JPH053184A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
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- JPH053184A JPH053184A JP18024091A JP18024091A JPH053184A JP H053184 A JPH053184 A JP H053184A JP 18024091 A JP18024091 A JP 18024091A JP 18024091 A JP18024091 A JP 18024091A JP H053184 A JPH053184 A JP H053184A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハの洗浄方法において、ウェハの
裏面の汚れが汚染源にならないようにする。 【構成】 ウェハ表面に対する薬液洗浄、リンスを終え
た後、少なくとも裏面をブラシで洗浄する。
裏面の汚れが汚染源にならないようにする。 【構成】 ウェハ表面に対する薬液洗浄、リンスを終え
た後、少なくとも裏面をブラシで洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハの洗浄方法、特
に半導体ウェハの鏡面を洗浄するウェハの洗浄方法に関
する。
に半導体ウェハの鏡面を洗浄するウェハの洗浄方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体ウェハの鏡面に対する薬液
洗浄は、ディップ式処理により行われていた。ディップ
式処理による薬液洗浄とは、図８に示すように、処理槽
ａ内の薬液ｂに半導体ウェハｃを例えば２５〜５０枚ず
つディップすることにより行う洗浄である。ｄは半導体
ウェハｃを所定枚数搬送するキャリアである。
洗浄は、ディップ式処理により行われていた。ディップ
式処理による薬液洗浄とは、図８に示すように、処理槽
ａ内の薬液ｂに半導体ウェハｃを例えば２５〜５０枚ず
つディップすることにより行う洗浄である。ｄは半導体
ウェハｃを所定枚数搬送するキャリアである。
【０００３】しかし、ディップ式処理には、半導体ウェ
ハｃの裏面にダストや金属、有機物で汚染されている場
合その薬液ｂを媒体として半導体ウェハｃ自身の、更に
は他の半導体ウェハｃの鏡面（表面）が汚染されてしま
うという欠点がある。特に、処理履歴が積み重なるとそ
れに伴って薬液にダストや金属、有機物が蓄積され、薬
液のクリーン度が低下して半導体ウェハｃの鏡面（表
面）が汚染され易くなる。
ハｃの裏面にダストや金属、有機物で汚染されている場
合その薬液ｂを媒体として半導体ウェハｃ自身の、更に
は他の半導体ウェハｃの鏡面（表面）が汚染されてしま
うという欠点がある。特に、処理履歴が積み重なるとそ
れに伴って薬液にダストや金属、有機物が蓄積され、薬
液のクリーン度が低下して半導体ウェハｃの鏡面（表
面）が汚染され易くなる。
【０００４】そこで、図９に示すように、半導体ウェハ
ｃをその鏡面を上向きにして回転させながら薬液ｂをそ
の回転する半導体ウェハｃの鏡面にスプレー噴射すると
いうスプレー式処理の採用が試みられた。というのは、
スプレー式処理によれば、半導体ウェハｃの裏面の汚れ
がその半導体ウェハｃあるいは別の半導体ウェハｃの鏡
面を汚染する虞れがないからである。尚、図９におい
て、ｅは半導体ウェハｃを支持する真空チャックで、図
示しない回転機構により回転せしめられるようになって
いる。ｆは薬液ｂを噴出するノズルである。
ｃをその鏡面を上向きにして回転させながら薬液ｂをそ
の回転する半導体ウェハｃの鏡面にスプレー噴射すると
いうスプレー式処理の採用が試みられた。というのは、
スプレー式処理によれば、半導体ウェハｃの裏面の汚れ
がその半導体ウェハｃあるいは別の半導体ウェハｃの鏡
面を汚染する虞れがないからである。尚、図９におい
て、ｅは半導体ウェハｃを支持する真空チャックで、図
示しない回転機構により回転せしめられるようになって
いる。ｆは薬液ｂを噴出するノズルである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示す
従来のスプレー式処理による洗浄方法にも問題があっ
た。それは、半導体ウェハｃの表面である鏡面の洗浄こ
そ行われるが、裏面が全く洗浄処理されないまま半導体
ウェハｃが次工程に送られ、この工程で半導体ウェハｃ
裏面のダスト、金属、有機物等が汚染源となるという問
題である。
従来のスプレー式処理による洗浄方法にも問題があっ
た。それは、半導体ウェハｃの表面である鏡面の洗浄こ
そ行われるが、裏面が全く洗浄処理されないまま半導体
ウェハｃが次工程に送られ、この工程で半導体ウェハｃ
裏面のダスト、金属、有機物等が汚染源となるという問
題である。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハの洗浄方法においてウェハの
裏面の汚れが汚染源にならないようにすることを目的と
する。
されたものであり、ウェハの洗浄方法においてウェハの
裏面の汚れが汚染源にならないようにすることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明ウェハの洗浄方法
は、ウェハ表面を液により洗浄した後、ウェハの少なく
とも裏面をブラシにて洗浄することを特徴とする。
は、ウェハ表面を液により洗浄した後、ウェハの少なく
とも裏面をブラシにて洗浄することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明ウェハの洗浄方法を図示実施例
に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は本発
明ウェハの洗浄方法の概略を示す概略説明図である。図
面において、１は半導体ウェハ、１ａは半導体ウェハ１
の鏡面（表面）、１ｂは半導体ウェハ１の裏面、２ａは
薬品処理装置で、半導体ウェハ１を真空吸引して支持す
る支持台２２と、それを回転させる図示しない回転機構
と、支持台２２上の半導体ウェハ１の鏡面（表面）１ａ
に対して洗浄用の薬液を噴出する一又は複数のノズル６
ａ、６ｂ、６ｃからなる。
に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は本発
明ウェハの洗浄方法の概略を示す概略説明図である。図
面において、１は半導体ウェハ、１ａは半導体ウェハ１
の鏡面（表面）、１ｂは半導体ウェハ１の裏面、２ａは
薬品処理装置で、半導体ウェハ１を真空吸引して支持す
る支持台２２と、それを回転させる図示しない回転機構
と、支持台２２上の半導体ウェハ１の鏡面（表面）１ａ
に対して洗浄用の薬液を噴出する一又は複数のノズル６
ａ、６ｂ、６ｃからなる。
【０００９】２ｂはリンス装置で、半導体ウェハ１をそ
の周縁にて保持する複数の回転フレーム３、３、…と、
それに回転力を与える回転板４と、回転フレーム３、
３、…によって保持されながら回転せしめられる半導体
ウェハ１の表裏両面に対してリンス液５ｂを噴出するノ
ズル６、６からなる。
の周縁にて保持する複数の回転フレーム３、３、…と、
それに回転力を与える回転板４と、回転フレーム３、
３、…によって保持されながら回転せしめられる半導体
ウェハ１の表裏両面に対してリンス液５ｂを噴出するノ
ズル６、６からなる。
【００１０】７はブラシ洗浄装置で、半導体ウェハ１を
保持しながら回転するウェハホルダ８と、半導体ウェハ
１の裏面１ｂを洗浄するブラシ９からなる。尚、本実施
例においては半導体ウェハ１の（鏡面）表面もブラシ９
で裏面と同時に洗浄するようになっている。
保持しながら回転するウェハホルダ８と、半導体ウェハ
１の裏面１ｂを洗浄するブラシ９からなる。尚、本実施
例においては半導体ウェハ１の（鏡面）表面もブラシ９
で裏面と同時に洗浄するようになっている。
【００１１】本ウェハの洗浄方法は、先ず図１（Ａ）に
示すように、薬液処理装置２ａにより半導体ウェハ１の
鏡面（表面）１ａに対して複数のノズル６ａ、６ｂ、６
ｃから異時にあるいは同時に、異なるあるいは同じ薬液
５ａを噴出して薬液洗浄を行う。
示すように、薬液処理装置２ａにより半導体ウェハ１の
鏡面（表面）１ａに対して複数のノズル６ａ、６ｂ、６
ｃから異時にあるいは同時に、異なるあるいは同じ薬液
５ａを噴出して薬液洗浄を行う。
【００１２】次に、（Ｂ）に示すように、リンス装置２
ｂにより半導体ウェハ１の鏡面１ａ及び裏面１ｂにノズ
ル６、６により純水５ｂを噴出してリンスする。その
後、（Ｃ）に示すようにブラシ洗浄装置７により半導体
ウェハ１を回転させながらその裏面１ｂをブラシ９によ
り洗浄して裏面１ｂの汚れを除去する。
ｂにより半導体ウェハ１の鏡面１ａ及び裏面１ｂにノズ
ル６、６により純水５ｂを噴出してリンスする。その
後、（Ｃ）に示すようにブラシ洗浄装置７により半導体
ウェハ１を回転させながらその裏面１ｂをブラシ９によ
り洗浄して裏面１ｂの汚れを除去する。
【００１３】尚、ブラシ９による半導体ウェハ１の洗浄
はその裏面１ｂに対してのみ行えば良いが、図１（Ｃ）
に示すように鏡面１ａ及び裏面１ｂの両面に対して行う
ようにしても良い。このように両面にブラシをあてるの
は、即ち、鏡面１ａに対してもブラシ９をあてるのは、
半導体ウェハ１の裏面１ｂにのみブラシ９をあてるとそ
のブラシ９から受ける力によって半導体ウェハ１が反っ
たり、ウェハホルダ８から外れる可能性があるからそれ
を避けるべく半導体ウェハ１の両面に力が略均等に加わ
るようにするためである。従って、半導体ウェハ１が反
ったり、ウェハホルダ８から外れたりする虞れがない場
合にはブラシ９による洗浄は、半導体ウェハ１の裏面１
ｂに対してのみ行えば良い。
はその裏面１ｂに対してのみ行えば良いが、図１（Ｃ）
に示すように鏡面１ａ及び裏面１ｂの両面に対して行う
ようにしても良い。このように両面にブラシをあてるの
は、即ち、鏡面１ａに対してもブラシ９をあてるのは、
半導体ウェハ１の裏面１ｂにのみブラシ９をあてるとそ
のブラシ９から受ける力によって半導体ウェハ１が反っ
たり、ウェハホルダ８から外れる可能性があるからそれ
を避けるべく半導体ウェハ１の両面に力が略均等に加わ
るようにするためである。従って、半導体ウェハ１が反
ったり、ウェハホルダ８から外れたりする虞れがない場
合にはブラシ９による洗浄は、半導体ウェハ１の裏面１
ｂに対してのみ行えば良い。
【００１４】このような本ウェハの洗浄方法によれば、
半導体ウェハ１の鏡面（表面）１ａに対して薬液５ａを
噴出することにより鏡面洗浄を先ず行い、次いで純水５
ｂでリンスし、その後、ブラシ９で半導体ウェハ１の裏
面１ｂを洗浄するので、裏面１ｂのダスト、金属、有機
物等による汚れを除去することができる。従って、半導
体ウェハ１がその裏面１ｂに汚れがついたまま次の工程
に送られ自身の鏡面１ａをあるいは他の半導体ウェハ１
の鏡面１ａを汚染するという虞れをなくすことができ
る。
半導体ウェハ１の鏡面（表面）１ａに対して薬液５ａを
噴出することにより鏡面洗浄を先ず行い、次いで純水５
ｂでリンスし、その後、ブラシ９で半導体ウェハ１の裏
面１ｂを洗浄するので、裏面１ｂのダスト、金属、有機
物等による汚れを除去することができる。従って、半導
体ウェハ１がその裏面１ｂに汚れがついたまま次の工程
に送られ自身の鏡面１ａをあるいは他の半導体ウェハ１
の鏡面１ａを汚染するという虞れをなくすことができ
る。
【００１５】図２（Ａ）、（Ｂ）は、半導体ウェハ１を
洗浄に供しあるいは洗浄した半導体ウェハ１を収容しあ
るいは排出するローダ及びアンローダ部を示し、（Ａ）
はロードあるいはアンロード用エレベータ、（Ｂ）はウ
ェハ搬送装置を示す。１０はロード用あるいはアンロー
ド用のエレベータで、半導体ウェハ１を何枚も水平の向
きで上下に適宜離間して重ねるように収容するキャリア
１１を昇降台１２により支持した構造を有する。該昇降
台は例えばラックとピニオンからなる昇降機構１３によ
り昇降せしめられる。
洗浄に供しあるいは洗浄した半導体ウェハ１を収容しあ
るいは排出するローダ及びアンローダ部を示し、（Ａ）
はロードあるいはアンロード用エレベータ、（Ｂ）はウ
ェハ搬送装置を示す。１０はロード用あるいはアンロー
ド用のエレベータで、半導体ウェハ１を何枚も水平の向
きで上下に適宜離間して重ねるように収容するキャリア
１１を昇降台１２により支持した構造を有する。該昇降
台は例えばラックとピニオンからなる昇降機構１３によ
り昇降せしめられる。
【００１６】次に、図２（Ｂ）に従ってウェハ搬送装置
４を説明する。図２（Ｂ）はその上部が搬送装置１４の
平面図であり、下部が側面図であり、そして、上右部に
おいて二点鎖線で示すのはアーム１５の後退したときの
状態の平面図である。１６はアーム１５先端の爪部、１
７は一端にてアーム１５の基端と回動自在に連結された
回動片で、他端にて別の回動片１８の一端に回動自在に
連結されている。そして、該回動片１８はその他端が移
動台１９に回動自在に支持されている。そして、２つの
回動片１７、１８による伸縮動作によってアーム１５が
前進後退する。
４を説明する。図２（Ｂ）はその上部が搬送装置１４の
平面図であり、下部が側面図であり、そして、上右部に
おいて二点鎖線で示すのはアーム１５の後退したときの
状態の平面図である。１６はアーム１５先端の爪部、１
７は一端にてアーム１５の基端と回動自在に連結された
回動片で、他端にて別の回動片１８の一端に回動自在に
連結されている。そして、該回動片１８はその他端が移
動台１９に回動自在に支持されている。そして、２つの
回動片１７、１８による伸縮動作によってアーム１５が
前進後退する。
【００１７】上記エレベータ１０に収納された半導体ウ
ェハ１はウェハ搬送装置１４のアーム１５の前進後退動
作によりエレベータ１０から取り去られ、移動台１９の
動きによりリンス装置２等へ搬送され、更にアーム１５
の前進動作により洗浄に供される。そして、洗浄を終え
た半導体ウェハ１は該ウェハ搬送装置によりアンロード
用のエレベータにアンロードされるのである。
ェハ１はウェハ搬送装置１４のアーム１５の前進後退動
作によりエレベータ１０から取り去られ、移動台１９の
動きによりリンス装置２等へ搬送され、更にアーム１５
の前進動作により洗浄に供される。そして、洗浄を終え
た半導体ウェハ１は該ウェハ搬送装置によりアンロード
用のエレベータにアンロードされるのである。
【００１８】図３は薬液処理装置１ａを示す斜視図であ
り、真空吸引により半導体ウェハ１を支持する支持台２
２と、それを回転する図示しない回転機構と、薬液５ａ
を噴出するノズル６ａ、６ｂ、６ｃからなること前述の
とおりである。
り、真空吸引により半導体ウェハ１を支持する支持台２
２と、それを回転する図示しない回転機構と、薬液５ａ
を噴出するノズル６ａ、６ｂ、６ｃからなること前述の
とおりである。
【００１９】図４はリンス装置をより詳細に示すための
斜視図である。２０は超音波発生装置で、純水供給パイ
プ２１から供給された純水をノズル６、６へ送り、ノズ
ル６、６からスプレー状にして半導体ウェハ１の両面に
吹き付けて洗浄する。尚、回転フレーム３、３、３、…
は、半導体ウェハ１の出し入れが可能なようにウェハ出
し入れ時に求心方向及び遠心方向に移動し得るようにさ
れている。
斜視図である。２０は超音波発生装置で、純水供給パイ
プ２１から供給された純水をノズル６、６へ送り、ノズ
ル６、６からスプレー状にして半導体ウェハ１の両面に
吹き付けて洗浄する。尚、回転フレーム３、３、３、…
は、半導体ウェハ１の出し入れが可能なようにウェハ出
し入れ時に求心方向及び遠心方向に移動し得るようにさ
れている。
【００２０】図５（Ａ）、（Ｂ）はブラシ洗浄装置７を
示すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は側面図である。
図面において、８は半導体ウェハ１を中央部にて保持す
る薄いドーナツ状のウェハホルダで、図示しない保持手
段にて回転自在に保持されており、外周面に外歯を有
し、該外歯にピニオン２５が歯合せしめられちる。そし
て、該ピニオン２５は図示しない回転機構により回転せ
しめられ、その回転力がウェハホルダ８に伝達される。
従って、半導体ウェハ１は回転する。
示すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は側面図である。
図面において、８は半導体ウェハ１を中央部にて保持す
る薄いドーナツ状のウェハホルダで、図示しない保持手
段にて回転自在に保持されており、外周面に外歯を有
し、該外歯にピニオン２５が歯合せしめられちる。そし
て、該ピニオン２５は図示しない回転機構により回転せ
しめられ、その回転力がウェハホルダ８に伝達される。
従って、半導体ウェハ１は回転する。
【００２１】２３、２３はブラシ９、９を先端にて支持
するアームであり、基端を支持片２５により回動自在に
支持されて二対のアーム２３、２３、２３、２３の先端
間にて二つのブラシ９、９を保持する。各アーム２３、
２３、２３、２３の基端は支持部２４により支持されて
いる。そして、アーム２３、２３、２３、２３が回動す
ることによりブラシ９、９が半導体ウェハ１の表裏両面
に触れる状態になったり、半導体ウェハ１から離れて半
導体ウェハ１のウェハホルダ８への出し入れが可能な状
態になったりする。そして、ブラシ９の先端が半導体ウ
ェハ１の面に触れた状態で該ウェハ１を回転することに
よりブラシ洗浄をする。
するアームであり、基端を支持片２５により回動自在に
支持されて二対のアーム２３、２３、２３、２３の先端
間にて二つのブラシ９、９を保持する。各アーム２３、
２３、２３、２３の基端は支持部２４により支持されて
いる。そして、アーム２３、２３、２３、２３が回動す
ることによりブラシ９、９が半導体ウェハ１の表裏両面
に触れる状態になったり、半導体ウェハ１から離れて半
導体ウェハ１のウェハホルダ８への出し入れが可能な状
態になったりする。そして、ブラシ９の先端が半導体ウ
ェハ１の面に触れた状態で該ウェハ１を回転することに
よりブラシ洗浄をする。
【００２２】図６はブラシ洗浄装置７の別の例７ａを示
す斜視図である。本例は半導体ウェハ１の裏面のみをブ
ラシ洗浄するものである。２２はウェハ支持台で、半導
体ウェハ１を真空吸着することにより支持して図示しな
い回転機構により回転せしめられる。２３はブラシ９を
保持する保持機構で、一対のアーム２３、２３の先端間
にてブラシ９を保持する。上記アーム２３、２３の基端
は支持片２４、２４により回動自在に支持されている。
す斜視図である。本例は半導体ウェハ１の裏面のみをブ
ラシ洗浄するものである。２２はウェハ支持台で、半導
体ウェハ１を真空吸着することにより支持して図示しな
い回転機構により回転せしめられる。２３はブラシ９を
保持する保持機構で、一対のアーム２３、２３の先端間
にてブラシ９を保持する。上記アーム２３、２３の基端
は支持片２４、２４により回動自在に支持されている。
【００２３】そして、アーム２３、２３が回動すること
によりブラシ９がウェハ支持台１上の半導体ウェハ１の
鏡面１ａに触れる状態になったり、半導体ウェハ１から
離れて半導体ウェハ１のブラシ洗浄装置への出し入れを
可能にする状態になったりする。尚、ブラシ洗浄すると
きは図６に示すように純水５ｂを吹き付けながら行うよ
うにするとよい。
によりブラシ９がウェハ支持台１上の半導体ウェハ１の
鏡面１ａに触れる状態になったり、半導体ウェハ１から
離れて半導体ウェハ１のブラシ洗浄装置への出し入れを
可能にする状態になったりする。尚、ブラシ洗浄すると
きは図６に示すように純水５ｂを吹き付けながら行うよ
うにするとよい。
【００２４】図７（Ａ）乃至（Ｋ）は図１に示したウェ
ハの洗浄方法をより具体的に詳細に示す洗浄方法の説明
図である。先ず、（Ａ）に示すようにロード用エレベー
タ１０に収納されているウェハ１を、（Ｂ）に示すよう
にウェハ搬送装置１４により搬送して薬液処理装置２ａ
へ送る。そして、図７（Ｃ）に示すように薬液処理装置
２ａにより半導体ウェハ１の鏡面１ａを薬液洗浄する。
ハの洗浄方法をより具体的に詳細に示す洗浄方法の説明
図である。先ず、（Ａ）に示すようにロード用エレベー
タ１０に収納されているウェハ１を、（Ｂ）に示すよう
にウェハ搬送装置１４により搬送して薬液処理装置２ａ
へ送る。そして、図７（Ｃ）に示すように薬液処理装置
２ａにより半導体ウェハ１の鏡面１ａを薬液洗浄する。
【００２５】薬液洗浄を終えた半導体ウェハ１を図７
（Ｄ）に示すようにウェハ搬送装置１４によりリンス装
置２ｂへ搬送する。そして、図７（Ｅ）に示すようリン
ス装置２ｂにおいて純水で半導体ウェハ１の両主面１
ａ、１ｂをリンスする。リンスを終えた半導体ウェハ１
は図７（Ｆ）に示すようにウェハ搬送装置１４でブラシ
洗浄装置７へ搬送する。そして、該ブラシ洗浄装置７で
図７（Ｇ）で示すように半導体ウェハ１の鏡面及び裏面
をブラシ洗浄する。このブラシ洗浄によって半導体ウェ
ハ１の裏面の汚れも除去することができるのである。
（Ｄ）に示すようにウェハ搬送装置１４によりリンス装
置２ｂへ搬送する。そして、図７（Ｅ）に示すようリン
ス装置２ｂにおいて純水で半導体ウェハ１の両主面１
ａ、１ｂをリンスする。リンスを終えた半導体ウェハ１
は図７（Ｆ）に示すようにウェハ搬送装置１４でブラシ
洗浄装置７へ搬送する。そして、該ブラシ洗浄装置７で
図７（Ｇ）で示すように半導体ウェハ１の鏡面及び裏面
をブラシ洗浄する。このブラシ洗浄によって半導体ウェ
ハ１の裏面の汚れも除去することができるのである。
【００２６】次に、ブラシ洗浄を終えた半導体ウェハ１
を図７（Ｈ）に示すようにウェハ搬送装置１４でリンス
装置２ｂへ搬送する。そして、図７（Ｉ）に示すように
リンス装置２ｂで再び純水でリンスし、再リンスを終え
た半導体ウェハ１を図７（Ｊ）で示すようにウェハ搬送
装置１７により搬送して図７（Ｋ）に示すようにアンロ
ード用エレベータ１０に収納する。
を図７（Ｈ）に示すようにウェハ搬送装置１４でリンス
装置２ｂへ搬送する。そして、図７（Ｉ）に示すように
リンス装置２ｂで再び純水でリンスし、再リンスを終え
た半導体ウェハ１を図７（Ｊ）で示すようにウェハ搬送
装置１７により搬送して図７（Ｋ）に示すようにアンロ
ード用エレベータ１０に収納する。
【００２７】尚、薬液処理装置として図４に示すリンス
装置１ｂと同じ構造ものを用い、半導体ウェハ１をその
裏面１ｂが上を向く向きにして保持し、そして半導体ウ
ェハ１の下向きの鏡面１ａに対して下側からノズル６に
より薬液５ａを噴射して薬液処理するようにしても良
い。
装置１ｂと同じ構造ものを用い、半導体ウェハ１をその
裏面１ｂが上を向く向きにして保持し、そして半導体ウ
ェハ１の下向きの鏡面１ａに対して下側からノズル６に
より薬液５ａを噴射して薬液処理するようにしても良
い。
【００２８】この場合は、半導体ウェハ１は裏面１ｂが
上を向く向きで搬送されることになる。従って、ブラシ
洗浄は、図６に示すようなブラシ洗浄装置を用いて半導
体ウェハ１の上を向いた裏面１ｂのみをブラシ９で洗浄
するという方法で行うようにしても良い。また、薬液処
理とリンスを同じチャンバ内で行うようにしても良い
等、本発明は種々の態様で実施することができる。
上を向く向きで搬送されることになる。従って、ブラシ
洗浄は、図６に示すようなブラシ洗浄装置を用いて半導
体ウェハ１の上を向いた裏面１ｂのみをブラシ９で洗浄
するという方法で行うようにしても良い。また、薬液処
理とリンスを同じチャンバ内で行うようにしても良い
等、本発明は種々の態様で実施することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明ウェハの洗浄方法は、ウェハ表面
を液により洗浄した後、ウェハの少なくとも裏面をブラ
シにて洗浄することを特徴とするものである。従って、
本発明ウェハの洗浄方法によれば、ウェハ表面に対する
液による洗浄後、ウェハの少なくとも裏面をブラシで洗
浄するので、裏面のダスト、金属、有機物等による汚れ
を除去することができる。従って、半導体ウェハがその
裏面に汚れがついたまま次の工程に送られ自身をあるい
は他の半導体ウェハを汚染するという虞れをなくすこと
ができる。
を液により洗浄した後、ウェハの少なくとも裏面をブラ
シにて洗浄することを特徴とするものである。従って、
本発明ウェハの洗浄方法によれば、ウェハ表面に対する
液による洗浄後、ウェハの少なくとも裏面をブラシで洗
浄するので、裏面のダスト、金属、有機物等による汚れ
を除去することができる。従って、半導体ウェハがその
裏面に汚れがついたまま次の工程に送られ自身をあるい
は他の半導体ウェハを汚染するという虞れをなくすこと
ができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明ウェハの洗浄方法の
一つの実施例の概略を順に示す概略説明図である。
一つの実施例の概略を順に示す概略説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は本発明ウェハの洗浄方法の実
施に用いるローダ及びアンローダ部の一例の構成図であ
り、（Ａ）はエレベータを、（Ｂ）はウェハ搬送装置を
示す。
施に用いるローダ及びアンローダ部の一例の構成図であ
り、（Ａ）はエレベータを、（Ｂ）はウェハ搬送装置を
示す。
【図３】本発明ウェハの洗浄方法の実施に用いる薬液処
理装置の一例を示す斜視図である。
理装置の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明ウェハの洗浄方法の実施に用いるリンス
装置の一例を示す斜視図である。
装置の一例を示す斜視図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は本発明ウェハの洗浄方法の実
施に用いるブラシ洗浄装置を示すもので、（Ａ）は斜視
図、（Ｂ）は側面図である。
施に用いるブラシ洗浄装置を示すもので、（Ａ）は斜視
図、（Ｂ）は側面図である。
【図６】本発明ウェハの洗浄方法の実施に用いるブラシ
洗浄装置の別の例を示す斜視図である。
洗浄装置の別の例を示す斜視図である。
【図７】（Ａ）乃至（Ｋ）は図１に示したウェハの洗浄
方法を順により具体的に説明する説明図である。
方法を順により具体的に説明する説明図である。
【図８】ウェハの洗浄方法の一つの従来例を示す図であ
る。
る。
【図９】ウェハの洗浄方法の別の従来例を示す図であ
る。
る。
１ ウェハ １ａ 表面（鏡面） １ｂ 裏面 ５ａ、５ｂ 液 ９ ブラシ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ウェハ表面を液により洗浄した後、ウェ
ハの少なくとも裏面をブラシにて洗浄することを特徴と
するウェハの洗浄方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18024091A JPH053184A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18024091A JPH053184A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053184A true JPH053184A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16079818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18024091A Pending JPH053184A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053184A (ja) |
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- 1991-06-24 JP JP18024091A patent/JPH053184A/ja active Pending
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