JPH0532927B2 - - Google Patents

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JPH0532927B2
JPH0532927B2 JP685484A JP685484A JPH0532927B2 JP H0532927 B2 JPH0532927 B2 JP H0532927B2 JP 685484 A JP685484 A JP 685484A JP 685484 A JP685484 A JP 685484A JP H0532927 B2 JPH0532927 B2 JP H0532927B2
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JP
Japan
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ceramic
thickness direction
bulk
piezoelectric device
bulk wave
Prior art date
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Expired - Lifetime
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JP685484A
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English (en)
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JPS60150311A (ja
Inventor
Toshio Ogawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP685484A priority Critical patent/JPS60150311A/ja
Priority to US06/645,301 priority patent/US4564782A/en
Priority to DE3432133A priority patent/DE3432133A1/de
Publication of JPS60150311A publication Critical patent/JPS60150311A/ja
Publication of JPH0532927B2 publication Critical patent/JPH0532927B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は、セラミツクスの厚み方向に相互に
重なり合うように配置された複数個の内部電極を
備え、厚み方向に伝播するバルク波を利用した圧
電装置、たとえばセラミツク共振子またはセラミ
ツクフイルタなどの構造の改良に関する。
発明の背景 第1図は、未だ公知ではないが、本願発明をな
す契機となつたセラミツクフイルタの一例を示す
斜視図である。セラミツクフイルタ1は、セラミ
ツクス2と、セラミツクス2内で厚み方向に相互
に重なり合うように平行に配置された複数個まの
内部電極3a…3j,4a…4jを有する。複数
個の内部電極3a…4jのうち、内部電極3a…
3jが一方の電極群を構成し、内部電極4a…4
jが他方の電極群を構成しており、各内部電極3
a…4jは、交互に図面上左右側面に引出されて
おり、電極群ごとに、外部電極13a,13b,
14a,14bに接続されている。セラミツクス
2は、図示のように矢印P方向に分極処理されて
おり、したがつて外部電極13a,13b(14
a,14b)を入力側外部電極として電圧を印加
すれば、内部電極間の距離に応じたバルク波が励
振され、該バルク波は矢印Aで示す実線のように
セラミツクス2の厚み方向に伝播し、他方の電極
群に伝わり、該バルク波の振動に基づき、他方の
外部電極14a,14b(13a,13b)より
出力が取出される。
第1図に示したようなセラミツクス内に複数個
の内部電極が平行に重なり合う構成を有する圧電
装置にあつては、多数のセラミツクシートおよび
内部電極となる電極パターンを積層した後焼結し
て作成されるため、極めて小型の圧電装置を構成
することができ、また内部電極の形成方法および
分極処理の方法を変更することにより、様々なイ
ンピーダンスの圧電装置を得ることができるとい
う、大きな利点を有する。
しかしながら、セラミツクス2と空気とは密度
差が極めて大きいため、第2図に略図的正面図で
示すようにバルク波Aが伝播するだけでなく、セ
ラミツクス2の厚み方向端部2a,2bで極めて
容易に反射されやすく、したがつてトリプル・ト
ランジツト・エコー(T.T.E.)と呼ばれる反射
波Bもまた伝播する。それゆえに、目的周波数の
バルク波以外のバルク波の伝播により、振幅特性
が大きく影響され、設計通りの特性を得られない
という欠点があつた。
上述のような問題点は、第1図に示したような
セラミツクフイルタ1に限らず、同様にセラミツ
クス2内に多数の内部電極を厚み方向に平行に重
なり合うように配置した構造の共振子あるいは遅
延素子においても存在し、したがつて上記のよう
な不要バルク波の除去が要望されていた。また、
このほかに、厚みすべり振動を利用したフイル
タ、共振子、遅延線などについても、厚み方向に
バルク波が伝搬するため、このようなものについ
ても同様に不要バルク波の除去が要望されてい
た。
発明の目的 この発明の目的は、上記欠点を解消し、スプリ
アスとなる不要バルク波の除去を可能とし、設計
通りの特性が得られる、圧電装置を提供すること
にある。
発明の構成 この発明は、要約すれば、少なくとも一部が分
極されたセラミツクスと、該セラミツクス内で厚
み方向に平行に重なり合う複数個の内部電極とを
備え、該セラミツクス内で厚み方向に伝播するバ
ルク波を利用する圧電装置において、セラミツク
スの厚み方向端面の少なくとも一方に、利用バル
ク波以外のスプリアスを発生させるバルク波を除
去するためのバルク波除去手段が設けられている
ことを特徴とする、圧電装置である。
以下、この発明の実施例を図面を参照しつつ説
明することにより、この発明の特徴を明らかにす
る。
実施例の説明 第3図は、この発明の第1の実施例を説明する
ための部分切欠き断面図であり、第4図はセラミ
ツクスの厚み方向端面を示す底面図である。第3
図および第4図から明らかなように、この実施例
では、第1図に示したセラミツクフイルタ1のセ
ラミツクス2の厚み方向一方端面2bに、不要バ
ルク波除去手段として複数個の溝21が形成され
ている。溝21の底部22は、図示のように端面
2bと平行にされており、かつ溝21の深さd
は、バルク波の波長をλとしたとき、 2d=(n+1/2)λ (但し、n=0、1、2…)の関係を満足するよ
うに溝21が形成されている。したがつて、端面
2dで反射されたバルク波Cと、溝21の底部2
2で反射されたバルク波Dとは、位相が半波長ず
れるため、お互いに打ち消し合うことになる。よ
つて、反射バルク波を効果的に除去し得ることが
わかる。
なお、第3図および第4図に示した実施例で
は、溝21が図示のように形成されていたが、好
ましくは、複数個の溝21の底部22の総面積を
端面2bの残りの面積と等しくすることにより、
端面2bと溝21の底部22とにより反射される
各バルク波を等しくすることができ、したがつて
効果的に不要バルク波の除去を果たすことが可能
となる。もつとも、バルク波が厚み方向に伝播す
るのは内部電極が相互に重なり合つた部分のセラ
ミツクスのみであるから、内部電極が相互に重な
り合つた部分に相当する部分内にのみ溝21を形
成してもよい。なお、溝21の形状および分散の
させ方についても、図示のものに限らず、任意の
定め得ることを指摘しておく。
第5図は、この発明の第2の実施例を説明する
ための略図的正面図である。第5図から明らかな
ように、ここではバルク波除去手段として、セラ
ミツクス2の厚み方向一方端面2bが内部電極4
i,4j(想像線で示す)に平行でない平面に形
成されている。したがつて、バルク波Eは端面2
bで図示のように反射され、内部電極4i,4j
の存在しない方向に反射される。よつて、反射バ
ルク波によるスプリアスを効果的に低減し得るこ
とがわかる。
なお、第5図に示した実施例においてθで示す
角度すなわち端面2bの傾斜角度θと、反射係数
とには、第6図にグラフで示すような関係があ
る。したがつて、θ≧10°とすれば反射係数はθ
=0°に比べて80%小さくなることがわかる。よつ
て、傾斜角度θは、10°以上であることが好まし
い。
なお、この発明の第2の実施例では、第5図に
示したように端面2bを単に傾斜させるだけでな
く、バルク波を内部電極の存在しない方向に反射
することさえ可能であれば、様々に端面2bを形
成し得る。たとえば、第7図に示すように端面2
bを円筒の側面のような曲面に形成してもよく、
あるいは球面のように処理してもよい。
第8図は、この発明の第3の実施例を説明する
ための略図的正面図である。第8図に示した実施
例では、不要バルク波除去手段として、セラミツ
クス2の厚み方向一方端面2bに無秩序に凹部3
1が形成されている。複数個の凹部31の平均深
さxは、バルク波の波長をλとしたとき、x≧
λ/2程度に選ばれる。平均深さxを、上記関係
を満たすように溝31を形成することにより、端
面2bに直進してきたバルク波は、複数個の溝3
1により無秩序に反射され散乱することになる。
したがつて、内部電極方向に反射されるバルク波
を効果的に除去し得ることがわかる。
なお、溝31は、セラミツクス2の焼結後に加
工してもよく、あるいは焼結前のセラミツクスグ
リーンシートの積層・圧着時に同時に形成しても
よい。
第9図は、この発明の第4の実施例を説明する
ための略図的正面図である。第9図に示した実施
例では、バルク波除去手段として、セラミツクス
2と同程度の音響インピーダンスを有する吸音層
41がセラミツクス2の厚み方向一方端面2bに
付着されている。吸音層41としては、PZT型
セラミツクス2の場合には、比重が約8であるた
め、PZT粉末や鉛などの比重の比較的大きな金
属粉末、または、たとえばPbO、Nb2O5などの酸
化物等を混入した吸音材を用いることにより、セ
ラミツクス2と同程度の音響インピーダンスとす
ることができる。この実施例では、セラミツクス
と同等の音響インピーダンスを有する吸音層41
が、セラミツクス2の厚み方向一方端面2bに付
着されているため、厚み方向一方端面2bに向か
つて伝播してきたバルク波は吸音層41により効
果的に吸収される。したがつて、不要バルク波の
発生を効果的に防止することができる。
なお、第9図に示した実施例において、吸音層
41は図示のように厚み方向端面2b全面にわた
り付着されずともよく、バルク波の伝播する可能
性のある部分にのみ付着してもよい。
この発明は、以上のように、4種類のバルク波
除去手段を含むものであるが、各実施例において
説明されたバルク波除去手段を適宜組合わせても
よく、それによつて、より効果的に反射バルク波
を除去することができる。一例として、第8図に
示した実施例と第9図に示した実施例とにおける
バルク波除去手段を組合わせた場合の具体的実験
例を説明する。
チタン酸鉛系セラミツクス2を用い、直径1mm
の複数の内部電極を該セラミツクス2内に電極間
間隔100μm、伝播距離200μm、電極対数4.5対と
なるように配置したセラミツクフイルタを作成
し、セラミツクス2の厚み方向一方端面2bに平
均深さxがλ/2より大きな凹部を無秩序に形成
し、かつさらに吸音層41を付着したところ、第
10図に実線で示すような出力周波数特性を得る
ことができた。なお、比較のために、処理前の特
性を破線で第10図に示す。両特性曲線の比較か
ら明らかなように、処理前のセラミツクフイルタ
では多数のスプリアスが発生しているのに対し、
この発明のセラミツクフイルタではほぼ設計通り
の特性曲線が得られていることがわかる。
発明の効果 以上のように、この発明によれば、少なくとも
一部が分極処理されたセラミツクスと、該セラミ
ツクス内で厚み方向に平行に重なり合う複数個の
内部電極とを備え、セラミツクス内で厚み方向に
伝播するバルク波を利用する圧電装置において、
セラミツクスの厚み方向端面の少なくとも一方
に、利用バルク波以外のスプリアスを発生させる
バルク波を除去するためのバルク波除去手段が設
けられているため、不要バルク波の影響を効果的
に解消することができ、したがつて説明通りの特
性を有する圧電装置を得ることができる。
この発明は、フイルタに限らず、共振子あるい
は遅延素子など様々な圧電装置に適用し得るもの
であることを指摘しておく。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明をなす契機となつたセラミ
ツクフイルタの一例を示す斜視図である。第2図
は、第1図に示したセラミツクフイルタの問題点
を説明するための略図的正面図である。第3図お
よび第4図は、この発明の第1の実施例を説明す
るための部分切欠き断面図および底面図を示す。
第5図は、この発明の第2の実施例を説明するた
めの部分切欠き正面図である。第6図は、第5図
に示した実施例における傾斜角度θと反射係数の
関係を示す図である。第7図は、第5図に示した
実施例の変形を示す略図的正面図である。第8図
は、この発明の第3の実施例を説明するための部
分切欠き正面図である。第9図は、この発明の第
4の実施例を説明するための部分切欠き正面図で
ある。第10図は、第8図に示した実施例と第9
図に示した実施例とを組合わせた形式のセラミツ
クフイルタの特性を説明するための図である。 図において、2はセラミツクス、2a,2bは
セラミツクスの厚み方向端面、3a…3j、4a
…4jは内部電極、21はバルク波除去手段とし
ての溝、22は溝の底部、31はバルク波除去手
段としての凹部、41はバルク波除去手段として
の吸音層を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少なくとも一部が分極処理されたセラミツク
    スと、該セラミツクス内で厚み方向に平行に重な
    り合う複数個の内部電極とを備え、前記セラミツ
    クス内で厚み方向に伝播するバルク波を利用する
    圧電装置において、 前記セラミツクスの厚み方向端面の少なくとも
    一方に、利用バルク波以外のスプリアスを発生さ
    せるバルク波を除去するためのバルク波除去手段
    が設けられていることを特徴とする、圧電装置。 2 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
    の厚み方向端面に平行な底部を有する複数個の溝
    であり、該溝の深さdは、2d=(n+1/2)λ
    (但し、nは0または整数、λはバルク波の波長)
    を満たすように選ばれている、特許請求の範囲第
    1項記載の圧電装置。 3 前記複数個の溝の底部の総面積は、溝の形成
    された端面の残りの部分の総面積と等しくされて
    いる、特許請求の範囲第2項記載の圧電装置。 4 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
    の厚み方向端面に形成された曲面または前記内部
    電極に平行でない平面である、特許請求の範囲第
    1項記載の圧電装置。 5 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
    の厚み方向端面に無秩序に形成された複数個の凹
    部であり、該凹部の平均深さxは、x≧λ/2
    (λは、バルク波の波長)を満たすように選ばれ
    ている、特許請求の範囲第1項記載の圧電装置。 6 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
    の厚み方向端面に付着された吸音層からなり、該
    吸音層はセラミツクスと同程度の音響インピーダ
    ンスを有するものである、特許請求の範囲第1項
    記載の圧電装置。
JP685484A 1983-09-02 1984-01-17 圧電装置 Granted JPS60150311A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP685484A JPS60150311A (ja) 1984-01-17 1984-01-17 圧電装置
US06/645,301 US4564782A (en) 1983-09-02 1984-08-29 Ceramic filter using multiple thin piezoelectric layers
DE3432133A DE3432133A1 (de) 1983-09-02 1984-08-31 Keramisches filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP685484A JPS60150311A (ja) 1984-01-17 1984-01-17 圧電装置

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Publication Number Publication Date
JPS60150311A JPS60150311A (ja) 1985-08-08
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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AU2003259512A1 (en) * 2002-09-12 2004-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Bulk acoustic wave resonator with means for suppression of pass-band ripple in bulk acoustic wave filters

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JPS60150311A (ja) 1985-08-08

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