JPH0532951B2 - - Google Patents
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- JPH0532951B2 JPH0532951B2 JP58126676A JP12667683A JPH0532951B2 JP H0532951 B2 JPH0532951 B2 JP H0532951B2 JP 58126676 A JP58126676 A JP 58126676A JP 12667683 A JP12667683 A JP 12667683A JP H0532951 B2 JPH0532951 B2 JP H0532951B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/58—Means for changing the camera field of view without moving the camera body, e.g. nutating or panning of optics or image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、限られた画素数の固体撮像素子を用
いて高い解像度を得ることができる固体撮像装置
に関する。
いて高い解像度を得ることができる固体撮像装置
に関する。
CCD等の固体撮像素子は、半導体基板上に複
数の画素を二次元配列して構成され、その解像度
は画素数によつて定まる。半導体基板上に形成す
る画素の数は製造技術により制限されるため、高
解像度化も制限される。
数の画素を二次元配列して構成され、その解像度
は画素数によつて定まる。半導体基板上に形成す
る画素の数は製造技術により制限されるため、高
解像度化も制限される。
このような問題に対処するため、固体撮像素子
チツプ基板を、撮像動作の無効期間に振動中心が
位置するように受光面に平行な方向に所定周期が
振動させることにより高解像度化する試みがなさ
れている。例えばインターライン転送方式CCD
(以下IT−CCD)では、感光部に蓄積された信号
電荷が垂直ブランキング期間(無効期間)におい
て同時に垂直CCDレジスタに転送され、次のフ
イールド有効期間中に読出されるという撮像動作
を行うため、上記の如き振動を与えることによ
り、みかけ上画素数を多くしたと同等の効果によ
り、高解像度化が図られる。
チツプ基板を、撮像動作の無効期間に振動中心が
位置するように受光面に平行な方向に所定周期が
振動させることにより高解像度化する試みがなさ
れている。例えばインターライン転送方式CCD
(以下IT−CCD)では、感光部に蓄積された信号
電荷が垂直ブランキング期間(無効期間)におい
て同時に垂直CCDレジスタに転送され、次のフ
イールド有効期間中に読出されるという撮像動作
を行うため、上記の如き振動を与えることによ
り、みかけ上画素数を多くしたと同等の効果によ
り、高解像度化が図られる。
このような固体撮像素子の偏向を行う手段とし
て、例えば固体撮像素子側に固定された可動コイ
ルを電磁石により駆動するものが提案されている
(特開昭58−29275号公報)。
て、例えば固体撮像素子側に固定された可動コイ
ルを電磁石により駆動するものが提案されている
(特開昭58−29275号公報)。
しかしながらこの電磁駆動方式では、固体撮像
素子の特徴の一つである小型、軽量化が十分に発
揮できない。また可動コイルを動かすのに十分な
磁力を発生させるためには電磁石に流す電流も大
きいものを必要とし、消費電力が増大するという
問題もある。
素子の特徴の一つである小型、軽量化が十分に発
揮できない。また可動コイルを動かすのに十分な
磁力を発生させるためには電磁石に流す電流も大
きいものを必要とし、消費電力が増大するという
問題もある。
一方、VTRでのオートトラツキングのための
ビデオヘツド偏向素子等の微小変位発生装置とし
て、圧電板を開いたバイモルフ振動子を用いるこ
とが知られており、これをCCD撮像素子の偏向
に利用することが考えられる。
ビデオヘツド偏向素子等の微小変位発生装置とし
て、圧電板を開いたバイモルフ振動子を用いるこ
とが知られており、これをCCD撮像素子の偏向
に利用することが考えられる。
しかしながら、ビテオヘツド偏向素子としての
バイモルフ振動子は片持梁で用い、その先端にビ
デオヘツドを取付けるようになつている。一般に
5〜10mgと軽量なビデオヘツドの場合にはこれで
も問題ないが、固体撮像素子の場合、代表的なも
ので30.5×15mm2、25g程度の大きさ、重量がある
ため、片持梁方式ではバイモルフ振動子の耐久性
に問題がある。またこのようなバイモルフ振動子
の先端に固体撮像素子を取付けた場合、固体撮像
素子は偏向量とともに受光面の傾斜が大きくな
る。このことは固体撮像素子面内での光学的情報
の不均一性を生じ、結像光学系の焦点位置と受光
面の間にずれを生じるため、十分な性能を発揮で
きなくなる。
バイモルフ振動子は片持梁で用い、その先端にビ
デオヘツドを取付けるようになつている。一般に
5〜10mgと軽量なビデオヘツドの場合にはこれで
も問題ないが、固体撮像素子の場合、代表的なも
ので30.5×15mm2、25g程度の大きさ、重量がある
ため、片持梁方式ではバイモルフ振動子の耐久性
に問題がある。またこのようなバイモルフ振動子
の先端に固体撮像素子を取付けた場合、固体撮像
素子は偏向量とともに受光面の傾斜が大きくな
る。このことは固体撮像素子面内での光学的情報
の不均一性を生じ、結像光学系の焦点位置と受光
面の間にずれを生じるため、十分な性能を発揮で
きなくなる。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、バイ
モルフ振動子により固体撮像素子に振動を与える
方式を利用して、全体として小型軽量化を図ると
ともに、高信頼性、高性能を発揮できるようにし
た固体撮像装置を提供することを目的とする。
モルフ振動子により固体撮像素子に振動を与える
方式を利用して、全体として小型軽量化を図ると
ともに、高信頼性、高性能を発揮できるようにし
た固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明はバイモルフ振動子を両端支持型として
変位素子を構成し、このバイモルフ変位素子によ
り固体撮像素子をその受光面に平行な方向に振動
を与えるように構成する。そしてバイモルフ変位
素子とこれに取付けられた固体撮像素子とは、パ
ツケージ内に封入する。この場合、バイモルフ変
位素子は両端を直接パツケージ本体により支持
し、かつその両端支持部を介して電極をパツケー
ジのリード端子に接続する構成とする。
変位素子を構成し、このバイモルフ変位素子によ
り固体撮像素子をその受光面に平行な方向に振動
を与えるように構成する。そしてバイモルフ変位
素子とこれに取付けられた固体撮像素子とは、パ
ツケージ内に封入する。この場合、バイモルフ変
位素子は両端を直接パツケージ本体により支持
し、かつその両端支持部を介して電極をパツケー
ジのリード端子に接続する構成とする。
本発明によれば、従来の電磁駆動型と異なり、
固体撮像装置全体の小型、軽量化が図られる。し
かも本発明では、バイモルフ変位素子を片持梁で
はなく両端支持型とするため、耐久性、信頼性に
優れたものが得られる。また片持梁と異なり、固
体撮像素子の受光面が偏向により傾斜することな
く、高い平行度を保つた振動を与えることができ
る。特に、2個のバイモルフ変位素子をその電極
面が互に平行になるように配置して、これらにま
たがるように固体撮像素子を支持すれば、受光面
の安定な平行振動が可能である。この結果、性能
面でも優れた固体撮像装置を実現できる。
固体撮像装置全体の小型、軽量化が図られる。し
かも本発明では、バイモルフ変位素子を片持梁で
はなく両端支持型とするため、耐久性、信頼性に
優れたものが得られる。また片持梁と異なり、固
体撮像素子の受光面が偏向により傾斜することな
く、高い平行度を保つた振動を与えることができ
る。特に、2個のバイモルフ変位素子をその電極
面が互に平行になるように配置して、これらにま
たがるように固体撮像素子を支持すれば、受光面
の安定な平行振動が可能である。この結果、性能
面でも優れた固体撮像装置を実現できる。
また、本発明においては、バイモルフ変位素子
の両端をパツケージ本体に設けたスリツト等によ
り直接支持し、かつその両端支持部を介してバイ
モルフ変位素子の電極をパツケージのリード端子
に接続する。従つて、組立ても容易であり、また
振動面の電極をワイヤにより取出すことをしない
から、この点でも信頼性向上が図れる。
の両端をパツケージ本体に設けたスリツト等によ
り直接支持し、かつその両端支持部を介してバイ
モルフ変位素子の電極をパツケージのリード端子
に接続する。従つて、組立ても容易であり、また
振動面の電極をワイヤにより取出すことをしない
から、この点でも信頼性向上が図れる。
以下本発明の実施例を説明する。第1図は一実
施例の固体撮像装置の分解斜視図である。10は
パツケージ本体となるセラミツク枠体、20は底
板であり、30aおよび30bは両端支持型のバ
イモルフ変位素子、40はフレキシブルプリント
配線板、50は固定座、60は固体撮像素子、7
0は受光窓を兼ねる透明な上蓋である。フレキシ
ブルプリント配線板40に固定座50を取付け
て、この固定座50に固体撮像素子60をマウン
トし、これらをバイモルフ変位素子30a,30
bの上に重ねた状態が第2図である。この状態で
枠体10内に組込んで必要なハンダ付け等を行
い、底板20および上蓋70を取付けることによ
り、パツケージングされた固体撮像装置が得られ
ることになる。
施例の固体撮像装置の分解斜視図である。10は
パツケージ本体となるセラミツク枠体、20は底
板であり、30aおよび30bは両端支持型のバ
イモルフ変位素子、40はフレキシブルプリント
配線板、50は固定座、60は固体撮像素子、7
0は受光窓を兼ねる透明な上蓋である。フレキシ
ブルプリント配線板40に固定座50を取付け
て、この固定座50に固体撮像素子60をマウン
トし、これらをバイモルフ変位素子30a,30
bの上に重ねた状態が第2図である。この状態で
枠体10内に組込んで必要なハンダ付け等を行
い、底板20および上蓋70を取付けることによ
り、パツケージングされた固体撮像装置が得られ
ることになる。
各部の構造および組立て工程を更に詳しく説明
する。
する。
セラミツク枠体10には、予め多数のリード端
子11が設けられ、また内面の相対向する二面に
バイモルフ変位素子30a,30bの両端を支持
固定するための二対のスリツト12,121〜1
24がレーザ加工により形成されている。バイモ
ルフ変位素子30a,30bは、それぞれバイモ
ルフ振動子31,31a,31bの両端に、両端
支持構造としてしかも十分な横効果による変位量
が得られるように、スプリング作用を有する支持
具32,321〜324が取付けられている。支持
具32はバイモルフ変位素子30a,30bに電
源を供給する電極取出し端子をも兼ねており、ス
リツト12に挿入してハンダ付け等により固定す
ることにより、予めセラミツク枠体10にスリツ
ト12の部分を含めてメタライズされた導体パタ
ーン13,131〜134を介してリード端子11
に電気的に接続されるようになつている。
子11が設けられ、また内面の相対向する二面に
バイモルフ変位素子30a,30bの両端を支持
固定するための二対のスリツト12,121〜1
24がレーザ加工により形成されている。バイモ
ルフ変位素子30a,30bは、それぞれバイモ
ルフ振動子31,31a,31bの両端に、両端
支持構造としてしかも十分な横効果による変位量
が得られるように、スプリング作用を有する支持
具32,321〜324が取付けられている。支持
具32はバイモルフ変位素子30a,30bに電
源を供給する電極取出し端子をも兼ねており、ス
リツト12に挿入してハンダ付け等により固定す
ることにより、予めセラミツク枠体10にスリツ
ト12の部分を含めてメタライズされた導体パタ
ーン13,131〜134を介してリード端子11
に電気的に接続されるようになつている。
第3図a,bはバイモルフ振動子31の構造を
示す平面図と正面図である。電圧素子基板33,
331,334としては、PZT系、PbTiO3−
PdZrO3−Pb(Coy2Wy2)O3等の三成分系その他
の電歪材料を用い得る。また電極34,341〜
344は、Ni、Cu等のメツキ法、Ag、Auペース
トによる焼付け法、Ag、Al、Au、Ni等の蒸着
またはスパツタ法等により得られる。本実施例で
は、PZT系材料を用い、電極34はコンダクテ
イブペーストNo.4510(昭栄化学工業製)を塗布乾
燥後、700℃で焼付ける方法で形成した。
示す平面図と正面図である。電圧素子基板33,
331,334としては、PZT系、PbTiO3−
PdZrO3−Pb(Coy2Wy2)O3等の三成分系その他
の電歪材料を用い得る。また電極34,341〜
344は、Ni、Cu等のメツキ法、Ag、Auペース
トによる焼付け法、Ag、Al、Au、Ni等の蒸着
またはスパツタ法等により得られる。本実施例で
は、PZT系材料を用い、電極34はコンダクテ
イブペーストNo.4510(昭栄化学工業製)を塗布乾
燥後、700℃で焼付ける方法で形成した。
ここで注意すべきは、各圧電素子基板33の相
対向する電極34を、一方の主面から長手方向端
面を通つて他方の主面に回し込んだ構造としてい
ることである。この回し込み電極を分離するため
に、スリツト38,381,384が各基板に2個
所ずつ設けられる。スリツト38の位置は、圧電
素子特性を損うことがないように、長手方向の端
部近傍にくるようにする。このように回し込み電
極34が形成された2枚の圧電基板を、間に真ち
ゆう等からなるシム材35を挿入し、接着剤36
により結合して一体化することにより、バイモル
フ振動子が得られる。
対向する電極34を、一方の主面から長手方向端
面を通つて他方の主面に回し込んだ構造としてい
ることである。この回し込み電極を分離するため
に、スリツト38,381,384が各基板に2個
所ずつ設けられる。スリツト38の位置は、圧電
素子特性を損うことがないように、長手方向の端
部近傍にくるようにする。このように回し込み電
極34が形成された2枚の圧電基板を、間に真ち
ゆう等からなるシム材35を挿入し、接着剤36
により結合して一体化することにより、バイモル
フ振動子が得られる。
なお、振動子31の上端には固定座50を固定
するためにシム材35により一体形成した位置合
せ用の突起37,371〜372を設けている。
するためにシム材35により一体形成した位置合
せ用の突起37,371〜372を設けている。
このような構造とすれば、バイモルフ振動子に
対する電源供給を電極主面ではなく、長手方向の
両端部から行うことが可能となる。本実施例で
は、このようなバイモルフ振動子31を両端支持
する支持具32自体を電源供給端子としている。
即ち、支持具32は例えば50μm厚程度の真ちゆ
う板又はコバール、ニツケル等金属薄板を用いて
形成し、これをバイモルフ振動子31の両端に取
付けて電極取出しを行う。第4図は支持具32を
拡大したもので、バイモルフ振動子31の挿入部
39を設けて、この挿入部39でバイモルフ振動
子31の端部を挾持する構造としている。
対する電源供給を電極主面ではなく、長手方向の
両端部から行うことが可能となる。本実施例で
は、このようなバイモルフ振動子31を両端支持
する支持具32自体を電源供給端子としている。
即ち、支持具32は例えば50μm厚程度の真ちゆ
う板又はコバール、ニツケル等金属薄板を用いて
形成し、これをバイモルフ振動子31の両端に取
付けて電極取出しを行う。第4図は支持具32を
拡大したもので、バイモルフ振動子31の挿入部
39を設けて、この挿入部39でバイモルフ振動
子31の端部を挾持する構造としている。
なお、支持具32は、スプリング作用をそれ程
必要とせずバイモルフ振動子31の支持と電極取
出しを主目的とする場合には、第5図に示すよう
な構造としてもよい。
必要とせずバイモルフ振動子31の支持と電極取
出しを主目的とする場合には、第5図に示すよう
な構造としてもよい。
フレキシブルプリント基板40は、第6図に平
面パターンを示したように略H型に成型され導体
パターン43が形成されたもので、これを第1図
に示すように折り曲げてバイモルフ変位素子30
a,30bの間に挿入するようになつている。切
欠部41,411,412は、バイモルフ変位素子
30a,30bによる固体撮像素子の偏向が、こ
のフレキシブルプリント基板40に取付けられる
固定座50と共に行われるため、できるだけ負荷
を小さくする目的で形成されている。
面パターンを示したように略H型に成型され導体
パターン43が形成されたもので、これを第1図
に示すように折り曲げてバイモルフ変位素子30
a,30bの間に挿入するようになつている。切
欠部41,411,412は、バイモルフ変位素子
30a,30bによる固体撮像素子の偏向が、こ
のフレキシブルプリント基板40に取付けられる
固定座50と共に行われるため、できるだけ負荷
を小さくする目的で形成されている。
固定座50はガラスエポキシ板であつて、その
表面の導体パターン(図示せず)とフレキシブル
プリント基板40上の導体パターンとをスルーホ
ールあるいはハンダ付けにより接続して予めフレ
キシブルプリント基板40と一体化され、その
後、この固定座50上に固体撮像素子60をマウ
ントして、第2図に示したようにワイヤボンデイ
ング接続をする。そして、固体撮像素子60、固
定座50およびフレキシブルプリント基板40を
一体化したものが、前述のバイモルフ変位素子3
0a,30bと共にセラミツク枠体10内に収納
される。固体撮像素子60の端子は、フレキシブ
ルプリント基板40の端子42をセラミツク枠体
10の外部リード端子11につながる内導体15
にハンダ付けすることで外部に導出される。バイ
モルフ変位素子30a,30bと、フレキシブル
プリント基板40を一体化した固定座50との位
置合せは、固定座50に予め設けられた孔51,
511,512と前述したバイモルフ変位素子30
a,30b上の突起37とにより行つている。
表面の導体パターン(図示せず)とフレキシブル
プリント基板40上の導体パターンとをスルーホ
ールあるいはハンダ付けにより接続して予めフレ
キシブルプリント基板40と一体化され、その
後、この固定座50上に固体撮像素子60をマウ
ントして、第2図に示したようにワイヤボンデイ
ング接続をする。そして、固体撮像素子60、固
定座50およびフレキシブルプリント基板40を
一体化したものが、前述のバイモルフ変位素子3
0a,30bと共にセラミツク枠体10内に収納
される。固体撮像素子60の端子は、フレキシブ
ルプリント基板40の端子42をセラミツク枠体
10の外部リード端子11につながる内導体15
にハンダ付けすることで外部に導出される。バイ
モルフ変位素子30a,30bと、フレキシブル
プリント基板40を一体化した固定座50との位
置合せは、固定座50に予め設けられた孔51,
511,512と前述したバイモルフ変位素子30
a,30b上の突起37とにより行つている。
実際に試作した例の各部の形状寸法は次のとお
りである。固体撮像素子60として、8×10mm2、
厚み0.5mmのガラスエポキシプリント基板により
構成した。またバイモルフ変位素子30a,30
bは長さ23mm、幅5mm、厚さ0.1mm(一枚分)で
あり、セラミツク枠体10は、スリツト12を形
成する部分を厚み2mm、他の二面を厚み1mmとし
て、大きさは長辺31mm、短辺17mm、深さ11mmと
した。
りである。固体撮像素子60として、8×10mm2、
厚み0.5mmのガラスエポキシプリント基板により
構成した。またバイモルフ変位素子30a,30
bは長さ23mm、幅5mm、厚さ0.1mm(一枚分)で
あり、セラミツク枠体10は、スリツト12を形
成する部分を厚み2mm、他の二面を厚み1mmとし
て、大きさは長辺31mm、短辺17mm、深さ11mmと
した。
こうして本実施例によれば、固体撮像素子を、
これに偏向を与える2個のバイモルフ変位素子と
共に非常にコンパクトにパツケージに封入するこ
とができた。
これに偏向を与える2個のバイモルフ変位素子と
共に非常にコンパクトにパツケージに封入するこ
とができた。
本実施例の効果は次のとおりである。まず本実
施例では、電磁駆動方式と異なり、固体撮像素子
の小型、軽量という特徴を十分に生かして、全体
を小型にパツケージングすることができる。しか
もバイモルフ変位素子は片持梁ではなく、両端支
持構造としてその電極面と直交する側面中央部に
固体撮像素子を取付けているため、耐久性に優れ
ており、また固体撮像素子の振動がその受光面の
傾斜を伴うことなく、従つて高性能の撮像動作が
可能である。またバイモルフ変位素子の両端を支
持具を介して直接、パツケージ本体に設けたスリ
ツトに固定しているため、2個のバイモルフ変位
素子の位置合せ精度、平行度も十分高く、これも
高性能化に寄与している。
施例では、電磁駆動方式と異なり、固体撮像素子
の小型、軽量という特徴を十分に生かして、全体
を小型にパツケージングすることができる。しか
もバイモルフ変位素子は片持梁ではなく、両端支
持構造としてその電極面と直交する側面中央部に
固体撮像素子を取付けているため、耐久性に優れ
ており、また固体撮像素子の振動がその受光面の
傾斜を伴うことなく、従つて高性能の撮像動作が
可能である。またバイモルフ変位素子の両端を支
持具を介して直接、パツケージ本体に設けたスリ
ツトに固定しているため、2個のバイモルフ変位
素子の位置合せ精度、平行度も十分高く、これも
高性能化に寄与している。
バイモルフ変位素子の両端支持部はそのまま電
極取出し部を兼ねており、例えばワイヤを用いて
電極取出しを行う場合に比べて、振動によるワイ
ヤの断線といつた事故がない。固体撮像素子の固
定座とパツケージのリード端子の間の接続も、フ
レキシブルプリント基板を利用してワイヤを用い
ない。これらの結果、非常に信頼性が高いものと
なる。
極取出し部を兼ねており、例えばワイヤを用いて
電極取出しを行う場合に比べて、振動によるワイ
ヤの断線といつた事故がない。固体撮像素子の固
定座とパツケージのリード端子の間の接続も、フ
レキシブルプリント基板を利用してワイヤを用い
ない。これらの結果、非常に信頼性が高いものと
なる。
また、固体撮像素子の固定座には軽量のガラス
エポキシ基板を用いており、フレキシブルプリン
ト基板に切欠部を設けたことと相まつてバイモル
フ変位素子の負荷が小さくなつているため、例え
ばセラミツク製固定座を用いた場合に比べて共振
周波数が高いものとなる。試作例では共振周波数
300〜400Hzが得られている。このことは、固体撮
像素子を与える振動周波数の選択範囲が広いこと
を意味するから、固体撮像装置の性能向上に有利
である。
エポキシ基板を用いており、フレキシブルプリン
ト基板に切欠部を設けたことと相まつてバイモル
フ変位素子の負荷が小さくなつているため、例え
ばセラミツク製固定座を用いた場合に比べて共振
周波数が高いものとなる。試作例では共振周波数
300〜400Hzが得られている。このことは、固体撮
像素子を与える振動周波数の選択範囲が広いこと
を意味するから、固体撮像装置の性能向上に有利
である。
また、セラミツクパツケージ本体を吹き抜けの
枠体として、部品を収納して底板、上蓋を取付け
るようにしているため、部品の組立てが容易で作
業性も高い。
枠体として、部品を収納して底板、上蓋を取付け
るようにしているため、部品の組立てが容易で作
業性も高い。
本発明は上記実施例に限られない。例えばセラ
ミツク枠体10は第7図または第8図のような構
造とすることができる。第7図は、相対向するセ
ラミツク板に、厚み方向に貫通するようにスリツ
ト121′〜124′を形成したものである。第1図
に示す実施例ではスリツト121〜124は対向す
るセラミツク板の内壁にのみ形成しているが、こ
のような加工は枠体を組立てる前に行わなければ
ならない。これに対し第7図のようなスリツト構
造は、枠対10を組立てた後にレーザ加工により
形成することができる。このため、スリツトの位
置精度や平行度、従つてバイモルフ変位素子の位
置精度や平行度をより高いものとすることが可能
である。また第8図は、バイモルフ変位素子を支
持固定するためにスリツトの代りに突起14,1
41〜144を設けたものである。これによつて
も、この突起14部分をメタライズしておけば、
バイモルフ変位素子をハンダ付け等により直接枠
体10に支持固定することができる。
ミツク枠体10は第7図または第8図のような構
造とすることができる。第7図は、相対向するセ
ラミツク板に、厚み方向に貫通するようにスリツ
ト121′〜124′を形成したものである。第1図
に示す実施例ではスリツト121〜124は対向す
るセラミツク板の内壁にのみ形成しているが、こ
のような加工は枠体を組立てる前に行わなければ
ならない。これに対し第7図のようなスリツト構
造は、枠対10を組立てた後にレーザ加工により
形成することができる。このため、スリツトの位
置精度や平行度、従つてバイモルフ変位素子の位
置精度や平行度をより高いものとすることが可能
である。また第8図は、バイモルフ変位素子を支
持固定するためにスリツトの代りに突起14,1
41〜144を設けたものである。これによつて
も、この突起14部分をメタライズしておけば、
バイモルフ変位素子をハンダ付け等により直接枠
体10に支持固定することができる。
また上記実施例では、上蓋70の全体を透明と
したが、上蓋は固体撮像素子60の受光面に対向
する領域を含む領域に部分的に透明材料からなる
窓が設けられた構造としてもよい。
したが、上蓋は固体撮像素子60の受光面に対向
する領域を含む領域に部分的に透明材料からなる
窓が設けられた構造としてもよい。
第1図は本発明の一実施例の固体撮像装置を示
す分解斜視図、第2図はそのパツケージを除く部
分の組立て状態を示す図、第3図a,bは同じく
バイモルフ振動子の構成を示す平面図と正面図、
第4図は同じくバイモルフ振動子の支持具を示す
図、第5図は支持具の変形例を示す図、第6図は
フレキシブルプリント配線板の構成を示す図、第
7図および第8図はセラミツク枠体の変形例を示
す図である。 10……セラミツク枠体(パツケージ本体)、
11……リード端子、12,121〜124……ス
リツト、13,131〜134……導体パターン、
20……底板、30a,30b……バイモルフ変
位素子、31a,31b……バイモルフ振動子、
32,321〜324……支持具、40……フレキ
シブルプリント配線板、50……ガラスエポキシ
固定座、60……固体撮像素子、70……上蓋。
す分解斜視図、第2図はそのパツケージを除く部
分の組立て状態を示す図、第3図a,bは同じく
バイモルフ振動子の構成を示す平面図と正面図、
第4図は同じくバイモルフ振動子の支持具を示す
図、第5図は支持具の変形例を示す図、第6図は
フレキシブルプリント配線板の構成を示す図、第
7図および第8図はセラミツク枠体の変形例を示
す図である。 10……セラミツク枠体(パツケージ本体)、
11……リード端子、12,121〜124……ス
リツト、13,131〜134……導体パターン、
20……底板、30a,30b……バイモルフ変
位素子、31a,31b……バイモルフ振動子、
32,321〜324……支持具、40……フレキ
シブルプリント配線板、50……ガラスエポキシ
固定座、60……固体撮像素子、70……上蓋。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 バイモルフ変位素子とこれにより受光面に平
行な方向に所定周期の振動が与えられる固体撮像
素子をパツケージに封入して構成され、前記バイ
モルフ変位素子は長手方向両端がパツケージ本体
に直接支持され、かつその両端支持部を介して電
極がパツケージのリード端子に接続され、前記固
体撮像素子はこのバイモルフ変位素子の中央部に
支持された構成としたことを特徴とする固体撮像
装置。 2 前記バイモルフ変位素子は、電極面を互いに
平行にして2個設けられ、前記固体撮像素子は固
定座を介して両変位素子にまたがるように取付け
られている特許請求の範囲第1項記載の固体撮像
装置。 3 前記バイモルフ変位素子は、一方の主面の電
極を長手方向端面を通つて他方の主面に回し込ん
だ構造のバイモルフ振動子を用い、その長手方向
両端部に電極取出し端子を兼ねた支持具を取付け
て構成されている特許請求の範囲第1項記載の固
体撮像装置。 4 前記支持具は、パツケージ本体に形成された
スリツトに固定され、かつこのスリツトを含む部
分にメタライズされた導体パターンを介してリー
ド端子に電気的に接続されている特許請求の範囲
第3項記載の固体撮像装置。 5 前記固体撮像素子は、フレキシブルプリント
配線板と一体化された固定座に搭載され、その端
子は上記固定座上の導体パターンを介し、上記フ
レキシブルプリント配線板を介してパツケージの
リード端子に接続されている特許請求の範囲第1
項記載の固体撮像装置。 6 前記パツケージは、セラミツク製枠体を本体
として、この枠体にバイモルフ変位素子と固体撮
像素子を組込んで透明材料からなる窓を有する上
蓋をかぶせて封止される特許請求の範囲第1項記
載の固体撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126676A JPS6018958A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 固体撮像装置 |
| US06/629,562 US4634884A (en) | 1983-07-12 | 1984-07-10 | Swing-driven solid-state image sensor |
| DE8484304722T DE3466337D1 (en) | 1983-07-12 | 1984-07-11 | Swing-driven solid-state image sensor |
| EP84304722A EP0132111B1 (en) | 1983-07-12 | 1984-07-11 | Swing-driven solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126676A JPS6018958A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018958A JPS6018958A (ja) | 1985-01-31 |
| JPH0532951B2 true JPH0532951B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=14941096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58126676A Granted JPS6018958A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4634884A (ja) |
| EP (1) | EP0132111B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6018958A (ja) |
| DE (1) | DE3466337D1 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0671324B2 (ja) * | 1987-04-03 | 1994-09-07 | オリンパス光学工業株式会社 | 撮像装置 |
| GB8709916D0 (en) * | 1987-04-27 | 1987-10-21 | Gec Avionics | Imaging systems |
| JPH01251965A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US4947258A (en) * | 1988-10-26 | 1990-08-07 | Array Technologies, Inc. | Image transducing apparatus |
| US4992878A (en) * | 1988-10-26 | 1991-02-12 | Array Technologies, Inc. | Image transducing apparatus using low resolution transducers to achieve high resolution imaging |
| US5063450A (en) * | 1990-11-28 | 1991-11-05 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for preventing aliasing in an electronic still camera |
| US5214513A (en) * | 1991-07-11 | 1993-05-25 | Eastman Kodak Company | Apparatus for imparting motion to a solid-state image sensor |
| US5489994A (en) * | 1993-10-29 | 1996-02-06 | Eastman Kodak Company | Integrated apertures on a full frame CCD image sensor |
| DE19502045C2 (de) * | 1995-01-12 | 1998-01-08 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Vorrichtung zur Kompensation von Bildverwaschungen |
| JPH10105243A (ja) | 1996-09-10 | 1998-04-24 | Hewlett Packard Co <Hp> | 位置決め機構、位置決め装置及び情報記録装置 |
| US6351288B1 (en) | 1997-06-27 | 2002-02-26 | Eastman Kodak Company | Sensor tilt control for a digital camera |
| JP4405062B2 (ja) | 2000-06-16 | 2010-01-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 固体撮像装置 |
| JP2002218328A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Ricoh Co Ltd | 画像入力装置、画像入力方法、およびその方法を実行するためのプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記録媒体 |
| JP2003274294A (ja) | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| US7214919B2 (en) * | 2005-02-08 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units |
| JP4508010B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | 撮像素子駆動装置およびそれを用いた撮影装置 |
| US8482664B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-07-09 | Magna Electronics Inc. | Compact camera and cable system for vehicular applications |
| EP2385698A3 (en) * | 2010-04-30 | 2012-01-04 | Honda Motor Co., Ltd. | Imaging apparatus, imaging method, and imaging program |
| WO2012145501A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Magna Electronics Inc. | Angular filter for vehicle mounted camera |
| WO2013019795A1 (en) | 2011-08-02 | 2013-02-07 | Magna Electronics Inc. | Vehicular camera system |
| US9871971B2 (en) | 2011-08-02 | 2018-01-16 | Magma Electronics Inc. | Vehicle vision system with light baffling system |
| US9524996B2 (en) * | 2013-03-19 | 2016-12-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Image sensor including a casing to seal the optical system |
| US20140313337A1 (en) * | 2013-04-23 | 2014-10-23 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with fastenerless lens attachment |
| US9896039B2 (en) | 2014-05-09 | 2018-02-20 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with forward viewing camera |
| JP1553847S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553417S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553413S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553846S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553845S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553414S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553412S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| JP1553848S (ja) * | 2015-06-18 | 2016-07-11 | ||
| US9986136B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-05-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicle camera with single point imager fixation to lens holder |
| US10652437B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-05-12 | Magna Electronics Inc. | Vehicle camera with aluminum extruded body |
| US12208739B2 (en) | 2022-01-13 | 2025-01-28 | Magna Electronics Inc. | Vehicular camera assembly process with enhanced attachment of imager assembly at camera housing |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2849749C2 (de) * | 1978-11-16 | 1985-01-24 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum spalten- und/oder zeilenweisen Abtasten bzw. Adressieren von flächenhaft ausgebildeten elektrooptischen Wandlern |
| US4543601A (en) * | 1981-12-25 | 1985-09-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Solid state image sensor with high resolution |
| US4554586A (en) * | 1982-05-12 | 1985-11-19 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Solid state image sensing device |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP58126676A patent/JPS6018958A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-10 US US06/629,562 patent/US4634884A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-11 EP EP84304722A patent/EP0132111B1/en not_active Expired
- 1984-07-11 DE DE8484304722T patent/DE3466337D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0132111B1 (en) | 1987-09-16 |
| JPS6018958A (ja) | 1985-01-31 |
| DE3466337D1 (en) | 1987-10-22 |
| EP0132111A1 (en) | 1985-01-23 |
| US4634884A (en) | 1987-01-06 |
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