A JP H05315076 A JPH05315076 A JP H05315076A JP 12157392 A JP12157392 A JP 12157392A JP 12157392 A JP12157392 A JP 12157392A JP H05315076 A JPH05315076 A JP H05315076A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保護膜が発光時に破壊することがない小型で
信頼性のある端面発光型ＥＬ素子のピクセルを形成す
る。 【構成】 基板上に順に積層した下部電極層、下部誘電
体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電極層からなる
積層体を形成する第１の工程と、この積層体をフォトレ
ジスト膜を用いて選択的にエッチングして端面発光部を
形成する第２の工程と、積層体上に残存するフォトレジ
スト膜を除去することなく保護層を形成する第３の工程
とからなる。
信頼性のある端面発光型ＥＬ素子のピクセルを形成す
る。 【構成】 基板上に順に積層した下部電極層、下部誘電
体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電極層からなる
積層体を形成する第１の工程と、この積層体をフォトレ
ジスト膜を用いて選択的にエッチングして端面発光部を
形成する第２の工程と、積層体上に残存するフォトレジ
スト膜を除去することなく保護層を形成する第３の工程
とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、端面発光型ＥＬ素子の
ピクセル形成方法に関し、とくにピクセル形成過程にお
いて、ＥＬ素子の破壊が生じにくい保護膜の形成方法を
有する端面発光型ＥＬ素子のピクセル形成方法に関す
る。
ピクセル形成方法に関し、とくにピクセル形成過程にお
いて、ＥＬ素子の破壊が生じにくい保護膜の形成方法を
有する端面発光型ＥＬ素子のピクセル形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子写真方式のプリンターヘッド
として、種々の発光素子が開発されるとともに、その小
型化が望まれている。
として、種々の発光素子が開発されるとともに、その小
型化が望まれている。
【０００３】従来、プリンターヘッドの発光素子として
は、光源として半導体レーザーが主流をしめていたが、
光学系が大きくなり、プリンタの小型化が困難という問
題に加えて高価格であることから、より低価格の発光素
子としてＥＬ（電場発光）発光素子やＬＥＤ（発光ダイ
オード）発光素子等が検討されている。しかし、ＬＥＤ
発光素子は素子間の光量バラツキが大きいため、プリン
ターヘッドの発光素子として鮮明な印刷を行うには複雑
な光量補正の必要がある等の問題がある。
は、光源として半導体レーザーが主流をしめていたが、
光学系が大きくなり、プリンタの小型化が困難という問
題に加えて高価格であることから、より低価格の発光素
子としてＥＬ（電場発光）発光素子やＬＥＤ（発光ダイ
オード）発光素子等が検討されている。しかし、ＬＥＤ
発光素子は素子間の光量バラツキが大きいため、プリン
ターヘッドの発光素子として鮮明な印刷を行うには複雑
な光量補正の必要がある等の問題がある。
【０００４】一方、蛍光体に電圧を印加すると発光する
ことを利用した薄膜ＥＬ発光素子を基板上にアレイ状に
配設してなる光プリンタヘッドは、小型化が容易で、ま
たマルチチップでないために光量のバラツキも小さく補
正を必要としない等の優れた点が多い。また端面発光機
構のＥＬ発光素子とすることにより、平面発光素子の約
100倍の発光輝度を示すことが知られている。このた
め、複数の薄膜ＥＬ端面発光素子を基板上にアレイ状に
形成し、この光照射により感光部材を介して印字を行う
プリンターヘッドが開発されている。
ことを利用した薄膜ＥＬ発光素子を基板上にアレイ状に
配設してなる光プリンタヘッドは、小型化が容易で、ま
たマルチチップでないために光量のバラツキも小さく補
正を必要としない等の優れた点が多い。また端面発光機
構のＥＬ発光素子とすることにより、平面発光素子の約
100倍の発光輝度を示すことが知られている。このた
め、複数の薄膜ＥＬ端面発光素子を基板上にアレイ状に
形成し、この光照射により感光部材を介して印字を行う
プリンターヘッドが開発されている。
【０００５】従来の端面発光型ＥＬ素子は、通常以下の
ようにして作成されている。まず絶縁基板上に下部電極
層、下部誘電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電
極層を順に積層する。下部および上部電極層は通常Ｃｒ
−Ａｕなどがスパッタリング法で形成され、下部および
上部誘電体層はＳｉＯＮがやはりスパッタリング法で形
成される。発光層はＺｎＳ：Ｍｎが蒸着或いはスパッタ
リング法で形成される。ところで、端面発光型ＥＬ素子
の信頼性を維持するために、一般に積層体の一部を構成
する誘電体層−発光層−誘電体層の形成は、大気にさら
すことなく連続成膜することが実用化されている。
ようにして作成されている。まず絶縁基板上に下部電極
層、下部誘電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電
極層を順に積層する。下部および上部電極層は通常Ｃｒ
−Ａｕなどがスパッタリング法で形成され、下部および
上部誘電体層はＳｉＯＮがやはりスパッタリング法で形
成される。発光層はＺｎＳ：Ｍｎが蒸着或いはスパッタ
リング法で形成される。ところで、端面発光型ＥＬ素子
の信頼性を維持するために、一般に積層体の一部を構成
する誘電体層−発光層−誘電体層の形成は、大気にさら
すことなく連続成膜することが実用化されている。
【０００６】つぎに、端面発光型ＥＬ素子とするため
に、得られた積層体をホトレジスト膜でマスキングし選
択的にエッチングしてピクセルを形成する。このピクセ
ル形成にはウエットエッチング法或いはドライエッチン
グ法が用いられている。しかし、エッチング端面が水溶
液に接するため信頼性に問題が生じやすいウエットエッ
チング法よりも、水溶液を使用しないドライエッチング
法が通常用いられている。
に、得られた積層体をホトレジスト膜でマスキングし選
択的にエッチングしてピクセルを形成する。このピクセ
ル形成にはウエットエッチング法或いはドライエッチン
グ法が用いられている。しかし、エッチング端面が水溶
液に接するため信頼性に問題が生じやすいウエットエッ
チング法よりも、水溶液を使用しないドライエッチング
法が通常用いられている。
【０００７】このようにしてエッチングが終了した後、
ピクセルが形成された積層体をエッチング装置から一旦
大気中に取り出してアッシャ装置のようなレジスト除去
装置に移し、ホトレジスト膜を除去する。次いでレジス
ト除去装置からピクセルが形成された積層体を再び大気
中に取り出してスパッタリング装置に移しエッチング端
面の保護膜を形成する。この保護膜は後のプロセスでの
損傷を防ぐためで、通常は保護膜を比較的薄く形成す
る。このため、発光時に保護膜が損傷する問題があっ
た。最後に電極パッド等を形成し、端面発光型ＥＬ素子
を得る。
ピクセルが形成された積層体をエッチング装置から一旦
大気中に取り出してアッシャ装置のようなレジスト除去
装置に移し、ホトレジスト膜を除去する。次いでレジス
ト除去装置からピクセルが形成された積層体を再び大気
中に取り出してスパッタリング装置に移しエッチング端
面の保護膜を形成する。この保護膜は後のプロセスでの
損傷を防ぐためで、通常は保護膜を比較的薄く形成す
る。このため、発光時に保護膜が損傷する問題があっ
た。最後に電極パッド等を形成し、端面発光型ＥＬ素子
を得る。
【０００８】このようにして得られた端面発光型ＥＬ素
子１４は、図４に示すように、湿気から保護するために
外囲器１６にシリコンオイル１５等を封入して用いられ
る。
子１４は、図４に示すように、湿気から保護するために
外囲器１６にシリコンオイル１５等を封入して用いられ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、端面発
光型ＥＬ素子をシリコンオイル等で封入することは、光
プリンタヘッド等の小型化が特に必要なデバイスでは、
必ずしも充分な小型化が困難であり問題となっていた。
さらにピクセルの形成および形成された端面の保護に関
しても必ずしも適切とはいえず問題となっていた。すな
わち、端面の保護膜は比較的薄く形成されているため、
発光時に損傷するという問題や大気中の湿気や不純物の
影響で発光端面が劣化したりする問題があった。
光型ＥＬ素子をシリコンオイル等で封入することは、光
プリンタヘッド等の小型化が特に必要なデバイスでは、
必ずしも充分な小型化が困難であり問題となっていた。
さらにピクセルの形成および形成された端面の保護に関
しても必ずしも適切とはいえず問題となっていた。すな
わち、端面の保護膜は比較的薄く形成されているため、
発光時に損傷するという問題や大気中の湿気や不純物の
影響で発光端面が劣化したりする問題があった。
【００１０】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたもので、保護膜が発光時に破壊することがない小型
で信頼性のある端面発光型ＥＬ素子のピクセル形成方法
を提供することを目的とする。
れたもので、保護膜が発光時に破壊することがない小型
で信頼性のある端面発光型ＥＬ素子のピクセル形成方法
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の端面発光型ＥＬ
素子のピクセル形成方法は、基板上に順に積層した下部
電極層、下部誘電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上
部電極層からなる積層体を形成する第１の工程と、この
積層体をフォトレジスト膜を用いて選択的にエッチング
して端面発光部を形成する第２の工程と、積層体上に残
存するフォトレジスト膜を除去することなく保護層を形
成する第３の工程とからなることを特徴とする。
素子のピクセル形成方法は、基板上に順に積層した下部
電極層、下部誘電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上
部電極層からなる積層体を形成する第１の工程と、この
積層体をフォトレジスト膜を用いて選択的にエッチング
して端面発光部を形成する第２の工程と、積層体上に残
存するフォトレジスト膜を除去することなく保護層を形
成する第３の工程とからなることを特徴とする。
【００１２】本発明に係わる第１の工程で使用できる基
板および電極材料は、通常の端面発光型ＥＬ素子の製造
に使用することのできる材料であれば特に制限がなく使
用できる。たとえば、基板には、ガラスなどの絶縁性の
良好な高抵抗の材料が、下部および上部の電極層には、
Ｃｒ−Ａｕなどの通常の電極材料が使用できる。また、
ＥＬ発光層には、ＺｎＳに少量のＭｎやＴｂなどをドー
プしたＺｎＳ：ＭｎやＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆなどの発光材料
が使用できる。下部および上部誘電体層には、ＥＬ発光
層に印加される 1MV/cm 程度の電界に耐える絶縁強度を
有する絶縁物が使用できる。好ましい絶縁物としてはＳ
ｉＯＮが挙げられる。
板および電極材料は、通常の端面発光型ＥＬ素子の製造
に使用することのできる材料であれば特に制限がなく使
用できる。たとえば、基板には、ガラスなどの絶縁性の
良好な高抵抗の材料が、下部および上部の電極層には、
Ｃｒ−Ａｕなどの通常の電極材料が使用できる。また、
ＥＬ発光層には、ＺｎＳに少量のＭｎやＴｂなどをドー
プしたＺｎＳ：ＭｎやＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆなどの発光材料
が使用できる。下部および上部誘電体層には、ＥＬ発光
層に印加される 1MV/cm 程度の電界に耐える絶縁強度を
有する絶縁物が使用できる。好ましい絶縁物としてはＳ
ｉＯＮが挙げられる。
【００１３】下部および上部の電極層、ＥＬ発光層なら
びに下部および上部の誘電体層は、スパッタリング法等
で形成することができる。なお、ＳｉＯＮはＳｉＯ2 と
Ｓｉ3 Ｎ4 のコンパウンドによりなるターゲットを用い
てスパッタリング法等で形成される。
びに下部および上部の誘電体層は、スパッタリング法等
で形成することができる。なお、ＳｉＯＮはＳｉＯ2 と
Ｓｉ3 Ｎ4 のコンパウンドによりなるターゲットを用い
てスパッタリング法等で形成される。
【００１４】本発明に係わる第２の工程で使用できるフ
ォトレジスト膜は、通常の端面発光型ＥＬ素子の製造に
使用することのできる材料であれば特に制限がなく使用
できる。しかし、発光輝度の大きい端面発光型ＥＬ素子
にあってはＥＬ素子自身が相当発熱する場合があるた
め、耐熱性に優れた感光性ポリイミド系のフォトレジス
ト膜を使用することがとくに好ましい。感光性ポリイミ
ド系のフォトレジスト膜としては、たとえば、パイラリ
ン（デュポンジャパンリミテッド社製）、フォトニース
（（株）東レ製）、セレクティラックス（メルク社
製）、プロビミド（チバガイギー社製）、パイメール
（旭加成社製）などを用いて形成することができる。な
お、感光性ポリイミド系のフォトレジスト膜の膜厚は
0.5μから 1.0μの範囲にあるのが好ましい。
ォトレジスト膜は、通常の端面発光型ＥＬ素子の製造に
使用することのできる材料であれば特に制限がなく使用
できる。しかし、発光輝度の大きい端面発光型ＥＬ素子
にあってはＥＬ素子自身が相当発熱する場合があるた
め、耐熱性に優れた感光性ポリイミド系のフォトレジス
ト膜を使用することがとくに好ましい。感光性ポリイミ
ド系のフォトレジスト膜としては、たとえば、パイラリ
ン（デュポンジャパンリミテッド社製）、フォトニース
（（株）東レ製）、セレクティラックス（メルク社
製）、プロビミド（チバガイギー社製）、パイメール
（旭加成社製）などを用いて形成することができる。な
お、感光性ポリイミド系のフォトレジスト膜の膜厚は
0.5μから 1.0μの範囲にあるのが好ましい。
【００１５】本発明に係わる第２の工程は、基板上に形
成された積層体表面に感光性ポリイミド系のフォトレジ
スト膜を所要のパターンで形成し、積層体を選択的にエ
ッチングして端面発光部を形成する工程である。選択的
にエッチングするとは、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により積層体の各層を順次エッチングすることを
いう。反応性イオンエッチング法に使用することのでき
る装置としては、平行平板形ＲＩＥ装置やバレル形ＲＩ
Ｅ装置からなる通常形ＲＩＥ装置、トライオード構造Ｒ
ＩＥ装置、マグネトロン応用ＲＩＥ装置、マイクロウェ
ーブ応用ＲＩＥ装置などが挙げられる。
成された積層体表面に感光性ポリイミド系のフォトレジ
スト膜を所要のパターンで形成し、積層体を選択的にエ
ッチングして端面発光部を形成する工程である。選択的
にエッチングするとは、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により積層体の各層を順次エッチングすることを
いう。反応性イオンエッチング法に使用することのでき
る装置としては、平行平板形ＲＩＥ装置やバレル形ＲＩ
Ｅ装置からなる通常形ＲＩＥ装置、トライオード構造Ｒ
ＩＥ装置、マグネトロン応用ＲＩＥ装置、マイクロウェ
ーブ応用ＲＩＥ装置などが挙げられる。
【００１６】本発明に係わる第３の工程で使用できる保
護層は、ＳｉＯ2 膜やＳｉ3 Ｎ4 膜で、これらはプラズ
マＣＶＤ装置などを用いて形成することができる。
護層は、ＳｉＯ2 膜やＳｉ3 Ｎ4 膜で、これらはプラズ
マＣＶＤ装置などを用いて形成することができる。
【００１７】本発明の端面発光型ＥＬ素子のピクセル形
成方法において、第２の工程と第３の工程とを大気にさ
らすことなく連続して行うことが、とくに重要である。
このため、第２の工程で形成した感光性ポリイミド系の
フォトレジスト膜を、通常のエッチング工程にみられる
フォトレジスト膜除去工程を経ないで、積層体表面に残
したまま第３の工程の保護層形成が連続して行われる。
具体的には積層体表面に形成した膜厚が 0.5μから 1.0
μの感光性ポリイミド系の膜をマスキング膜としてＲＩ
Ｅ装置を用い積層体を選択的にエッチングした後、大気
にさらすことなくプラズマＣＶＤ装置などに移送して感
光性ポリイミド系の膜上にＳｉＯ2 膜などを成膜する。
プラズマＣＶＤ装置などへ移送は、ＲＩＥ装置とプラズ
マＣＶＤ装置との間に結合されたロードロックという予
備排気室を有するローディング装置を介して行うことが
できる。
成方法において、第２の工程と第３の工程とを大気にさ
らすことなく連続して行うことが、とくに重要である。
このため、第２の工程で形成した感光性ポリイミド系の
フォトレジスト膜を、通常のエッチング工程にみられる
フォトレジスト膜除去工程を経ないで、積層体表面に残
したまま第３の工程の保護層形成が連続して行われる。
具体的には積層体表面に形成した膜厚が 0.5μから 1.0
μの感光性ポリイミド系の膜をマスキング膜としてＲＩ
Ｅ装置を用い積層体を選択的にエッチングした後、大気
にさらすことなくプラズマＣＶＤ装置などに移送して感
光性ポリイミド系の膜上にＳｉＯ2 膜などを成膜する。
プラズマＣＶＤ装置などへ移送は、ＲＩＥ装置とプラズ
マＣＶＤ装置との間に結合されたロードロックという予
備排気室を有するローディング装置を介して行うことが
できる。
【００１８】上述の形成方法で得られた端面発光型ＥＬ
素子は、水分からの劣化を防止する保護層を比較的厚く
形成しても、従来のように発光時に保護層が損傷するこ
となく、本来の保護層の役割を果たすことがわかった。
素子は、水分からの劣化を防止する保護層を比較的厚く
形成しても、従来のように発光時に保護層が損傷するこ
となく、本来の保護層の役割を果たすことがわかった。
【００１９】
【作用】上述のようにして得られる端面発光型ＥＬ素子
の形成方法は、選択的エッチングから保護層形成の工程
間にフォトレジスト膜を除去しないので、エッチング端
面が大気に触れることがない。このため、水分吸着など
を防止することができ端面発光型ＥＬ素子の信頼性が向
上する。
の形成方法は、選択的エッチングから保護層形成の工程
間にフォトレジスト膜を除去しないので、エッチング端
面が大気に触れることがない。このため、水分吸着など
を防止することができ端面発光型ＥＬ素子の信頼性が向
上する。
【００２０】また、保護層を比較的厚く形成しても保護
層が損傷することがないのは、高分子材料のフォトレジ
スト膜に弾性があるために、発光時にＥＬ層が変位して
も、歪をフォトレジスト膜が吸収するため破壊には至ら
ないと考えられる。
層が損傷することがないのは、高分子材料のフォトレジ
スト膜に弾性があるために、発光時にＥＬ層が変位して
も、歪をフォトレジスト膜が吸収するため破壊には至ら
ないと考えられる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図３を用いて
説明する。
説明する。
【００２２】図１は本発明に係わる端面発光型ＥＬ素子
の積層構造を示す断面図であり、図２はピクセル形成時
の形状を示す一部を省略した斜視図であり、図３は完成
時の形状を示す一部を省略した斜視図である。
の積層構造を示す断面図であり、図２はピクセル形成時
の形状を示す一部を省略した斜視図であり、図３は完成
時の形状を示す一部を省略した斜視図である。
【００２３】まず、図１に示す如く絶縁基板１の上に下
部電極層２としてＣｒ−Ａｕをスパッタリング法で成膜
し、続いて下部誘電体層３としてＳｉＯＮを、発光層４
としてＺｎＳ：Ｍｎを、上部誘電体層５としてＳｉＯＮ
をスパッタリング法で連続成膜し、その後に上部電極層
６としてＣｒ−Ａｕを再度スパッタリング法で形成し、
積層体７を形成した。
部電極層２としてＣｒ−Ａｕをスパッタリング法で成膜
し、続いて下部誘電体層３としてＳｉＯＮを、発光層４
としてＺｎＳ：Ｍｎを、上部誘電体層５としてＳｉＯＮ
をスパッタリング法で連続成膜し、その後に上部電極層
６としてＣｒ−Ａｕを再度スパッタリング法で形成し、
積層体７を形成した。
【００２４】積層体７は、その上面に感光性ポリイミド
膜８を塗布しレジストパターンを形成した後、ＲＩＥ装
置のチャンバー内に装着し、上部電極層６、上部誘電体
層５、発光層４、下部誘電体層３、下部電極層２の順に
上層から選択的にドライエッチングして図２に示すピク
セル９を形成した。なおエッチングガスは、電極層と誘
電体層はＣＦ4 にＯ2 を添加した組成のガス、発光層は
Ｃｌ2 を主成分としたガスを使用した。
膜８を塗布しレジストパターンを形成した後、ＲＩＥ装
置のチャンバー内に装着し、上部電極層６、上部誘電体
層５、発光層４、下部誘電体層３、下部電極層２の順に
上層から選択的にドライエッチングして図２に示すピク
セル９を形成した。なおエッチングガスは、電極層と誘
電体層はＣＦ4 にＯ2 を添加した組成のガス、発光層は
Ｃｌ2 を主成分としたガスを使用した。
【００２５】その後、ロードロックを介してプラズマＣ
ＶＤ装置内にピクセル９が形成された積層体を大気に触
れることなく移送し、保護膜としてＳｉＯ2 膜１０、Ｓ
ｉ3Ｎ4 膜１１を各々 0.5μm づつ 2層にして堆積し
た。最後に上部電極層の分離、パッド部１２の形成、リ
ード端子１３の接続を行い、図３に示す如く、端面発光
型ＥＬ素子を得た。
ＶＤ装置内にピクセル９が形成された積層体を大気に触
れることなく移送し、保護膜としてＳｉＯ2 膜１０、Ｓ
ｉ3Ｎ4 膜１１を各々 0.5μm づつ 2層にして堆積し
た。最後に上部電極層の分離、パッド部１２の形成、リ
ード端子１３の接続を行い、図３に示す如く、端面発光
型ＥＬ素子を得た。
【００２６】このようにして得られた端面発光型ＥＬ素
子を実際のＥＬプリンタヘッドに組み込み特性を評価し
た。端面発光型ＥＬ素子の保護層が発光時に破壊するこ
とはなかった。また周波数5kHz の矩形波による 200時
間の駆動後の輝度減少も、従来のシリコンオイル封止と
比較して殆んど差は無く良好な結果が得られた。
子を実際のＥＬプリンタヘッドに組み込み特性を評価し
た。端面発光型ＥＬ素子の保護層が発光時に破壊するこ
とはなかった。また周波数5kHz の矩形波による 200時
間の駆動後の輝度減少も、従来のシリコンオイル封止と
比較して殆んど差は無く良好な結果が得られた。
【００２７】
【発明の効果】本発明の端面発光型ＥＬ素子のピクセル
形成方法は、基板上に順に積層した下部電極層、下部誘
電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電極層からな
る積層体を形成する第１の工程と、この積層体をフォト
レジスト膜を用いて選択的にエッチングして端面発光部
を形成する第２の工程と、積層体上に残存するフォトレ
ジスト膜を除去することなく保護層を形成する第３の工
程とからなるので、端面発光型ＥＬ素子の保護層が発光
時に破壊することがなく、かつ従来の保護方法と比較し
ても、輝度劣化で劣ることもなく、小型の端面発光型Ｅ
Ｌ素子が得られる。
形成方法は、基板上に順に積層した下部電極層、下部誘
電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電極層からな
る積層体を形成する第１の工程と、この積層体をフォト
レジスト膜を用いて選択的にエッチングして端面発光部
を形成する第２の工程と、積層体上に残存するフォトレ
ジスト膜を除去することなく保護層を形成する第３の工
程とからなるので、端面発光型ＥＬ素子の保護層が発光
時に破壊することがなく、かつ従来の保護方法と比較し
ても、輝度劣化で劣ることもなく、小型の端面発光型Ｅ
Ｌ素子が得られる。
【図１】本発明に係わる端面発光型ＥＬ素子の積層構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明に係わる端面発光型ＥＬ素子のピクセル
形成時の形状を示す一部を省略した斜視図である。
形成時の形状を示す一部を省略した斜視図である。
【図３】本発明に係わる端面発光型ＥＬ素子の完成時の
形状を示す一部を省略した斜視図である。
形状を示す一部を省略した斜視図である。
【図４】シリコンオイルで保護した従来の端面発光型Ｅ
Ｌ素子の断面図である。
Ｌ素子の断面図である。
１………絶縁基板、２………下部電極層、３………下部
誘電体層、４………発光層、５………上部誘電体層、６
………上部電極層、７………積層体、８………感光性ポ
リイミド膜、９………ピクセル、１０………ＳｉＯ
2 膜、１１………Ｓｉ3 Ｎ4 膜、１２………パッド部、
１３………リード端子、１４………端面発光型ＥＬ素
子、１５………シリコンオイル、１６………外囲器。
誘電体層、４………発光層、５………上部誘電体層、６
………上部電極層、７………積層体、８………感光性ポ
リイミド膜、９………ピクセル、１０………ＳｉＯ
2 膜、１１………Ｓｉ3 Ｎ4 膜、１２………パッド部、
１３………リード端子、１４………端面発光型ＥＬ素
子、１５………シリコンオイル、１６………外囲器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ４１Ｊ 2/455 Ｇ０９Ｆ 9/30 ３６５ Ａ 6447−5Ｇ Ｈ０５Ｂ 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に順に積層した下部電極層、下部
誘電体層、ＥＬ発光層、上部誘電体層、上部電極層から
なる積層体を形成する第１の工程と、前記積層体をフォ
トレジスト膜を用いて選択的にエッチングして端面発光
部を形成する第２の工程と、前記フォトレジスト膜を除
去することなく保護層を形成する第３の工程とからなる
ことを特徴とする端面発光型ＥＬ素子のピクセル形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12157392A JPH05315076A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 端面発光型ｅｌ素子のピクセル形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12157392A JPH05315076A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 端面発光型ｅｌ素子のピクセル形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315076A true JPH05315076A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14814583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12157392A Withdrawn JPH05315076A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 端面発光型ｅｌ素子のピクセル形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315076A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0788297A1 (en) * | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
| JP2011192846A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP12157392A patent/JPH05315076A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0788297A1 (en) * | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
| US5820996A (en) * | 1996-01-31 | 1998-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manufacturing same |
| JP2011192846A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |