JPH05315731A - 配線基板の接続パッドの製造方法 - Google Patents
配線基板の接続パッドの製造方法Info
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- JPH05315731A JPH05315731A JP4114987A JP11498792A JPH05315731A JP H05315731 A JPH05315731 A JP H05315731A JP 4114987 A JP4114987 A JP 4114987A JP 11498792 A JP11498792 A JP 11498792A JP H05315731 A JPH05315731 A JP H05315731A
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/29—Bond pads specially adapted therefor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】接続パッドの最上層の欠陥を無くし、半田によ
る接続、あるいはワイヤボンディングによる接続を信頼
性良く確実に行なうことのできる接続パッドを形成す
る。 【構成】基板１上に形成された配線２上に、下地膜３を
形成し、前記下地膜３上に、置換型無電解めっき法によ
り、第１の金膜５を積層し、前記基板１上の配線領域に
金箔を置いて圧着処理をすることにより、前記第１の金
膜５上に第２の金膜６を形成することを特徴とする。
る接続、あるいはワイヤボンディングによる接続を信頼
性良く確実に行なうことのできる接続パッドを形成す
る。 【構成】基板１上に形成された配線２上に、下地膜３を
形成し、前記下地膜３上に、置換型無電解めっき法によ
り、第１の金膜５を積層し、前記基板１上の配線領域に
金箔を置いて圧着処理をすることにより、前記第１の金
膜５上に第２の金膜６を形成することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線基板において、半
導体チップ等を搭載するためのパッドの金属膜形成に係
り、特にニッケルめっき上の厚付けの金膜形成方法に関
する。
導体チップ等を搭載するためのパッドの金属膜形成に係
り、特にニッケルめっき上の厚付けの金膜形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】配線基板上の接続パッドは、半導体チッ
プ等の部品と、配線とを、半田やボンディングにより接
続するために備えられている。接続パッドは、半導体チ
ップや入出力端子との半田接続のために、また、ワイヤ
ボンディングによる配線変更を可能にするために、最表
層にＡｕ被膜を備えた複数種類の金属皮膜層によって構
成される。
プ等の部品と、配線とを、半田やボンディングにより接
続するために備えられている。接続パッドは、半導体チ
ップや入出力端子との半田接続のために、また、ワイヤ
ボンディングによる配線変更を可能にするために、最表
層にＡｕ被膜を備えた複数種類の金属皮膜層によって構
成される。
【０００３】特に、ワイヤボンディング用のパッドは、
部品と配線との接続信頼性を保証するために最表層に
０．５μｍ以上厚さの金被膜が必要とされる。従来、膜
厚０．５μｍ以上の金被膜を有する接続パッドは、例え
ば特開平１−２６８８７６号公報等に記載されているよ
うに、セラミック基板上の金属配線膜上に、ニッケル膜
を設け、ニッケル膜上に、置換型めっき法で、金の薄膜
を形成した後、さらに、還元型めっき法を用いて、０．
５μｍ以上の厚さまで金膜を積層していた。その後、金
属配線層と、金膜の密着性向上のために、加熱処理を施
して、ニッケル膜を金膜に拡散させていた。
部品と配線との接続信頼性を保証するために最表層に
０．５μｍ以上厚さの金被膜が必要とされる。従来、膜
厚０．５μｍ以上の金被膜を有する接続パッドは、例え
ば特開平１−２６８８７６号公報等に記載されているよ
うに、セラミック基板上の金属配線膜上に、ニッケル膜
を設け、ニッケル膜上に、置換型めっき法で、金の薄膜
を形成した後、さらに、還元型めっき法を用いて、０．
５μｍ以上の厚さまで金膜を積層していた。その後、金
属配線層と、金膜の密着性向上のために、加熱処理を施
して、ニッケル膜を金膜に拡散させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術に用いられる還元型めっき法は、めっきを行なう表
面の汚染や、めっき液内異物により、局所的に金めっき
膜が析出せず、接続パッドの最表層の金膜に欠陥が生じ
てしまうという問題があった。近年の配線基板は、高密
度化、高集積化に伴い、表面配線パターンの微細化が進
んでいるため、このような接続パッド最表層の欠陥は、
たとえ軽微なものであっても、接続信頼性を低下させる
原因となる。
技術に用いられる還元型めっき法は、めっきを行なう表
面の汚染や、めっき液内異物により、局所的に金めっき
膜が析出せず、接続パッドの最表層の金膜に欠陥が生じ
てしまうという問題があった。近年の配線基板は、高密
度化、高集積化に伴い、表面配線パターンの微細化が進
んでいるため、このような接続パッド最表層の欠陥は、
たとえ軽微なものであっても、接続信頼性を低下させる
原因となる。
【０００５】また、金属配線層と金膜の密着性向上のた
めの加熱処理の際に、還元型めっき法によって生じた欠
陥によって、金属配線層を構成する材料や下地膜である
ニッケル膜が、金膜表面へ過度に拡散してしまうため、
半田濡れ不良や、ワイヤボンディング接続不良を引き起
こし、問題となっていた。
めの加熱処理の際に、還元型めっき法によって生じた欠
陥によって、金属配線層を構成する材料や下地膜である
ニッケル膜が、金膜表面へ過度に拡散してしまうため、
半田濡れ不良や、ワイヤボンディング接続不良を引き起
こし、問題となっていた。
【０００６】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
点を解決し、接続パッドの最上層の欠陥を無くし、半田
による接続、あるいはワイヤボンディングによる接続を
信頼性良く確実に行なうことのできる接続パッドを形成
する方法を提供することにある。
点を解決し、接続パッドの最上層の欠陥を無くし、半田
による接続、あるいはワイヤボンディングによる接続を
信頼性良く確実に行なうことのできる接続パッドを形成
する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明によれば、基板上に形成された配線上に、下
地膜を形成し、前記下地膜上に、置換型めっき法によ
り、第１の金膜を積層し、前記基板上の配線領域に金箔
を置いて圧着処理をすることにより、前記第１の金膜上
に第２の金膜を形成することを特徴とする配線基板の接
続パッドの製造方法が提供される。
に、本発明によれば、基板上に形成された配線上に、下
地膜を形成し、前記下地膜上に、置換型めっき法によ
り、第１の金膜を積層し、前記基板上の配線領域に金箔
を置いて圧着処理をすることにより、前記第１の金膜上
に第２の金膜を形成することを特徴とする配線基板の接
続パッドの製造方法が提供される。
【０００８】
【作用】本発明では、配線パターン上に、下地膜を形成
し、その上に、置換型無電解めっき法で金膜を形成し、
さらにその上に、別途作製した金箔を圧着することによ
り、金の厚膜を有する接続パッドを形成する。無電解め
っき法には、置換型と還元型とがある。置換型は、欠陥
のない金膜を形成することができるが、厚膜を形成する
のには適しないという特徴がある。また、還元型は、金
の厚膜を形成可能であるが、めっきを行なう表面の汚染
や、めっき液内異物により、欠陥が生じやすい。本発明
では、金膜と金箔の圧着が容易に行ない得ることに着目
し、還元型無電解めっき法を用いずに、金の厚膜を形成
することを可能にしている。
し、その上に、置換型無電解めっき法で金膜を形成し、
さらにその上に、別途作製した金箔を圧着することによ
り、金の厚膜を有する接続パッドを形成する。無電解め
っき法には、置換型と還元型とがある。置換型は、欠陥
のない金膜を形成することができるが、厚膜を形成する
のには適しないという特徴がある。また、還元型は、金
の厚膜を形成可能であるが、めっきを行なう表面の汚染
や、めっき液内異物により、欠陥が生じやすい。本発明
では、金膜と金箔の圧着が容易に行ない得ることに着目
し、還元型無電解めっき法を用いずに、金の厚膜を形成
することを可能にしている。
【０００９】その後、熱処理することにより、配線を形
成する金属膜と下地膜間、及び、下地膜と金膜間に相互
拡散が生じさせ、各膜界面の密着力を向上させることが
できる。熱処理は、還元もしくは不活性ガス雰囲気で、
６５０℃〜８５０℃、１０±５分間行なった場合、接続
パッドの表面まで拡散してきたニッケルの酸化を防ぐこ
とができ、半田濡れ或いはワイヤボンディング強度を向
上させることができる。
成する金属膜と下地膜間、及び、下地膜と金膜間に相互
拡散が生じさせ、各膜界面の密着力を向上させることが
できる。熱処理は、還元もしくは不活性ガス雰囲気で、
６５０℃〜８５０℃、１０±５分間行なった場合、接続
パッドの表面まで拡散してきたニッケルの酸化を防ぐこ
とができ、半田濡れ或いはワイヤボンディング強度を向
上させることができる。
【００１０】また、配線パッド間の余分な金箔は、研磨
剤を吹き付けるブラストによって容易に除去でき、配線
パターン間のショートを引き起こすこともない。
剤を吹き付けるブラストによって容易に除去でき、配線
パターン間のショートを引き起こすこともない。
【００１１】
【実施例】以下、本発明によるセラミック配線基板の接
続パッド製造方法の実施例を図面により詳細に説明す
る。
続パッド製造方法の実施例を図面により詳細に説明す
る。
【００１２】（実施例１）本発明により形成される接続
パッドは、図１のように、セラミック基板１上に、タン
グステン（Ｗ）膜２と、ニッケル（Ｎｉ）膜３と、第１
の金（Ａｕ）膜５、第２の金（Ａｕ）膜６とを有してい
る。Ｗ膜２は、セラミック基板１上に配線パターンを構
成する。Ｎｉ膜３は、Ｗ膜２と、第１のＡｕ膜５および
第２のＡｕ膜６との密着性を向上させるために配置され
ている。
パッドは、図１のように、セラミック基板１上に、タン
グステン（Ｗ）膜２と、ニッケル（Ｎｉ）膜３と、第１
の金（Ａｕ）膜５、第２の金（Ａｕ）膜６とを有してい
る。Ｗ膜２は、セラミック基板１上に配線パターンを構
成する。Ｎｉ膜３は、Ｗ膜２と、第１のＡｕ膜５および
第２のＡｕ膜６との密着性を向上させるために配置され
ている。
【００１３】つぎに、本実施例のセラミック配線基板の
各膜の形成方法を説明する。
各膜の形成方法を説明する。
【００１４】まず、図２に示すように、セラミック基板
１上に、基板１と同時に焼結することによって、Ｗ膜２
を形成する。つぎに、Ｗ膜２の表面を機械研磨し、さら
に、純水に研磨剤を分散した研磨液で液体ホーニングを
施して、Ｗ膜２の表面を平滑化する。平滑化したＷ膜２
表面を、さらに、化学的エッチングにより、エッチング
して、清浄面を出す。Ｗ膜２の清浄面上に、つぎに行な
うＮｉめっきの触媒として、Ｐｄ膜を形成する。
１上に、基板１と同時に焼結することによって、Ｗ膜２
を形成する。つぎに、Ｗ膜２の表面を機械研磨し、さら
に、純水に研磨剤を分散した研磨液で液体ホーニングを
施して、Ｗ膜２の表面を平滑化する。平滑化したＷ膜２
表面を、さらに、化学的エッチングにより、エッチング
して、清浄面を出す。Ｗ膜２の清浄面上に、つぎに行な
うＮｉめっきの触媒として、Ｐｄ膜を形成する。
【００１５】つぎに、ジメチルアミンボランを還元剤と
した無電解めっきにより、Ｎｉ膜３を厚さ２〜３μｍ形
成する。つぎに、軽く水洗浄し、すぐに、シアン化金カ
リを金塩とする置換型金めっき液（ＥＪＡ社製のベクト
ロレス）により、第１のＡｕ膜５を厚さ約０．１μｍ形
成し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用い乾燥す
る。
した無電解めっきにより、Ｎｉ膜３を厚さ２〜３μｍ形
成する。つぎに、軽く水洗浄し、すぐに、シアン化金カ
リを金塩とする置換型金めっき液（ＥＪＡ社製のベクト
ロレス）により、第１のＡｕ膜５を厚さ約０．１μｍ形
成し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用い乾燥す
る。
【００１６】セラミック基板１と、形成したＮｉ膜３の
表面を覆うように、第２のＡｕ膜６となる厚さ２〜３μ
ｍの金箔をかぶせ、図５のように、ゴムローラ３０によ
り、Ａｕ箔を、第１のＡｕ膜５上に圧着する。連続式加
熱雰囲気炉により、Ｈ2：Ｎ2＝１：１の雰囲気中で、７
５０℃、１０分間、各膜を形成した基板１の熱処理を行
なう。これにより、Ｎｉ膜３が、Ｗ膜２と、第１のＡｕ
膜５および第２のＡｕ膜６とに、相互拡散し、各膜間の
密着力が向上する。加熱処理を、Ｈ2／Ｎ2の還元雰囲気
中で行なうので、第２のＡｕ膜６の表面に拡散したＮｉ
めっきの酸化も防止できる。
表面を覆うように、第２のＡｕ膜６となる厚さ２〜３μ
ｍの金箔をかぶせ、図５のように、ゴムローラ３０によ
り、Ａｕ箔を、第１のＡｕ膜５上に圧着する。連続式加
熱雰囲気炉により、Ｈ2：Ｎ2＝１：１の雰囲気中で、７
５０℃、１０分間、各膜を形成した基板１の熱処理を行
なう。これにより、Ｎｉ膜３が、Ｗ膜２と、第１のＡｕ
膜５および第２のＡｕ膜６とに、相互拡散し、各膜間の
密着力が向上する。加熱処理を、Ｈ2／Ｎ2の還元雰囲気
中で行なうので、第２のＡｕ膜６の表面に拡散したＮｉ
めっきの酸化も防止できる。
【００１７】つぎに、基板１の表面に、研磨剤を高圧で
吹き付けるサンドブラストを施し、図２（ｂ）ように、
配線パターンの間に残った金箔を除去し、図２（ｃ）の
ように、セラミック基板１上に、Ｗ膜２とＮｉ膜３と第
１のＡｕ膜５と第２のＡｕ膜６から構成から、配線パタ
ーンおよび接続パッドを完成させる。配線パターン間の
金箔は、セラミック基板１に直接接触しており、熱処理
を施してもセラミック基板１に拡散することがないの
で、サンドブラストによって容易に取り除くことができ
る。
吹き付けるサンドブラストを施し、図２（ｂ）ように、
配線パターンの間に残った金箔を除去し、図２（ｃ）の
ように、セラミック基板１上に、Ｗ膜２とＮｉ膜３と第
１のＡｕ膜５と第２のＡｕ膜６から構成から、配線パタ
ーンおよび接続パッドを完成させる。配線パターン間の
金箔は、セラミック基板１に直接接触しており、熱処理
を施してもセラミック基板１に拡散することがないの
で、サンドブラストによって容易に取り除くことができ
る。
【００１８】このように本実施例の接続パッド製造方法
では、第２のＡｕ膜６を、金箔を圧着させることによっ
て、従来の様に還元型無電解めっき法を用いることなく
形成することを可能にしている。従来の還元型めっき法
では、めっきを行なう表面の汚染や、めっき液内異物に
より、局所的にＡｕめっき膜が析出せず、接続パッドの
最表層のＡｕ膜に欠陥が生じてしまうという問題があっ
た。本実施例では、欠陥のない金箔を用いることによ
り、第２のＡｕ膜６に欠陥のない接続信頼性の高い接続
パッドを形成することができる。このような、欠陥のな
い金箔を製造する技術は、古くから十分に研究されてお
り、本実施例に用いる厚さ１〜２μｍ程度の欠陥のない
金箔を、容易に入手することができる。
では、第２のＡｕ膜６を、金箔を圧着させることによっ
て、従来の様に還元型無電解めっき法を用いることなく
形成することを可能にしている。従来の還元型めっき法
では、めっきを行なう表面の汚染や、めっき液内異物に
より、局所的にＡｕめっき膜が析出せず、接続パッドの
最表層のＡｕ膜に欠陥が生じてしまうという問題があっ
た。本実施例では、欠陥のない金箔を用いることによ
り、第２のＡｕ膜６に欠陥のない接続信頼性の高い接続
パッドを形成することができる。このような、欠陥のな
い金箔を製造する技術は、古くから十分に研究されてお
り、本実施例に用いる厚さ１〜２μｍ程度の欠陥のない
金箔を、容易に入手することができる。
【００１９】また、本実施例の製造方法では、別の手段
で形成された金箔を、予め検査して、欠陥のないことを
確認してから、接続パッドの形成に用いることができる
ので、接続パッドの歩留まりを向上させることができ
る。
で形成された金箔を、予め検査して、欠陥のないことを
確認してから、接続パッドの形成に用いることができる
ので、接続パッドの歩留まりを向上させることができ
る。
【００２０】本実施例では、７５０℃で１０分間加熱処
理を施して、各膜間を相互拡散させて、密着性を向上さ
せたが、この温度と時間に限定されるものではない。本
実施例の接続パッドの製造方法においては、約６５０℃
〜８５０℃で５分から１５分間の加熱処理が適してい
る。加熱温度は、Ｎｉの拡散スピードに密接に関係して
いる。７５０℃で１０分間加熱処理した場合、Ｗ膜２と
Ｎｉ膜３の間に、Ｎｉ膜とＷ膜とが相互拡散した層が、
約０．８μｍ形成される。温度が６５０度より低い場合
には、拡散速度が低下するので、加熱処理時間を長くす
ることによって、密着性を向上させることができる。ま
た、加熱温度が８５０度より高くなると、Ｎｉの拡散速
度が高くなり、第２のＡｕ膜６の表面すなわち接続パッ
ドの表面に過度にＮｉが拡散するので、Ｎｉの酸化等の
問題を引き起こしやすくなる。
理を施して、各膜間を相互拡散させて、密着性を向上さ
せたが、この温度と時間に限定されるものではない。本
実施例の接続パッドの製造方法においては、約６５０℃
〜８５０℃で５分から１５分間の加熱処理が適してい
る。加熱温度は、Ｎｉの拡散スピードに密接に関係して
いる。７５０℃で１０分間加熱処理した場合、Ｗ膜２と
Ｎｉ膜３の間に、Ｎｉ膜とＷ膜とが相互拡散した層が、
約０．８μｍ形成される。温度が６５０度より低い場合
には、拡散速度が低下するので、加熱処理時間を長くす
ることによって、密着性を向上させることができる。ま
た、加熱温度が８５０度より高くなると、Ｎｉの拡散速
度が高くなり、第２のＡｕ膜６の表面すなわち接続パッ
ドの表面に過度にＮｉが拡散するので、Ｎｉの酸化等の
問題を引き起こしやすくなる。
【００２１】また、図１、および、図２（ｂ）（ｃ）で
は、各膜間の境界を明確に描いているが、加熱処理によ
り、第１のＡｕ膜５と第２のＡｕ膜６とは、密着するの
で、実際の接続パッドを切断した断面を目視で観察した
場合、１つのＡｕ膜のようにみえる。また、Ｎｉ膜３と
第１のＡｕ膜５との境界、および、Ｗ膜２とＮｉ膜３と
の境界には、それぞれ相互拡散層が観察される。
は、各膜間の境界を明確に描いているが、加熱処理によ
り、第１のＡｕ膜５と第２のＡｕ膜６とは、密着するの
で、実際の接続パッドを切断した断面を目視で観察した
場合、１つのＡｕ膜のようにみえる。また、Ｎｉ膜３と
第１のＡｕ膜５との境界、および、Ｗ膜２とＮｉ膜３と
の境界には、それぞれ相互拡散層が観察される。
【００２２】（実施例２）つぎに、図４を用いて、本発
明の別の実施例である接続パッド製造方法を示す。
明の別の実施例である接続パッド製造方法を示す。
【００２３】セラミック基板１上に、Ｗ膜２と、Ｎｉ膜
３と、第１のＡｕ膜５を形成する方法までは、前述の実
施例と同一であるので説明を省略する。本実施例では、
Ａｕ膜５を施した後、チオ尿素を還元剤とした還元型無
電解めっき法により、厚付けＡｕ膜７を施す。
３と、第１のＡｕ膜５を形成する方法までは、前述の実
施例と同一であるので説明を省略する。本実施例では、
Ａｕ膜５を施した後、チオ尿素を還元剤とした還元型無
電解めっき法により、厚付けＡｕ膜７を施す。
【００２４】厚付けＡｕめっき膜５には、めっき前ある
いはめっき中の異物により局部的にＡｕめっき膜の形成
されない欠陥を生じる部分がある。この部分にあらかじ
め欠陥の大きさに加工した金箔８をのせ、ゴムローラに
より圧着する。その後は、前述の実施例と同様の熱処理
を施し配線パターン金属膜が完成する。
いはめっき中の異物により局部的にＡｕめっき膜の形成
されない欠陥を生じる部分がある。この部分にあらかじ
め欠陥の大きさに加工した金箔８をのせ、ゴムローラに
より圧着する。その後は、前述の実施例と同様の熱処理
を施し配線パターン金属膜が完成する。
【００２５】このように、本実施例の接続パッドの製造
方法を用いることにより、従来の還元型無電解めっきに
よって生じたＡｕ膜の欠陥に補修を施し、欠陥のない接
続パッドを形成することができる。したがって本実施例
の接続パッド製造方法を用いることにより、歩留まりを
向上させることができる。
方法を用いることにより、従来の還元型無電解めっきに
よって生じたＡｕ膜の欠陥に補修を施し、欠陥のない接
続パッドを形成することができる。したがって本実施例
の接続パッド製造方法を用いることにより、歩留まりを
向上させることができる。
【００２６】（実施例３）つぎに、上述の実施例１、２
により形成したセラミック基板１および接続パッド９を
用いた電子部品の実装例を図４を用いて説明する。
により形成したセラミック基板１および接続パッド９を
用いた電子部品の実装例を図４を用いて説明する。
【００２７】セラミック基板１は、配線パターンをタン
グステンにより印刷したグリーンシートを積層して焼結
した内層とスルーホールとを有するものを用いた。基板
１の両面に接続パッド９を形成した。接続パッド９の製
造方法は実施例１および２で説明したので、説明を省略
する。
グステンにより印刷したグリーンシートを積層して焼結
した内層とスルーホールとを有するものを用いた。基板
１の両面に接続パッド９を形成した。接続パッド９の製
造方法は実施例１および２で説明したので、説明を省略
する。
【００２８】基板１の上面の接続パッド９に、Ｓｎ−Ａ
ｇ半田１０ａにより、半導体チップ１２を接続する。ま
た、基板１の裏面の接続パッド９に、Ａｕ−Ｇｅろう材
１０ｂにより入出力ピン１３を接続する。その後、設計
変更に伴う回路の一部変更を行なうための配線パターン
にボンディングワイヤ１１を接続する。その後、半導体
チップ１２を気密封止するために、基板１の端部の接続
パッド９上に、Ｐｂ−Ｓｎ半田１０ｃにより封止キャッ
プ１４を接続する。
ｇ半田１０ａにより、半導体チップ１２を接続する。ま
た、基板１の裏面の接続パッド９に、Ａｕ−Ｇｅろう材
１０ｂにより入出力ピン１３を接続する。その後、設計
変更に伴う回路の一部変更を行なうための配線パターン
にボンディングワイヤ１１を接続する。その後、半導体
チップ１２を気密封止するために、基板１の端部の接続
パッド９上に、Ｐｂ−Ｓｎ半田１０ｃにより封止キャッ
プ１４を接続する。
【００２９】実施例１または２により、形成した接続パ
ッドは、最上層のＡｕ膜に欠陥がないので、半田やろう
材やボンディングによる接続において、接続不良が発生
せず、信頼性が高く、かつ、歩留まり良く、電子部品を
実装することができる。
ッドは、最上層のＡｕ膜に欠陥がないので、半田やろう
材やボンディングによる接続において、接続不良が発生
せず、信頼性が高く、かつ、歩留まり良く、電子部品を
実装することができる。
【００３０】上述の実施例１、２では、置換型無電解め
っき法により、第１のＡｕ膜５を形成したが、この方法
に限定されるものではなく、蒸着等の気相成長法で、第
１のＡｕ膜５を形成しても良い。この場合、第１のＡｕ
膜５を形成したくない部分には、予めレジストを塗布し
ておくか、または基板全面にＡｕ膜を形成した後、リソ
グラフィ法により不要なＡｕ膜を取り除く工程を加え
る。
っき法により、第１のＡｕ膜５を形成したが、この方法
に限定されるものではなく、蒸着等の気相成長法で、第
１のＡｕ膜５を形成しても良い。この場合、第１のＡｕ
膜５を形成したくない部分には、予めレジストを塗布し
ておくか、または基板全面にＡｕ膜を形成した後、リソ
グラフィ法により不要なＡｕ膜を取り除く工程を加え
る。
【００３１】また、実施例１、２では、ゴムローラによ
って、金箔を圧着したが、熱を加えながら、金箔を圧着
することも可能である。
って、金箔を圧着したが、熱を加えながら、金箔を圧着
することも可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明により、セラミック配線基板の接
続パッドの表面層である金膜の欠陥を無くし、接続信頼
性の高い接続パッドを形成することができる。
続パッドの表面層である金膜の欠陥を無くし、接続信頼
性の高い接続パッドを形成することができる。
【図１】本発明の一実施例によるセラミック配線基板の
接続パッドの断面図。
接続パッドの断面図。
【図２】本発明の一実施例の接続パッドの製造方法の手
順を示す断面図。
順を示す断面図。
【図３】本発明の別の実施例によるセラミック配線基板
の接続パッドの断面図。
の接続パッドの断面図。
【図４】本発明によるセラミック配線基板を用いた実相
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図５】本発明の一実施例における金箔の圧着方法を示
す説明図。
す説明図。
１…セラミック基板、２…Ｗ膜、３…Ｎｉ膜、５…第１
のＡｕ膜、６…第２のＡｕ膜、７…還元型無電解めっき
により形成したＡｕ膜、８…金箔を圧着して形成した金
膜セラミック基板、９…表面配線パターン、１０ａ、
ｂ、ｃ…部品接続用ろう材、１１…ボンディングワイ
ヤ、１２…半導体チップ、１３…入出力ピン、１４…封
止キャップ。
のＡｕ膜、６…第２のＡｕ膜、７…還元型無電解めっき
により形成したＡｕ膜、８…金箔を圧着して形成した金
膜セラミック基板、９…表面配線パターン、１０ａ、
ｂ、ｃ…部品接続用ろう材、１１…ボンディングワイ
ヤ、１２…半導体チップ、１３…入出力ピン、１４…封
止キャップ。
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に形成された配線上に、下地膜を形
成し、 前記下地膜上に、置換型無電解めっき法により、第１の
金膜を積層し、 前記基板上の配線領域に金箔を置いて圧着処理をするこ
とにより、前記第１の金膜上に第２の金膜を形成するこ
とを特徴とする配線基板の接続パッドの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、さらに、加熱処理を施
すことを特徴とする配線基板の接続パッドの製造方法。 - 【請求項３】請求項２において、前記金箔のうち、前記
第１の金膜に圧着されていない部分を取り除くことを特
徴とする配線基板の接続パッド製造方法。 - 【請求項４】請求項３において、サンドブラスト法を用
いて、前記金箔を取り除くことを特徴とする配線基板の
接続パッド製造方法。 - 【請求項５】請求項１において、前記下地膜は、ニッケ
ル膜であることを特徴とする配線基板の接続パッド製造
方法。 - 【請求項６】基板上に形成された配線上に、下地膜を形
成し、 前記下地膜上に、置換型無電解めっき法により、第１の
金膜を積層し、 前記第１の金膜上に還元型無電解めっき法により、めっ
き金膜を積層し、 前記めっき金膜が析出しなかった部分のみに、金箔を置
いて圧着処理をすることにより、前記めっき金膜のめっ
き金膜が析出しなかった部分を補修することを特徴とす
る配線基板の接続パッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114987A JP2708322B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 配線基板の接続パッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114987A JP2708322B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 配線基板の接続パッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315731A true JPH05315731A (ja) | 1993-11-26 |
| JP2708322B2 JP2708322B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=14651538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4114987A Expired - Fee Related JP2708322B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 配線基板の接続パッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708322B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335602A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板及びその製造方法 |
| JPH09232392A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Rohm Co Ltd | 半導体チップを具備する半導体装置及びその半導体チップ並びに同チップの機能試験痕跡補修方法 |
| JPH1050751A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | ワイヤボンディング細線の接合方法 |
| JPH10242327A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミックパッケージの電極構造及びその製造方法 |
| JPH10242205A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | ワイヤボンディング端子とその形成方法 |
| JP2000307091A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法 |
| US6998714B2 (en) * | 1999-08-25 | 2006-02-14 | Micron Technology, Inc. | Selectively coating bond pads |
| JP2016156034A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 無電解Ｎｉめっき方法 |
| JP2018142665A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 構造体の修正方法 |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP4114987A patent/JP2708322B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2018142665A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 構造体の修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2708322B2 (ja) | 1998-02-04 |
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