JPH05319920A - 低温焼成用誘電体磁器組成物 - Google Patents
低温焼成用誘電体磁器組成物Info
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- JPH05319920A JPH05319920A JP4276594A JP27659492A JPH05319920A JP H05319920 A JPH05319920 A JP H05319920A JP 4276594 A JP4276594 A JP 4276594A JP 27659492 A JP27659492 A JP 27659492A JP H05319920 A JPH05319920 A JP H05319920A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実用的な比誘電率を保持しつつ、無負荷Ｑが
大きく、共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与
える、低温焼成用誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ
3 （ＲＥ：希土類金属）にて表わされ、且つ次式：０．
１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１
０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足する組成
物を主成分とし、該主成分組成物の１００重量部に対し
て、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ
3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５
≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて
表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 系ガラス
を、副成分として、０．１〜１８重量部の割合において
配合する。
大きく、共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与
える、低温焼成用誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ
3 （ＲＥ：希土類金属）にて表わされ、且つ次式：０．
１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１
０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足する組成
物を主成分とし、該主成分組成物の１００重量部に対し
て、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ
3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５
≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて
表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 系ガラス
を、副成分として、０．１〜１８重量部の割合において
配合する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物に
係り、特にストリップライン型フィルタ等の、内層導体
を有する誘電体共振器の製造に好適に用いられる、低温
焼成の可能な高周波用誘電体磁器組成物に関するもので
ある。また、本発明は、そのような誘電体磁器組成物を
用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数か
ら構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共
振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法に関す
るものである。
係り、特にストリップライン型フィルタ等の、内層導体
を有する誘電体共振器の製造に好適に用いられる、低温
焼成の可能な高周波用誘電体磁器組成物に関するもので
ある。また、本発明は、そのような誘電体磁器組成物を
用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数か
ら構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共
振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法に関す
るものである。
【０００２】
【背景技術】今日、携帯電話や自動車用電話等では、高
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内装してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内装してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
【０００３】而して、かかるストリップライン型フィル
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。
【０００４】一方、従来から、誘電体磁器組成物に関し
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でもＢ
ａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥは希土類金属）に
て構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、ま
た無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さ
い材料として知られているが、その焼成温度が１３００
℃〜１４００℃と高いところに問題があり、そのために
Ｐｂ酸化物等を添加することにより、その焼成温度の低
下を図る試みが為されてきている。
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でもＢ
ａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥは希土類金属）に
て構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、ま
た無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さ
い材料として知られているが、その焼成温度が１３００
℃〜１４００℃と高いところに問題があり、そのために
Ｐｂ酸化物等を添加することにより、その焼成温度の低
下を図る試みが為されてきている。
【０００５】例えば、米国特許第３８１１９３７号明細
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼粉砕物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４０５号公報においては、ＢａＯ
−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3系組成物に対して、ＰｂＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、１
０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らかに
されている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報に
は、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2−Ｂｉ2 Ｏ3
系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器組成
物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃の焼
成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更にま
た、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ3 ，
Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ4 か
らなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示され、
それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結するこ
とが明らかにされている。
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼粉砕物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４０５号公報においては、ＢａＯ
−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3系組成物に対して、ＰｂＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、１
０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らかに
されている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報に
は、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2−Ｂｉ2 Ｏ3
系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器組成
物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃の焼
成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更にま
た、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ3 ，
Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ4 か
らなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示され、
それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結するこ
とが明らかにされている。
【０００６】しかしながら、これら低温焼成が可能とさ
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃以上と高く、導通抵抗の低いＡｇ
単体やＡｇを主体とする合金材料を内部導体として用い
ることが出来ない。そのために、導通抵抗の大きなＰｄ
の含有量を高めた、Ａｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得な
いのが実情である。しかも、それら従来の低温焼成用誘
電体磁器組成物においては、Ｐｂ酸化物を多量に添加せ
しめたものであるところから、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑
み、その取り扱い上においても問題のあるものであっ
た。このように、誘電体磁器組成物の焼成温度を１００
０℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られている
が、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５０℃以
下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とする技術
については、未だ、知られてはいないのである。
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃以上と高く、導通抵抗の低いＡｇ
単体やＡｇを主体とする合金材料を内部導体として用い
ることが出来ない。そのために、導通抵抗の大きなＰｄ
の含有量を高めた、Ａｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得な
いのが実情である。しかも、それら従来の低温焼成用誘
電体磁器組成物においては、Ｐｂ酸化物を多量に添加せ
しめたものであるところから、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑
み、その取り扱い上においても問題のあるものであっ
た。このように、誘電体磁器組成物の焼成温度を１００
０℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られている
が、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５０℃以
下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とする技術
については、未だ、知られてはいないのである。
【０００７】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、実用的な比誘電率を保持しつつ、無負荷Ｑが大き
く、且つ共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与
える、９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ま
しくは９００℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、ま
た多量のＰｂ酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成
用誘電体磁器組成物を提供することにある。また、本発
明の他の課題とするところは、そのような誘電体磁器組
成物を用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の
複数から構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘
電体共振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法
を提供することにある。
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、実用的な比誘電率を保持しつつ、無負荷Ｑが大き
く、且つ共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与
える、９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ま
しくは９００℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、ま
た多量のＰｂ酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成
用誘電体磁器組成物を提供することにある。また、本発
明の他の課題とするところは、そのような誘電体磁器組
成物を用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の
複数から構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘
電体共振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法
を提供することにある。
【０００８】そして、かかる課題を解決するために、本
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −
ＲＥ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物に対して、所定のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの特定量を含有せしめ
ることにより、その優れた特性を確保しつつ、その焼成
温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出したのであ
る。
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −
ＲＥ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物に対して、所定のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの特定量を含有せしめ
ることにより、その優れた特性を確保しつつ、その焼成
温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出したのであ
る。
【０００９】
【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づい
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、
ＲＥは希土類金属を示す）にて表わされ、且つ該一般式
中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦
０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦
０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成さ
れた、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースか
らなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の１００重
量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量
％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ
≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１
００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量部の割
合において含有せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成
物にある。
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、
ＲＥは希土類金属を示す）にて表わされ、且つ該一般式
中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦
０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦
０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成さ
れた、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースか
らなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の１００重
量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量
％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ
≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１
００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量部の割
合において含有せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成
物にある。
【００１０】また、本発明にあっては、一般式：ｘＢａ
Ｏ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金
属を示す）にて表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及び
ｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．
６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ
＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成された、酸化バリウ
ム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる組成物の１
００重量部に対して、２．５重量部までの酸化アルミニ
ウムを添加せしめてなるものを、主成分組成物とし、該
主成分組成物の１００重量部に対して、一般式：ｋ（重
量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）Ｓ
ｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ
≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、
０．１〜１８重量部の割合において含有せしめてなるこ
とを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物をも、その
要旨とするものであって、これによって無負荷Ｑのより
一層の改善を図ることが出来る。
Ｏ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金
属を示す）にて表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及び
ｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．
６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ
＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成された、酸化バリウ
ム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる組成物の１
００重量部に対して、２．５重量部までの酸化アルミニ
ウムを添加せしめてなるものを、主成分組成物とし、該
主成分組成物の１００重量部に対して、一般式：ｋ（重
量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）Ｓ
ｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ
≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、
０．１〜１８重量部の割合において含有せしめてなるこ
とを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物をも、その
要旨とするものであって、これによって無負荷Ｑのより
一層の改善を図ることが出来る。
【００１１】さらにまた、本発明にあっては、一般式：
ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希
土類金属を示す）にて表わされ、且つ該一般式中のｘ，
ｙ及びｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成された、
酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる
組成物の１００重量部に対して、３．０重量部までの酸
化マンガンを添加せしめてなるものを、主成分組成物と
し、該主成分組成物の１００重量部に対して、一般式：
ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量
％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，
２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組
成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分と
して、０．１〜１８重量部の割合において含有せしめて
なることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物を
も、その要旨とするものであって、これによって窒素中
での銅導体等との同時焼成を有利に実現せしめ得る他、
無負荷Ｑや共振周波数の温度係数のより一層の改善を図
ることが出来る。
ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希
土類金属を示す）にて表わされ、且つ該一般式中のｘ，
ｙ及びｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成された、
酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる
組成物の１００重量部に対して、３．０重量部までの酸
化マンガンを添加せしめてなるものを、主成分組成物と
し、該主成分組成物の１００重量部に対して、一般式：
ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量
％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，
２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組
成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分と
して、０．１〜１８重量部の割合において含有せしめて
なることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物を
も、その要旨とするものであって、これによって窒素中
での銅導体等との同時焼成を有利に実現せしめ得る他、
無負荷Ｑや共振周波数の温度係数のより一層の改善を図
ることが出来る。
【００１２】そして、本発明は、誘電体磁器と、該誘電
体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成
された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターにおいて、かかる誘電体
磁器を、上述の如き誘電体磁器組成物、換言すれば前記
請求項１乃至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物を焼
成して得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体
パターンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金
材料にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しく
は該共振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨と
している。
体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成
された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターにおいて、かかる誘電体
磁器を、上述の如き誘電体磁器組成物、換言すれば前記
請求項１乃至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物を焼
成して得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体
パターンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金
材料にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しく
は該共振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨と
している。
【００１３】また、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体
磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振
器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造す
るに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１乃
至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体
若しくはその仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａ
ｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成さ
れる導体層を設け、それを同時焼成せしめることを特徴
とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フ
ィルターの製造方法をも、その要旨としている。
磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振
器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造す
るに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１乃
至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体
若しくはその仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａ
ｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成さ
れる導体層を設け、それを同時焼成せしめることを特徴
とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フ
ィルターの製造方法をも、その要旨としている。
【００１４】
【具体的構成】ところで、かかる誘電体磁器組成物にお
いて、主成分の一つたるＢａＯの含有量が１０モル％よ
りも少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁
器の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２
０モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振
周波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題
を惹起する。また、ＴｉＯ2 については、その含有量が
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。
いて、主成分の一つたるＢａＯの含有量が１０モル％よ
りも少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁
器の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２
０モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振
周波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題
を惹起する。また、ＴｉＯ2 については、その含有量が
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。
【００１５】また、ＲＥ2 Ｏ3 に関しては、その含有量
が１０モル％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共
振周波数の温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一
方、２５モル％を越えるようになると（ｚ＞０．２
５）、焼結性が悪く、比誘電率が小さくなってしまう問
題を惹起する。
が１０モル％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共
振周波数の温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一
方、２５モル％を越えるようになると（ｚ＞０．２
５）、焼結性が悪く、比誘電率が小さくなってしまう問
題を惹起する。
【００１６】なお、本発明において、ＲＥ2 Ｏ3 におけ
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い比誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、共
振周波数の温度係数を制御することが出来る。しかしな
がら、そのようなＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる
場合にあっては、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合
を４０モル％以下にすることが望ましく、それを越える
と、共振周波数の温度係数が負または正に大きく変化す
る問題を生じる。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用い
る場合にあっては、三価の原子に換算して、導入される
こととなる。
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い比誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、共
振周波数の温度係数を制御することが出来る。しかしな
がら、そのようなＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる
場合にあっては、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合
を４０モル％以下にすることが望ましく、それを越える
と、共振周波数の温度係数が負または正に大きく変化す
る問題を生じる。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用い
る場合にあっては、三価の原子に換算して、導入される
こととなる。
【００１７】本発明は、上記の如き割合において、酸化
バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、またそのよう
な主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振周
波数の温度係数を補正する目的で、酸化アルミニウム、
酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化
錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加含有せしめ
ることは何等差支えない。特に、前記主成分磁器組成物
への酸化アルミニウムの添加は、無負荷Ｑをより一層向
上せしめる上において極めて有効である。なお、この酸
化アルミニウムは、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化
レアアースにて構成される組成物の１００重量部当たり
２．５重量部までの割合で、好ましくは２重量部までの
割合で添加、含有せしめられることとなる。また酸化マ
ンガンは、主成分組成物の還元を防止する働きがあり、
このため窒素中での銅導体等との同時焼成を有利に実現
せしめ得る他、高い比誘電率を保ったまま、無負荷Ｑを
向上せしめたり、或いは共振周波数の温度係数を小さく
したりする効果を有する。なお、この酸化アルミニウム
または酸化マンガンは、それぞれ、酸化バリウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る組成物の１００重量部当たり２．５重量部または３重
量部までの割合で、好ましくはそれらは２重量部までの
割合で添加、含有せしめられることとなる。
バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、またそのよう
な主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振周
波数の温度係数を補正する目的で、酸化アルミニウム、
酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化
錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加含有せしめ
ることは何等差支えない。特に、前記主成分磁器組成物
への酸化アルミニウムの添加は、無負荷Ｑをより一層向
上せしめる上において極めて有効である。なお、この酸
化アルミニウムは、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化
レアアースにて構成される組成物の１００重量部当たり
２．５重量部までの割合で、好ましくは２重量部までの
割合で添加、含有せしめられることとなる。また酸化マ
ンガンは、主成分組成物の還元を防止する働きがあり、
このため窒素中での銅導体等との同時焼成を有利に実現
せしめ得る他、高い比誘電率を保ったまま、無負荷Ｑを
向上せしめたり、或いは共振周波数の温度係数を小さく
したりする効果を有する。なお、この酸化アルミニウム
または酸化マンガンは、それぞれ、酸化バリウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る組成物の１００重量部当たり２．５重量部または３重
量部までの割合で、好ましくはそれらは２重量部までの
割合で添加、含有せしめられることとなる。
【００１８】また、かかる本発明に従う主成分磁器組成
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、３０〜８５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）とか
ら構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸化ホウ素
及び酸化珪素のそれぞれの含有量をｋ重量％、ｍ重量％
及びｎ重量％とすると、次のような式：３０≦ｋ≦８
５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００
を満足させる必要があるのである。特に、このようにＺ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 をガラスにして添加すること
により、焼成温度を効果的に下げることが可能となるの
であり、また、かかるガラスを構成する成分のうち、Ｓ
ｉＯ2 成分はガラスを作製する上において極めて重要で
あり、ガラス化を容易にするだけではなく、安定なガラ
スを得ることが出来る。
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、３０〜８５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）とか
ら構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸化ホウ素
及び酸化珪素のそれぞれの含有量をｋ重量％、ｍ重量％
及びｎ重量％とすると、次のような式：３０≦ｋ≦８
５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００
を満足させる必要があるのである。特に、このようにＺ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 をガラスにして添加すること
により、焼成温度を効果的に下げることが可能となるの
であり、また、かかるガラスを構成する成分のうち、Ｓ
ｉＯ2 成分はガラスを作製する上において極めて重要で
あり、ガラス化を容易にするだけではなく、安定なガラ
スを得ることが出来る。
【００１９】ところで、ＺｎＯの含有量（ｋ）が３０重
量％未満の場合にあっては、ガラス化が困難となる問題
があり、一方、８５重量％を越えるようになると、ガラ
ス化が困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼
成温度が高くなる問題を惹起する。また、Ｂ2 Ｏ3 の含
有量（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が困難
となると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる
問題があり、一方、５０重量％を越えるようになると、
無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起する。更に、ＳｉＯ2
の含有量（ｎ）が４０重量％を越えるようになると、ガ
ラス化が困難となることに加えて、目的とする誘電体磁
器組成物の焼成温度が高くなる問題を惹起する。また、
このＳｉＯ2 をガラス成分の一つとすることにより、ガ
ラス化が容易となり、以て誘電体磁器組成物の低温焼成
化に有利に寄与し得るのであり、更に無負荷Ｑの向上に
も寄与することが出来る。
量％未満の場合にあっては、ガラス化が困難となる問題
があり、一方、８５重量％を越えるようになると、ガラ
ス化が困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼
成温度が高くなる問題を惹起する。また、Ｂ2 Ｏ3 の含
有量（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が困難
となると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる
問題があり、一方、５０重量％を越えるようになると、
無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起する。更に、ＳｉＯ2
の含有量（ｎ）が４０重量％を越えるようになると、ガ
ラス化が困難となることに加えて、目的とする誘電体磁
器組成物の焼成温度が高くなる問題を惹起する。また、
このＳｉＯ2 をガラス成分の一つとすることにより、ガ
ラス化が容易となり、以て誘電体磁器組成物の低温焼成
化に有利に寄与し得るのであり、更に無負荷Ｑの向上に
も寄与することが出来る。
【００２０】なお、かかるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有量
（ｋ）が４０〜７５重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４０重量％、ＳｉＯ2 の含有量（ｎ）が５〜３０
重量％である。また、かかる副成分としてのガラスに
は、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得る
が、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに対
して１０重量％までの割合とされるべきである。更に、
この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したものばか
りでなく、実質的にガラス状態となっておれば、相分離
したものであっても、また原料が部分的に残っていたり
或いは部分的に結晶化していたりするものであっても、
同様に使用可能である。
系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有量
（ｋ）が４０〜７５重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４０重量％、ＳｉＯ2 の含有量（ｎ）が５〜３０
重量％である。また、かかる副成分としてのガラスに
は、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得る
が、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに対
して１０重量％までの割合とされるべきである。更に、
この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したものばか
りでなく、実質的にガラス状態となっておれば、相分離
したものであっても、また原料が部分的に残っていたり
或いは部分的に結晶化していたりするものであっても、
同様に使用可能である。
【００２１】そして、このような組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、副成分として、前記した主成
分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、１８重量部以下の割合において含有せしめられ、以
て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が１０００℃
以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめられ得る
のである。これに対して、かかる副成分としてのガラス
の含有量が、０．１重量部に満たない場合にあっては、
そのような副成分の添加による焼成温度の低下の充分な
効果が得られず、また１８重量部を越えて添加した場合
にあっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくな
り過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。
3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、副成分として、前記した主成
分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、１８重量部以下の割合において含有せしめられ、以
て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が１０００℃
以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめられ得る
のである。これに対して、かかる副成分としてのガラス
の含有量が、０．１重量部に満たない場合にあっては、
そのような副成分の添加による焼成温度の低下の充分な
効果が得られず、また１８重量部を越えて添加した場合
にあっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくな
り過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。
【００２２】ところで、本発明に従う誘電体磁器組成物
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として配合
せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たるＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの配合に先立って、
前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原料組
成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準備さ
れることとなる。そして、その仮焼に際して、９００℃
以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に伴な
う誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及び無
負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５０℃
以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところから、
本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温度で
仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３５０
℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が著し
く、取り扱い上において問題を生じるので、好ましくは
１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用される
こととなる。
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として配合
せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たるＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの配合に先立って、
前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原料組
成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準備さ
れることとなる。そして、その仮焼に際して、９００℃
以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に伴な
う誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及び無
負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５０℃
以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところから、
本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温度で
仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３５０
℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が著し
く、取り扱い上において問題を生じるので、好ましくは
１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用される
こととなる。
【００２３】また、このようにして仮焼して得られた仮
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば通常のドクターブレード
法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼粉
砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御する
ことが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒子
径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定される
こととなる。
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば通常のドクターブレード
法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼粉
砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御する
ことが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒子
径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定される
こととなる。
【００２４】
【実施例】以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。
【００２５】実施例 １ 高純度の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸
化サマリウム、酸化ランタン、酸化アルミニウム、及び
酸化マンガンを用い、それら成分を、下記表１において
示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，Ａｌ2 Ｏ3 外配量，
ＭｎＯ外配量を与えるように秤量し、それら原料を、ポ
リエチレン製ポットの中に、アルミナ玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物をポットから取り出して乾燥した後、アルミ
ナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で４時間、空気雰囲
気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、
再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共
に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定される
平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行な
い、各種の仮焼粉砕物を得た。
化サマリウム、酸化ランタン、酸化アルミニウム、及び
酸化マンガンを用い、それら成分を、下記表１において
示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，Ａｌ2 Ｏ3 外配量，
ＭｎＯ外配量を与えるように秤量し、それら原料を、ポ
リエチレン製ポットの中に、アルミナ玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物をポットから取り出して乾燥した後、アルミ
ナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で４時間、空気雰囲
気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、
再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共
に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定される
平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行な
い、各種の仮焼粉砕物を得た。
【００２６】一方、高純度の酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸
化珪素を用い、それらをＺｎＯ：６３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ：２９重量％、ＳｉＯ2 ：８重量％の比率の組成Ａ、
またはＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、Ｓ
ｉＯ2 ：１０重量％の比率の組成Ｂとなるように秤量
し、それぞれ、ポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉
石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その得
られた各混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水
中に急冷して、ガラス化した。更に、この得られた各ガ
ラスを、アルミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投
入し、エタノール中で平均粒子径が４μｍ程度になるま
で粉砕することにより、組成Ａまたは組成Ｂにて表わさ
れるガラスを得た。
化珪素を用い、それらをＺｎＯ：６３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ：２９重量％、ＳｉＯ2 ：８重量％の比率の組成Ａ、
またはＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、Ｓ
ｉＯ2 ：１０重量％の比率の組成Ｂとなるように秤量
し、それぞれ、ポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉
石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その得
られた各混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水
中に急冷して、ガラス化した。更に、この得られた各ガ
ラスを、アルミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投
入し、エタノール中で平均粒子径が４μｍ程度になるま
で粉砕することにより、組成Ａまたは組成Ｂにて表わさ
れるガラスを得た。
【００２７】次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕
物と、組成ＡまたはＢのガラスの所定量（表１に示され
る量）とを、ジルコニア玉石と共に、ポリエチレン製ポ
ットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめた。
その際、バインダーとしてＰＶＡを１重量％加えた。得
られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を
通して、造粒した。ガラスの添加量は、主成分組成物の
１００重量部に対する割合である。
物と、組成ＡまたはＢのガラスの所定量（表１に示され
る量）とを、ジルコニア玉石と共に、ポリエチレン製ポ
ットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめた。
その際、バインダーとしてＰＶＡを１重量％加えた。得
られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を
通して、造粒した。ガラスの添加量は、主成分組成物の
１００重量部に対する割合である。
【００２８】かくして得られた造粒粉体を、プレス成形
機を用いて、面圧：１ｔ／ｃｍ2 にて成形し、２０ｍｍ
φ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。そし
て、この得られた試験片を、空気中において、９００℃
の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電体磁
器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られたサ
ンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に研磨
し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、比誘
電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器
法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τｆ）
は、−２５℃〜７５℃の範囲で測定した。測定周波数
は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、下記表１
に示した。
機を用いて、面圧：１ｔ／ｃｍ2 にて成形し、２０ｍｍ
φ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。そし
て、この得られた試験片を、空気中において、９００℃
の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電体磁
器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られたサ
ンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に研磨
し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、比誘
電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器
法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τｆ）
は、−２５℃〜７５℃の範囲で測定した。測定周波数
は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、下記表１
に示した。
【００２９】
【表１】
【００３０】実施例 ２ 実施例１においてＮｏ．１３として得られた仮焼粉砕物
を用い、それと、組成ＢのＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス粉末と、ポリビニルブチラール（外配８重量
部）、可塑剤及び解膠剤の適当量を、ジルコニア玉石と
共に、アルミナ製ポットの中に投入し、更にトルエンと
イソプロピルアルコールの混合溶液を加えて、湿式混合
せしめた。
を用い、それと、組成ＢのＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス粉末と、ポリビニルブチラール（外配８重量
部）、可塑剤及び解膠剤の適当量を、ジルコニア玉石と
共に、アルミナ製ポットの中に投入し、更にトルエンと
イソプロピルアルコールの混合溶液を加えて、湿式混合
せしめた。
【００３１】次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ド
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、２０枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、ストリップライン
型フィルタを作製した。かくして得られたストリップラ
イン型フィルタについて、ネットワークアナライザーを
用い、そのフィルタ特性を測定した結果、中心周波数：
９３０ＭＨｚ、挿入損失：２．８ｄＢであった。
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、２０枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、ストリップライン
型フィルタを作製した。かくして得られたストリップラ
イン型フィルタについて、ネットワークアナライザーを
用い、そのフィルタ特性を測定した結果、中心周波数：
９３０ＭＨｚ、挿入損失：２．８ｄＢであった。
【００３２】実施例 ３ 実施例１において試料Ｎｏ．１５として調製された主成
分組成物（仮焼粉砕物）を用いる一方、下記表２に示さ
れる組成のガラスＣ〜Ｈを、それぞれ、実施例１と同様
にして調製した。
分組成物（仮焼粉砕物）を用いる一方、下記表２に示さ
れる組成のガラスＣ〜Ｈを、それぞれ、実施例１と同様
にして調製した。
【００３３】
【表２】
【００３４】次いで、それぞれ粉砕された主成分組成物
の１００重量部及び各ガラスの５重量部を、ポリエチレ
ン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、更に純水
を加えて、湿式混合せしめた。そして、実施例１と同様
な造粒操作を施した後、その得られた各種の造粒物か
ら、実施例１と同様にして、サンプルをプレス成形せし
め、更に空気中で、９００℃×２時間焼成して、誘電体
磁器サンプルをそれぞれ作製し、更にその誘電体特性を
評価して、その得られた結果を、下記表３に示した。
の１００重量部及び各ガラスの５重量部を、ポリエチレ
ン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、更に純水
を加えて、湿式混合せしめた。そして、実施例１と同様
な造粒操作を施した後、その得られた各種の造粒物か
ら、実施例１と同様にして、サンプルをプレス成形せし
め、更に空気中で、９００℃×２時間焼成して、誘電体
磁器サンプルをそれぞれ作製し、更にその誘電体特性を
評価して、その得られた結果を、下記表３に示した。
【００３５】
【表３】
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ2 Ｏ
3 ）を主成分とし、それら各成分が、それぞれ特定量に
おいて含有せしめられていると共に、副成分として、特
定組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの所定量
が含有せしめられていることにより、９６２℃（Ａｇの
融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼
成温度で焼結が可能であり、これによって、導通抵抗の
低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導
体として有するストリップライン型フィルタ等の誘電体
フィルタを有利に製造し得ることとなったのであり、し
かも得られる誘電体磁器は、実用的な比誘電率を有しつ
つ、無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小
さい特徴を備えているのである。
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ2 Ｏ
3 ）を主成分とし、それら各成分が、それぞれ特定量に
おいて含有せしめられていると共に、副成分として、特
定組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの所定量
が含有せしめられていることにより、９６２℃（Ａｇの
融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼
成温度で焼結が可能であり、これによって、導通抵抗の
低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導
体として有するストリップライン型フィルタ等の誘電体
フィルタを有利に製造し得ることとなったのであり、し
かも得られる誘電体磁器は、実用的な比誘電率を有しつ
つ、無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小
さい特徴を備えているのである。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ
2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）にて表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次
式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満
足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及
び酸化レアアースからなる組成物を主成分とし、該主成
分組成物の１００重量部に対して、一般式：ｋ（重量
％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）Ｓｉ
Ｏ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦
４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、
０．１〜１８重量部の割合において含有せしめてなるこ
とを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ
2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）にて表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次
式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満
足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及
び酸化レアアースからなる組成物の１００重量部に対し
て、２．５重量部までの酸化アルミニウムを添加せしめ
てなるものを、主成分組成物とし、該主成分組成物の１
００重量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ
（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３
０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋
ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量
部の割合において含有せしめてなることを特徴とする低
温焼成用誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ
2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）にて表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次
式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満
足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及
び酸化レアアースからなる組成物の１００重量部に対し
て、３．０重量部までの酸化マンガンを添加せしめてな
るものを、主成分組成物とし、該主成分組成物の１００
重量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重
量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦
ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝
１００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量部の
割合において含有せしめてなることを特徴とする低温焼
成用誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成
することにより該誘電体磁器内に形成された導体パター
ンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
体フィルターにおいて、かかる誘電体磁器を、前記請求
項１乃至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物を焼成し
て得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パタ
ーンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料
にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該
共振器よりなる誘電体フィルター。 - 【請求項５】 誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けら
れた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前
記誘電体磁器を与える、前記請求項１乃至３の何れかに
記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその仮
焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しくは
Ａｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を設
け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製造
方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276594A JP2781500B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
| US07/948,585 US5264403A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-23 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| DE69212097T DE69212097T2 (de) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Dielektrische keramische Zusammensetzung enthaltend Zinkoxid-Boroxid-Siliciumoxid Glass, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung als Resonator und Filter |
| EP92308814A EP0534802B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Dielectric ceramic composition containing zinc oxide-boron oxide-silica glass, method of preparation and use thereof as resonator and filter |
| US08/102,059 US5304521A (en) | 1991-09-27 | 1993-08-04 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/181,423 US5350721A (en) | 1991-09-27 | 1994-01-14 | Dielectric ceramic composition containing ZNO-B203-SI02 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/251,567 US5488019A (en) | 1991-09-27 | 1994-05-31 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,926 US5479140A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,927 US5485132A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,937 US5493262A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-92182 | 1992-03-18 | ||
| JP9218292 | 1992-03-18 | ||
| JP4276594A JP2781500B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05319920A true JPH05319920A (ja) | 1993-12-03 |
| JP2781500B2 JP2781500B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=14047298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276594A Expired - Lifetime JP2781500B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781500B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| US6385035B1 (en) | 1999-09-07 | 2002-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic component |
| JP2002524386A (ja) * | 1998-09-10 | 2002-08-06 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 還元安定性セラミック材料 |
| JP2003020271A (ja) * | 2001-05-01 | 2003-01-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2005022958A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2010235336A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | 誘電体セラミックスおよび誘電体共振器 |
| CN112028491A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-04 | 安徽蓝讯新材料科技有限公司 | 一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4276594A patent/JP2781500B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| JP2002524386A (ja) * | 1998-09-10 | 2002-08-06 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 還元安定性セラミック材料 |
| JP4813659B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2011-11-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 還元安定性セラミック材料 |
| US6385035B1 (en) | 1999-09-07 | 2002-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic component |
| DE10043882B4 (de) * | 1999-09-07 | 2009-11-05 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil |
| JP2003020271A (ja) * | 2001-05-01 | 2003-01-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2005022958A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| US7226882B2 (en) | 2003-06-11 | 2007-06-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material and method of producing the same |
| EP1489058A3 (en) * | 2003-06-11 | 2009-11-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielectric material and method of producing the same |
| JP2010235336A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | 誘電体セラミックスおよび誘電体共振器 |
| CN112028491A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-04 | 安徽蓝讯新材料科技有限公司 | 一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法 |
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| JP2781500B2 (ja) | 1998-07-30 |
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