JPH0531836B2 - - Google Patents
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- JPH0531836B2 JPH0531836B2 JP61288206A JP28820686A JPH0531836B2 JP H0531836 B2 JPH0531836 B2 JP H0531836B2 JP 61288206 A JP61288206 A JP 61288206A JP 28820686 A JP28820686 A JP 28820686A JP H0531836 B2 JPH0531836 B2 JP H0531836B2
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- semiconductor layer
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
- H01S5/0424—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer lateral current injection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/1835—Non-circular mesa
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、面発光型半導体レーザ装置に関
し、さらに詳しくは、面発光型半導体レーザ装置
における性能向上のための改良構造に係るもので
ある。
し、さらに詳しくは、面発光型半導体レーザ装置
における性能向上のための改良構造に係るもので
ある。
従来例によるこの種の面発光型半導体レーザ装
置の概要構成を第４図に示す。
置の概要構成を第４図に示す。
すなわち、この第４図従来例構成において、符
号２および３はｎ型およびｐ型AlGaAs層、４は
これらの各層間での活性層としてのｐ型GaAs
層、５は電流ブロツクのためのｉ型AlGaAs層で
あつて、同層５としては逆バイアスｐ−ｎ接合を
含む多層のAlGaAs層の場合もある。また、１０
は前記各層を形成するための半絶縁性GaAs基板
で、光の吸収を避けるために、円形のエツチング
ホール１１が形成されており、さらに、３０，３
０および３１はｎ型およびｐ型電極である。
号２および３はｎ型およびｐ型AlGaAs層、４は
これらの各層間での活性層としてのｐ型GaAs
層、５は電流ブロツクのためのｉ型AlGaAs層で
あつて、同層５としては逆バイアスｐ−ｎ接合を
含む多層のAlGaAs層の場合もある。また、１０
は前記各層を形成するための半絶縁性GaAs基板
で、光の吸収を避けるために、円形のエツチング
ホール１１が形成されており、さらに、３０，３
０および３１はｎ型およびｐ型電極である。
しかして、この従来例構成の場合には、ｎ型お
よびｐ型両電極３０，３０および３１に所定の電
圧を印加することによつて、活性層としてのｐ型
GaAs層４にキヤリアが注入されてレーザ利得を
生じ、上下の結晶界面が共振器を形成して、レー
ザ動作がなされ、その出力はエツチングホール１
１を通して外部に取り出されるのであり、また一
方で、レーザ発振を低い電流レベルで生じさせる
ように、エツチングホール１１の下面部に、誘電
体とか金属などの鏡１００を形成して、反射率を
上げることも行なわれている。
よびｐ型両電極３０，３０および３１に所定の電
圧を印加することによつて、活性層としてのｐ型
GaAs層４にキヤリアが注入されてレーザ利得を
生じ、上下の結晶界面が共振器を形成して、レー
ザ動作がなされ、その出力はエツチングホール１
１を通して外部に取り出されるのであり、また一
方で、レーザ発振を低い電流レベルで生じさせる
ように、エツチングホール１１の下面部に、誘電
体とか金属などの鏡１００を形成して、反射率を
上げることも行なわれている。
こゝで、この構成の場合、前記レーザ発振の条
件は、 gl−αL−１／２ln1／R1R2＝０ ∴ｇ＝利得、α＝損失、R1R2＝共振器両端の
反射率、ｌ＝活性層の厚さ、Ｌ＝共振器間隔． で与えられ、低いしきい値電流で発振させるため
には、αの値が小さいことが必要であり、かつま
たR1およびR2の値が大きいのは勿論、ｌの値が
大きいことが極めて重要である。
件は、 gl−αL−１／２ln1／R1R2＝０ ∴ｇ＝利得、α＝損失、R1R2＝共振器両端の
反射率、ｌ＝活性層の厚さ、Ｌ＝共振器間隔． で与えられ、低いしきい値電流で発振させるため
には、αの値が小さいことが必要であり、かつま
たR1およびR2の値が大きいのは勿論、ｌの値が
大きいことが極めて重要である。
しかしながら、前記第４図従来例構成において
は、電流が各層２，３，４間で、垂直方向、つま
り同図の上下方向に流れるため、前記活性層の厚
さｌを増すと、層内での注入キヤリアに分布を生
じてしまい、ｐ−ｎ接合近傍では、十分なキヤリ
アがあつて、高い利得を有するが、ｐ−ｎ接合か
ら離れるに伴ない、キヤリアが少なくなつて、利
得が減少、あるいは負の値となるもので、こゝで
は、たとえ活性層の厚さｌを増したとしても、実
質的なｌの値を大きくはできず、従つて、この従
来例構成の場合には、レーザ発振のために極めて
大きな電流を必要とし、室温でかろうじてパルス
動作し得るのみであると云う問題点があつた。
は、電流が各層２，３，４間で、垂直方向、つま
り同図の上下方向に流れるため、前記活性層の厚
さｌを増すと、層内での注入キヤリアに分布を生
じてしまい、ｐ−ｎ接合近傍では、十分なキヤリ
アがあつて、高い利得を有するが、ｐ−ｎ接合か
ら離れるに伴ない、キヤリアが少なくなつて、利
得が減少、あるいは負の値となるもので、こゝで
は、たとえ活性層の厚さｌを増したとしても、実
質的なｌの値を大きくはできず、従つて、この従
来例構成の場合には、レーザ発振のために極めて
大きな電流を必要とし、室温でかろうじてパルス
動作し得るのみであると云う問題点があつた。
この発明は、従来例での装置構成におけるこの
ような問題点を解消するためになされたもので、
その目的とするところは、実質的なｌの値を大き
くできて、室温でCW発振させるのに十分な低電
流動作の可能な、この種の面発光型半導体レーザ
装置を提供することである。
ような問題点を解消するためになされたもので、
その目的とするところは、実質的なｌの値を大き
くできて、室温でCW発振させるのに十分な低電
流動作の可能な、この種の面発光型半導体レーザ
装置を提供することである。
前記目的を達成させるために、この発明におい
ては、半導体基板上に形成された第１の導電型の
第１の半導体層、第１の半導体層の上に形成さ
れ、第１の半導体層より禁止帯幅の狭い第２の導
電型を有する第１の活性層、第１の活性層の上に
形成され、第１の活性層より禁止帯幅の広い第１
の導電型の第２の半導体層、第２の半導体層の上
に形成され、第２の半導体層より禁止帯幅の狭い
第２の導電型を有する第２の活性層、第２の活性
層の上に形成され、第２の活性層より禁止帯幅の
広い第１の導電型の第３の半導体層を少なくとも
有する多層構造半導体層と、多層構造半導体層に
隣接するように半導体基板上に形成された第１の
導電型の不純物拡散領域と、第１の導電型の不純
物拡散領域とは反対側に多層構造半導体層に隣接
するように半導体基板上に形成された第２の導電
型の不純物拡散層と、第１の導電型の不純物拡散
層の上に選択的に形成された第１の導電型の電極
と、第２の導電型の不純物拡散層の上に選択的に
形成された第２の導電型の電極とを有することを
特徴とし、活性層に均一に電流を流し得るように
したものである。
ては、半導体基板上に形成された第１の導電型の
第１の半導体層、第１の半導体層の上に形成さ
れ、第１の半導体層より禁止帯幅の狭い第２の導
電型を有する第１の活性層、第１の活性層の上に
形成され、第１の活性層より禁止帯幅の広い第１
の導電型の第２の半導体層、第２の半導体層の上
に形成され、第２の半導体層より禁止帯幅の狭い
第２の導電型を有する第２の活性層、第２の活性
層の上に形成され、第２の活性層より禁止帯幅の
広い第１の導電型の第３の半導体層を少なくとも
有する多層構造半導体層と、多層構造半導体層に
隣接するように半導体基板上に形成された第１の
導電型の不純物拡散領域と、第１の導電型の不純
物拡散領域とは反対側に多層構造半導体層に隣接
するように半導体基板上に形成された第２の導電
型の不純物拡散層と、第１の導電型の不純物拡散
層の上に選択的に形成された第１の導電型の電極
と、第２の導電型の不純物拡散層の上に選択的に
形成された第２の導電型の電極とを有することを
特徴とし、活性層に均一に電流を流し得るように
したものである。
すなわち、この発明においては、第１の導電形
の複数の活性層を、第２の導電形の各半導体層に
より交互に挟んで多層構造半導体層とし、この活
性層に均一に電流を流し得るようにしたので、等
価的に実質的な活性層の厚さのｌの値を大きくさ
せ得るのである。
の複数の活性層を、第２の導電形の各半導体層に
より交互に挟んで多層構造半導体層とし、この活
性層に均一に電流を流し得るようにしたので、等
価的に実質的な活性層の厚さのｌの値を大きくさ
せ得るのである。
以下、この発明に係る面発光型半導体レーザ装
置の一実施例につき、第１図ないし第３図を参照
して詳細に説明する。
置の一実施例につき、第１図ないし第３図を参照
して詳細に説明する。
第１図はこの実施例装置の概要構成を示す斜視
図であり、また、第２図は同上−線部の断面
図である。
図であり、また、第２図は同上−線部の断面
図である。
これらの第１図、第２図実施例での装置構成に
おいても、符号１０は半絶縁性GaAs基板、１１
は同基板１０に光の吸収を避けるために形成され
た円形のエツチングホールであり、また、１は活
性層としてのｐ型AlGaAs／GaAs多層量子井戸
層、２はｎ型AlGaAs層であつて、これらの各層
１，２は前記基板１０上に多層形成される。
おいても、符号１０は半絶縁性GaAs基板、１１
は同基板１０に光の吸収を避けるために形成され
た円形のエツチングホールであり、また、１は活
性層としてのｐ型AlGaAs／GaAs多層量子井戸
層、２はｎ型AlGaAs層であつて、これらの各層
１，２は前記基板１０上に多層形成される。
すなわち、前記活性層としてのｐ型AlGaAs／
GaAs多層量子井戸層１の各層は、それぞれ前記
ｎ型AlGaAs層２により交互に挟んで、さらに多
層に積層形成され、こゝに太線で示したｐ−ｎ接
合を形成しており、これらの各層１，２の個々
は、例えば、それぞれ0.1〜0.2μｍ程度の厚さに
されて薄いが、これを多層に積層形成させること
によつて、多層全体の厚さを厚く、すなわち例え
ば、20層程度とすれば数μｍの厚さに形成でき、
結果的に前記した活性層自体の実質的な厚さｌの
値を大きくし得るのである。
GaAs多層量子井戸層１の各層は、それぞれ前記
ｎ型AlGaAs層２により交互に挟んで、さらに多
層に積層形成され、こゝに太線で示したｐ−ｎ接
合を形成しており、これらの各層１，２の個々
は、例えば、それぞれ0.1〜0.2μｍ程度の厚さに
されて薄いが、これを多層に積層形成させること
によつて、多層全体の厚さを厚く、すなわち例え
ば、20層程度とすれば数μｍの厚さに形成でき、
結果的に前記した活性層自体の実質的な厚さｌの
値を大きくし得るのである。
また、前記活性層１としては、必ずしも前記の
ような多層量子井戸層とせずに、単層のAlGaAs
あるいはGaAs活性層を用いることができ、この
とき個々の活性層の厚さを0.5〜1.0μｍ程度にし
ても、キヤリアの分布はさほど大きくはならず、
この場合、活性層の実質的な厚さｌの値を、より
一層、例えば、数十μｍ程度にまで大きくし得る
のである。
ような多層量子井戸層とせずに、単層のAlGaAs
あるいはGaAs活性層を用いることができ、この
とき個々の活性層の厚さを0.5〜1.0μｍ程度にし
ても、キヤリアの分布はさほど大きくはならず、
この場合、活性層の実質的な厚さｌの値を、より
一層、例えば、数十μｍ程度にまで大きくし得る
のである。
しかして、前記のように基板１０上にあつて交
互多層に積層形成されたｐ型AlGaAsGaAs多層
量子井戸層１とｎ型AlGaAs層２との多層構造に
対しては、続いて、その表面側から、ｎ型および
ｐ型の不純物を各別、かつ選択的に拡散して、ｎ
型およびｐ型の不純物拡散領域２０，２１をそれ
ぞれに形成するが、この際、ｎ型不純物として
は、例えばSiを、ｐ型不純物としては、例えば
Znを用いることができる。
互多層に積層形成されたｐ型AlGaAsGaAs多層
量子井戸層１とｎ型AlGaAs層２との多層構造に
対しては、続いて、その表面側から、ｎ型および
ｐ型の不純物を各別、かつ選択的に拡散して、ｎ
型およびｐ型の不純物拡散領域２０，２１をそれ
ぞれに形成するが、この際、ｎ型不純物として
は、例えばSiを、ｐ型不純物としては、例えば
Znを用いることができる。
こゝで、前記活性層が、多層量子井戸構造であ
る場合には、いわゆる、無秩序効果によつて、不
純物の拡散された領域では、GaとAlの原子が相
互に移動し、同領域での量子井戸構造が崩れて、
平均的な組成のAlGaAs層となり、また、単層の
活性層構造である場合は、拡散領域での結晶組成
に変化がないが、その動作については特に変ると
ころがない。
る場合には、いわゆる、無秩序効果によつて、不
純物の拡散された領域では、GaとAlの原子が相
互に移動し、同領域での量子井戸構造が崩れて、
平均的な組成のAlGaAs層となり、また、単層の
活性層構造である場合は、拡散領域での結晶組成
に変化がないが、その動作については特に変ると
ころがない。
そして、これらのｎ型およびｐ型の不純物拡散
領域２０，２１の表面所定部分には、ｎ型および
ｐ型の各電極３０，３１をそれぞれに設け、かつ
基板１０側から出射光を取り出すためにエツチン
グホール１１を形成してあり、また、あらためて
図示してはいないが、反射率を増すために、結晶
の上下面に誘電体層とか金属層を設けることは、
従来例構造の場合と全く同様である。
領域２０，２１の表面所定部分には、ｎ型および
ｐ型の各電極３０，３１をそれぞれに設け、かつ
基板１０側から出射光を取り出すためにエツチン
グホール１１を形成してあり、また、あらためて
図示してはいないが、反射率を増すために、結晶
の上下面に誘電体層とか金属層を設けることは、
従来例構造の場合と全く同様である。
こゝで、前記第１図、第２図実施例での装置構
成の場合には、ｎ型およびｐ型両電極３０および
３１に、所定の電圧を印加することにより、ｐ−
ｎ接合を通してキヤリアが注入される。そして、
この場合、ｐ−ｎ接合は、第２図の断面構成から
明らかなように、活性層１を取り巻いて形成され
る接合部分ａと、ｐ型不純物拡散領域２１との境
界部に形成される接合部分ｂとからなつていて、
前者については、AlGaAsとGaAs、または多層
量子井戸層でのヘテロ接合を、後者については、
AlGaAsのホモ接合をそれぞれに構成しており、
前者は後者に比較して、禁制帯幅の狭い分だけ拡
散電位が低くなるため、電流の大部分は前者の接
合に流れ、後者の接合には僅かしか流れず、ま
た、活性層内へ注入されるキヤリア（この場合、
電子）と、外に流れるキヤリア（この場合、ホー
ル）との比についても、禁制帯幅の狭い分だけ狭
い側に流れるキヤリアが多くなる。
成の場合には、ｎ型およびｐ型両電極３０および
３１に、所定の電圧を印加することにより、ｐ−
ｎ接合を通してキヤリアが注入される。そして、
この場合、ｐ−ｎ接合は、第２図の断面構成から
明らかなように、活性層１を取り巻いて形成され
る接合部分ａと、ｐ型不純物拡散領域２１との境
界部に形成される接合部分ｂとからなつていて、
前者については、AlGaAsとGaAs、または多層
量子井戸層でのヘテロ接合を、後者については、
AlGaAsのホモ接合をそれぞれに構成しており、
前者は後者に比較して、禁制帯幅の狭い分だけ拡
散電位が低くなるため、電流の大部分は前者の接
合に流れ、後者の接合には僅かしか流れず、ま
た、活性層内へ注入されるキヤリア（この場合、
電子）と、外に流れるキヤリア（この場合、ホー
ル）との比についても、禁制帯幅の狭い分だけ狭
い側に流れるキヤリアが多くなる。
従つて、印加される電流の大部分は、各活性層
へ注入されるキヤリア（この場合、電子）によつ
て運ばれることになり、各活性層中での再結合に
よつて生ずる利得に有効に寄与することになり、
かつまた、各活性層にかゝる電位も構造的に殆ん
ど等しくなるため、それぞれの活性層に注入され
るキヤリアの量も変らず、従来例構造のように、
多層でない単層のみの厚い活性層を用いた場合で
の、キヤリア分布による利得低減を生ずることが
なく、この実施例構造での利得は、活性層数×各
活性層の厚さに比例して増加し、前記した活性層
の実質的な厚さｌの値を大きくし得るのであり、
原理的には、活性層数を増すことによつて、いく
らでも利得の増加が可能となるのである。
へ注入されるキヤリア（この場合、電子）によつ
て運ばれることになり、各活性層中での再結合に
よつて生ずる利得に有効に寄与することになり、
かつまた、各活性層にかゝる電位も構造的に殆ん
ど等しくなるため、それぞれの活性層に注入され
るキヤリアの量も変らず、従来例構造のように、
多層でない単層のみの厚い活性層を用いた場合で
の、キヤリア分布による利得低減を生ずることが
なく、この実施例構造での利得は、活性層数×各
活性層の厚さに比例して増加し、前記した活性層
の実質的な厚さｌの値を大きくし得るのであり、
原理的には、活性層数を増すことによつて、いく
らでも利得の増加が可能となるのである。
また、前記実施例構成において、レーザ発光部
分を結晶の一部に限定するのには、前記第１図お
よび第２図構造、ないしは別の実施例としての第
３図ａ構造でのように、各電極３０，３１を不純
物拡散領域２０，２１の表面一部にのみそれぞれ
形成させ、そのバルク抵抗の効果を利用して、同
各電極３０，３１の近傍にのみ電流を流す手段を
講ずるようにすれば良く、あるいは、活性層１が
多層量子井戸構造である場合には、前記した無秩
序化による拡散部分の接するｐ−ｎ接合拡散電位
の上昇を利用して、第３図ｂ構造でのように、非
拡散部分を円形に残すようにした手段などを講ず
ることができ、さらには、第３図ｃ構造に示すよ
うに、各電極３０，３１をそれぞれ同心円状に配
置しても良いのである。
分を結晶の一部に限定するのには、前記第１図お
よび第２図構造、ないしは別の実施例としての第
３図ａ構造でのように、各電極３０，３１を不純
物拡散領域２０，２１の表面一部にのみそれぞれ
形成させ、そのバルク抵抗の効果を利用して、同
各電極３０，３１の近傍にのみ電流を流す手段を
講ずるようにすれば良く、あるいは、活性層１が
多層量子井戸構造である場合には、前記した無秩
序化による拡散部分の接するｐ−ｎ接合拡散電位
の上昇を利用して、第３図ｂ構造でのように、非
拡散部分を円形に残すようにした手段などを講ず
ることができ、さらには、第３図ｃ構造に示すよ
うに、各電極３０，３１をそれぞれ同心円状に配
置しても良いのである。
なお、前記実施例構成においては、半導体材料
として、説明の便宜上、GaAs／AlGaAs系材料
を用いる場合について述べたが、その他の半導体
材料であつても、同様な作用、効果が得られる。
例えば、InP／InGaAsP系材料であつても良く、
この場合には、発振光に対して基板のInPが透明
になるために、前記GaAsAlGaAs系材料でのよ
うに、基板面にエツチングホールを形成させる必
要がない。さらに、前記実施例構成において、ｎ
型およびｐ型不純物拡散領域をそれぞれ反転させ
ても、作用、効果に変りのないことは、以上の説
明から明らかである。
として、説明の便宜上、GaAs／AlGaAs系材料
を用いる場合について述べたが、その他の半導体
材料であつても、同様な作用、効果が得られる。
例えば、InP／InGaAsP系材料であつても良く、
この場合には、発振光に対して基板のInPが透明
になるために、前記GaAsAlGaAs系材料でのよ
うに、基板面にエツチングホールを形成させる必
要がない。さらに、前記実施例構成において、ｎ
型およびｐ型不純物拡散領域をそれぞれ反転させ
ても、作用、効果に変りのないことは、以上の説
明から明らかである。
以上詳述したように、この発明によれば、半導
体基板上にあつて、第１の導電形の複数の活性層
を、この活性層よりも禁制帯巾の広い第２の導電
形の各半導体層で交互に挟んで多層構造半導体層
とし、かつこの多層構造半導体層の表面側から、
第１および第２の導電形の不純物をそれぞれに選
択的に拡散して、第１および第２の導電形の不純
物拡散領域を形成させ、活性層に上下の層から均
一にキヤリア注入をなし得るようにしたので、等
価的に実質的な活性層の厚さｌの値を大きく設定
でき、ひいては利得を大きくでき、室温でCW発
振させるのに十分な低電流動作の面発光型半導体
レーザ装置を構成し成し得る。
体基板上にあつて、第１の導電形の複数の活性層
を、この活性層よりも禁制帯巾の広い第２の導電
形の各半導体層で交互に挟んで多層構造半導体層
とし、かつこの多層構造半導体層の表面側から、
第１および第２の導電形の不純物をそれぞれに選
択的に拡散して、第１および第２の導電形の不純
物拡散領域を形成させ、活性層に上下の層から均
一にキヤリア注入をなし得るようにしたので、等
価的に実質的な活性層の厚さｌの値を大きく設定
でき、ひいては利得を大きくでき、室温でCW発
振させるのに十分な低電流動作の面発光型半導体
レーザ装置を構成し成し得る。
また、電極を選択的に形成し、その形状を小さ
くしたので、活性層がストライプ状であつても、
レーザの発光領域を数μｍとスポツト状に小さく
することができる。
くしたので、活性層がストライプ状であつても、
レーザの発光領域を数μｍとスポツト状に小さく
することができる。
しかも構造的にも比較的簡単で容易に実施でき
るなどの優れた特長がある。
るなどの優れた特長がある。
第１図はこの発明に係る面発光型半導体レーザ
の概要を示す斜視図、第２図は同上−線部の
断面図、第３図ａないしｃは同上各別例によるそ
れぞれ平面図であり、また第４図は従来例による
同上装置の概要構成を示す断面図である。 １……活性層としてのｐ型AlGaAs／GaAs多
層量子井戸層、２……ｎ型AlGaAs層、１０……
半絶縁性GaAs基板、１１……基板のエツチング
ホール、２０……ｎ型不純物拡散領域、２１……
ｐ型不純物拡散領域、３０……ｎ型電極、３１…
…ｐ型電極。
の概要を示す斜視図、第２図は同上−線部の
断面図、第３図ａないしｃは同上各別例によるそ
れぞれ平面図であり、また第４図は従来例による
同上装置の概要構成を示す断面図である。 １……活性層としてのｐ型AlGaAs／GaAs多
層量子井戸層、２……ｎ型AlGaAs層、１０……
半絶縁性GaAs基板、１１……基板のエツチング
ホール、２０……ｎ型不純物拡散領域、２１……
ｐ型不純物拡散領域、３０……ｎ型電極、３１…
…ｐ型電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に形成された第１の導電型の第
１の半導体層、 前記第１の半導体層の上に形成され、第１の半
導体層より禁止帯幅の狭い第２の導電型を有する
第１の活性層、 前記第１の活性層の上に形成され、第１の活性
層より禁止帯幅の広い第１の導電型の第２の半導
体層、 前記第２の半導体層の上に形成され、第２の半
導体層より禁止帯幅の狭い第２の導電型を有する
第２の活性層、 前記第２の活性層の上に形成され、第２の活性
層より禁止帯幅の広い第１の導電型の第３の半導
体層 を少なくとも有する多層構造半導体層と、 前記多層構造半導体層に隣接するように前記半
導体基板上に形成された第１の導電型の不純物拡
散領域と、 前記第１の導電型の不純物拡散領域とは反対側
に前記多層構造半導体層に隣接するように前記半
導体基板上に形成された第２の導電型の不純物拡
散層と、 前記第１の導電型の不純物拡散層の上に選択的
に形成された第１の導電型の電極と、 前記第２の導電型の不純物拡散層の上に選択的
に形成された第２の導電型の電極と を有することを特徴とする面発光形半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28820686A JPS63141384A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28820686A JPS63141384A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141384A JPS63141384A (ja) | 1988-06-13 |
| JPH0531836B2 true JPH0531836B2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=17727192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28820686A Granted JPS63141384A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63141384A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1081816A3 (en) * | 1999-09-03 | 2002-04-24 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having undoped distributed bragg reflectors and using lateral current injection and method for maximizing gain and minimizing optical cavity loss |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152683A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nec Corp | 面発光半導体レ−ザ |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28820686A patent/JPS63141384A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63141384A (ja) | 1988-06-13 |
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