JPH05315499A - 半導体用リードフレーム - Google Patents

半導体用リードフレーム

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JPH05315499A
JPH05315499A JP4121909A JP12190992A JPH05315499A JP H05315499 A JPH05315499 A JP H05315499A JP 4121909 A JP4121909 A JP 4121909A JP 12190992 A JP12190992 A JP 12190992A JP H05315499 A JPH05315499 A JP H05315499A
Authority
JP
Japan
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frame
die pad
lead frame
pin portion
hanging pin
Prior art date
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Pending
Application number
JP4121909A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukimitsu Ono
如満 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4121909A priority Critical patent/JPH05315499A/ja
Publication of JPH05315499A publication Critical patent/JPH05315499A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires

Landscapes

  • Punching Or Piercing (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイパッド沈めを行なっても反りを生じさせ
ることのない半導体用リードフレーを提供する。 【構成】 フレーム枠51と、このフレーム枠51の内
部に形成されたダイパッド部52と、このダイパッド部
52と上記フレーム枠51を連結する吊りピン部53と
を有する半導体用リードフレーム50において、ダイパ
ッド沈め時に発生する吊りピン部53の伸張部の収縮力
を吸収するジグザグ状のクッション部53Aを上記吊り
ピン部53に設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体用リードフレー
ムに関し、更に詳しくは、ダイパッド沈め後に発生する
フレーム枠の湾曲変形を防止した半導体用リードフレー
ムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体用リードフレームを図4〜
図8を参照しながら説明する。従来の半導体用リードフ
レーム10は、図4に示すように、フレーム枠11と、
このフレーム枠11の内部に形成されたダイパッド部1
2と、このダイパッド部12と上記フレーム枠11とを
連結する吊りピン部13とを有している。
【0003】而して、上記半導体用リードフレーム10
にICチップ等を取り付ける際には、図5に示すように
ダイパッド部12を金型を用いてダイパッド部12をフ
レーム枠11よりも沈めてワイヤボンディングをしやす
いようにする。このダイパッド沈めには、同図に示すよ
うに、フレーム枠11をストリッパー21で押え、この
状態でパンチ22とダイ23でダイパッド部12を挟ん
でダイパッド部12を沈めると共に吊りピン部13を塑
性変形させて、ダイパッド部12をフレーム枠11から
所定深さ迄沈めるようにしている。
【0004】このダイパッド沈め、ICチップの装着及
びICチップのワイヤボンディングの過程を示したもの
が図6で、同図(a)に示す平坦な半導体用リードフレ
ーム10のダイパッド部12を金型で沈めた後(同図
(b)参照)、このダイパッド部12にICチップ30
を接着し(同図(c)参照)、然る後、金線31によっ
てICチップ30を金線31によってワイヤボンディン
グする(同図(d)参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体用リードフレーム10は、吊りピン部13が他の
フレーム枠11及びダイパッド部12と一体的に形成さ
れ、しかも直線状に形成されているため、ダイパッド沈
め時に吊りピン部13が伸張して塑性変形させてダイパ
ッド部12を沈め位置で固定するようにしているが、通
常、この吊りピン部13はダイパッド沈め後、多少の弾
性回復して収縮し、延いてはフレーム枠11を引っ張っ
て図7に示すように幅方向の断面形状を弓状に反らせて
しまうという課題があった。尚、図8は図7に示す半導
体用リードフレームの平面図である。
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ダイパッド沈めを行なっても反りを生じさ
せることのない半導体用リードフレームを提供すること
を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の半導体用リードフレームは、ダイパッド沈め時に発生
する吊りピン部の伸張部の収縮力を吸収するクッション
部を上記吊りピン部に設けたものである。
【0008】また、本発明の請求項2に記載の半導体用
リードフレームは、ダイパッド沈め時に発生する吊りピ
ン部の伸張部の収縮力を吸収するクッション材によって
上記吊りピン部を形成したものである。
【0009】
【作用】請求項1に記載の本発明によれば、金型を用い
てダイパッド沈めを行なって吊りピン部が弾性回復する
ことがあっても、そのクッション部で伸張部の収縮力を
吸収して半導体用フレームを反らせることがない。
【0010】また、請求項2に記載の本発明によれば、
金型を用いてダイパッド沈めを行なって吊りピン部が弾
性回復することがあっても、クッション材によって形成
された吊りピン部全体で収縮力を吸収して半導体用フレ
ームを反らせることがない。
【0011】
【実施例】以下、図1〜図3に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。尚、図1は本発明の半導体用リードフ
レームの一実施例の要部を拡大してを示す平面図、図2
は本発明の半導体用リードフレームの他の実施例の要部
を拡大してを示す平面図、図3は本発明の更に他の実施
例の要部を拡大してを示す断面図である。
【0012】本実施例の半導体用リードフレーム50
は、図1に示すように、フレーム枠51と、このフレー
ム枠51の内部に形成されたダイパッド部52と、この
ダイパッド部52と上記フレーム枠51を連結する吊り
ピン部53とを有して構成されている。
【0013】而して、上記吊りピン部53には、図1に
示すように、ジグザグ状を呈するクッション部53Aが
設けられている。そして、上記ダイパッド部52を金型
によって所定の深さ迄沈める際に、上記吊りピン部53
が塑性変形しながら伸張し、ダイパッド沈め時の伸張し
た吊りピン部53が金型を除去した後、この吊りピン部
53が多少弾性回復しても、この弾性力に起因する収縮
力をジグザグ状のクッション部53Aの伸びによって吸
収するように構成されている。
【0014】従って、本実施例によれば、ダイパッド沈
め後に、吊りピン部53が弾性回復力を保持していて
も、この弾性力による吊りピン部53の収縮力を当該部
に形成されたクッション部53Aで吸収してフレーム枠
51に発生する張力を消失させてフレーム枠51を反ら
せることがなく、半導体素子を高精度に製造することが
できる。
【0015】また、図2は本発明の更に他の実施例の半
導体用リードフレームを示す図で、本実施例の半導体用
リードフレーム60は、同図に示すように、フレーム枠
61と、このフレーム枠61の内部に形成されたダイパ
ッド部62と、このダイパッド部62と上記フレーム枠
61を連結する吊りピン部63とを有して構成されてい
る。そして、上記吊りピン部63がダイパッド沈め時に
発生する塑性変形した伸張部に残留する弾性回復力を収
縮力を吸収して伸びる合成樹脂等のクッション材によっ
て形成されている。
【0016】従って、本実施例によれば、ダイパッド沈
め後に、吊りピン部63が弾性回復力を保持していて
も、この弾性力による吊りピン部63の収縮力を吊りピ
ン部53自体で吸収してフレーム枠61間に発生する張
力を消失させてフレーム枠61を反らせることがなく、
半導体素子を高精度に製造することができる。
【0017】また、図3は本発明の他の実施例における
半導体用フレームのダイパッド沈め後の断面を示してい
る。本実施例の半導体用フレーム70は、同図に示すよ
うに、ダイパッド沈め時に、吊りピン部73に階段状を
呈するクッション部73Aが形成されている以外は、上
記実施例と同様に構成されている。即ち、本実施例で
は、吊りピン部73自体は従来と同様に形成されたもの
であっても、ダイパッド沈め時に金型によって階段状を
呈するように吊りピン部73を成形するようにしたもの
である。
【0018】従って、本実施例によれば、階段状のクッ
ション部73Aでダイパッド沈め時に発生した弾性力を
吸収して上記各実施例と同様の作用効果を期することが
できる。
【0019】尚、本発明は、上記実施例に何等制限され
るものでなく、吊りピン部が弾性力を吸収するように構
成されたものであれば、本発明に包含される。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載の発明によれば、吊りピン部にクッション部を設け
てダイパッド沈めで吊りピン部に残留する弾性力を吸収
するようにしたので、ダイパッド沈めを行なっても反り
を生じさせることのない半導体用リードフレーを提供す
ることができる。
【0021】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、吊りピン部自体をクッション材で形成してダイパ
ッド沈めで吊りピン部に残留する弾性力を吸収するよう
にしたので、ダイパッド沈めを行なっても反りを生じさ
せることのない半導体用リードフレーを提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体用リードフレームの一実施例の
要部を拡大してを示す平面図である。
【図2】本発明の半導体用リードフレームの他の実施例
の要部を拡大してを示す平面図である。
【図3】本発明の半導体用リードフレームの更に他の実
施例の要部を拡大してを示す断面図である。
【図4】従来の半導体用リードフレームの一例を示す平
面図である。
【図5】図4に示す半導体用リードフレームのダイパッ
ド沈め動作を示す部分拡大図である。
【図6】図4に示す半導体用リードフレームにICチッ
プを装着する過程を示す横方向の断面図であり、(a)
はダイパッド沈め前の半導体用リードフレームを示す
図、(b)はダイパッド沈め後の半導体用リードフレー
ムを示す図、(c)はダイパッド部にICチップを接着
した状態を示す図、(d)はICチップをワイヤボンデ
ィングした状態を示す図である。
【図7】ダイパッド沈めによって従来の半導体用リード
フレームに反りが生じた状態を示す横方向の断面図であ
る。
【図8】図7に示す半導体用リードフレームの正面図で
ある。
【符号の説明】
50、60、70 半導体用リードフレーム 51、61、71 フレーム枠 52、62、72 ダイパッド部 53、63、73 吊りピン部 53A、73A クッション部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フレーム枠と、このフレーム枠の内部に
    形成されたダイパッド部と、このダイパッド部と上記フ
    レーム枠を連結する吊りピン部とを有する半導体用リー
    ドフレームにおいて、ダイパッド部の沈め時に発生する
    吊りピン部の伸張部の収縮力を吸収するクッション部を
    上記吊りピン部に設けたことを特徴とする半導体用リー
    ドフレーム。
  2. 【請求項2】 フレーム枠と、このフレーム枠の内部に
    形成されたダイパッド部と、このダイパッド部と上記フ
    レーム枠を連結する吊りピン部とを有する半導体用リー
    ドフレームにおいて、ダイパッド部の沈め時に発生する
    吊りピン部の伸張部の収縮力を吸収するクッション材に
    よって上記吊りピン部を形成したことを特徴とする半導
    体用リードフレーム。
JP4121909A 1992-05-14 1992-05-14 半導体用リードフレーム Pending JPH05315499A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0902473A3 (en) * 1997-09-09 2001-11-21 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to leadframes
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