JPH053151A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
- Publication number
- JPH053151A JPH053151A JP3145793A JP14579391A JPH053151A JP H053151 A JPH053151 A JP H053151A JP 3145793 A JP3145793 A JP 3145793A JP 14579391 A JP14579391 A JP 14579391A JP H053151 A JPH053151 A JP H053151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sulfuric acid
- removal
- cleaning
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】除去室におけるレジストの除去能力が低下する
のを防止する。 【構成】除去室２に硫酸槽１０を設け、洗浄室３に温水
洗浄槽１１を設け、除去室２と洗浄室３との間に開閉シ
ャッタ１を設け、半導体ウェハの搬送ロボット４を設
け、開閉シャッタ１の近傍の上部に下部に複数の穴を有
するエア導入管５を設け、エア導入管５にエア供給装置
１２を接続する。
のを防止する。 【構成】除去室２に硫酸槽１０を設け、洗浄室３に温水
洗浄槽１１を設け、除去室２と洗浄室３との間に開閉シ
ャッタ１を設け、半導体ウェハの搬送ロボット４を設
け、開閉シャッタ１の近傍の上部に下部に複数の穴を有
するエア導入管５を設け、エア導入管５にエア供給装置
１２を接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は硫酸槽が設けられた除
去室と温水洗浄槽が設けられた洗浄室とを有するレジス
ト除去装置に関するものである。
去室と温水洗浄槽が設けられた洗浄室とを有するレジス
ト除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のホトレジスト除去装置において
は、除去室と洗浄室との間に開閉シャッタを設けてい
る。
は、除去室と洗浄室との間に開閉シャッタを設けてい
る。
【０００３】このホトレジスト除去装置においては、除
去室で半導体ウェハのホトレジストを除去したのちに、
開閉シャッタを開き、半導体ウェハを洗浄室に搬送し、
洗浄室で半導体ウェハを洗浄する。
去室で半導体ウェハのホトレジストを除去したのちに、
開閉シャッタを開き、半導体ウェハを洗浄室に搬送し、
洗浄室で半導体ウェハを洗浄する。
【０００４】なお、本出願人は本発明の出願に際し先行
技術調査を行なった。その結果、実開昭５２−３５９６
５号公報にエアカーテンを設けた半導体製造装置が記載
されていることが判った。しかし、発明の結果としてエ
アカーテンを用いることが類似してはいるものの、本願
発明は後述するように上記公報の発明とは目的、構成が
異なるものである。
技術調査を行なった。その結果、実開昭５２−３５９６
５号公報にエアカーテンを設けた半導体製造装置が記載
されていることが判った。しかし、発明の結果としてエ
アカーテンを用いることが類似してはいるものの、本願
発明は後述するように上記公報の発明とは目的、構成が
異なるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のホトレ
ジスト除去装置においては、開閉シャッタを開いたとき
に、温水洗浄槽から立ち上がった水蒸気が除去室内に流
れ込むから、硫酸槽内の硫酸の濃度が低下し、除去室に
おけるホトレジストの除去能力が低下する。このため、
硫酸槽内の硫酸を頻繁に交換する必要があるから、半導
体装置の製造コストが高価となる。
ジスト除去装置においては、開閉シャッタを開いたとき
に、温水洗浄槽から立ち上がった水蒸気が除去室内に流
れ込むから、硫酸槽内の硫酸の濃度が低下し、除去室に
おけるホトレジストの除去能力が低下する。このため、
硫酸槽内の硫酸を頻繁に交換する必要があるから、半導
体装置の製造コストが高価となる。
【０００６】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、除去室におけるレジストの除去能力が低
下することがないレジスト除去装置を提供することを目
的とする。
されたもので、除去室におけるレジストの除去能力が低
下することがないレジスト除去装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、硫酸槽が設けられた除去室
と、温水洗浄槽が設けられた洗浄室と、上記除去室と上
記洗浄室との間に設けられた開閉シャッタと、被加工物
の搬送ロボットとを有するレジスト除去装置において、
上記開閉シャッタの近傍の上部に下部に複数の穴を有す
るエア導入管を設け、上記エア導入管にエア供給装置を
接続する。
め、この発明においては、硫酸槽が設けられた除去室
と、温水洗浄槽が設けられた洗浄室と、上記除去室と上
記洗浄室との間に設けられた開閉シャッタと、被加工物
の搬送ロボットとを有するレジスト除去装置において、
上記開閉シャッタの近傍の上部に下部に複数の穴を有す
るエア導入管を設け、上記エア導入管にエア供給装置を
接続する。
【０００８】
【作用】このレジスト除去装置においては、搬送ロボッ
トにより被加工物を除去室から洗浄室に搬送するとき
に、開閉シャッタを開にするとともに、エア供給装置か
らエア導入管にエアを供給することにより、除去室と洗
浄室との間にエアカーテンを形成する。
トにより被加工物を除去室から洗浄室に搬送するとき
に、開閉シャッタを開にするとともに、エア供給装置か
らエア導入管にエアを供給することにより、除去室と洗
浄室との間にエアカーテンを形成する。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明に係るオゾン硫酸除去を行な
うホトレジスト除去装置を示す概略図である。図におい
て、２は除去室、３は洗浄室と、１０は除去室２内に設
けられた硫酸槽、１１は洗浄室３内に設けられた温水洗
浄槽、１は除去室２と洗浄室３との間に設けられた開閉
シャッタで、開閉シャッタ１はテフロンの膜からなる。
４は図２に示すような半導体ウェハが収納された搬送カ
セット９を除去室２から洗浄室３に搬送する搬送ロボッ
ト、５は開閉シャッタ１の近傍の上部に設けられたエア
導入管で、エア導入管５は下部に複数の穴を有する。１
２はエア導入管５に接続されたエア供給装置で、エア供
給装置１２は清浄エア供給源（図示せず）に接続されて
いる。６、７はそれぞれ除去室２、洗浄室３に設けられ
た排気ダクトで、排気ダクトは吸引装置（図示せず）に
接続されている。
うホトレジスト除去装置を示す概略図である。図におい
て、２は除去室、３は洗浄室と、１０は除去室２内に設
けられた硫酸槽、１１は洗浄室３内に設けられた温水洗
浄槽、１は除去室２と洗浄室３との間に設けられた開閉
シャッタで、開閉シャッタ１はテフロンの膜からなる。
４は図２に示すような半導体ウェハが収納された搬送カ
セット９を除去室２から洗浄室３に搬送する搬送ロボッ
ト、５は開閉シャッタ１の近傍の上部に設けられたエア
導入管で、エア導入管５は下部に複数の穴を有する。１
２はエア導入管５に接続されたエア供給装置で、エア供
給装置１２は清浄エア供給源（図示せず）に接続されて
いる。６、７はそれぞれ除去室２、洗浄室３に設けられ
た排気ダクトで、排気ダクトは吸引装置（図示せず）に
接続されている。
【００１０】このホトレジスト除去装置よって半導体ウ
ェハの表面に形成されたホトレジストを除去するには、
まず搬送カセット９に半導体ウェハを収納し、搬送カセ
ット９を搬送ロボット４で保持し、除去室２内でホトレ
ジストを除去する。つぎに、図２に示すように、開閉シ
ャッタ１を開にするとともに、エア供給装置１２により
エア導入管５に乾燥した清浄エアを供給し、エア導入管
５の複数の穴から清浄エア噴出させることにより、除去
室２と洗浄室３との間にエアカーテン８を形成する。こ
の場合、清浄エアの速度は、清浄エアが半導体ウェハに
直接当たっても問題のない程度とする。つぎに、搬送ロ
ボット４を除去室２から洗浄室３に移動し、開閉シャッ
タ１を閉にするとともに、エア供給装置１２からエア導
入管５への清浄エアの供給を停止する。つぎに、洗浄室
３内で半導体ウェハを洗浄する。
ェハの表面に形成されたホトレジストを除去するには、
まず搬送カセット９に半導体ウェハを収納し、搬送カセ
ット９を搬送ロボット４で保持し、除去室２内でホトレ
ジストを除去する。つぎに、図２に示すように、開閉シ
ャッタ１を開にするとともに、エア供給装置１２により
エア導入管５に乾燥した清浄エアを供給し、エア導入管
５の複数の穴から清浄エア噴出させることにより、除去
室２と洗浄室３との間にエアカーテン８を形成する。こ
の場合、清浄エアの速度は、清浄エアが半導体ウェハに
直接当たっても問題のない程度とする。つぎに、搬送ロ
ボット４を除去室２から洗浄室３に移動し、開閉シャッ
タ１を閉にするとともに、エア供給装置１２からエア導
入管５への清浄エアの供給を停止する。つぎに、洗浄室
３内で半導体ウェハを洗浄する。
【００１１】このようなホトレジスト除去装置において
は、開閉シャッタ１を開にするとともに、除去室２と洗
浄室３との間にエアカーテン８を形成すれば、温水洗浄
槽１１から立ち上がった水蒸気が除去室２内に流れ込む
のを防止することができるから、硫酸槽１０内の硫酸の
濃度が低下することがないので、除去室２におけるホト
レジストの除去能力が低下するのを防止することができ
る。このため、硫酸槽１０内の硫酸を頻繁に交換する必
要がないから、半導体装置の製造コストが安価となる。
は、開閉シャッタ１を開にするとともに、除去室２と洗
浄室３との間にエアカーテン８を形成すれば、温水洗浄
槽１１から立ち上がった水蒸気が除去室２内に流れ込む
のを防止することができるから、硫酸槽１０内の硫酸の
濃度が低下することがないので、除去室２におけるホト
レジストの除去能力が低下するのを防止することができ
る。このため、硫酸槽１０内の硫酸を頻繁に交換する必
要がないから、半導体装置の製造コストが安価となる。
【００１２】なお、上述したごとく、実開昭５２−３５
９６５号公報にエアカーテンを設けた半導体製造装置が
記載されているが、この発明においては、レジスト除去
装置の内部にエアカーテンを形成するのに対して、上記
公報の考案においては、半導体気相成長装置の反応室の
外側にエアカーテンを形成しているのであり、この発明
と上記公報の考案とは構成において明らかに相違してい
る。また、この発明においては、硫酸槽内の硫酸の濃度
が低下することがないから、除去室におけるレジストの
除去能力が低下するのを防止することができるとういう
効果を奏するのに対して、上記公報の考案においては、
外部から反応室内に塵埃が侵入するのを防止することが
でき、反応室内の有害ガスから操作者を守ることができ
るという効果を奏するのであり、この発明と上記公報の
考案とは効果においても明らかに相違している。
９６５号公報にエアカーテンを設けた半導体製造装置が
記載されているが、この発明においては、レジスト除去
装置の内部にエアカーテンを形成するのに対して、上記
公報の考案においては、半導体気相成長装置の反応室の
外側にエアカーテンを形成しているのであり、この発明
と上記公報の考案とは構成において明らかに相違してい
る。また、この発明においては、硫酸槽内の硫酸の濃度
が低下することがないから、除去室におけるレジストの
除去能力が低下するのを防止することができるとういう
効果を奏するのに対して、上記公報の考案においては、
外部から反応室内に塵埃が侵入するのを防止することが
でき、反応室内の有害ガスから操作者を守ることができ
るという効果を奏するのであり、この発明と上記公報の
考案とは効果においても明らかに相違している。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係るレ
ジスト除去装置においては、開閉シャッタを開にすると
ともに、除去室と洗浄室との間にエアカーテンを形成す
れば、温水洗浄槽から立ち上がった水蒸気が除去室内に
流れ込むのを防止することができるから、硫酸槽内の硫
酸の濃度が低下することがないので、除去室におけるレ
ジストの除去能力が低下するのを防止することができ
る。このため、硫酸槽内の硫酸を頻繁に交換する必要が
ないから、被加工物の製造コストが安価となる。このよ
うに、この発明の効果は顕著である。
ジスト除去装置においては、開閉シャッタを開にすると
ともに、除去室と洗浄室との間にエアカーテンを形成す
れば、温水洗浄槽から立ち上がった水蒸気が除去室内に
流れ込むのを防止することができるから、硫酸槽内の硫
酸の濃度が低下することがないので、除去室におけるレ
ジストの除去能力が低下するのを防止することができ
る。このため、硫酸槽内の硫酸を頻繁に交換する必要が
ないから、被加工物の製造コストが安価となる。このよ
うに、この発明の効果は顕著である。
【図１】この発明に係るホトレジスト除去装置を示す概
略図である。
略図である。
【図２】図１に示したホトレジスト除去装置の動作説明
図である。
図である。
１…開閉シャッタ ２…除去室 ３…清浄室 ４…搬送ロボット ５…エア導入管 １０…硫酸槽 １１…温水清浄槽 １２…エア供給装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】硫酸槽が設けられた除去室と、温水洗浄槽
が設けられた洗浄室と、上記除去室と上記洗浄室との間
に設けられた開閉シャッタと、被加工物の搬送ロボット
とを有するレジスト除去装置において、上記開閉シャッ
タの近傍の上部に下部に複数の穴を有するエア導入管を
設け、上記エア導入管にエア供給装置を接続したことを
特徴とするレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145793A JPH053151A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | レジスト除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145793A JPH053151A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | レジスト除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053151A true JPH053151A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15393291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145793A Pending JPH053151A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | レジスト除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053151A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359226A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | バッチ式ウェット処理装置 |
| US7255747B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| JP2008526033A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 共有分配を伴うコート／現像モジュール |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP3145793A patent/JPH053151A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359226A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | バッチ式ウェット処理装置 |
| US7255747B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
| JP2008526033A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 共有分配を伴うコート／現像モジュール |
| KR100925898B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2009-11-09 | 가부시키가이샤 소쿠도 | 공유 디스펜스를 포함한 코팅/현상 모듈 |
| JP2011139076A (ja) * | 2004-12-22 | 2011-07-14 | Sokudo Co Ltd | 共有分配を伴うコート／現像モジュール |
| JP4842280B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-12-21 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 共有分配を伴うコート／現像モジュール |
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