JPH05327121A - 面出射形半導体レーザ - Google Patents
面出射形半導体レーザInfo
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- JPH05327121A JPH05327121A JP15283392A JP15283392A JPH05327121A JP H05327121 A JPH05327121 A JP H05327121A JP 15283392 A JP15283392 A JP 15283392A JP 15283392 A JP15283392 A JP 15283392A JP H05327121 A JPH05327121 A JP H05327121A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18363—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising air layers
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 少ない積層層厚と優れた反射率特性が期待で
きる反射板を用いたより平坦な形状でありかつ低閾値の
面出射形半導体レーザを提供することにある。 【構成】 多層反射膜１１及び１３を構成する２種の層
に、発振波長より小さいバンドギャップ波長を有する組
成でかつ４分の１波長の層厚を有する半導体層と、空気
または真空層とを用いる。 【効果】 従来の半導体層を用いる場合に比べ屈折率比
で３．２と非常に大きくできる為、３周期の積層構造で
反射率が９９．９％で、積層層厚は１．３μｍと従来に
くらべて非常に薄くかつ高反射率化できる。従って、従
来に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射
率を高くできる為発振閾値をより低減できる。
きる反射板を用いたより平坦な形状でありかつ低閾値の
面出射形半導体レーザを提供することにある。 【構成】 多層反射膜１１及び１３を構成する２種の層
に、発振波長より小さいバンドギャップ波長を有する組
成でかつ４分の１波長の層厚を有する半導体層と、空気
または真空層とを用いる。 【効果】 従来の半導体層を用いる場合に比べ屈折率比
で３．２と非常に大きくできる為、３周期の積層構造で
反射率が９９．９％で、積層層厚は１．３μｍと従来に
くらべて非常に薄くかつ高反射率化できる。従って、従
来に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射
率を高くできる為発振閾値をより低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面出射形半導体レーザに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】面出射形半導体レーザは９９．９％以上
の高い反射率を持つ反射鏡を共振器に用いることで、従
来の端面出射形半導体レーザに比べ、低駆動電流化、２
次元アレイ化、高速変調等の改善が期待できる。このよ
うな半導体レーザの従来例がアプライドフィジクスレタ
ーズ誌、１９９０年、５７巻、１６号、１６０５−１６
０７ページに報告されている。本半導体レーザでは、半
導体基板上にフォトリソグラフィーとドライエッチング
で光出射方向と平行な方向に形成した円筒部分に発光層
及び２つの多層反射鏡が配置された構造になっている。
前記反射鏡にはアルミニウム砒素とガリウム砒素の４分
の１波長板とを２２−２８層積層した構造を用いること
で、９９．９％以上の高い反射率を実現し低閾値電流を
得ている。また、光通信波長帯の面出射形半導体レーザ
の高反射率反射鏡の例がアプライドフィジクスレターズ
誌、１９９１年、５９巻、９号、１０１１−１０１２ペ
ージに報告されている。この従来例ではＩｎＧａＡｌＡ
ｓ、ＩｎＡｌＡｓからなる４分の１波長板を３０周期積
層して反射鏡を形成し、９９％以上の高い反射率を得て
いる。
の高い反射率を持つ反射鏡を共振器に用いることで、従
来の端面出射形半導体レーザに比べ、低駆動電流化、２
次元アレイ化、高速変調等の改善が期待できる。このよ
うな半導体レーザの従来例がアプライドフィジクスレタ
ーズ誌、１９９０年、５７巻、１６号、１６０５−１６
０７ページに報告されている。本半導体レーザでは、半
導体基板上にフォトリソグラフィーとドライエッチング
で光出射方向と平行な方向に形成した円筒部分に発光層
及び２つの多層反射鏡が配置された構造になっている。
前記反射鏡にはアルミニウム砒素とガリウム砒素の４分
の１波長板とを２２−２８層積層した構造を用いること
で、９９．９％以上の高い反射率を実現し低閾値電流を
得ている。また、光通信波長帯の面出射形半導体レーザ
の高反射率反射鏡の例がアプライドフィジクスレターズ
誌、１９９１年、５９巻、９号、１０１１−１０１２ペ
ージに報告されている。この従来例ではＩｎＧａＡｌＡ
ｓ、ＩｎＡｌＡｓからなる４分の１波長板を３０周期積
層して反射鏡を形成し、９９％以上の高い反射率を得て
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
屈折率の異なる半導体の４分の１波長板を多周期積層し
た構造になる反射鏡は高い反射率を得るためには０．９
μｍ帯の発光波長用で２０周期以上、通信波長帯で３０
周期が必要になる。その結果、以下２つの問題点が生じ
る。第１に、積層層厚が２つの反射板で１０−１４μｍ
必要であるために多大の結晶成長時間を要し平坦性に欠
けること、第２に、多層反射板内での荷電担体や不純物
による吸収が無視できなくなり９９．９％以上の高い反
射率が得にくいことである。このように従来の面出射形
半導体レーザには反射鏡に関し解決すべき課題があっ
た。
屈折率の異なる半導体の４分の１波長板を多周期積層し
た構造になる反射鏡は高い反射率を得るためには０．９
μｍ帯の発光波長用で２０周期以上、通信波長帯で３０
周期が必要になる。その結果、以下２つの問題点が生じ
る。第１に、積層層厚が２つの反射板で１０−１４μｍ
必要であるために多大の結晶成長時間を要し平坦性に欠
けること、第２に、多層反射板内での荷電担体や不純物
による吸収が無視できなくなり９９．９％以上の高い反
射率が得にくいことである。このように従来の面出射形
半導体レーザには反射鏡に関し解決すべき課題があっ
た。
【０００４】本発明は、以上述べた様な従来の事情に鑑
みてなされたもので、反射板を構成する材料の屈折率の
比を大きくできる構造であるためにより少ない積層層厚
と優れた反射率特性が期待できる反射板を用いたより平
坦な形状でありかつ低閾値の面出射形半導体レーザを提
供することにある。
みてなされたもので、反射板を構成する材料の屈折率の
比を大きくできる構造であるためにより少ない積層層厚
と優れた反射率特性が期待できる反射板を用いたより平
坦な形状でありかつ低閾値の面出射形半導体レーザを提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、発光層と前記発光層を挟む２つの反射鏡が基板面と
平行に積層された構造を有する面出射形半導体レーザに
おいて、前記反射鏡が出射光の波長より小さいバンドギ
ャップ波長を有する半導体層と前記半導体層で挟まれた
空気または真空層との少なくとも１周期の繰り返しから
なる多層反射膜であることを特徴としている。
は、発光層と前記発光層を挟む２つの反射鏡が基板面と
平行に積層された構造を有する面出射形半導体レーザに
おいて、前記反射鏡が出射光の波長より小さいバンドギ
ャップ波長を有する半導体層と前記半導体層で挟まれた
空気または真空層との少なくとも１周期の繰り返しから
なる多層反射膜であることを特徴としている。
【０００６】
【作用】一般に、４分の１波長の層厚を有する２種類の
誘電体を多周期積層した多層反射膜の反射率は次式で与
えられることが知られている。 Ｒ＝［１−ｎ0 （ｎ1 ／ｎ2 ）2N］2 ／［１＋ｎ0 （ｎ1 ／ｎ2 ）2N］2
誘電体を多周期積層した多層反射膜の反射率は次式で与
えられることが知られている。 Ｒ＝［１−ｎ0 （ｎ1 ／ｎ2 ）2N］2 ／［１＋ｎ0 （ｎ1 ／ｎ2 ）2N］2
【０００７】式中に、Ｒ、ｎ0 、ｎ1 、ｎ2 、及びＮ
は、多層反射鏡の反射率、基板の屈折率、第１の誘電体
の屈折率、第２の誘電体の屈折率、及び、積層した周期
数をそれぞれ示す。本発明による面出射形半導体レーザ
では、反射板を構成する２種の層に発振波長より小さい
バンドギャップ波長を有する組成でかつ４分の１波長の
層厚を有する半導体層と、空気または真空層とを用いて
いる。そのため、発振波長１．３μｍの場合ではｎ1 と
ｎ2 の比がそれぞれ３．２対１と非常に大きくできる
為、３周期の積層構造（Ｎ＝３）で反射率が９９．９
％、５周期で９９．９９％となる。このときの積層層厚
は３周期及び５周期の場合それぞれ１．３μｍ及び２．
１μｍと従来にくらべて非常に薄くできる。従って、従
来に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射
率を高くできるから、発振閾値をより低減できる。
は、多層反射鏡の反射率、基板の屈折率、第１の誘電体
の屈折率、第２の誘電体の屈折率、及び、積層した周期
数をそれぞれ示す。本発明による面出射形半導体レーザ
では、反射板を構成する２種の層に発振波長より小さい
バンドギャップ波長を有する組成でかつ４分の１波長の
層厚を有する半導体層と、空気または真空層とを用いて
いる。そのため、発振波長１．３μｍの場合ではｎ1 と
ｎ2 の比がそれぞれ３．２対１と非常に大きくできる
為、３周期の積層構造（Ｎ＝３）で反射率が９９．９
％、５周期で９９．９９％となる。このときの積層層厚
は３周期及び５周期の場合それぞれ１．３μｍ及び２．
１μｍと従来にくらべて非常に薄くできる。従って、従
来に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射
率を高くできるから、発振閾値をより低減できる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の実施例を説明するための摸式図で
ある。出射光は基板１０と垂直な方向にでる。基板１０
は（１００）面のＳドープｎ形ＩｎＰ基板を用いた。ダ
ブルヘテロ構造１２はｎ形ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ発光
層、及びｐ形ＩｎＰ層を順次に積層した構造で、発光波
長が１．３μｍとなる量子井戸幅を有する。前記ダブル
ヘテロ構造１２を上下から挟む配置に、ｎ形多層反射膜
１１及びｐ形多層反射膜１３を形成した。ｎ形多層反射
膜１１は、厚さ１０２ｎｍのｎ形ＩｎＰ層と厚さ３２５
ｎｍのｎ形ＩｎＧａＡｓ層を３周期積層した構造を形成
した後、反射鏡となる部分のＩｎＧａＡｓ層を除去して
形成されており、厚さ１０２ｎｍのｎ形ＩｎＰ層と厚さ
３２５ｎｍの空気層１６を３周期積層した構造になって
いる。ｐ形多層反射膜１３も厚さ１０２ｎｍのｐ形Ｉｎ
Ｐ層と厚さ３２５ｎｍのｐ形ＩｎＧａＡｓ層を３周期積
層した構造を形成した後、反射鏡となる部分のＩｎＧａ
Ａｓ層を除去して形成されており、厚さ１０２ｎｍのｐ
形ＩｎＰ層と厚さ３２５ｎｍの空気層１６を３周期積層
した構造になっている。
する。図１は本発明の実施例を説明するための摸式図で
ある。出射光は基板１０と垂直な方向にでる。基板１０
は（１００）面のＳドープｎ形ＩｎＰ基板を用いた。ダ
ブルヘテロ構造１２はｎ形ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ発光
層、及びｐ形ＩｎＰ層を順次に積層した構造で、発光波
長が１．３μｍとなる量子井戸幅を有する。前記ダブル
ヘテロ構造１２を上下から挟む配置に、ｎ形多層反射膜
１１及びｐ形多層反射膜１３を形成した。ｎ形多層反射
膜１１は、厚さ１０２ｎｍのｎ形ＩｎＰ層と厚さ３２５
ｎｍのｎ形ＩｎＧａＡｓ層を３周期積層した構造を形成
した後、反射鏡となる部分のＩｎＧａＡｓ層を除去して
形成されており、厚さ１０２ｎｍのｎ形ＩｎＰ層と厚さ
３２５ｎｍの空気層１６を３周期積層した構造になって
いる。ｐ形多層反射膜１３も厚さ１０２ｎｍのｐ形Ｉｎ
Ｐ層と厚さ３２５ｎｍのｐ形ＩｎＧａＡｓ層を３周期積
層した構造を形成した後、反射鏡となる部分のＩｎＧａ
Ａｓ層を除去して形成されており、厚さ１０２ｎｍのｐ
形ＩｎＰ層と厚さ３２５ｎｍの空気層１６を３周期積層
した構造になっている。
【０００９】電流注入に関しては、活性層１７に注入さ
れる担体のうち電子はｎ形電極１４から、基板１０を経
て、ｎ形多層反射膜１１のうち除去されていないｎ形Ｉ
ｎＧａＡｓ層及びｎ形ＩｎＰを通じて注入される。一
方、正孔はｐ形電極１５からｐ形多層反射膜１３のうち
除去されていないｐ形ＩｎＧａＡｓ層及びｐ形ＩｎＰを
通じて注入される。電子と正孔の再結合は主に活性層１
７で起き、空気層１６の部分でのみ共振器が形成される
ため、発振以降の注入電流は活性領域１６にのみ流れる
ことになり、低駆動電流、高効率の発振が可能になる。
れる担体のうち電子はｎ形電極１４から、基板１０を経
て、ｎ形多層反射膜１１のうち除去されていないｎ形Ｉ
ｎＧａＡｓ層及びｎ形ＩｎＰを通じて注入される。一
方、正孔はｐ形電極１５からｐ形多層反射膜１３のうち
除去されていないｐ形ＩｎＧａＡｓ層及びｐ形ＩｎＰを
通じて注入される。電子と正孔の再結合は主に活性層１
７で起き、空気層１６の部分でのみ共振器が形成される
ため、発振以降の注入電流は活性領域１６にのみ流れる
ことになり、低駆動電流、高効率の発振が可能になる。
【００１０】次に本発明の製造方法について、図２を用
いて説明する。図２は、製造工程の各段階における断面
図を示す。まず、（１００）面を有するｎ形ＩｎＰ基板
１０の上に、厚さ３２５ｎｍでＩｎＰに格子整合した組
成のｎ形ＩｎＧａＡｓ層と厚さ１０２ｎｍのｎ形ＩｎＰ
層を３周期積層した多層反射膜１１、ｎ形ＩｎＰ層、Ｉ
ｎＧａＡｓ発光層、及びｐ形ＩｎＰ層を順次積層した構
造で、発光波長が１．３μｍとなる量子井戸幅を有する
ダブルヘテロ構造１２、及び、厚さ３２５ｎｍでＩｎＰ
に格子整合した組成のｐ形ＩｎＧａＡｓ層と厚さ１０２
ｎｍのｐ形ＩｎＰ層を３周期積層した多層反射膜１３を
ガスソース分子線エピタキシャル成長方法で積層した
（図２（ａ））。ガスソース分子線エピタキシャル成長
法では、９５０℃に加熱したクラッキングセルを通して
アルシン、ホスフィンガスを高真空チャンバーに導入
し、Ｉｎ、Ｇａ金属をそれぞれクヌーセンセルで加熱し
シャッターで制御してＩｎＰ基板に照射して成長させ
る。次に、通常のフォトリソグラフィーで形成したレジ
ストをマスクとして、幅１０μｍ、奥行き３μｍ、深さ
３．５μｍのメサをドライエッチングで形成する。レジ
スト除去後、熱ＣＶＤで形成したＳｉＯ2 層（厚さ１０
０ｎｍ）を通常のフォトリソグラフィーと化学エッチン
グによって加工しＳｉＯ2 マスク２０を形成する（図２
（ｂ）参照）。さらに、このＳｉＯ2 マスク２０をマス
クとして選択化学エッチングによって前の工程で作製し
た積層構造のうち多層反射膜１１及び１３の厚さ３２５
ｎｍのＩｎＧａＡｓ層をメサの側面からエッチングし空
気層１６を形成する（図２（ｃ）参照）。最後に、ｎ形
電極１４及びｐ形電極１５を形成する。
いて説明する。図２は、製造工程の各段階における断面
図を示す。まず、（１００）面を有するｎ形ＩｎＰ基板
１０の上に、厚さ３２５ｎｍでＩｎＰに格子整合した組
成のｎ形ＩｎＧａＡｓ層と厚さ１０２ｎｍのｎ形ＩｎＰ
層を３周期積層した多層反射膜１１、ｎ形ＩｎＰ層、Ｉ
ｎＧａＡｓ発光層、及びｐ形ＩｎＰ層を順次積層した構
造で、発光波長が１．３μｍとなる量子井戸幅を有する
ダブルヘテロ構造１２、及び、厚さ３２５ｎｍでＩｎＰ
に格子整合した組成のｐ形ＩｎＧａＡｓ層と厚さ１０２
ｎｍのｐ形ＩｎＰ層を３周期積層した多層反射膜１３を
ガスソース分子線エピタキシャル成長方法で積層した
（図２（ａ））。ガスソース分子線エピタキシャル成長
法では、９５０℃に加熱したクラッキングセルを通して
アルシン、ホスフィンガスを高真空チャンバーに導入
し、Ｉｎ、Ｇａ金属をそれぞれクヌーセンセルで加熱し
シャッターで制御してＩｎＰ基板に照射して成長させ
る。次に、通常のフォトリソグラフィーで形成したレジ
ストをマスクとして、幅１０μｍ、奥行き３μｍ、深さ
３．５μｍのメサをドライエッチングで形成する。レジ
スト除去後、熱ＣＶＤで形成したＳｉＯ2 層（厚さ１０
０ｎｍ）を通常のフォトリソグラフィーと化学エッチン
グによって加工しＳｉＯ2 マスク２０を形成する（図２
（ｂ）参照）。さらに、このＳｉＯ2 マスク２０をマス
クとして選択化学エッチングによって前の工程で作製し
た積層構造のうち多層反射膜１１及び１３の厚さ３２５
ｎｍのＩｎＧａＡｓ層をメサの側面からエッチングし空
気層１６を形成する（図２（ｃ）参照）。最後に、ｎ形
電極１４及びｐ形電極１５を形成する。
【００１１】本発明の面出射形半導体レーザは厚さ１０
２ｎｍのＩｎＰ層と厚さ３２５ｎｍの空気層との対を３
周期用いており、その屈折率の比が発振波長１．３μｍ
において３．２と大きいため、３周期であっても９９．
９％の高い反射率が得られる。その結果、半導体レーザ
の高さは３μｍと従来に比べ著しく平坦化される。ま
た、９９．９％の非常に高い屈折率も５周期の多層反射
膜で得られ、発振閾値が低減できる。
２ｎｍのＩｎＰ層と厚さ３２５ｎｍの空気層との対を３
周期用いており、その屈折率の比が発振波長１．３μｍ
において３．２と大きいため、３周期であっても９９．
９％の高い反射率が得られる。その結果、半導体レーザ
の高さは３μｍと従来に比べ著しく平坦化される。ま
た、９９．９％の非常に高い屈折率も５周期の多層反射
膜で得られ、発振閾値が低減できる。
【００１２】上記実施例ではＩｎＰ基板に格子整合する
結晶系を用いた例を説明したが、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系等の他の結晶をも用
いることができる。
結晶系を用いた例を説明したが、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系等の他の結晶をも用
いることができる。
【００１３】上記実施例ではエピタキシャル成長法にガ
スソースエピタキシャル成長法を用いたが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
スソースエピタキシャル成長法を用いたが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
【００１４】上記実施例では多層反射膜の低屈折率層に
空気層を用いたが、不活性ガス、ないし、真空等を用い
ても良い。
空気層を用いたが、不活性ガス、ないし、真空等を用い
ても良い。
【００１５】
【発明の効果】本発明による半導体レーザは、反射板を
構成する材料の屈折率の比を大きくできる構造を有する
ために、より少ない積層層厚で優れた反射率特性が得ら
れ、その結果、平坦かつ低閾値の面出射形半導体レーザ
を得ることができる。
構成する材料の屈折率の比を大きくできる構造を有する
ために、より少ない積層層厚で優れた反射率特性が得ら
れ、その結果、平坦かつ低閾値の面出射形半導体レーザ
を得ることができる。
【図１】本発明の半導体レーザの一実施例を説明するた
めの摸式図である。
めの摸式図である。
【図２】図１の半導体レーザの工程を示す図である。
１０ 基板 １１ ｎ形多層反射膜 １２ ダブルヘテロ構造 １３ ｐ形多層反射膜 １４ ｎ形電極 １５ ｐ形電極 １６ 空気層 １７ 活性層 ２０ ＳｉＯ2 マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 発光層と前記発光層を挟む２つの反射鏡
が基板面と平行に積層された構造を有する面出射形半導
体レーザにおいて、前記反射鏡が出射光の波長より小さ
いバンドギャップ波長を有する半導体層と前記半導体層
で挟まれた空気または真空層との少なくとも１周期の繰
り返しからなる多層反射膜であることを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15283392A JPH05327121A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 面出射形半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15283392A JPH05327121A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 面出射形半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327121A true JPH05327121A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15549132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15283392A Withdrawn JPH05327121A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 面出射形半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327121A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027938A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH1197796A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-04-09 | Samsung Electron Co Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物面発光レーザ及びその製造方法 |
| WO2008075692A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | International Business Machines Corporation | 面発光レーザーおよびその製造方法 |
| US8380937B2 (en) | 2005-11-28 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | System for preventing unauthorized acquisition of information and method thereof |
| JP2013045846A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2016002382A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP15283392A patent/JPH05327121A/ja not_active Withdrawn
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| US7923275B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | Surface emitting laser and manufacturing method thereof |
| JP4870783B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-02-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 面発光レーザーおよびその製造方法 |
| JP2013045846A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2016002382A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US10188285B2 (en) | 2014-06-18 | 2019-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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