JPH05326367A - 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク - Google Patents
露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスクInfo
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- JPH05326367A JPH05326367A JP4128983A JP12898392A JPH05326367A JP H05326367 A JPH05326367 A JP H05326367A JP 4128983 A JP4128983 A JP 4128983A JP 12898392 A JP12898392 A JP 12898392A JP H05326367 A JPH05326367 A JP H05326367A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置の製造工程の一工程であ
る露光処理の際に生じる投影レンズの結像面の弯曲歪に
起因する焦点ぼけを抑制する。 【構成】 露光光源２から放射された光をレチクル１２
および縮小投影レンズ１３を介して半導体ウエハ３上の
フォトレジスト膜に照射することにより、レチクル１２
上の所定パターンを半導体ウエハ３上のフォトレジスト
膜に転写する露光処理の際に、半導体ウエハ３の主面上
に投影されるレチクル１２上の半導体集積回路パターン
の像の像面歪が補正されるようにレチクル１２を歪ませ
た状態で露光する。
る露光処理の際に生じる投影レンズの結像面の弯曲歪に
起因する焦点ぼけを抑制する。 【構成】 露光光源２から放射された光をレチクル１２
および縮小投影レンズ１３を介して半導体ウエハ３上の
フォトレジスト膜に照射することにより、レチクル１２
上の所定パターンを半導体ウエハ３上のフォトレジスト
膜に転写する露光処理の際に、半導体ウエハ３の主面上
に投影されるレチクル１２上の半導体集積回路パターン
の像の像面歪が補正されるようにレチクル１２を歪ませ
た状態で露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法、露光装置お
よびそれに用いるフォトマスク技術に関し、特に、半導
体集積回路装置の製造工程で用いる露光方法、露光装置
およびフォトマスク（以下、マスクという）に適用して
有効な技術に関するものである。
よびそれに用いるフォトマスク技術に関し、特に、半導
体集積回路装置の製造工程で用いる露光方法、露光装置
およびフォトマスク（以下、マスクという）に適用して
有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の露光工程で用いら
れる露光装置として、例えば縮小投影露光装置がある。
れる露光装置として、例えば縮小投影露光装置がある。
【０００３】縮小投影露光装置は、発光部から放射され
た光をレチクルおよび縮小投影レンズを介して半導体ウ
エハに照射することにより、レチクル上に形成されたパ
ターンを縮小投影レンズにより縮小して半導体ウエハに
転写する装置である。
た光をレチクルおよび縮小投影レンズを介して半導体ウ
エハに照射することにより、レチクル上に形成されたパ
ターンを縮小投影レンズにより縮小して半導体ウエハに
転写する装置である。
【０００４】縮小投影露光装置においては、一回の露光
処理で露光される領域の面積が小さいので、露光処理に
際して、半導体ウエハをステップ移動させながら個々の
領域を順次露光し、半導体ウエハ全面の露光処理を行っ
ている。
処理で露光される領域の面積が小さいので、露光処理に
際して、半導体ウエハをステップ移動させながら個々の
領域を順次露光し、半導体ウエハ全面の露光処理を行っ
ている。
【０００５】縮小投影露光装置で用いるレチクルは、例
えば平面四角形状の平坦な透明ガラス基板上に、クロム
（Ｃｒ）等からなる金属パターンが形成されてなる。こ
の金属パターンのある部分は遮光領域を形成し、金属パ
ターンのない部分は透光領域を形成している。ただし、
レチクル上のパターンは、実際の半導体集積回路装置の
素子や配線のパターン等よりも大きなパターンが形成さ
れている。
えば平面四角形状の平坦な透明ガラス基板上に、クロム
（Ｃｒ）等からなる金属パターンが形成されてなる。こ
の金属パターンのある部分は遮光領域を形成し、金属パ
ターンのない部分は透光領域を形成している。ただし、
レチクル上のパターンは、実際の半導体集積回路装置の
素子や配線のパターン等よりも大きなパターンが形成さ
れている。
【０００６】なお、半導体集積回路装置の露光技術につ
いては、例えば株式会社オーム社、昭和５９年１１月３
０日発行、「ＬＳＩハンドブック」Ｐ２５３〜Ｐ２６０
に記載があり、投影露光方法等について説明されてい
る。
いては、例えば株式会社オーム社、昭和５９年１１月３
０日発行、「ＬＳＩハンドブック」Ｐ２５３〜Ｐ２６０
に記載があり、投影露光方法等について説明されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、投影露光装
置の投影レンズの結像面は、平面にならず弯曲状に変形
していることが知られている。この弯曲は、像面弯曲歪
と呼ばれている。
置の投影レンズの結像面は、平面にならず弯曲状に変形
していることが知られている。この弯曲は、像面弯曲歪
と呼ばれている。
【０００８】ところが、パターンの転写される半導体ウ
エハは、その上面がほぼ平坦となるように保持されてい
るので、その像面弯曲歪に起因して、露光領域の一部、
特に周辺で焦点がぼけてしまい、転写精度が低下する問
題があった。
エハは、その上面がほぼ平坦となるように保持されてい
るので、その像面弯曲歪に起因して、露光領域の一部、
特に周辺で焦点がぼけてしまい、転写精度が低下する問
題があった。
【０００９】この問題は、特に、半導体集積回路装置の
素子や配線等の微細化に伴う投影露光装置の解像度の向
上に伴って顕著となる。これは、高解像度を得るために
は、通常、開口数（Numerical Aperture 以下、ＮＡと
略す）の高い投影レンズを用いるが、ＮＡを上げると像
面弯曲歪が大きくなる上、焦点深度が大幅に浅くなり、
像面弯曲歪をカバーできる範囲が狭くなるからである。
素子や配線等の微細化に伴う投影露光装置の解像度の向
上に伴って顕著となる。これは、高解像度を得るために
は、通常、開口数（Numerical Aperture 以下、ＮＡと
略す）の高い投影レンズを用いるが、ＮＡを上げると像
面弯曲歪が大きくなる上、焦点深度が大幅に浅くなり、
像面弯曲歪をカバーできる範囲が狭くなるからである。
【００１０】このような問題を回避するため従来は、例
えば縮小投影露光装置内に、露光領域の周辺で焦点がぼ
けないように、すなわち、投影レンズを経由する光の光
路長が露光領域の中央と周辺とで等しくなるように、複
数枚のレンズを重ねて配置したり、投影レンズ自体の材
料や形状等を設定したりしていたが、それぞれ投影光学
系の機構が複雑になる、投影レンズの制約が増える等の
問題があった。
えば縮小投影露光装置内に、露光領域の周辺で焦点がぼ
けないように、すなわち、投影レンズを経由する光の光
路長が露光領域の中央と周辺とで等しくなるように、複
数枚のレンズを重ねて配置したり、投影レンズ自体の材
料や形状等を設定したりしていたが、それぞれ投影光学
系の機構が複雑になる、投影レンズの制約が増える等の
問題があった。
【００１１】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、像面弯曲歪に起因する焦点ぼけを
抑制することのできる技術を提供することにある。
であり、その目的は、像面弯曲歪に起因する焦点ぼけを
抑制することのできる技術を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、露光装置の投影光学
系の機構を簡単化することのできる技術を提供すること
にある。
系の機構を簡単化することのできる技術を提供すること
にある。
【００１３】本発明の他の目的は、露光装置の投影レン
ズの制約を緩和することのできる技術を提供することに
ある。
ズの制約を緩和することのできる技術を提供することに
ある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１６】すなわち、請求項１記載の発明は、フォト
マスクに照射した光の透過光を投影光学系を介して試料
に照射することにより、前記フォトマスク上に形成され
たパターンを前記試料に転写する際に、前記試料に投影
される前記パターンの像の像面歪が補正されるように、
前記フォトマスクを歪ませた状態で露光する露光方法と
するものである。
マスクに照射した光の透過光を投影光学系を介して試料
に照射することにより、前記フォトマスク上に形成され
たパターンを前記試料に転写する際に、前記試料に投影
される前記パターンの像の像面歪が補正されるように、
前記フォトマスクを歪ませた状態で露光する露光方法と
するものである。
【００１７】請求項２記載の発明は、発光部から放射さ
れた光をフォトマスクと投影光学系とを介して試料台上
に載置された試料に対して照射することにより、前記フ
ォトマスクに形成された所定パターンを前記試料に転写
する露光装置であって、前記試料に投影される前記所定
パターンの像の像面歪が補正されるように歪ませたフォ
トマスクをマスク保持台に設置した露光装置構造とする
ものである。
れた光をフォトマスクと投影光学系とを介して試料台上
に載置された試料に対して照射することにより、前記フ
ォトマスクに形成された所定パターンを前記試料に転写
する露光装置であって、前記試料に投影される前記所定
パターンの像の像面歪が補正されるように歪ませたフォ
トマスクをマスク保持台に設置した露光装置構造とする
ものである。
【００１８】
【作用】上記した手段によれば、像面弯曲歪をフォトマ
スクの歪によって補正した状態で露光することにより、
像面弯曲歪に起因する露光領域周辺での焦点ぼけを抑制
することが可能となる。
スクの歪によって補正した状態で露光することにより、
像面弯曲歪に起因する露光領域周辺での焦点ぼけを抑制
することが可能となる。
【００１９】
【実施例１】図１は本発明の一実施例である露光装置の
説明図、図２は図１の露光装置に用いるマスクの断面図
である。
説明図、図２は図１の露光装置に用いるマスクの断面図
である。
【００２０】本実施例１の露光装置は、図１に示すよう
に、半導体集積回路装置製造の露光工程で使用される縮
小投影露光装置１である。
に、半導体集積回路装置製造の露光工程で使用される縮
小投影露光装置１である。
【００２１】縮小投影露光装置１の露光光源（発光部）
２と、半導体ウエハ（試料）３とを結ぶ光路上には、第
１平面鏡４、シャッタ５、集光レンズ６、アパーチャ
７、ショートカットフィルタ８、第２平面鏡９、マスク
ブラインド１０、集光レンズ１１、レチクル（フォトマ
スク）１２および縮小投影レンズ（投影光学系）１３が
配置されている。
２と、半導体ウエハ（試料）３とを結ぶ光路上には、第
１平面鏡４、シャッタ５、集光レンズ６、アパーチャ
７、ショートカットフィルタ８、第２平面鏡９、マスク
ブラインド１０、集光レンズ１１、レチクル（フォトマ
スク）１２および縮小投影レンズ（投影光学系）１３が
配置されている。
【００２２】露光光源２には、例えばｉ線（波長３６５
nm）等のような光を放射する高圧水銀ランプが使用され
ている。なお、露光光源２の周囲には、楕円面鏡１４が
設置されている。また、縮小投影レンズ１３には、例え
ば最大露光領域が２０×２０ｍｍ、ＮＡが0.５の１／５
縮小投影レンズが使用されている。
nm）等のような光を放射する高圧水銀ランプが使用され
ている。なお、露光光源２の周囲には、楕円面鏡１４が
設置されている。また、縮小投影レンズ１３には、例え
ば最大露光領域が２０×２０ｍｍ、ＮＡが0.５の１／５
縮小投影レンズが使用されている。
【００２３】半導体ウエハ３は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなり、その主面を上に向けた状態で試料
台１５上に載置されている。半導体ウエハ３の主面上に
は、既にフォトレジスト（図示せず）がスピン塗布法等
によって塗布されている。なお、試料台１５は、下方か
ら順にＹ軸移動台１５ｙ、Ｘ軸移動台１５ｘ、Ｚ軸移動
台１５ｚ、ウエハ吸着台１５ａが積み重ねられて構成さ
れている。
ｉ）単結晶からなり、その主面を上に向けた状態で試料
台１５上に載置されている。半導体ウエハ３の主面上に
は、既にフォトレジスト（図示せず）がスピン塗布法等
によって塗布されている。なお、試料台１５は、下方か
ら順にＹ軸移動台１５ｙ、Ｘ軸移動台１５ｘ、Ｚ軸移動
台１５ｚ、ウエハ吸着台１５ａが積み重ねられて構成さ
れている。
【００２４】レチクル１２は、半導体ウエハ３上に所定
の半導体集積回路パターンを形成するためのマスクであ
り、レチクル保持台（マスク保持台）１６上に着脱自在
の状態で保持されている。レチクル１２には、例えば実
寸の５倍の半導体集積回路パターンの原画が形成されて
いる。
の半導体集積回路パターンを形成するためのマスクであ
り、レチクル保持台（マスク保持台）１６上に着脱自在
の状態で保持されている。レチクル１２には、例えば実
寸の５倍の半導体集積回路パターンの原画が形成されて
いる。
【００２５】ところで、本実施例１においては、レチク
ル１２の中央を透過した光が縮小投影レンズ１３を経由
して半導体ウエハ３に到達した場合の光路長と、レチク
ル１２の周辺を透過した光が縮小投影レンズ１３を経由
して半導体ウエハ３に到達した場合の光路長とがほぼ等
しくなるように、レチクル１２が球面に沿うような状態
で弯曲状に形成されている。
ル１２の中央を透過した光が縮小投影レンズ１３を経由
して半導体ウエハ３に到達した場合の光路長と、レチク
ル１２の周辺を透過した光が縮小投影レンズ１３を経由
して半導体ウエハ３に到達した場合の光路長とがほぼ等
しくなるように、レチクル１２が球面に沿うような状態
で弯曲状に形成されている。
【００２６】したがって、本実施例１の縮小投影露光装
置１は、半導体ウエハ３に投影されるレチクル１２上の
半導体集積回路パターンの像面がレチクル１２の歪によ
ってほぼ平坦となるように補正された状態で露光処理す
ることが可能な構造になっている。ただし、露光領域内
の像面が焦点深度内に入っていれば、露光領域全面の像
面弯曲歪を完全に除去する必要はない。
置１は、半導体ウエハ３に投影されるレチクル１２上の
半導体集積回路パターンの像面がレチクル１２の歪によ
ってほぼ平坦となるように補正された状態で露光処理す
ることが可能な構造になっている。ただし、露光領域内
の像面が焦点深度内に入っていれば、露光領域全面の像
面弯曲歪を完全に除去する必要はない。
【００２７】レチクル１２の断面図を図２に示す。レチ
クル１２を構成するレチクル基板（フォトマスク基板）
１２ａは、例えば透明な合成石英ガラスからなり、その
主面上には、例えばＣｒ等からなる金属パターン１２ｂ
が形成されている。なお、金属パターン１２ｂのある部
分は、遮光領域を形成し、金属パターン１２ｂのない部
分は、透光領域を形成している。
クル１２を構成するレチクル基板（フォトマスク基板）
１２ａは、例えば透明な合成石英ガラスからなり、その
主面上には、例えばＣｒ等からなる金属パターン１２ｂ
が形成されている。なお、金属パターン１２ｂのある部
分は、遮光領域を形成し、金属パターン１２ｂのない部
分は、透光領域を形成している。
【００２８】レチクル１２の球面半径は、縮小投影レン
ズ１３の特性等によって変わるので一概には言えない
が、例えば半径５０ｍ程度に設定されている。この球面
半径は、例えば通常の平板状のマスクを用いた場合の縮
小投影レンズ１３の像面弯曲歪を測定した後、その測定
値に縮小投影レンズ１３の縮小率の逆数を掛けた値で近
似される。
ズ１３の特性等によって変わるので一概には言えない
が、例えば半径５０ｍ程度に設定されている。この球面
半径は、例えば通常の平板状のマスクを用いた場合の縮
小投影レンズ１３の像面弯曲歪を測定した後、その測定
値に縮小投影レンズ１３の縮小率の逆数を掛けた値で近
似される。
【００２９】例えば本実施例１の縮小投影レンズ１３の
場合、通常の平板状のマスクを用いたとすると、露光領
域周辺の像面弯曲歪は、0.４μｍ程度である。この場
合、試料面側の像面弯曲歪は、例えば半径２５０ｍ程度
の球面で近似できる。したがって、マスク面側の像面弯
曲歪は、半径５０ｍ程度の球面で近似できる。
場合、通常の平板状のマスクを用いたとすると、露光領
域周辺の像面弯曲歪は、0.４μｍ程度である。この場
合、試料面側の像面弯曲歪は、例えば半径２５０ｍ程度
の球面で近似できる。したがって、マスク面側の像面弯
曲歪は、半径５０ｍ程度の球面で近似できる。
【００３０】このようなレチクル１２を製造するには、
例えば次のようにする。まず、透明な合成石英ガラス基
板等を用意し、これを球面に沿うような弯曲状に球面研
磨して、レチクル基板１２ａを形成する。
例えば次のようにする。まず、透明な合成石英ガラス基
板等を用意し、これを球面に沿うような弯曲状に球面研
磨して、レチクル基板１２ａを形成する。
【００３１】続いて、レチクル基板１２ａの凹側に、例
えばスパッタリング法等によってＣｒ等からなる金属膜
（図示せず）を堆積した後、その金属膜上に、例えば電
子線用のレジスト膜（図示せず）を堆積する。
えばスパッタリング法等によってＣｒ等からなる金属膜
（図示せず）を堆積した後、その金属膜上に、例えば電
子線用のレジスト膜（図示せず）を堆積する。
【００３２】その後、そのレジスト膜に、例えば電子線
描画法を用いて半導体集積回路パターンを転写した後、
そのレジスト膜に転写されたパターンをマスクとして金
属膜をパターニングして金属パターン１２ｂを形成し、
レチクル１２を製造する。
描画法を用いて半導体集積回路パターンを転写した後、
そのレジスト膜に転写されたパターンをマスクとして金
属膜をパターニングして金属パターン１２ｂを形成し、
レチクル１２を製造する。
【００３３】金属パターン１２ｂのパターン形成に際し
て、電子線描画方法を用いた理由は、電子線描画方法の
場合、焦点深度が深いので、本実施例１のレチクル基板
１２ａのように中央と周辺とで５μｍ程度の高低差があ
る基板に対しても高精度なパターン形成が可能だからで
ある。
て、電子線描画方法を用いた理由は、電子線描画方法の
場合、焦点深度が深いので、本実施例１のレチクル基板
１２ａのように中央と周辺とで５μｍ程度の高低差があ
る基板に対しても高精度なパターン形成が可能だからで
ある。
【００３４】次に、本実施例１の縮小投影露光装置１の
露光方法を説明する。まず、露光光源２から第１平面鏡
４に対して光を照射する。
露光方法を説明する。まず、露光光源２から第１平面鏡
４に対して光を照射する。
【００３５】第１平面鏡４では、露光光源２から入射し
た光の進路を入射方向に対してほぼ垂直な方向に変え
て、その光をシャッタ５、集光レンズ６、アパーチャ７
およびショートカットフィルタ８を介して第２平面鏡９
に照射する。
た光の進路を入射方向に対してほぼ垂直な方向に変え
て、その光をシャッタ５、集光レンズ６、アパーチャ７
およびショートカットフィルタ８を介して第２平面鏡９
に照射する。
【００３６】第２平面鏡９では、第１平面鏡４から入射
した光の進路を入射方向に対してほぼ垂直な方向に変え
て、その光をマスクブラインド１０および集光レンズ１
１を介してレチクル１２に照射する。
した光の進路を入射方向に対してほぼ垂直な方向に変え
て、その光をマスクブラインド１０および集光レンズ１
１を介してレチクル１２に照射する。
【００３７】そして、レチクル１２の透過領域を透過し
た光を、縮小投影レンズ１３を介して半導体ウエハ３に
照射し、レチクル１２上の半導体集積回路パターンを、
例えば１／５に縮小して半導体ウエハ３上のフォトレジ
ストに転写する。
た光を、縮小投影レンズ１３を介して半導体ウエハ３に
照射し、レチクル１２上の半導体集積回路パターンを、
例えば１／５に縮小して半導体ウエハ３上のフォトレジ
ストに転写する。
【００３８】この時、本実施例１においては、半導体ウ
エハ３上のフォトレジストに転写される像の像面弯曲歪
を、レチクル１２の歪みによって補正した状態で露光処
理を行う。これにより、像面弯曲歪に起因する露光領域
周辺での焦点ぼけ抑制することが可能となっている。
エハ３上のフォトレジストに転写される像の像面弯曲歪
を、レチクル１２の歪みによって補正した状態で露光処
理を行う。これにより、像面弯曲歪に起因する露光領域
周辺での焦点ぼけ抑制することが可能となっている。
【００３９】このように本実施例１によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。
果を得ることが可能となる。
【００４０】(1).半導体ウエハ３上のフォトレジストに
転写されるレチクル１２上の半導体集積回路パターンの
像面をレチクル１２の歪によってほぼ平坦に補正した状
態で露光処理することにより、像面弯曲歪に起因する露
光領域周辺での焦点ぼけを抑制することが可能となる。
すなわち、露光領域全面において最適な焦点合せの状態
で露光処理を行うことが可能となる。したがって、露光
処理におけるパターン転写精度を大幅に向上させること
が可能となる。
転写されるレチクル１２上の半導体集積回路パターンの
像面をレチクル１２の歪によってほぼ平坦に補正した状
態で露光処理することにより、像面弯曲歪に起因する露
光領域周辺での焦点ぼけを抑制することが可能となる。
すなわち、露光領域全面において最適な焦点合せの状態
で露光処理を行うことが可能となる。したがって、露光
処理におけるパターン転写精度を大幅に向上させること
が可能となる。
【００４１】(2).上記(1) により、例えば像面弯曲歪を
補正するためにレンズを積層しなければならない等のよ
うな投影光学系機構における像面弯曲歪み補正のための
制約を緩和することが可能となる。
補正するためにレンズを積層しなければならない等のよ
うな投影光学系機構における像面弯曲歪み補正のための
制約を緩和することが可能となる。
【００４２】(3).上記(1) により、像面弯曲歪を補正す
るための縮小投影レンズ１３自体の制約を緩和すること
が可能となる。
るための縮小投影レンズ１３自体の制約を緩和すること
が可能となる。
【００４３】(4).上記(2) ，(3) により、縮小投影露光
装置１の投影光学系の機構を簡単にすることができ、か
つ、縮小投影レンズ１３の設計を容易にすることができ
るので、縮小投影露光装置１の製造を容易にすることが
可能となる。
装置１の投影光学系の機構を簡単にすることができ、か
つ、縮小投影レンズ１３の設計を容易にすることができ
るので、縮小投影露光装置１の製造を容易にすることが
可能となる。
【００４４】
【実施例２】図３は本発明の他の実施例である露光装置
の説明図、図４は図３の露光装置に用いるマスクおよび
マスク保持部の断面図、図５は図３の露光装置のマスク
保持台に設置する前のマスクの断面図である。
の説明図、図４は図３の露光装置に用いるマスクおよび
マスク保持部の断面図、図５は図３の露光装置のマスク
保持台に設置する前のマスクの断面図である。
【００４５】本実施例２においては、縮小投影露光装置
１のレチクル保持台１６の中央が、球面に沿うような状
態で弯曲状に形成されている。レチクル１２およびレチ
クル保持台１６の断面図を図４に示す。
１のレチクル保持台１６の中央が、球面に沿うような状
態で弯曲状に形成されている。レチクル１２およびレチ
クル保持台１６の断面図を図４に示す。
【００４６】レチクル保持台１６の保持台本体１６ａ
は、例えば合成石英ガラス等のような透明材料からな
り、球面に沿って弯曲する吸着面１６ｓを有している。
は、例えば合成石英ガラス等のような透明材料からな
り、球面に沿って弯曲する吸着面１６ｓを有している。
【００４７】保持台本体１６ａの外周には、レチクル１
２を真空吸着するための吸着ノズル１６ｂが設置されて
いる。レチクル１２のレチクル基板（フォトマスク基
板）１２ａ1 は、吸着ノズル１６ｂによって真空吸引さ
れ、保持台本体１６ａの弯曲状の吸着面１６ｓに沿って
弯曲した状態で、レチクル保持台１６上に保持されてい
る。レチクル１２の弯曲量は、前記実施例１と同一であ
る。
２を真空吸着するための吸着ノズル１６ｂが設置されて
いる。レチクル１２のレチクル基板（フォトマスク基
板）１２ａ1 は、吸着ノズル１６ｂによって真空吸引さ
れ、保持台本体１６ａの弯曲状の吸着面１６ｓに沿って
弯曲した状態で、レチクル保持台１６上に保持されてい
る。レチクル１２の弯曲量は、前記実施例１と同一であ
る。
【００４８】本実施例２において、レチクル１２のレチ
クル基板１２ａ1 は、例えばポリイミド系樹脂等のよう
な可撓性を有する透明材料からなり、レチクル保持台１
６に設置する前は図５に示すように平板状になってい
る。
クル基板１２ａ1 は、例えばポリイミド系樹脂等のよう
な可撓性を有する透明材料からなり、レチクル保持台１
６に設置する前は図５に示すように平板状になってい
る。
【００４９】すなわち、本実施例２においては、レチク
ル１２をレチクル保持台１６に設置した段階で図４に示
すようにレチクル１２の形状が弯曲状に設定されるよう
になっている。
ル１２をレチクル保持台１６に設置した段階で図４に示
すようにレチクル１２の形状が弯曲状に設定されるよう
になっている。
【００５０】このように、本実施例２においても、前記
実施例１と同様、半導体ウエハ３に投影されるレチクル
１２上の半導体集積回路パターンの像面が、レチクル１
２の歪によってほぼ平坦となるように補正された状態
で、露光処理することが可能となる。
実施例１と同様、半導体ウエハ３に投影されるレチクル
１２上の半導体集積回路パターンの像面が、レチクル１
２の歪によってほぼ平坦となるように補正された状態
で、露光処理することが可能となる。
【００５１】また、本実施例２の場合、レチクル基板１
２ａ1 が、可撓性を有する樹脂によって構成されている
ので、レチクル１２のコストを前記実施例１よりも下げ
ることが可能となる。
２ａ1 が、可撓性を有する樹脂によって構成されている
ので、レチクル１２のコストを前記実施例１よりも下げ
ることが可能となる。
【００５２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５３】例えば前記実施例２においては、レチクル
の構成材料をポリイミド系樹脂としたが、これに限定さ
れるものではなく種々変更可能であり、例えばポリエス
テル系樹脂としても良い。
の構成材料をポリイミド系樹脂としたが、これに限定さ
れるものではなく種々変更可能であり、例えばポリエス
テル系樹脂としても良い。
【００５４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造工程で用いる露光方法および装置に
適用した場合について説明したが、これに限定されず種
々適用可能であり、例えば液晶基板上に所定パターンを
形成する際に用いる露光方法や露光装置等、大面積露光
を必要とする製品の製造工程で用いる露光方法や露光装
置等に適用することも可能である。
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造工程で用いる露光方法および装置に
適用した場合について説明したが、これに限定されず種
々適用可能であり、例えば液晶基板上に所定パターンを
形成する際に用いる露光方法や露光装置等、大面積露光
を必要とする製品の製造工程で用いる露光方法や露光装
置等に適用することも可能である。
【００５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００５６】すなわち、前記した手段によれば、像面弯
曲歪をフォトマスクの歪によって補正した状態で露光す
ることにより、像面弯曲歪に起因する露光領域周辺での
焦点ぼけを抑制することが可能となる。すなわち、露光
領域全面において最適な焦点合せの状態で露光処理を行
うことが可能となる。したがって、露光処理におけるパ
ターン転写精度を大幅に向上させることが可能となる。
曲歪をフォトマスクの歪によって補正した状態で露光す
ることにより、像面弯曲歪に起因する露光領域周辺での
焦点ぼけを抑制することが可能となる。すなわち、露光
領域全面において最適な焦点合せの状態で露光処理を行
うことが可能となる。したがって、露光処理におけるパ
ターン転写精度を大幅に向上させることが可能となる。
【００５７】この結果、例えば像面弯曲歪を補正するた
めにレンズを積層しなければならない等のような投影光
学系の機構における像面弯曲歪みを補正するための制約
を緩和できる。また、像面弯曲歪を補正するための投影
レンズ自体の制約を緩和できる。したがって、露光装置
の投影光学系の機構を簡単にすることができ、かつ、投
影レンズの設計を容易にすることができるので、露光装
置の製造を容易にすることが可能となる。
めにレンズを積層しなければならない等のような投影光
学系の機構における像面弯曲歪みを補正するための制約
を緩和できる。また、像面弯曲歪を補正するための投影
レンズ自体の制約を緩和できる。したがって、露光装置
の投影光学系の機構を簡単にすることができ、かつ、投
影レンズの設計を容易にすることができるので、露光装
置の製造を容易にすることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である露光装置の説明図であ
る。
る。
【図２】図１の露光装置に用いるマスクの断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例である露光装置の説明図で
ある。
ある。
【図４】図３の露光装置に用いるマスクおよびマスク保
持部の断面図である。
持部の断面図である。
【図５】図３の露光装置のマスク保持台に設置する前の
マスクの断面図である。
マスクの断面図である。
１ 縮小投影露光装置 ２ 露光光源（発光部） ３ 半導体ウエハ（試料） ４ 第１平面鏡 ５ シャッタ ６ 集光レンズ ７ アパーチャ ８ ショートカットフィルタ ９ 第２平面鏡 １０ マスクブラインド １１ 集光レンズ １２ レチクル（フォトマスク） １２ａ レチクル基板（フォトマスク基板） １２ａ1 レチクル基板（フォトマスク基板） １２ｂ 金属パターン １３ 縮小投影レンズ（投影光学系） １４ 楕円面鏡 １５ 試料台 １５ａ ウエハ吸着台 １５ｘ ｘ軸移動台 １５ｙ ｙ軸移動台 １５ｚ ｚ軸移動台 １６ レチクル保持台（マスク保持台） １６ａ 保持台本体 １６ｂ 吸着ノズル １６ｓ 吸着面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｎ
Claims (5)
- 【請求項１】 フォトマスクに照射した光の透過光を投
影光学系を介して試料に照射することにより、前記フォ
トマスク上に形成された所定パターンを、前記試料に転
写する際に、前記試料に投影される前記所定パターンの
像の像面歪が補正されるように、前記フォトマスクを歪
ませた状態で露光することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 発光部から放射された光をフォトマスク
と投影光学系とを介して試料台上に載置された試料に対
して照射することにより、前記フォトマスクに形成され
た所定パターンを前記試料に転写する露光装置であっ
て、前記試料に投影される前記所定パターンの像の像面
歪が補正されるように歪ませたフォトマスクをマスク保
持台に設置したことを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 前記マスク保持台は、前記試料に投影さ
れる所定パターンの像の像面歪が補正されるように、球
面状に形成された吸着面を有することを特徴とする請求
項２記載の露光装置。 - 【請求項４】 フォトマスク基板上に所定パターンが形
成されたフォトマスクであって、前記フォトマスク基板
に照射した光の透過光を投影光学系を介して試料に照射
した時に、前記試料に投影される所定パターンの像の像
面歪が補正されるように、前記フォトマスク基板を歪ま
せたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項５】 前記フォトマスク基板を可撓性材料によ
って構成したことを特徴とする請求項４記載のフォトマ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128983A JPH05326367A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128983A JPH05326367A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326367A true JPH05326367A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14998225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128983A Pending JPH05326367A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326367A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139848A1 (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nikon Corporation | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
| JP2011192987A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP4128983A patent/JPH05326367A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139848A1 (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nikon Corporation | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
| JP2011192987A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US8755030B2 (en) | 2010-03-11 | 2014-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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