JPH05326526A - 複合フィルムおよびそれを用いた半田バンプ形成方法 - Google Patents
複合フィルムおよびそれを用いた半田バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH05326526A JPH05326526A JP4152849A JP15284992A JPH05326526A JP H05326526 A JPH05326526 A JP H05326526A JP 4152849 A JP4152849 A JP 4152849A JP 15284992 A JP15284992 A JP 15284992A JP H05326526 A JPH05326526 A JP H05326526A
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- JP
- Japan
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- solder
- composite film
- film
- present
- bumps
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子や電気・電子部品、電気回路など
に狭ピッチであっても高精度で、しかも容易に半田バン
プを形成できる複合フィルム、およびこのフィルムを用
いた半田バンプ形成方法を提供する。 【構成】 複合フィルムにはポリイミド樹脂などからな
る絶縁性フィルム１の表裏面に貫通し、かつ少なくとも
一方の表面から突出するように半田２が保持されてお
り、この半田２はフィルム１から加熱溶融によって離脱
可能な状態で保持されている。絶縁性フィルム１への貫
通孔の形成はレーザー加工が好ましい。
に狭ピッチであっても高精度で、しかも容易に半田バン
プを形成できる複合フィルム、およびこのフィルムを用
いた半田バンプ形成方法を提供する。 【構成】 複合フィルムにはポリイミド樹脂などからな
る絶縁性フィルム１の表裏面に貫通し、かつ少なくとも
一方の表面から突出するように半田２が保持されてお
り、この半田２はフィルム１から加熱溶融によって離脱
可能な状態で保持されている。絶縁性フィルム１への貫
通孔の形成はレーザー加工が好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置やプリンタ
ー、記録装置、表示装置、電気部品、電気回路などの各
種部品の接続や実装に用いられる半田バンプを形成する
ための複合フィルム、およびこのフィルムを用いてなる
半田バンプ形成方法に関する。
ー、記録装置、表示装置、電気部品、電気回路などの各
種部品の接続や実装に用いられる半田バンプを形成する
ための複合フィルム、およびこのフィルムを用いてなる
半田バンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における半導体産業の発展に伴っ
て、電子機器の薄型化や小型軽量化が進み、各種電気回
路部品を一定面積の基板上に高密度に実装することが要
望されている。特に、ＯＡ機器に内蔵されている各種機
能部品においては表面実装など小型化に対する改善が推
進されている。そして、上記高密度実装の要求はさらに
厳しくなり、実装時の端子ピッチは０．３ｍｍ以下のも
のも要望されるようになっている。
て、電子機器の薄型化や小型軽量化が進み、各種電気回
路部品を一定面積の基板上に高密度に実装することが要
望されている。特に、ＯＡ機器に内蔵されている各種機
能部品においては表面実装など小型化に対する改善が推
進されている。そして、上記高密度実装の要求はさらに
厳しくなり、実装時の端子ピッチは０．３ｍｍ以下のも
のも要望されるようになっている。
【０００３】しかしながら、このような実装に際しては
通常、実装時の接続端子として半田ペーストを印刷など
によって形成してバンプを用いており、端子ピッチが狭
くなればなるほど印刷された半田バンプ間に半田ブリッ
ジが発生する可能性が高くなり、電気的接続信頼性が低
下するようになる。また、印刷法では半田量のバラツキ
が大きいので、高精度に半田バンプを形成しがたいもの
である。
通常、実装時の接続端子として半田ペーストを印刷など
によって形成してバンプを用いており、端子ピッチが狭
くなればなるほど印刷された半田バンプ間に半田ブリッ
ジが発生する可能性が高くなり、電気的接続信頼性が低
下するようになる。また、印刷法では半田量のバラツキ
が大きいので、高精度に半田バンプを形成しがたいもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の半
田バンプ形成技術における種々の問題に鑑みてなされた
ものであって、半導体素子や電気・電子部品、電気回路
などに狭ピッチであっても高精度で、しかも容易に接続
や接点に用いる半田バンプを形成することができる複合
フィルムの提供、およびこのフィルムを用いた半田バン
プ形成方法形成方法を提供することを目的とする。
田バンプ形成技術における種々の問題に鑑みてなされた
ものであって、半導体素子や電気・電子部品、電気回路
などに狭ピッチであっても高精度で、しかも容易に接続
や接点に用いる半田バンプを形成することができる複合
フィルムの提供、およびこのフィルムを用いた半田バン
プ形成方法形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、バンプ
用の半田を溶融離脱可能な状態で保持する特定構造の複
合フィルムを用いることによって、半田バンプを容易に
形成できることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、バンプ
用の半田を溶融離脱可能な状態で保持する特定構造の複
合フィルムを用いることによって、半田バンプを容易に
形成できることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００６】即ち、本発明は絶縁性フィルムの表裏面に
貫通し、かつ少なくとも一方の面から突出するようにバ
ンプ用の半田を溶融離脱可能な状態で保持してなる複合
フィルムを提供するものである。
貫通し、かつ少なくとも一方の面から突出するようにバ
ンプ用の半田を溶融離脱可能な状態で保持してなる複合
フィルムを提供するものである。
【０００７】また、本発明は半導体素子または電気回
路、もしくは電気回路部品上に請求項１記載の複合フィ
ルムを位置させ、突出しているハンダ部を被転写部に接
触させたのち、加熱することによって保持されたハンダ
を溶融転写することを特徴とする半田バンプ形成方法を
提供するものである。
路、もしくは電気回路部品上に請求項１記載の複合フィ
ルムを位置させ、突出しているハンダ部を被転写部に接
触させたのち、加熱することによって保持されたハンダ
を溶融転写することを特徴とする半田バンプ形成方法を
提供するものである。
【０００８】以下、本発明の複合フィルムおよびこれを
用いた半田バンプ形成方法を図面を用いて説明する。
用いた半田バンプ形成方法を図面を用いて説明する。
【０００９】図１は本発明の複合フィルムの一実例を示
す拡大断面図である。
す拡大断面図である。
【００１０】図１から明らかなように、本発明の複合フ
ィルムには絶縁性フィルム１の表裏面に貫通して半田２
が保持されており、この半田２は一方の表面（図中、上
側）に突出しており、加熱によって溶融して離脱するよ
うに保持されている。絶縁性フィルム１からの半田２の
突出形状は、特に限定されないが、被着体としての半導
体素子や電気回路、電気回路部品への確実な溶融転写の
ためには図示するようなマッシュルーム形状とすること
が好ましい。
ィルムには絶縁性フィルム１の表裏面に貫通して半田２
が保持されており、この半田２は一方の表面（図中、上
側）に突出しており、加熱によって溶融して離脱するよ
うに保持されている。絶縁性フィルム１からの半田２の
突出形状は、特に限定されないが、被着体としての半導
体素子や電気回路、電気回路部品への確実な溶融転写の
ためには図示するようなマッシュルーム形状とすること
が好ましい。
【００１１】絶縁性フィルム１は電気絶縁性を有するも
のであり、保持する半田が溶融する温度での耐熱性を有
するものであればよい。具体的にはポリエステル系樹
脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系
樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイ
ミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コーン系樹脂、フッ素系樹脂など熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂を問わず用いることができる。これらの樹脂のう
ち、半田バンプを転写する際の位置合わせの容易性から
は透明性を有する樹脂が好ましく、また、耐熱性や機械
的強度の点からはポリイミド系樹脂を用いることが好ま
しい。さらに、絶縁性フィルム１の厚みは転写形成する
半田バンプ量（体積）に応じて任意に選択することがで
きる。
のであり、保持する半田が溶融する温度での耐熱性を有
するものであればよい。具体的にはポリエステル系樹
脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系
樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイ
ミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コーン系樹脂、フッ素系樹脂など熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂を問わず用いることができる。これらの樹脂のう
ち、半田バンプを転写する際の位置合わせの容易性から
は透明性を有する樹脂が好ましく、また、耐熱性や機械
的強度の点からはポリイミド系樹脂を用いることが好ま
しい。さらに、絶縁性フィルム１の厚みは転写形成する
半田バンプ量（体積）に応じて任意に選択することがで
きる。
【００１２】図２は本発明の複合フィルムの他の実例を
示す拡大断面図であり、絶縁性フィルム１に保持する半
田２をフィルムの表裏面に突出させたものである。突出
形状は所謂リベット状である。このように形成すること
によって、本発明の複合フィルムから使用前に半田が脱
落することを防止することができる。
示す拡大断面図であり、絶縁性フィルム１に保持する半
田２をフィルムの表裏面に突出させたものである。突出
形状は所謂リベット状である。このように形成すること
によって、本発明の複合フィルムから使用前に半田が脱
落することを防止することができる。
【００１３】図３は本発明の複合フィルムの他の実例を
示す拡大断面図である。絶縁性フィルム１の片面に支持
層としての金属層３が形成され、該金属層３は保持され
ている半田２が脱落しないように作用している。この金
属層３は半田２を溶融転写する際に半田２のみが転写す
るように半田と溶融混合しない材質が好ましく、また半
田に対して濡れ性が悪い金属から形成することが好まし
い。このような金属としては、例えばニッケルやクロム
などが挙げられる。
示す拡大断面図である。絶縁性フィルム１の片面に支持
層としての金属層３が形成され、該金属層３は保持され
ている半田２が脱落しないように作用している。この金
属層３は半田２を溶融転写する際に半田２のみが転写す
るように半田と溶融混合しない材質が好ましく、また半
田に対して濡れ性が悪い金属から形成することが好まし
い。このような金属としては、例えばニッケルやクロム
などが挙げられる。
【００１４】図４は図１に示す本発明の複合フィルムを
用いた半田バンプ形成方法の一実例を示す断面図であ
る。
用いた半田バンプ形成方法の一実例を示す断面図であ
る。
【００１５】図４（Ａ）に示すように本発明の複合フィ
ルムにおける半田２の突出部を、被着体として例えば、
外部回路４上の電極部５に位置合わせ、接触させる。こ
の際、位置合わせを正確に行なうために、本発明の複合
フィルムにはアライメント孔や治具孔を設けておくこと
が好ましい。電極部５の表面には半田に対して濡れ性が
良好な金属（例えば、金）で被覆しておくと、高精度に
半田バンプが形成できるので好ましい。次いで、ホット
プレートや加熱炉によって本発明の複合フィルムを加熱
することによって、絶縁性フィルム１内に保持されてい
る半田２が溶融し、被着体（電極部５）に転写され、図
４（Ｂ）に示すような略球状の半田バンプ１２（半田ボ
ール）が被着体上に形成されるのである。なお、被着体
として外部回路５の代わりに半導体素子を用いても同様
である。
ルムにおける半田２の突出部を、被着体として例えば、
外部回路４上の電極部５に位置合わせ、接触させる。こ
の際、位置合わせを正確に行なうために、本発明の複合
フィルムにはアライメント孔や治具孔を設けておくこと
が好ましい。電極部５の表面には半田に対して濡れ性が
良好な金属（例えば、金）で被覆しておくと、高精度に
半田バンプが形成できるので好ましい。次いで、ホット
プレートや加熱炉によって本発明の複合フィルムを加熱
することによって、絶縁性フィルム１内に保持されてい
る半田２が溶融し、被着体（電極部５）に転写され、図
４（Ｂ）に示すような略球状の半田バンプ１２（半田ボ
ール）が被着体上に形成されるのである。なお、被着体
として外部回路５の代わりに半導体素子を用いても同様
である。
【００１６】図５は図１に示す本発明の複合フィルムを
得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
【００１７】図５（Ａ）のような銅箔や銅板などからな
る金属層３の上に絶縁性フィルム１を設けた積層フィル
ムの絶縁性フィルム１のみに、機械的加工やレーザー加
工、光加工、化学エッチングなどによって図５（Ｂ）に
示すような金属層３表面に達する孔部６を形成する。孔
部６の形成方法としては、微細加工性や加工形状の自由
度などの点から発振波長が紫外領域にあるエキシマレー
ザーの如き紫外線レーザーを用いることが好ましい。
る金属層３の上に絶縁性フィルム１を設けた積層フィル
ムの絶縁性フィルム１のみに、機械的加工やレーザー加
工、光加工、化学エッチングなどによって図５（Ｂ）に
示すような金属層３表面に達する孔部６を形成する。孔
部６の形成方法としては、微細加工性や加工形状の自由
度などの点から発振波長が紫外領域にあるエキシマレー
ザーの如き紫外線レーザーを用いることが好ましい。
【００１８】次に、金属層３を電極として電解メッキを
行なって、図５（Ｃ）に示すように形成した孔部６に半
田２を充填する。このとき、半田２のメッキ充填は絶縁
性フィルム１の表面から突出するまで行なう。半田２の
突出形状や大きさは転写形成するバンプ形状や被着体の
電極部の大きさによって適宜設定することができる。ま
た、転写形成する半田バンプの大きさ（体積）は孔部６
の大きさや絶縁性フィルム１の厚みによって調整するこ
とができる。
行なって、図５（Ｃ）に示すように形成した孔部６に半
田２を充填する。このとき、半田２のメッキ充填は絶縁
性フィルム１の表面から突出するまで行なう。半田２の
突出形状や大きさは転写形成するバンプ形状や被着体の
電極部の大きさによって適宜設定することができる。ま
た、転写形成する半田バンプの大きさ（体積）は孔部６
の大きさや絶縁性フィルム１の厚みによって調整するこ
とができる。
【００１９】最後に必要に応じて金属層３を公知のエッ
チング処理によって除去して図５（Ｄ）に示す本発明の
複合フィルムを得ることができる。こののち、前記した
アライメント孔や治具孔を機械加工やレーザー加工、光
加工、化学エッチング加工などによって設けてもよい。
なお、金属層３を除去しない場合は、図３に示す構造の
複合フィルムを得ることができる。
チング処理によって除去して図５（Ｄ）に示す本発明の
複合フィルムを得ることができる。こののち、前記した
アライメント孔や治具孔を機械加工やレーザー加工、光
加工、化学エッチング加工などによって設けてもよい。
なお、金属層３を除去しない場合は、図３に示す構造の
複合フィルムを得ることができる。
【００２０】図６は図２にて示す本発明の他の複合フィ
ルムを得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
ルムを得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
【００２１】図６（Ａ）および（Ｂ）は図５（Ａ）およ
び（Ｂ）と同じ工程であり、図６（Ｄ）および（Ｅ）は
図５（Ｃ）および（Ｄ）と同じ工程である。図６の製造
方法では図６（Ｃ）の工程の追加に特徴を有し、孔部６
を絶縁性フィルム１に形成したのち、電解腐食や研磨な
どによって露出する金属層３の表面に図示するような凹
部（例えば、半球状）を形成する。このように加工する
ことによって、最終的に得られる複合フィルムに保持さ
れる半田は両面に突出した形状となる。
び（Ｂ）と同じ工程であり、図６（Ｄ）および（Ｅ）は
図５（Ｃ）および（Ｄ）と同じ工程である。図６の製造
方法では図６（Ｃ）の工程の追加に特徴を有し、孔部６
を絶縁性フィルム１に形成したのち、電解腐食や研磨な
どによって露出する金属層３の表面に図示するような凹
部（例えば、半球状）を形成する。このように加工する
ことによって、最終的に得られる複合フィルムに保持さ
れる半田は両面に突出した形状となる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明の複合フィルムは、
所望の大きさでバンプ用の半田を溶融離脱可能に保持し
ているので、高密度な半導体素子の電極部や電気部品や
電気回路などに精度よく、しかも容易に半田バンプを転
写形成することができる。従って、従来の半田ペースト
印刷法と比べて狭ピッチの端子にも半田バンプを形成で
き、また転写する半田量にもバラツキが少ないものであ
る。
所望の大きさでバンプ用の半田を溶融離脱可能に保持し
ているので、高密度な半導体素子の電極部や電気部品や
電気回路などに精度よく、しかも容易に半田バンプを転
写形成することができる。従って、従来の半田ペースト
印刷法と比べて狭ピッチの端子にも半田バンプを形成で
き、また転写する半田量にもバラツキが少ないものであ
る。
【図１】 本発明の複合フィルムの一実例を示す拡大断
面図である。
面図である。
【図２】 本発明の複合フィルムの他の実例を示す拡大
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の複合フィルムの他の実例を示す拡大
断面図である。
断面図である。
【図４】 本発明の複合フィルムを用いた転写バンプ形
成方法の一実例を示す拡大断面図である。
成方法の一実例を示す拡大断面図である。
【図５】 （Ａ）〜（Ｄ）は本発明の他の複合フィルム
を得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
を得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
【図６】 （Ａ）〜（Ｅ）は本発明の他の複合フィルム
を得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
を得るための各製造工程を示す拡大断面図である。
１ 絶縁性フィルム ２ 半田 ３ 金属層 ４ 外部回路 ５ 電極部 ６ 孔部 １２ 半田バンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性フィルムの表裏面に貫通し、かつ
少なくとも一方の面から突出するようにバンプ用の半田
を溶融離脱可能な状態で保持してなる複合フィルム。 - 【請求項２】 絶縁性フィルムの片面に金属層が形成さ
れている請求項１記載の複合フィルム。 - 【請求項３】 半導体素子または電気回路、もしくは電
気回路部品上に請求項１記載の複合フィルムを位置さ
せ、突出しているハンダ部を被転写部に接触させたの
ち、加熱することによって保持されたハンダを溶融転写
することを特徴とする半田バンプ形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152849A JPH05326526A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 複合フィルムおよびそれを用いた半田バンプ形成方法 |
| EP19920120222 EP0544305A3 (en) | 1991-11-28 | 1992-11-26 | Method of forming a contact bump using a composite film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152849A JPH05326526A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 複合フィルムおよびそれを用いた半田バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326526A true JPH05326526A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15549477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4152849A Pending JPH05326526A (ja) | 1991-11-28 | 1992-05-19 | 複合フィルムおよびそれを用いた半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326526A (ja) |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP4152849A patent/JPH05326526A/ja active Pending
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