JPH05330913A - レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス - Google Patents
レーザ用多結晶透明y2o3セラミックスInfo
- Publication number
- JPH05330913A JPH05330913A JP4138775A JP13877592A JPH05330913A JP H05330913 A JPH05330913 A JP H05330913A JP 4138775 A JP4138775 A JP 4138775A JP 13877592 A JP13877592 A JP 13877592A JP H05330913 A JPH05330913 A JP H05330913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- single crystal
- porosity
- ceramics
- lif
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 abstract description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910004369 ThO2 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000311 lanthanide oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のYAGに代表される固体レーザ用単結
晶ではなく、透明度の優れた多結晶Y2 O3 セラミック
スを本分野に応用することによって、単結晶の構造上の
欠点や製造された素材そのものの欠点を回避すると同時
に単結晶には不可能である技術を提供する。 【構成】 ThO2 ,HfO2 ,ZrO2 ,Li2 O,
LiF,BeO及びAl2 O3 の一種以上とランタニド
元素の一種以上とを含有し、焼結体の平均粒子径が5〜
3000μmの範囲で且つ気孔率を1%以下としたレー
ザ用多結晶透明Y2 O3 セラミックス。
晶ではなく、透明度の優れた多結晶Y2 O3 セラミック
スを本分野に応用することによって、単結晶の構造上の
欠点や製造された素材そのものの欠点を回避すると同時
に単結晶には不可能である技術を提供する。 【構成】 ThO2 ,HfO2 ,ZrO2 ,Li2 O,
LiF,BeO及びAl2 O3 の一種以上とランタニド
元素の一種以上とを含有し、焼結体の平均粒子径が5〜
3000μmの範囲で且つ気孔率を1%以下としたレー
ザ用多結晶透明Y2 O3 セラミックス。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ発振素子として
好適に使用されるレーザ用多結晶透明Y2 O3 セラミッ
クスに関する。
好適に使用されるレーザ用多結晶透明Y2 O3 セラミッ
クスに関する。
【0002】
【従来の技術】YAG(イットリウ・アルミニウム・ガ
ーネット)に代表される固体レーザは、その市場の約9
5%を占める重要な材料である。本レーザの利用分野と
しては半導体の微細加工、鋼材やセラミックスの切断及
び熱処理、医療用レーザメス等多岐に応用され、近年で
はSHG(第二高調波)素子を用いて波長変換したグリ
ーンやブルーレーザを、光磁気記録材料の書込み操作に
利用することも行なわれている。
ーネット)に代表される固体レーザは、その市場の約9
5%を占める重要な材料である。本レーザの利用分野と
しては半導体の微細加工、鋼材やセラミックスの切断及
び熱処理、医療用レーザメス等多岐に応用され、近年で
はSHG(第二高調波)素子を用いて波長変換したグリ
ーンやブルーレーザを、光磁気記録材料の書込み操作に
利用することも行なわれている。
【0003】ところでYAGは発光に関与する元素とし
て、Ndやその他の発光元素を添加したものが、チョコ
ラルスキー法にて製造されているが、これらは全て単結
晶となっている。
て、Ndやその他の発光元素を添加したものが、チョコ
ラルスキー法にて製造されているが、これらは全て単結
晶となっている。
【0004】このような方法で単結晶YAGを製造する
場合、育成温度として約2000℃を必要とし、かつ育
成速度が0.2〜0.3mm/hrと極めて遅い。この
ことから1本の単結晶を製造するのに約1ケ月を要し、
且つ製造された単結晶YAGの発光元素が均一とはなり
難い。特にNd元素を添加するものに限っては単結晶を
育成する際、ホスト材料中の発光元素を均一に分散させ
ることが難しいばかりでなく、その濃度も1原子%程度
が限界となっている。このことからたとえ単結晶YAG
を製造したとしても、レーザ材料として使用できるのは
ごく一部である。また単結晶育成技術では極めて高価な
イリジウム坩堝が必要なため、製造される単結晶YAG
が高価であることは勿論、生産性の面でも十分満足すべ
きものではないのが現状である。
場合、育成温度として約2000℃を必要とし、かつ育
成速度が0.2〜0.3mm/hrと極めて遅い。この
ことから1本の単結晶を製造するのに約1ケ月を要し、
且つ製造された単結晶YAGの発光元素が均一とはなり
難い。特にNd元素を添加するものに限っては単結晶を
育成する際、ホスト材料中の発光元素を均一に分散させ
ることが難しいばかりでなく、その濃度も1原子%程度
が限界となっている。このことからたとえ単結晶YAG
を製造したとしても、レーザ材料として使用できるのは
ごく一部である。また単結晶育成技術では極めて高価な
イリジウム坩堝が必要なため、製造される単結晶YAG
が高価であることは勿論、生産性の面でも十分満足すべ
きものではないのが現状である。
【0005】一方、YAG等のガーネット構造を有する
単結晶以外の注目されるレーザ用単結晶としてY2 O3
も挙げられるが、この結晶は融点が2400℃と極めて
高温であることから、レーザ用単結晶育成技術として不
向きなベルヌイ法に依存しなければならない。このた
め、実用的な高品位の単結晶が製造できないばかりでな
く、その大きさには制限(相転移があるためにせいぜい
直径1cm程度)もあることから、前述したガーネット
構造を有する結晶が常用されている。
単結晶以外の注目されるレーザ用単結晶としてY2 O3
も挙げられるが、この結晶は融点が2400℃と極めて
高温であることから、レーザ用単結晶育成技術として不
向きなベルヌイ法に依存しなければならない。このた
め、実用的な高品位の単結晶が製造できないばかりでな
く、その大きさには制限(相転移があるためにせいぜい
直径1cm程度)もあることから、前述したガーネット
構造を有する結晶が常用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、従来のYAGに代表される固体レーザ用単結晶で
はなく、透明度の優れた多結晶Y2 O3 セラミックスを
本分野に応用することによって、単結晶の構造上の欠点
や製造された素材そのものの欠点を回避すると同時に単
結晶には不可能である技術を提供することにある。
題は、従来のYAGに代表される固体レーザ用単結晶で
はなく、透明度の優れた多結晶Y2 O3 セラミックスを
本分野に応用することによって、単結晶の構造上の欠点
や製造された素材そのものの欠点を回避すると同時に単
結晶には不可能である技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、ThO2 ,H
fO2 ,ZrO2 ,Li2 O,LiF,BeO及びAl
2 O3 の一種以上とランタニド元素の一種以上とを含有
し、焼結体の平均粒子径が5〜3000μmの範囲で且
つ気孔率が1%以下とすることで上記課題を解決した。
fO2 ,ZrO2 ,Li2 O,LiF,BeO及びAl
2 O3 の一種以上とランタニド元素の一種以上とを含有
し、焼結体の平均粒子径が5〜3000μmの範囲で且
つ気孔率が1%以下とすることで上記課題を解決した。
【0008】この焼結体は、固相法、すなわちY2 O3
とその他の酸化物成分を各々混合する方法以外に、アル
コキシド法、共沈法、均一沈澱法等によって得られる原
料を用いて得ることもできる。
とその他の酸化物成分を各々混合する方法以外に、アル
コキシド法、共沈法、均一沈澱法等によって得られる原
料を用いて得ることもできる。
【0009】例えば固相法の場合、粒径1μm以下、純
度99.9重量%以上のY2 O3 粉末に焼結助剤(Th
O2 ,HfO2 ,ZrO2 ,Li2 O,LiF,Be
O,Al2 O3 )の一種と、同じく1μm以下のランタ
ニド元素の酸化物(La2 O3,CeO2 、Pr
6 O11,Nd2 O3 ,Pm2 O3 ,Sm2 O3 ,Eu2
O3 ,Gd2 O3 ,Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O
3 ,Er2 O3 、Tm2 O3 ,Yb2 O3 ,Lu
2 O3 )を適量加える。発光元素の添加量方法は、その
濃度によって適当な手段をとればよい。例えば微量添加
の場合にはアルコキシド法や硝酸塩等の熱分解反応によ
り生じる酸化物を塩化源とすることもできる。
度99.9重量%以上のY2 O3 粉末に焼結助剤(Th
O2 ,HfO2 ,ZrO2 ,Li2 O,LiF,Be
O,Al2 O3 )の一種と、同じく1μm以下のランタ
ニド元素の酸化物(La2 O3,CeO2 、Pr
6 O11,Nd2 O3 ,Pm2 O3 ,Sm2 O3 ,Eu2
O3 ,Gd2 O3 ,Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O
3 ,Er2 O3 、Tm2 O3 ,Yb2 O3 ,Lu
2 O3 )を適量加える。発光元素の添加量方法は、その
濃度によって適当な手段をとればよい。例えば微量添加
の場合にはアルコキシド法や硝酸塩等の熱分解反応によ
り生じる酸化物を塩化源とすることもできる。
【0010】Y2 O3 を主原料としてこれらの酸化物を
目的の組成となるように秤量し、エチルアルコール等の
有機溶媒を加えてポットミル中で混合する。この混合し
た粉末を乾燥後一軸プレスまたはCIP(コールド・ア
イソスタティック・プレス)等で成形して焼結する。焼
結の方法は、真空焼結、雰囲気焼結(水素や酸素等の雰
囲気)、HP(ホットプレス)やHIP(ホットアイソ
スタティックプレス)等の従来法を使用することができ
るが、焼結体の粒子が組成的、組織的に均一であり、そ
の結果として焼結体の透明度が優れているものが好まし
い。真空焼結や雰囲気焼結の場合は1700〜2270
℃で、HP、HIPの場合は1400〜2200℃の温
度範囲で適切な時間焼結することによって目的とする焼
結体が得られる。
目的の組成となるように秤量し、エチルアルコール等の
有機溶媒を加えてポットミル中で混合する。この混合し
た粉末を乾燥後一軸プレスまたはCIP(コールド・ア
イソスタティック・プレス)等で成形して焼結する。焼
結の方法は、真空焼結、雰囲気焼結(水素や酸素等の雰
囲気)、HP(ホットプレス)やHIP(ホットアイソ
スタティックプレス)等の従来法を使用することができ
るが、焼結体の粒子が組成的、組織的に均一であり、そ
の結果として焼結体の透明度が優れているものが好まし
い。真空焼結や雰囲気焼結の場合は1700〜2270
℃で、HP、HIPの場合は1400〜2200℃の温
度範囲で適切な時間焼結することによって目的とする焼
結体が得られる。
【0011】LiF、ThO2 、HfO2 等の酸化物成
分は、その量が適切である限り、焼結体の微構造を大幅
に改善することから、材料の透明度(ホスト材料の透明
度)を著しく向上させ、レーザ発振が可能となる。Li
2 O,LiF,BeO及びAl2 O3 の酸化物やフッ化
物等は、d,f電子等の電子構造がないため、これら元
素を添加してもレーザの発振には殆ど影響がない。ま
た、ThO2 ,HfO2及びZrO2 等の元素は、d,
f電子は存在するものの、レーザ発光に関与するバンド
がないために添加による悪影響はない。添加量について
は、Y2 O3 とランタニド酸化物の合量に対して、Th
O2 は0.1〜10重量%、HfO2 は0.05〜5重
量%、ZrO2 は0.01〜4.0重量%、Li2 Oは
0.5〜5重量%、LiFは0.1〜5.0重量%、B
eOは0.01〜1.0重量%、Al2 O3 は0.01
〜1.0重量%の範囲で、単独あるいはこれらを適当に
組み合わせて添加してもよい。これらの元素は添加し焼
結する際にY2 O3 格子中に入るが、Alを除きいずれ
もイオン化された状態ではYと電荷が異なる。この電荷
(価数)の差はY2 O3 の格子欠陥、例えばカチオンや
アニオンサイトの欠陥を生じることとなるので、単独添
加ではできるだけその量を少なくすることが重要で、複
数添加する場合は、これらの欠陥を回避する様に組み合
わせる(例えば4価のThと1価のLiを組合せ、見掛
け上3価に近いようにする)ことが重要である。このこ
とにより欠陥構造の生成をより低減させることができ、
光学的性質をさらに向上させることができる。また、ラ
ンタニド元素中でLa及びGdは、レーザ発振に関与す
る活性元素とはならないが、これらはLiFやThO2
などと同様に透明な焼結体を作成する上で重要な元素と
成りうる。
分は、その量が適切である限り、焼結体の微構造を大幅
に改善することから、材料の透明度(ホスト材料の透明
度)を著しく向上させ、レーザ発振が可能となる。Li
2 O,LiF,BeO及びAl2 O3 の酸化物やフッ化
物等は、d,f電子等の電子構造がないため、これら元
素を添加してもレーザの発振には殆ど影響がない。ま
た、ThO2 ,HfO2及びZrO2 等の元素は、d,
f電子は存在するものの、レーザ発光に関与するバンド
がないために添加による悪影響はない。添加量について
は、Y2 O3 とランタニド酸化物の合量に対して、Th
O2 は0.1〜10重量%、HfO2 は0.05〜5重
量%、ZrO2 は0.01〜4.0重量%、Li2 Oは
0.5〜5重量%、LiFは0.1〜5.0重量%、B
eOは0.01〜1.0重量%、Al2 O3 は0.01
〜1.0重量%の範囲で、単独あるいはこれらを適当に
組み合わせて添加してもよい。これらの元素は添加し焼
結する際にY2 O3 格子中に入るが、Alを除きいずれ
もイオン化された状態ではYと電荷が異なる。この電荷
(価数)の差はY2 O3 の格子欠陥、例えばカチオンや
アニオンサイトの欠陥を生じることとなるので、単独添
加ではできるだけその量を少なくすることが重要で、複
数添加する場合は、これらの欠陥を回避する様に組み合
わせる(例えば4価のThと1価のLiを組合せ、見掛
け上3価に近いようにする)ことが重要である。このこ
とにより欠陥構造の生成をより低減させることができ、
光学的性質をさらに向上させることができる。また、ラ
ンタニド元素中でLa及びGdは、レーザ発振に関与す
る活性元素とはならないが、これらはLiFやThO2
などと同様に透明な焼結体を作成する上で重要な元素と
成りうる。
【0012】
【作用】固体レーザとして用いるためには、焼結体の密
度が理論密度の99.0%以上(気孔率では1%以下)
でかつ多結晶体を構成する粒子の平均粒子径が5〜30
00μmの範囲であることが必要である。焼結体の密度
が理論密度の99.0%未満であれば、光の透過率が極
端に低下する。焼結体の相対密度に関しては、同じ化学
組成の単結晶と多結晶を学振法又はX線法により測定し
た両者の密度を比較することで求められる。それ以外の
方法としては焼結体内部に存在する気孔を顕微鏡やSE
M等で表面観察した画像を解析することによっても求め
られる。焼結体の粒子径が3000μmを超えると、発
光元素を均一に固溶できなかったり、粒界部に発光元素
が偏析したりして光学的に透明なものとはなりにくく、
5μm未満であると実用に供するだけの透明度が得られ
ない。
度が理論密度の99.0%以上(気孔率では1%以下)
でかつ多結晶体を構成する粒子の平均粒子径が5〜30
00μmの範囲であることが必要である。焼結体の密度
が理論密度の99.0%未満であれば、光の透過率が極
端に低下する。焼結体の相対密度に関しては、同じ化学
組成の単結晶と多結晶を学振法又はX線法により測定し
た両者の密度を比較することで求められる。それ以外の
方法としては焼結体内部に存在する気孔を顕微鏡やSE
M等で表面観察した画像を解析することによっても求め
られる。焼結体の粒子径が3000μmを超えると、発
光元素を均一に固溶できなかったり、粒界部に発光元素
が偏析したりして光学的に透明なものとはなりにくく、
5μm未満であると実用に供するだけの透明度が得られ
ない。
【0013】また、焼結体の透明度はレーザ発振させた
場合の発振効率と密接な関係があることからできるだけ
高いことが望ましい。この値は母材内部での吸収損失を
表す光吸収係数で表現できる。すなわち、ランバート・
ベールの法則、log(Io/I)=αd 〔ここで、
Io :入射光強度,I:透過光強度(試料を透過した光
の強度) ,α:光吸収係数,d:試料厚さ〕におけるα
の値が0.204cm-1以下、好ましくは0.125c
m-1以下に止める必要がある。この光吸収係数は、光が
ある一定厚さの試料を通過したときに生じる光吸収損失
である。例えば、厚さ10mmの試料に直線光を照射し
た場合、その内部損失は30%以下でなければならな
い。この意味は、表面の加工精度が同一の試料におい
て、厚さ1mmと11mmの試料の直線透過率の差異が
30%以内ということである。これ以上母材内部での吸
収損失が大きいと、光の増幅分より吸収損失が大きくな
るためレーザ発振しないばかりでなく、場合によっては
母材の破壊にまで至る。母材の吸収損失については発光
元素の吸収がない可視波長領域(または測定波長に対す
る透過率のバックグラウンドレベル)で、試料の厚さに
対して透過率をプロットしたときの傾きによって求めら
れる。レーザ発振効率は母材の透明度に依存する傾向と
の予測はできるが、より好ましくはその値が20%以下
(α値で表現すればα=0.125cm-1以下)のロス
に止めることが肝要である。また、透過率の絶対値につ
いても(試料の面粗さが0.1μm以下のものに限っ
て)厚さ1mmの試料が400〜900nmの波長範囲
で、発光元素等の吸収を除く部分の透過率が75%以上
であることも必要である。
場合の発振効率と密接な関係があることからできるだけ
高いことが望ましい。この値は母材内部での吸収損失を
表す光吸収係数で表現できる。すなわち、ランバート・
ベールの法則、log(Io/I)=αd 〔ここで、
Io :入射光強度,I:透過光強度(試料を透過した光
の強度) ,α:光吸収係数,d:試料厚さ〕におけるα
の値が0.204cm-1以下、好ましくは0.125c
m-1以下に止める必要がある。この光吸収係数は、光が
ある一定厚さの試料を通過したときに生じる光吸収損失
である。例えば、厚さ10mmの試料に直線光を照射し
た場合、その内部損失は30%以下でなければならな
い。この意味は、表面の加工精度が同一の試料におい
て、厚さ1mmと11mmの試料の直線透過率の差異が
30%以内ということである。これ以上母材内部での吸
収損失が大きいと、光の増幅分より吸収損失が大きくな
るためレーザ発振しないばかりでなく、場合によっては
母材の破壊にまで至る。母材の吸収損失については発光
元素の吸収がない可視波長領域(または測定波長に対す
る透過率のバックグラウンドレベル)で、試料の厚さに
対して透過率をプロットしたときの傾きによって求めら
れる。レーザ発振効率は母材の透明度に依存する傾向と
の予測はできるが、より好ましくはその値が20%以下
(α値で表現すればα=0.125cm-1以下)のロス
に止めることが肝要である。また、透過率の絶対値につ
いても(試料の面粗さが0.1μm以下のものに限っ
て)厚さ1mmの試料が400〜900nmの波長範囲
で、発光元素等の吸収を除く部分の透過率が75%以上
であることも必要である。
【0014】また、発光元素の均一性は焼結体で固体レ
ーザ材料を作製する際の最も大きな利点であり、特に大
型形状の大出力レーザを目的とした場合に重要な技術と
なる。その均一度については、焼結体を構成する各々の
粒子の80%以上が、濃度差が±15%の範囲(例えば
2原子%の発光元素を含むものは2±0.3%の範囲)
にあることが必要である。その濃度分布については、焼
結体の粒子の50個程度、少なくとも20個程度の粒子
をランダムに分析することによって判定する。焼結体中
の発光元素の濃度分布はEDX(エネルギー分散型X線
分光器)やIMA(イオンマイクロアナライザー)など
の微小領域を計測する機器分析装置によって容易に測定
できる。
ーザ材料を作製する際の最も大きな利点であり、特に大
型形状の大出力レーザを目的とした場合に重要な技術と
なる。その均一度については、焼結体を構成する各々の
粒子の80%以上が、濃度差が±15%の範囲(例えば
2原子%の発光元素を含むものは2±0.3%の範囲)
にあることが必要である。その濃度分布については、焼
結体の粒子の50個程度、少なくとも20個程度の粒子
をランダムに分析することによって判定する。焼結体中
の発光元素の濃度分布はEDX(エネルギー分散型X線
分光器)やIMA(イオンマイクロアナライザー)など
の微小領域を計測する機器分析装置によって容易に測定
できる。
【0015】レーザは元来フラッシュランプまたはLD
(レーザダイオード)で材料内部に存在する発光元素を
励起させ、これを連続して増幅することから強力なレー
ザ光が発振できる。ここで、多結晶セラミックスのよう
な粒界がある材料を励起させ、レーザ発振する場合、粒
子内部で増幅されたレーザ光が粒界部で損失(異相や結
晶欠陥等に起因する減衰)するため、多結晶体でレーザ
発振することは不可能と考えるのが一般的である。また
仮にレーザ発振したとしても、粒界部の光損失が大きい
はずであり、単結晶材料に比べ特性劣化が著しいと予測
されることから固体レーザ材料はすべて単結晶であるべ
きと考えられており、現状もその通りとなっている。多
結晶体は溶融しないため、粒子内部の結晶欠陥(格子欠
陥)のレベルは元来単結晶より低くなるはずであるが、
焼結過程で完璧に近い物質移動が起きにくいため粒子内
部に組織的または結晶構造的欠陥を残すこととなる。し
かしこのような不都合を回避すれば、多結晶セラミック
スの粒子内部の光学的特性は単結晶を上回り、レーザの
増幅能力は高くなる。従って焼結性の極めて良好なY2
O3 粉末を使用することが本セラミックスを製作する上
でのキーテクノロジーとなる。また、焼結体の粒界部で
の光損失については否定できないが、その損失を極力低
減させることによって実用に十分耐えうるものとなる。
また、レーザ材料としての特性はこの透過率だけが全て
でなく、発光元素の均一性、ホスト材料中の発光元素濃
度、材料の歪みなど様々な因子があり、透明度を除くそ
の他の要因については多結晶体の方が単結晶体よりも優
れている可能性が高いことから、特性全体から考えれば
同等または単結晶を凌駕するものが存在する。例えば材
料の歪みに関して、ベルヌイ法で作成された単結晶では
結晶育成時及び育成された結晶が冷却される場合に、2
280℃付近に存在する相転移(立方晶と六方晶)の影
響で偏光板を通して観察したときにかなりの残留歪み
や、場合によっては微小クラックが確認できるが、多結
晶体ではこのようなものは殆ど検出できないなどの優れ
た特徴を有する。
(レーザダイオード)で材料内部に存在する発光元素を
励起させ、これを連続して増幅することから強力なレー
ザ光が発振できる。ここで、多結晶セラミックスのよう
な粒界がある材料を励起させ、レーザ発振する場合、粒
子内部で増幅されたレーザ光が粒界部で損失(異相や結
晶欠陥等に起因する減衰)するため、多結晶体でレーザ
発振することは不可能と考えるのが一般的である。また
仮にレーザ発振したとしても、粒界部の光損失が大きい
はずであり、単結晶材料に比べ特性劣化が著しいと予測
されることから固体レーザ材料はすべて単結晶であるべ
きと考えられており、現状もその通りとなっている。多
結晶体は溶融しないため、粒子内部の結晶欠陥(格子欠
陥)のレベルは元来単結晶より低くなるはずであるが、
焼結過程で完璧に近い物質移動が起きにくいため粒子内
部に組織的または結晶構造的欠陥を残すこととなる。し
かしこのような不都合を回避すれば、多結晶セラミック
スの粒子内部の光学的特性は単結晶を上回り、レーザの
増幅能力は高くなる。従って焼結性の極めて良好なY2
O3 粉末を使用することが本セラミックスを製作する上
でのキーテクノロジーとなる。また、焼結体の粒界部で
の光損失については否定できないが、その損失を極力低
減させることによって実用に十分耐えうるものとなる。
また、レーザ材料としての特性はこの透過率だけが全て
でなく、発光元素の均一性、ホスト材料中の発光元素濃
度、材料の歪みなど様々な因子があり、透明度を除くそ
の他の要因については多結晶体の方が単結晶体よりも優
れている可能性が高いことから、特性全体から考えれば
同等または単結晶を凌駕するものが存在する。例えば材
料の歪みに関して、ベルヌイ法で作成された単結晶では
結晶育成時及び育成された結晶が冷却される場合に、2
280℃付近に存在する相転移(立方晶と六方晶)の影
響で偏光板を通して観察したときにかなりの残留歪み
や、場合によっては微小クラックが確認できるが、多結
晶体ではこのようなものは殆ど検出できないなどの優れ
た特徴を有する。
【0016】また、Ndを含有した単結晶Y2 O3 は、
Ndの濃度分布もレーザ用結晶としては充分に均一とは
言えず、またその濃度にも限度がある。焼結による多結
晶Y2 O3 セラミックスの場合であればそのNd濃度は
任意に選択でき、しかもその分布は極めて均一なものと
なる。このことから、小型・ハイパワー等の特徴を有す
る新型固体レーザへの応用、焼結法ならではの大型レー
ザ作製可能の利点を活かせば大出力レーザとしての応用
が考えられる。
Ndの濃度分布もレーザ用結晶としては充分に均一とは
言えず、またその濃度にも限度がある。焼結による多結
晶Y2 O3 セラミックスの場合であればそのNd濃度は
任意に選択でき、しかもその分布は極めて均一なものと
なる。このことから、小型・ハイパワー等の特徴を有す
る新型固体レーザへの応用、焼結法ならではの大型レー
ザ作製可能の利点を活かせば大出力レーザとしての応用
が考えられる。
【0017】
【実施例】表1にY2 O3 セラミックスをホストとし
て、これに種々の発光元素やLa,Li等の元素を添加
したものを、LDやキセノンフラッシュランプで励起し
たときの発振特性を示した。
て、これに種々の発光元素やLa,Li等の元素を添加
したものを、LDやキセノンフラッシュランプで励起し
たときの発振特性を示した。
【0018】実施例として、純度99.9重量%で粒径
0.5μm以下のY2 O3 粉末と、LiF,ThO2 の
一種以上と、純度99.9重量%で粒径0.5μm以下
のランタニド元素の酸化物を合量150g秤量し、ポッ
トミル中へそれぞれの粉末とエチルアルコール300c
c、さらに鋼球芯入りプラスチックボール500gを入
れ、24時間混合した。混合した粉末を500mmHg
の減圧下で乾燥し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再混合し
た。
0.5μm以下のY2 O3 粉末と、LiF,ThO2 の
一種以上と、純度99.9重量%で粒径0.5μm以下
のランタニド元素の酸化物を合量150g秤量し、ポッ
トミル中へそれぞれの粉末とエチルアルコール300c
c、さらに鋼球芯入りプラスチックボール500gを入
れ、24時間混合した。混合した粉末を500mmHg
の減圧下で乾燥し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再混合し
た。
【0019】この粉末を直径50mm、高さ15mmの
タブレットに仮成形後、1000kg/cm2 の圧力で
ラバープレスした。
タブレットに仮成形後、1000kg/cm2 の圧力で
ラバープレスした。
【0020】この成形体を電気炉に入れ、100°C/
hrで昇温し、所定温度で焼成後、100°C/hrで
冷却した。得られた焼結体から直径6mm、厚さ10m
mの試料を作成し、両面の面粗さを5nm、平坦度を1
/8λに仕上げた。
hrで昇温し、所定温度で焼成後、100°C/hrで
冷却した。得られた焼結体から直径6mm、厚さ10m
mの試料を作成し、両面の面粗さを5nm、平坦度を1
/8λに仕上げた。
【0021】表1は、発光元素の添加量、及び焼結時間
やその温度を変えることによって、焼結体の平均粒径を
変化させたものである。
やその温度を変えることによって、焼結体の平均粒径を
変化させたものである。
【0022】
【表1】 表2は比較例を示し、発光元素として、ベルヌイ法で育
成した、1原子%のNdを含んだY2 O3 単結晶、及び
特許請求の範囲外の平均粒子径及び相対密度を有する多
結晶Y2 O3 の発振特性を示す。
成した、1原子%のNdを含んだY2 O3 単結晶、及び
特許請求の範囲外の平均粒子径及び相対密度を有する多
結晶Y2 O3 の発振特性を示す。
【0023】
【表2】 表1の実施例1〜6の試験結果より、Ndのみを発光元
素として添加した場合、その濃度上昇に伴ってレーザ出
力が高くなっていることが判る。実施例4の1原子%N
d添加の多結晶Y2 O3 の発振効率は25.0%で、比
較例1として示す同じNd濃度の単結晶Y2 O3 の出力
106mW、発振効率が15.1%に比べレーザ出力が
高くなっているのが判る。実施例5,6の高濃度Ndタ
イプのものは、濃度消光によってNd濃度に比例して出
力が増加していないものの、比較例1の2〜3倍の高出
力のレーザとなっている。また実施例7〜11は、Nd
以外またNdと他のランタニド元素を添加した例を示し
ているが、いずれもかなり高いレベルのレーザ発振をし
ているのが判る。ここに示した実施例においては相対密
度が、特許請求の範囲にあるものばかりである。また粒
径の影響については実施例1〜3に示しているが、いず
れの場合も強くレーザ発振しており、この中では平均粒
子径220μmの実施例2が最も発振効率がよい。
素として添加した場合、その濃度上昇に伴ってレーザ出
力が高くなっていることが判る。実施例4の1原子%N
d添加の多結晶Y2 O3 の発振効率は25.0%で、比
較例1として示す同じNd濃度の単結晶Y2 O3 の出力
106mW、発振効率が15.1%に比べレーザ出力が
高くなっているのが判る。実施例5,6の高濃度Ndタ
イプのものは、濃度消光によってNd濃度に比例して出
力が増加していないものの、比較例1の2〜3倍の高出
力のレーザとなっている。また実施例7〜11は、Nd
以外またNdと他のランタニド元素を添加した例を示し
ているが、いずれもかなり高いレベルのレーザ発振をし
ているのが判る。ここに示した実施例においては相対密
度が、特許請求の範囲にあるものばかりである。また粒
径の影響については実施例1〜3に示しているが、いず
れの場合も強くレーザ発振しており、この中では平均粒
子径220μmの実施例2が最も発振効率がよい。
【0024】表2に示す比較例2,3は、焼結体の粒度
が特許請求の範囲外のもの、比較例4は密度が特許請求
の範囲外のもので、いずれもレーザ発振しないかまたは
発振してもその効率が極端に低下した。
が特許請求の範囲外のもの、比較例4は密度が特許請求
の範囲外のもので、いずれもレーザ発振しないかまたは
発振してもその効率が極端に低下した。
【0025】
【発明の効果】本発明により多結晶透明Y2 O3 セラミ
ックスを用いてレーザの発振が可能となった。材料特性
上発光元素(特にNd)の高濃度化ができる発光元
素が均一となる材料の大型化が図れるなどの特徴を有
するものとなる。また、Ndを含んだYAG単結晶はレ
ーザの蛍光スペクトル幅が狭いことによる低いエネルギ
ー蓄積能(高い利得)が特徴であり、またNdを添加し
たガラスレーザはスペクトル幅が広いことによる低い利
得が特徴となっている。現在実用化されているこれらの
材料では、高いスペクトルピークと高い平均出力の両者
を満足できていない。本発明のY2 O3 セラミックスは
両者の中間的特性があり、この特徴を活かせば新規な応
用が始まる可能性が高い。従って、工業的には通常の固
体レーザとしての用途に適する以外に、レーザの小型化
や高出力化が可能となることから、最近話題となってい
るマイクロチップレーザとしての用途の拡大、更には大
型・均一化、更には高出力化が図れるメリットを利用し
て、レーザ加工やレーザ核融合などに応用が期待され
る。
ックスを用いてレーザの発振が可能となった。材料特性
上発光元素(特にNd)の高濃度化ができる発光元
素が均一となる材料の大型化が図れるなどの特徴を有
するものとなる。また、Ndを含んだYAG単結晶はレ
ーザの蛍光スペクトル幅が狭いことによる低いエネルギ
ー蓄積能(高い利得)が特徴であり、またNdを添加し
たガラスレーザはスペクトル幅が広いことによる低い利
得が特徴となっている。現在実用化されているこれらの
材料では、高いスペクトルピークと高い平均出力の両者
を満足できていない。本発明のY2 O3 セラミックスは
両者の中間的特性があり、この特徴を活かせば新規な応
用が始まる可能性が高い。従って、工業的には通常の固
体レーザとしての用途に適する以外に、レーザの小型化
や高出力化が可能となることから、最近話題となってい
るマイクロチップレーザとしての用途の拡大、更には大
型・均一化、更には高出力化が図れるメリットを利用し
て、レーザ加工やレーザ核融合などに応用が期待され
る。
【0026】また、経済性を考慮しても、従来の単結晶
育成技術で不可欠である高価な単結晶育成装置が不要と
なる。その他、焼結法では素材の焼結に必要な温度はそ
の融点より低く、また焼結時間も数〜数十時間程度であ
るので合成に消費される電力量も格段に少ない。更には
一台の焼結炉でたくさんの焼結体が作製できることやニ
アネットシェイプ技術で素材を使用する形状に近いまま
効率良く作製できるので、コスト、量産、経済性(希土
類資源の有効利用や電力費削減)等の利点がある。
育成技術で不可欠である高価な単結晶育成装置が不要と
なる。その他、焼結法では素材の焼結に必要な温度はそ
の融点より低く、また焼結時間も数〜数十時間程度であ
るので合成に消費される電力量も格段に少ない。更には
一台の焼結炉でたくさんの焼結体が作製できることやニ
アネットシェイプ技術で素材を使用する形状に近いまま
効率良く作製できるので、コスト、量産、経済性(希土
類資源の有効利用や電力費削減)等の利点がある。
Claims (1)
- 【請求項1】 ThO2 ,HfO2 ,ZrO2 ,Li2
O,LiF,BeO及びAl2 O3 の一種以上とランタ
ニド元素の一種以上とを含有し、焼結体の平均粒子径が
5〜3000μmの範囲で且つ気孔率が1%以下である
レーザ用多結晶透明Y2 O3 セラミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138775A JPH05330913A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138775A JPH05330913A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05330913A true JPH05330913A (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=15229910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4138775A Pending JPH05330913A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05330913A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007063069A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 透光性イットリア焼結体およびその製造方法 |
| EP1336596A4 (en) * | 2001-07-05 | 2007-05-23 | Konoshima Chemical | RARE EARTH OXIDE FRITTE TRANSLUCENT ARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| JP2008143726A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Japan Fine Ceramics Center | 多結晶透明y2o3セラミックス及びその製造方法 |
| JP2010047460A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-03-04 | Schott Ag | 透明セラミック及びその製造方法ならびにその透明セラミックスを用いた光学素子 |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2010095393A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Nikkato:Kk | 耐食性に優れたセラミックス製熱処理用部材およびその製造方法 |
| WO2012124753A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス磁気光学材料及びその選定方法 |
| WO2012124754A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 信越化学工業株式会社 | 透明セラミックス及びその製造方法並びに磁気光学デバイス |
| JP2013043825A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-03-04 | Shenzhen Futaihong Precision Industrial Co Ltd | 透明陶磁体とその製造方法並びに該透明陶磁体を利用した電子装置 |
| EP2716616A1 (en) * | 2012-10-03 | 2014-04-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of Manufacturing Transparent Sesquioxide Sintered Body, and Transparent Sesquioxide Sintered Body Manufactured by the Method |
| US10642073B2 (en) | 2014-06-04 | 2020-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing transparent ceramic, transparent ceramic, magneto-optical device and rare earth oxide powder for sintering |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4138775A patent/JPH05330913A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1336596A4 (en) * | 2001-07-05 | 2007-05-23 | Konoshima Chemical | RARE EARTH OXIDE FRITTE TRANSLUCENT ARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| KR100885199B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2009-02-24 | 고노시마 가가쿠고교 가부시키가이샤 | 투과성 희토류 산화물 소결체 및 그 제조 방법 |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2007063069A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 透光性イットリア焼結体およびその製造方法 |
| JP2008143726A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Japan Fine Ceramics Center | 多結晶透明y2o3セラミックス及びその製造方法 |
| JP2010047460A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-03-04 | Schott Ag | 透明セラミック及びその製造方法ならびにその透明セラミックスを用いた光学素子 |
| JP2010095393A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Nikkato:Kk | 耐食性に優れたセラミックス製熱処理用部材およびその製造方法 |
| WO2012124754A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 信越化学工業株式会社 | 透明セラミックス及びその製造方法並びに磁気光学デバイス |
| WO2012124753A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス磁気光学材料及びその選定方法 |
| KR20140011376A (ko) | 2011-03-16 | 2014-01-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 투명 세라믹스, 그 제조 방법 및 자기 광학 디바이스 |
| US9052415B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical ceramic material and method for selecting same |
| US9470915B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-10-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Transparent ceramic, method for manufacturing same, and magneto-optical device |
| JP2013043825A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-03-04 | Shenzhen Futaihong Precision Industrial Co Ltd | 透明陶磁体とその製造方法並びに該透明陶磁体を利用した電子装置 |
| EP2716616A1 (en) * | 2012-10-03 | 2014-04-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of Manufacturing Transparent Sesquioxide Sintered Body, and Transparent Sesquioxide Sintered Body Manufactured by the Method |
| US10642073B2 (en) | 2014-06-04 | 2020-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing transparent ceramic, transparent ceramic, magneto-optical device and rare earth oxide powder for sintering |
| US11067835B2 (en) | 2014-06-04 | 2021-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing transparent ceramic,transparent ceramic, magneto-optical device and rare earth oxide powder for sintering |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ikesue et al. | Synthesis of Nd3+, Cr3+‐codoped YAG ceramics for high‐efficiency solid‐state lasers | |
| Li et al. | Fabrication, microstructure and properties of highly transparent Nd: YAG laser ceramics | |
| US11434143B2 (en) | Polycrystalline YAG sintered body and production method thereof | |
| CN102803582B (zh) | 氧化物及磁光学设备 | |
| Zhang et al. | Sintering of Yb3+: Y2O3 transparent ceramics in hydrogen atmosphere | |
| Zhang et al. | High‐entropy transparent ceramics: review of potential candidates and recently studied cases | |
| JP5526313B2 (ja) | 磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体 | |
| US9604853B2 (en) | Light transmitting metal oxide sintered body manufacturing method and light transmitting metal oxide sintered body | |
| JP5522866B2 (ja) | 磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体 | |
| JPH05330913A (ja) | レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス | |
| Han et al. | Heating parameter optimization and optical properties of Nd: YAG transparent ceramics prepared by microwave sintering | |
| JP3463941B2 (ja) | レーザ用多結晶透明セラミックス | |
| Stanciu et al. | Enhancement of the laser emission efficiency of Yb: Y2O3 ceramics via multi-step sintering method fabrication | |
| JPH05294709A (ja) | レーザ用多結晶透明セラミックス | |
| JPH03218963A (ja) | 透明イットリウム―アルミニウム―ガーネット―セラミックスの製造方法 | |
| JP7679782B2 (ja) | 希土類ガーネット型透明セラミックスの製造方法 | |
| JP2008143726A (ja) | 多結晶透明y2o3セラミックス及びその製造方法 | |
| JPH05330912A (ja) | レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス | |
| JP2001220223A (ja) | レーザー媒質およびその製造方法、ならびにそのレーザー媒質を用いたレーザー発振器 | |
| JP5000934B2 (ja) | 透光性希土類ガリウムガーネット焼結体及びその製造方法と光学デバイス | |
| JPH05301769A (ja) | レーザ用多結晶透明セラミックス | |
| CN121079282A (zh) | 含铽的顺磁性石榴石型透明陶瓷、其生产方法、其原料混合物以及使用其的磁光装置及其生产方法 | |
| Bykov et al. | Fabrication of transparent ceramics by millimeter‐wave sintering | |
| JPH06211563A (ja) | レーザ核融合用多結晶透明セラミックス | |
| JP6502595B1 (ja) | 多結晶yag焼結体及びその製造方法 |