JPH05320767A - 極めて鉄損の優れた珪素鋼板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 グラスレス材はＳＬプロセスで作り易いが、
その技術を利用し、冷延後に磁区制御のための溝を付け
て、仕上げ焼鈍後の製品をグラスレス＋磁区制御とする
方法でる。 【構成】 ＣａＣｌ₂ やＫ₂ Ｓ等がグラスレスに有効な
ことを見つけ、これを利用して、窒化量、仕上げ焼鈍で
の雰囲気制御、その他の条件コントロールで低鉄損の得
られる最適条件を探索し、現状のＧＳ材を上回る技術の
確立を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気特性に優れた方向性
電磁鋼板及びその製造法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】トランス用等の磁気特性に優れた１〜７
％のＳｉを含んだ珪素鋼板を製造するに際して、絶縁特
性の確保と鋼板表面に張力を与えトランスの性能向上に
必要な磁気特性を向上させ、かつ鋼板との密着性が良好
な一次被膜を形成させることは従来技術においては方向
性電磁鋼板の一つの重要な課題であった。

【０００３】すなわち、通常の技術では脱炭を伴う一次
焼鈍後に鋼板にマグネシアと呼ばれる酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）の微粉末を水溶させたスラリー状のものを塗
り、必要に応じて乾燥させたあと、二次再結晶焼鈍工程
で焼成させ、鋼板中のＳｉＯ₂ やＳｉとの反応でフォル
ステライト（Ｍｇ₂ ＳｉＯ₄ ）と呼ばれるセラミックス
質状の絶縁性の一次被膜を形成させる。これが鋼板に張
力を与え、磁気特性とりわけ鉄損と呼ばれるトランスの
効率を支配する特性値を向上させるのに有効である。

【０００４】しかも、このフォルステライト形成の状態
が、二次再結晶で鋼板の結晶方位を通称ＧＯＳＳ方位と
呼ばれ、透磁率や磁束密度の向上に不可欠な鋼板長手方
向（圧延方向）に対して｛１１０｝［００１］の結晶方
位を有するやや粗大な二次再結晶粒を成長させるのにも
重要な役割を果たしていることもよく知られている。逆
に、二次再結晶焼鈍昇温過程中に十分緻密な被膜が形成
されないまま二次再結晶させようとしても鋼板内のイン
ヒビターと呼ばれる微細な窒化物や硫化物等がそのまま
の状態で、あるいは分解して早く鋼板外に抜けでてしま
う。このため、昇温中にＧＯＳＳ方位粒を優先的に成長
させ、他の方位粒の成長を抑制させる役目のインヒビタ
ー効果が発揮できず、通称、細粒と呼ばれ、ＧＯＳＳ方
位粒の二次再結晶粒の成長が部分的あるいは全面的に行
われない、極めて磁気特性の劣る鋼板を生み出すことに
なる。なお、このＭｇＯの中に酸化チタン（ＴｉＯ
₂ 等）やその他の化合物を添加させ、さらに緻密な一次
被膜を形成させることも行われる。

【０００５】しかるに、近年アモルファスの登場に見ら
れるようにエネルギー節減のためトランスのエネルギー
変換効率に影響の大きい電磁鋼板の鉄損低減への要求は
大きく、上記の従来技術の延長ではこの要望に耐えるこ
とは困難となってきた。従来技術においては上記の方法
以外にも二次再結晶後のいわゆる製品鋼板表面に機械的
あるいはレーザー等のエネルギー照射的な方法で溝ある
いはなんらかの損傷を意図的に与え、磁区細分化を行
い、鉄損を向上せしめる方法が行われている。しかしな
がら、この方法をもってしてもまだアモルファスに対抗
できるような低鉄損は実現困難であった。一方、フォル
ステライトを主成分とする一次被膜は硬質な固形物質な
るがゆえに製品のせん断等の加工性に難点があり、工具
寿命の低下をもたらしていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解明し、以下のような骨子に示される技術的知見
から一次被膜と呼ばれるフォルステライトを主成分とす
る固形物質の形成を極力抑え、かつ極めて低鉄損の方向
性電磁鋼板を得るべく新たな製品開発技術を見いだした
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは以下の通りである。 （１）Ｓｉ：１〜７％を含む鋼を溶製し、熱間圧延、冷
間圧延、一次再結晶焼鈍、焼鈍分離剤塗布、及び二次再
結晶焼鈍を基本工程とする方向性電磁鋼板の製造におい
て、冷間圧延後に鋼板表面に最大部の深さの平均が２〜
５０μｍの溝を鋼板の長手方向から４５度〜９０度の方
向に間隔を開けて付与せしめ、その後に一次再結晶焼鈍
以降の工程が行われ、一次再結晶焼鈍から二次再結晶焼
鈍の間に鋼板表面に塩化物及び硫化物の少なくとも一種
類以上を含む物質を鋼板表面に塗布し、二次再結晶焼鈍
時に生成されるフォルステライトを主成分とする絶縁性
の一次被膜の平均厚みを０．３μｍ以下とする極めて鉄
損の優れた珪素鋼板の製造方法。

【０００８】（２）上記（１）において冷間圧延後付与
する溝の間隔を２〜２０mmとする方法。

【０００９】（３）上記（１），（２）において一次再
結晶焼鈍時に窒化を行う方法。

【００１０】（４）上記（１）〜（３）において焼鈍分
離剤に塩化物として塩化カルシウム、硫化物として硫化
カリウムを添加する方法。

【００１１】（５）上記（１）〜（４）において二次再
結晶焼鈍時の昇温速度を毎時３０℃以下、また雰囲気ガ
ス中の窒素分圧を３０％以上とする方法。

【００１２】（６）Ｓｉ：１〜７％を含み、鋼板表面に
最大部の深さの平均が２〜５０μｍで底部にフォルステ
ライトの残留した溝が鋼板の長手方向から４５度〜９０
度の方向に間隔を開けて付与され、かつフォルステライ
トを主成分とする一次被膜の平均厚みが０．３μｍ以下
で鉄損がＷ_17/50 で０．７０Watt／kg以下の珪素鋼板。

【００１３】（７）上記（６）で溝の間隔を２〜２０mm
とすること。

【００１４】以下に本発明を詳細に説明する。方向性珪
素鋼板の二次再結晶はＧＯＳＳ方位と呼ばれる｛１１
０｝［００１］方位の粒を二次再結晶焼鈍（仕上げ焼鈍
とも呼ばれる）時に十分成長させることが肝要である。
これは一次再結晶焼鈍（以下、一次焼鈍と呼ぶ）の中の
ある特定粒のみを粗大再結晶させるもので、この時にイ
ンヒビター（Ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ）と呼ばれるＡｌＮ等
の微細析出物を仕上げ焼鈍前に十分作っておくことが技
術上必要であることがよく知られている。そして、この
ために必要な窒素を鋼溶製時又は一次焼鈍後又は他の工
程中に添加することが行われる。

【００１５】本発明の目的からはむしろ一次焼鈍後に窒
素を添加する方法が最適な窒素の添加法であることもわ
かった。もし、一次焼鈍中又は直後に窒素添加する場合
は、通常、脱炭反応も機能する一次焼鈍の設備の一部に
窒化反応を行う設備を内部又は近接して設置し、一次焼
鈍後又はそれと平行させて窒化反応させる方法も有効で
ある。鋼溶製時に十分低炭化した鋼では脱炭機能よりも
一次焼鈍後の表面層の酸化物層を変えて、被膜反応に有
利な形にすることがむしろ重要な役割となる。さて、本
発明では冷間圧延後又は冷間圧延中に鋼板表面に最大部
の深さの平均が２〜５０μｍの溝を規則的に付与するこ
とが重要である。これはこの溝によって製品の磁区をよ
り細かくすることが可能でこれが鉄損低減に寄与するか
らである。この溝の付与の仕方は溝付きロール、溝付き
プレス等の機械的方法、レーザー、プラズマ等のエネル
ギー照射方法、水、油等を高圧で吹き付ける方法、酸等
による化学的腐食、電気的腐食による方法、あるいはそ
れらを組み合わせた方法等、基本的に手段はどれでも良
く、要は上記の溝の要件を満たしていれば効果が認めら
れる。しかし、これだけでは本発明の狙いとする低鉄損
は得られない。

【００１６】本発明でもっとも重要な技術的な要件は鋼
板表面のフォルステライトを主成分とする一次被膜の平
均厚みとの組み合わせである。この厚みが０．３μｍ以
下のとき上記との組み合わせで極めて磁気特性が向上す
ることがわかった。また仕上げ焼鈍前に溝を付けた場
合、溝の底にフォルステライトが一部残留するが、これ
も鉄損向上の効果を助長すると推定される。この理由は
必ずしもわかっていないが、この一次被膜が厚いと鋼板
の磁束の流れを妨げ、とりわけ被膜に凹凸が多い場合
や、フォルステライト直下にスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ₂
Ｏ₃ ）等の酸化物が多い場合はその傾向が大きいことは
容易に想像できる。

【００１７】したがって表面の一次被膜を極力減らして
薄くするか、完全になくしてしまい、そのかわりに、溝
を形成させれば磁束は規則的に円滑に流れる。この結
果、鉄損も十分に低減できることになる。当然ながら溝
の深さとピッチには制約がつくことになる。

【００１８】本発明での重要な点はさらに次の点にあ
る。従来技術においては、いわゆる一次被膜を形成した
後のいわば製品に近いものに溝を付けて磁区細分化する
方法が行われている。これは同じく従来技術にある、中
間工程で溝を付けた方法よりも磁区制御効果が大きく出
易いためである。

【００１９】しかしながら、本発明で明らかになったこ
とは、一次被膜厚みが極端に少ないか、ない場合はコス
ト的にも安価な冷間圧延後又は冷間圧延中に溝を付ける
方法でも十分な磁区細分化効果が発揮されると言う事実
を見いだした点である。

【００２０】表１の化学成分を有する方向性電磁鋼板を
熱延、熱延焼鈍後０．２３mmに冷間圧延し、これにロー
ルで深さ１５μｍ、ピッチ５mmの溝を付けて、この後一
次焼鈍を行い、鋼板にＭｇＯパウダーに添加物を種々変
えて仕上げ焼鈍を行い、一次被膜の平均厚みを変えて、
さらに張力を有する絶縁コーティングを塗布したサンプ
ルの鉄損を調べたのが図１である。

【００２１】

【表１】

【００２２】これを見ても明らかに一次被膜の厚みが小
さくなるほど鉄損の低減（向上）が見られ、とりわけ
０．３μｍ以下でそれが顕著であることがわかる。これ
は溝を冷間圧延後という中間工程に付与すると、溝の中
に後工程でフォルステライト等が詰まって磁区制御効果
が劣化するが、鋼板表面の一次被膜の平均厚みが少ない
か、ない場合はこの作用が少ないため十分磁区細分化さ
れるのではないかと考えられる。

【００２３】次に、二次再結晶を行う場合にＡｌを添加
する場合はインヒビターとしてＡｌＮやＳｉ₃ Ｎ₄ をメ
インに使うが、ここで本発明の方法の一つとして一次焼
鈍中か後に窒化せしめる方法の方が、より本発明の目的
に好ましいことがわかった。これは以下の理由による。
鋼溶製時に窒素を多く添加する場合と異なり、後で窒化
する方がＡｌＮ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ の最適量はコントロールし
易く、二次再結晶焼鈍時に、本発明のようにフォルステ
ライト等の一次被膜が薄くなるか消失しても雰囲気中の
窒素分圧（Ｐ N₂ ）をコントロールすることで、最適窒
素量を確保し易いからであろう、と考えられる。

【００２４】次に、仕上げ焼鈍時の一次被膜を極力少な
くするか無くするために、本発明では一次焼鈍後の鋼板
表面に塩化物、硫化物を通常のマグネシア（ＭｇＯ）パ
ウダーのなかに混ぜて添加することが有効であることが
わかった。この中でもとりわけ塩化カルシウム（ＣａＣ
ｌ₂ ）、硫化カリウム（Ｋ₂ Ｓ）は有効である。

【００２５】なお、通常法でもＭｇＯ以外にＴｉＯ₂ や
アンチモン系の化合物（Ｓｂ₂ （ＳＯ₄ ）₃ ）やボロン
系の化合物（Ｎａ₂ （ＢＯ₄ ）₃ ）、ストロンチウム・
バリウム系、炭・窒化物系等を添加して反応を容易にす
ることが行われるが、本発明でもこれらの添加物の効果
は発揮されるので添加しても本発明の本質を変えるもの
ではない。

【００２６】さて、ここで珪素鋼板の製造方法に触れる
必要がある。前述のように本発明が可能な珪素鋼板はＳ
ｉ以外に必要に応じてＡｌを含有し、Ｓｉ₃ Ｎ₄ あるい
はＡｌＮ、および鋼中のＳが多い場合はＭｎＳを主要イ
ンヒビターとする鋼に限定する。もちろんＳｉ，Ａｌ以
外に、Ｓｎ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ等
の他の添加元素を付加的に添加させ、磁気特性の向上を
はかることは本発明の基本を変えるものではない。

【００２７】ところでＡｌＮあるいはＳｉ₃ Ｎ₄ ，Ｍｎ
Ｓをインヒビターとする鋼は公知であり、そのいずれの
場合においても本発明の技術を適用することが可能であ
る。しかしながら、本発明の特徴をより一層発揮させる
にはとりわけ以下に示す製造法が最適である。

【００２８】すなわちＳｉを１〜７％含む鋼で必要に応
じＡｌを鋼溶製時に０．１％以下含み、Ｎを珪素鋼板製
造工程における冷延後の一次焼鈍中の脱炭焼鈍中、又は
後に鋼板に直接窒化反応を介して鋼にＮを強制的に添加
せしめる方法により、二次再結晶焼鈍前にＮを３０ppm
〜６００ppm 含ませることを特徴とする。Ｓｉは本発明
においては上記のようにフォルステライト形成のために
最低１％は必要である。一方、７％を超えると加工性が
極端に劣化し工業生産に適さない。

【００２９】ＡｌはＡｌＮインヒビター形成に有効であ
る。しかし０．１％を超えるとＡｌ₂ Ｏ₃ 生成量が多く
なり健全な鋼の清浄度を損ない、ひいては磁気特性に悪
影響をもたらす。ＮはＳｉ₃ Ｎ₄ インヒビターを形成す
るのに不可欠であり、本発明においては一次焼鈍後つま
り、仕上げ焼鈍前で最低３０ppm は必要である。一方Ａ
ｌを意図的に使う場合にはＡｌＮの量確保の点で６０pp
m 以上は必要である。ただし、６００ppm を超えるとＡ
ｌやＳｉとインヒビターとして機能しない化合物を作る
ので不適当である。

【００３０】Ｓはこれを積極的に利用する場合は最低
０．０１％はＭｎＳをインヒビターとして有効に使うの
に必要である。一方、０．０５％超では凝集して好まし
くはない。この他の元素は本発明では従来の鋼に較べて
特に特徴的ではないが以下に制約することが好ましい。

【００３１】Ｃは鋼溶製中に十分低くするか又は一次焼
鈍の脱炭焼鈍時に十分低くする必要があり、二次再結晶
焼鈍開始時には０．０３％以下が好ましい。Ｍｎは０．
５％以下ならばＳと反応してＭｎＳインヒビターを形成
する。０．１５％以下だとさらに磁束密度の向上に好ま
しい。酸素（Ｏ）は鋼溶製後に０．０５％以下であれば
Ａｌ₂ Ｏ₃ を多量に作りすぎず清浄度的に好ましい。

【００３２】次に化学成分以外の本発明の製造方法につ
いて述べる。鋼を転炉又は電気炉等で出鋼し、必要に応
じて精錬工程に加えて成分調整を行った溶鋼を連続鋳造
法、造塊分塊圧延法あるいは熱延工程省略のための薄ス
ラブ連続鋳造法等により、厚さ３０〜４００mm（薄スラ
ブ連続鋳造法では５０mm以下）のスラブとする。ここで
３０mmは生産性の下限であり、４００mmは中止偏析でＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 等の分布が異常になることを防ぐための上限で
ある。また５０mmは冷速が小さくなって粗大粒が出てく
ることを抑制するための上限である。

【００３３】該スラブをガス加熱、電気利用加熱等によ
り１０００℃〜１４００℃に再加熱を行い、引き続き熱
間圧延を行って厚さ１０mm以下のホットコイルとする。
ここで１０００℃はＡｌＮ溶解の下限であり、１４００
℃は表面肌あれと材質劣化の上限でる。また１０mmは適
正な析出物を生成する冷速を得る上限である。なお、薄
スラブ連続鋳造法では直接コイル状にすることも可能で
あり、そのためには１０mm以下が好ましい。

【００３４】このように作ったホットコイルを再び８０
０〜１２５０℃で焼鈍し、磁性向上をはかることもしば
しば行われる。ここで８００℃はＡｌＮ再溶解の下限で
あり、１２５０℃はＡｌＮ粗粒化防止の上限である。

【００３５】かかる処理工程の後、ホットコイルを直接
又はバッチ的に酸洗後冷間圧延を行う。冷間圧延は圧下
率６０〜９５％で行うが、６０％は本発明で再結晶可能
な限界であり、好ましくは７０％以上が一次焼鈍で｛１
１１｝［１１２］方位粒を多くして、二次再結晶焼鈍時
のＧＯＳＳ方位粒の生成を促進させる下限であり、一方
９５％超では二次再結晶焼鈍で首振りＧＯＳＳ粒と称す
るＧＯＳＳ方位粒が板面内回転した磁気特性に好ましく
ない粒が生成される。

【００３６】以上はいわゆる一回冷延法で製造する場合
だが、なお、二回冷延法と称して冷延−焼鈍−冷延を行
う場合は、一回目の圧下率は１０〜８０％、二回目の圧
下率は５０〜９５％となる。ここで１０％は再結晶に必
要な最低圧下率、８０％と９５％はそれぞれ二次再結晶
時に適正なＧＯＳＳ方位粒を生成させるための上限圧化
率、また５０％は二回冷延法においては一次焼鈍時の
｛１１１｝［１１２］方位粒を適正に残す下限圧下率で
ある。

【００３７】なお、通称パス間エージングと称し、冷間
圧延の途中で鋼板を適当な方法で１００〜４００℃の範
囲で加熱することも磁気特性の向上に有効である。１０
０℃未満ではエージングの効果がなく、一方、４００℃
超では転位が回復してしまう。

【００３８】さて、本発明で重要な要件は冷間圧延後の
溝形成である。これが仕上げ焼鈍後に残り、フォルステ
ライトを主成分とする一次被膜を平均０．３μｍ以下と
極めて少なくする方法との組み合わせで従来に見られな
い低鉄損が得られるわけである。被膜厚みを０．３μｍ
以下とする理由は、前にも述べたが、これよりも厚い
と、本発明の中間工程で溝を付ける方法によっては十分
な低鉄損が得られないからである。

【００３９】溝の形成方法は前述の通りであるが、溝の
最大部の平均の深さが２μｍ未満では磁区細分化効果が
ない。一方、５０μｍ超では深すぎて磁束の円滑な流れ
を妨げてかえって鉄損も悪くなる。好ましくは５〜３０
μｍが良い。溝は規則的に配列されている方が良い。こ
れは、磁区細分化が規則的に行われるからである。通常
鋼板長手方向に対し４５度から直角までの角度に、間隔
を開けて刻まれることが好ましい。４５度未満では磁区
細分化の方向が磁性に好ましい結晶学的方位と合わない
からである。

【００４０】また、溝のピッチは２〜２０mmが好まし
い。２mm未満では磁区細分化が進みすぎて９０度磁区が
増え、鉄損も磁歪も悪い。一方、２０mm超では磁区細分
化の効果がない。なお、二回冷間圧延法においては二回
目の圧延後又は圧延時に溝を形成することが好ましいこ
とは言うまでもない。

【００４１】しかる後に一次焼鈍を行い、このとき必要
に応じて窒化を行う。一回冷延法でも二回冷延法でも一
次焼鈍を行うわけであるが、この焼鈍で脱炭を行うこと
は有効である。前述のようにＣは二次再結晶粒の成長に
好ましくないばかりか、不純物として残ると鉄損の劣化
を招く。

【００４２】なお、鋼の溶製時にＣを下げておくと脱炭
工程が短縮化されるばかりか｛１１１｝［１１２］方位
粒も増やすので好ましい。なお、この脱炭焼鈍工程で適
正な露点を設定することで後の一次被膜生成に必要な酸
化層の確保が行われる。

【００４３】一次焼鈍温度は７００〜９５０℃が好まし
い。ここで７００℃は再結晶可能な下限温度であり、９
５０℃は一次再結晶の粗大粒の発生を抑制する上限温度
である。

【００４４】さらに、ＡｌＮやＳｉ₃ Ｎ₄ インヒビター
のＮをこの一次焼鈍時に窒化法等で強制添加する本発明
においては、上記の一次焼鈍中又は直後に引続きアンモ
ニア（ＮＨ₃ ）等で窒化法により窒化することが行われ
る。この場合の窒化法の温度は６００〜９５０℃が好ま
しい。ここで６００℃は窒化反応を起こす下限であり、
一方９５０℃は粗大粒発生を抑える上限である。

【００４５】本発明においては窒化は一次再結晶焼鈍後
に行うのが好ましいが、工業的には同じ炉内の後面に仕
切りを設けて雰囲気を必要に応じて多少変えて、ＮＨ₃
ガスを流すか、近接した設備で行うため一次再結晶と平
行して窒化されることもしばしばある。この際前述のよ
うにＮ₂ 分圧が低い方が窒化量は大きく、好ましくは窒
素と酸素の分圧比Ｐ N₂ ／Ｐ H₂ は０．５以下が好まし
い。

【００４６】一次焼鈍あるいは上記窒化法を行い、その
後、酸化マグネシウム（ＭｇＯを主成分とする。以下Ｍ
ｇＯと呼ぶ）パウダーを水又は水を主成分とする水溶液
に溶かしスラリー状にして鋼板に塗布する。この際、後
の二次再結晶焼鈍時にＭｇＯパウダーの溶融を容易にさ
せ、フォルステライト生成反応を促進させる目的で、適
当な化合物を微量添加することも行われる。

【００４７】ＴｉＯ₂ を添加する場合は１〜１５％が好
ましいが、ここで１％はフォルステライト反応促進効果
を発揮する下限であり、１５％超ではＭｇＯが少なくな
ってかえってフォルステライト反応が進まない。Ｓｂ₂
（ＳＯ₄ ）₃ 等のアンチモン系の化合物はＭｇＯを比較
的低温で溶融させるのに効果があり、添加を行う場合は
０．０５〜５％が好ましい。ここで、０．０５％は上記
低温溶融を起こす下限であり、一方、５％を超える場合
は多すぎてＭｇＯのフォルステライトの本来の反応を不
活性化する。

【００４８】Ｎａ₂ Ｂ₄ Ｏ₇ 等のボロン系の化合物及び
それと同様の作用を持つストロンチウム・バリウム系、
炭・窒化物系、硫化物系、塩化物系の化合物はアンチモ
ン系よりは比較的高温でＭｇＯを溶融させるのに効果が
あり、添加する場合は０．０５〜５％が好ましい。ここ
で、０．０５％は上記の効果を発揮する下限であり、一
方５％超ではやはりＭｇＯのフォルステライトの本来の
反応を不活性化するので好ましくない。なおこれらの化
合物は互いに複合して添加することも可能である。

【００４９】なお、ここで添加する化合物の％はＭｇＯ
の重量を１００％としたときの重量比を％で示してあ
る。本発明においては、さらにＭｇＯパウダーに前述の
塩化物あるいは硫化物の一種類以上を添加すると、仕上
げ焼鈍後の一次被膜は平均０．３μｍ以下にでき、かつ
十分な二次再結晶方位が得られるが、これらの中でもと
りわけ塩化カルシウム（ＣａＣｌ₂ ）、硫化カリウム
（Ｋ₂ Ｓ）は有効である。これらは最低０．５％（Ｍｇ
Ｏの重量を１００としたときの重量割合）以上あると効
果的である。２０％超ではかえって二次被膜形成過程が
不安定となる。

【００５０】二次再結晶焼鈍は最高到達温度を１１００
〜１３００℃で行うのが好ましい。１１００℃は二次再
結晶が行われる下限の温度であり、一方１３００℃超は
結晶粒が粗大化し過ぎて鉄損の劣化を招く。この二次再
結晶焼鈍で重要な点は以下の通りである。本発明ではＭ
ｇＯパウダーへ特殊添加物の効果でフォルステライトを
主成分とする一次被膜が極端に少なくなるか、なくなる
ので、焼鈍中に二次再結晶に必要な窒素系のインヒビタ
ー（ＡｌＮ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等）も仕上げ焼鈍中に逃げ易い
傾向があり、このため仕上げ焼鈍の雰囲気ガス中の窒素
分圧（Ｐ N₂ ）を３０％以上とすることでこれを防ぐこ
とができ、安定した二次再結晶を得ることが可能であ
る。

【００５１】さらに二次再結晶焼鈍の昇温速度があまり
大きすぎると、十分な二次再結晶を起こす前にインヒビ
ターが逃げ易いのでむしろ昇温速度を毎時３０℃以下に
抑えた方が安定した磁気特性が得られる。なお、前述の
ように、この二次再結晶焼鈍中の比較的前段階で雰囲気
等より窒素を追加添加する窒化法が行われることもあ
る。

【００５２】以上が本発明の珪素鋼板の製造方法での重
要な部分であるが、工業的にはさらに絶縁特性や磁気特
性を向上させる目的で、二次再結晶後の鋼板に有機質や
無機質による絶縁被膜を有する高張力被膜（コーティン
グ）を熱処理等と組み合わせて塗布することがとりわけ
重要である。この理由は、本発明ではフォルステライト
等の高張力特性を有する一次被膜が極端に少ないか、な
いために、それを補完するべく高張力特性を有する絶縁
被膜を塗布することが効果的であるからである。

【００５３】

【実施例】表２に示すような化学成分の鋼を転炉で溶製
し、表２に示すような条件で製造した。熱延板焼鈍を一
部行ったがこの条件は１１２０℃×３０秒間である。ま
た冷間圧延時のパス間エージングをＢ以外は行ったがそ
の条件は２５０℃である。なお、ここで本発明にとりわ
け重要な一次再結晶焼鈍に引続く窒化は同一炉内に仕切
りを設けた炉中内部分で同一ガス組成で雰囲気をドライ
にし、ＮＨ₃ ガスを一定量流して行ったものである。か
かる一次焼鈍後の窒化量（窒素量）を同表に示す。

【００５４】さらにこの鋼板にパウダーを塗布したが、
パウダーは水に溶解させスラリー状にして塗布後、３５
０℃で乾燥させた。ここで、％はＭｇＯの重量を１００
％としたときの重量比率である。しかる後に、８００℃
〜最高到達温度の平均昇温速度を種々変えて二次再結晶
焼鈍を行った。ここでは最高到達温度は１２００℃であ
る。

【００５５】さらにリン酸系の高張力の絶縁被膜（二次
被膜）を加熱塗布した後、板取りし、歪取り焼鈍８５０
℃×４時間（Ｎ₂ ９０−Ｈ₂ １０，Ｄｒｙ）を行い、磁
気測定試験を行った。表２にその結果を示す。なお、溝
の最大深さ、ピッチ及び圧延方向との角度はいずれも二
次再結晶焼鈍後の製品での測定である。

【００５６】

【表２】

【００５７】

【表３】

【００５８】

【表４】

【００５９】

【表５】

【００６０】

【表６】

【００６１】

【表７】

【００６２】磁気測定は６０×３００mmの単板のＳＳＴ
試験法で測定し、Ｂ₈ （８００Ａ／ｍの磁束密度、単位
はテスラ）及びＷ_17/50 （５０Hzで１．７テスラのとき
の鉄損、単位はWatt／kg）、Ｗ_13/50 （５０Hzで１．３
テスラのときの鉄損）を測定した。さて、表２に示すよ
うに、本発明の範囲に入っているものは鉄損が十分低く
本発明の目的範囲に入っていることがわかる。

【００６３】

【発明の効果】本発明により超低鉄損の方向性電磁鋼板
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一次被膜の平均厚みと鉄損の関係を示す図表で
ある。

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【手続補正書】

【提出日】平成４年８月２８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは以下の通りである。 （１）Ｓｉ：１〜７％を含む鋼を溶製し、熱間圧延、冷
間圧延、一次再結晶焼鈍、焼鈍分離剤塗布、及び二次再
結晶焼鈍を基本工程とする方向性電磁鋼板の製造におい
て、冷間圧延後又は冷間圧延中に鋼板表面に最大部の深
さの平均が２〜５０μｍの溝を鋼板の長手方向から４５
度〜９０度の方向に間隔を開けて付与せしめ、その後に
一次再結晶焼鈍以降の工程が行われ、一次再結晶焼鈍か
ら二次再結晶焼鈍の間に鋼板表面に塩化物及び硫化物の
少なくとも一種類以上を含む物質を鋼板表面に塗布し、
二次再結晶焼鈍時に生成されるフォルステライトを主成
分とする絶縁性の一次被膜の平均厚みを０．３μｍ以下
とする極めて鉄損の優れた珪素鋼板の製造方法。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】本発明の目的からはむしろ一次焼鈍後に窒
素を添加する方法が最適な窒素の添加法であることもわ
かった。もし、一次焼鈍中又は直後に窒素添加する場合
は、通常、脱炭反応も機能する一次焼鈍の設備の一部に
窒化反応を行う設備を内部又は近接して設置し、一次焼
鈍後又はそれと平行させて窒化反応させる方法も有効で
ある。鋼溶製時に十分低炭化した鋼では脱炭機能よりも
一次焼鈍後の表面層の酸化物層を変えて、被膜反応に有
利な形にすることがむしろ重要な役割となる。さて、本
発明では冷間圧延後又は冷間圧延中に鋼板表面に最大部
の深さの平均が２〜５０μｍの溝を規則的に付与するこ
とが重要である。これはこの溝によって製品の磁区をよ
り細かくすることが可能でこれが鉄損低減に寄与するか
らである。この溝の付与の仕方は溝付きロール、溝付き
又は刃型プレス等の機械的方法、レーザー、プラズマ等
のエネルギー照射方法、水、油等を高圧で吹き付ける方
法、酸等による化学的腐食、電気的腐食による方法、あ
るいはそれらを組み合わせた方法等、基本的に手段はど
れでも良く、要は上記の溝の要件を満たしていれば効果
が認められる。しかし、これだけでは本発明の狙いとす
る低鉄損は得られない。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２５】なお、通常法でもＭｇＯ以外にＴｉＯ₂ や
アンチモン系の化合物（Ｓｂ₂ （ＳＯ₄ ）₃ ）やボロン
系の化合物（Ｎａ₂ Ｂ₄ Ｏ₇ ）、ストロンチウム・バリ
ウム系、炭・窒化物系等を添加して反応を容易にするこ
とが行われるが、本発明でもこれらの添加物の効果は発
揮されるので添加しても本発明の本質を変えるものでは
ない。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２６】さて、ここで珪素鋼板の製造方法に触れる
必要がある。前述のように本発明が可能な珪素鋼板はＳ
ｉ以外に必要に応じてＡｌを含有し、Ｓｉ₃ Ｎ₄ あるい
はＡｌＮ、および鋼中のＳが多い場合はＭｎＳを主要イ
ンヒビターとする鋼に限定する。もちろんＳｉ，Ａｌ以
外に、Ｓｎ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｎｉ，Ｃｒ等の他の添加元素を付加的に添加させ、磁気
特性の向上をはかることは本発明の基本を変えるもので
はない。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３３】該スラブをガス加熱、電気利用加熱等によ
り１０００℃〜１４００℃に再加熱を行い、引き続き熱
間圧延を行って厚さ１０mm以下のホットコイルとする。
ここで１０００℃はＡｌＮ溶解の下限であり、１４００
℃は表面肌あれと材質劣化の上限である。また１０mmは
適正な析出物を生成する冷速を得る上限である。なお、
薄スラブ連続鋳造法では直接コイル状にすることも可能
であり、そのためには１０mm以下が好ましい。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３８】さて、本発明で重要な要件は冷間圧延後又
は冷間圧延中の溝形成である。これが仕上げ焼鈍後に残
り、フォルステライトを主成分とする一次被膜を平均
０．３μｍ以下と極めて少なくする方法との組み合わせ
で従来に見られない低鉄損が得られるわけである。被膜
厚みを０．３μｍ以下とする理由は、前にも述べたが、
これよりも厚いと、本発明の中間工程で溝を付ける方法
によっては十分な低鉄損が得られないからである。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５９】

【表５】

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６１】

【表７】 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年１０月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２０】表１の化学成分（但しＳ１のＮ量は一次焼
鈍後に窒化後の値）を有する方向性電磁鋼板を熱延、熱
延焼鈍後０．２３mmに冷間圧延し、これにロールで深さ
１５μｍ、ピッチ５mmの溝を付けて、この後一次焼鈍を
行い、鋼板にＭｇＯパウダーに添加物を種々変えて仕上
げ焼鈍を行い、一次被膜の平均厚みを変えて、さらに張
力を有する絶縁コーティングを塗布したサンプルの鉄損
を調べたのが図１である。

フロントページの続き (72)発明者 岩永 功 北九州市戸畑区飛幡町１番１号 新日本製 鐵株式会社八幡製鐵所内 (72)発明者 黒木 克郎 北九州市戸畑区飛幡町１番１号 新日本製 鐵株式会社八幡製鐵所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｓｉ：１〜７％を含む鋼を溶製し、熱間
   圧延、冷間圧延、一次再結晶焼鈍、焼鈍分離剤塗布、及
   び二次再結晶焼鈍を基本工程とする方向性電磁鋼板の製
   造において、冷間圧延後に鋼板表面に最大部の深さの平
   均が２〜５０μｍの溝を鋼板の長手方向から４５度〜９
   ０度の方向に、間隔を開けて付与せしめ、その後に一次
   再結晶焼鈍以降の工程が行われ、一次再結晶焼鈍から二
   次再結晶焼鈍の間に、鋼板表面に塩化物及び硫化物の少
   なくとも一種類以上を含む物質を鋼板表面に塗布し、二
   次再結晶焼鈍時に生成されるフォルステライトを主成分
   とする絶縁性の一次被膜の平均厚みを０．３μｍ以下と
   することを特徴とする極めて鉄損の優れた珪素鋼板の製
   造方法。
2. 【請求項２】 冷間圧延後付与する溝の間隔が２〜２０
   mmであることを特徴とする請求項１記載の極めて鉄損の
   優れた珪素鋼板の製造方法。
3. 【請求項３】 一次再結晶焼鈍時に窒化を行うことを特
   徴とする請求項１又は２記載の極めて鉄損の優れた珪素
   鋼板の製造方法。
4. 【請求項４】 焼鈍分離剤に含有させる塩化物として、
   塩化カルシウム、硫化物として硫化カリウムを添加する
   ことを特徴とする請求項１又は２又は３記載の極めて鉄
   損の優れた珪素鋼板の製造方法。
5. 【請求項５】 二次再結晶焼鈍時の昇温速度を、毎時３
   ０℃以下、また雰囲気ガス中の窒素分圧を３０％以上と
   することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４記載
   の極めて鉄損の優れた珪素鋼板の製造方法。
6. 【請求項６】 Ｓｉ：１〜７％を含み、鋼板表面に最大
   部の深さの平均が２〜５０μｍで、底部にフォルステラ
   イトが一部残留した溝を、鋼板の長手方向から４５度〜
   ９０度の方向に間隔を開けて付与され、かつフォルステ
   ライトを主成分とする一次被膜の平均厚みが、０．３μ
   ｍ以下で鉄損がＷ_17/50 で０．７０Watt／kg以下である
   ことを特徴とする極めて鉄損の優れた珪素鋼板。
7. 【請求項７】 溝の間隔が２〜２０mmであることを特徴
   とする請求項６記載の極めて鉄損の優れた珪素鋼板。