JPH0533093B2 - - Google Patents

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JPH0533093B2
JPH0533093B2 JP59130143A JP13014384A JPH0533093B2 JP H0533093 B2 JPH0533093 B2 JP H0533093B2 JP 59130143 A JP59130143 A JP 59130143A JP 13014384 A JP13014384 A JP 13014384A JP H0533093 B2 JPH0533093 B2 JP H0533093B2
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JP
Japan
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airtight
opening
chamber
workpiece
processing
Prior art date
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Application number
JP59130143A
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Japanese (ja)
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JPS6111132A (en
Inventor
Genichi Kanazawa
Ryoji Tsunoda
Kyohiko Hamaoka
Makoto Ozawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
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Publication of JPS6111132A publication Critical patent/JPS6111132A/en
Publication of JPH0533093B2 publication Critical patent/JPH0533093B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば半導体製造において半導体ウ
エーハに対する加工処理を真空状態で行なうため
の真空装置に関し、特にこの真空装置に対する被
加工物の搬入後かつ加工処理前、および被加工物
の加工処理後かつこの真空装置からの搬出前のみ
に搬出入口近傍に気密予備室が形成されるように
なされた真空装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a vacuum apparatus for processing semiconductor wafers in a vacuum state in, for example, semiconductor manufacturing. The present invention relates to a vacuum apparatus in which an airtight preliminary chamber is formed in the vicinity of an entrance/exit only before processing, after processing a workpiece, and before transporting the workpiece from the vacuum apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来技術を利用した装置は近年ますます応用分
野を拡げており、特に真空技術が装置の性能を大
きく左右するイオン装置、プラズマ装置および電
子ビーム応用装置においては、半導体製造分野へ
の進出が目ざましいものがある。
In recent years, equipment using conventional technology has been expanding its application fields more and more, and in particular, ion equipment, plasma equipment, and electron beam application equipment, where vacuum technology greatly influences equipment performance, are making remarkable advances into the semiconductor manufacturing field. There is.

このような真空装置においては、生産性の向上
と不純物の混入防止のために、気密予備室を備え
た装置が主流となりつつある。
In such vacuum apparatuses, apparatuses equipped with an airtight preliminary chamber are becoming mainstream in order to improve productivity and prevent contamination of impurities.

第3図には気密予備室を備えた従来の真空装置
の一例が概略的に示されており、器体1はそのほ
ぼ中央を仕切る仕切壁2によつて処理室3と気密
予備室4とに隔離されている。仕切壁2には密閉
用のバルブ5を備えた開口6が設けられており、
また気密予備室4を構成する器壁にも蓋7を備え
た開口8が設けられている。バルブ5は通常閉じ
られた状態にあり、処理室3は排気されて真空状
態に保たれている。なお、9はシール用部材であ
る。
FIG. 3 schematically shows an example of a conventional vacuum apparatus equipped with an airtight preliminary chamber. is isolated. The partition wall 2 is provided with an opening 6 equipped with a sealing valve 5.
Further, an opening 8 with a lid 7 is provided in the container wall constituting the airtight preliminary chamber 4. The valve 5 is normally in a closed state, and the processing chamber 3 is evacuated and maintained in a vacuum state. Note that 9 is a sealing member.

以上の構成において、トレイ10上に載置され
た未処理の被加工物、例えば半導体ウエーハ11
は、蓋7の開かれた開口8から気密予備室4内に
搬入される。次に蓋7が閉じられて気密予備室4
内が排気され、処理室3と同じ真空状態にされた
後、バルブ5が開けられて半導体ウエーハ11が
開口6を通じて処理室3へ移送される。次にバル
ブ5が閉じられて、半導体ウエーハ11に対する
所定の加工処理が行なわれる。
In the above configuration, an unprocessed workpiece placed on the tray 10, for example, a semiconductor wafer 11
is carried into the airtight preliminary chamber 4 through the opening 8 of the lid 7. Next, the lid 7 is closed and the airtight preliminary chamber 4 is closed.
After the inside is evacuated to the same vacuum state as the processing chamber 3, the valve 5 is opened and the semiconductor wafer 11 is transferred to the processing chamber 3 through the opening 6. Next, the valve 5 is closed and a predetermined processing process is performed on the semiconductor wafer 11.

処理が完了した半導体ウエーハ11は、気密予
備室4が処理室3と同じ真空にされた状態で、バ
ルブ5の開けられた開口6を通じて気密予備室4
に戻される。バルブ5が閉じられた後、気密予備
室4に窒素ガス等の気体が導入され、処理済の半
導体ウエーハ11が蓋7の開けられた開口8から
外部へ搬出される。
The processed semiconductor wafer 11 is transferred to the airtight preliminary chamber 4 through the opening 6 of the valve 5 while the airtight preliminary chamber 4 is evacuated to the same level as the processing chamber 3.
will be returned to. After the valve 5 is closed, a gas such as nitrogen gas is introduced into the airtight preliminary chamber 4, and the processed semiconductor wafer 11 is carried out through the opening 8 of the lid 7.

以上第3図に示された真空装置においては、気
密予備室4を備えていることにより、半導体ウエ
ーハ11の搬出入に関係なく処理室3内を常に真
空に保つことができ、処理室3内への大気の侵入
を防ぎ、処理に必要なガスの純度を保つことがで
きる。
In the vacuum apparatus shown in FIG. 3, by providing the airtight preliminary chamber 4, the inside of the processing chamber 3 can always be kept in a vacuum regardless of the loading and unloading of semiconductor wafers 11. This prevents atmospheric air from entering the tank and maintains the purity of the gas required for processing.

次に第4図および第5図には、小容積の予備室
が必要に応じて形成される形式の従来の真空装置
が概略的に示されており、半導体ウエーハ11は
軸方向に摺動することも可能な回転軸12に取付
けられたホルダ13に取付けられる。ホルダ13
には、2枚の半導体ウエーハ11が回転軸12の
まわりで180°の角間隔を保つて取付けられてい
る。半導体ウエーハ11を搬出入するための開口
8は、処理室3とは反対側の位置にある半導体ウ
エーハ11に合致する位置に設けられており、さ
らに上記ホルダ13を開口8の設けられた器壁1
4へ押しつけて、半導体ウエーハ11のまわりに
小容積の気密予備室4を形成するためのシールプ
レート15が摺動可能な軸16に取付けられてい
る。第4図ではシールプレート15が非作動位置
にあり、したがつてシールプレート15はホルダ
13に接触しておらず、ホルダ13は回転可能で
ある。器体1内は真空状態に保たれており、この
状態でホルダ13が180°回転すると、開口8側に
あつた未処理の半導体ウエーハ11が処理室3に
運ばれ、処理の完了した半導体ウエーハ11が開
口8の位置に運ばれる。次に軸16を摺動させ、
ホルダ13をシールプレート15により器壁14
に押しつける。これによつて第5図に示されてい
るように、蓋7、ホルダ13およびシールプレー
ト15に囲まれた気密予備室4が形成される。次
にこの気密予備室4に窒素ガス等の気体を導入
し、蓋7を開けて処理済の半導体ウエーハ11を
未処理の半導体ウエーハ11と交換し、再び蓋7
を閉じて気密予備室4を排気する。気密予備室4
内が処理室3内と同様の真空状態になつた後、シ
ールプレート15を後退させればホルダ13は再
び回転可能になる。
Next, FIGS. 4 and 5 schematically show a conventional vacuum apparatus of the type in which a preliminary chamber of small volume is formed as required, and a semiconductor wafer 11 is slid in the axial direction. It is attached to a holder 13 that is attached to a rotating shaft 12 that can be rotated. Holder 13
Two semiconductor wafers 11 are mounted on the rotating shaft 12 with an angular spacing of 180° between them. An opening 8 for loading and unloading the semiconductor wafer 11 is provided at a position that matches the semiconductor wafer 11 on the opposite side of the processing chamber 3, and the holder 13 is inserted into the chamber wall provided with the opening 8. 1
A sealing plate 15 is mounted on a slidable shaft 16 for pressing against the semiconductor wafer 11 to form a small volume hermetic reserve chamber 4 around the semiconductor wafer 11. In FIG. 4, the seal plate 15 is in the inoperative position, so that the seal plate 15 is not in contact with the holder 13, and the holder 13 is rotatable. The inside of the chamber 1 is maintained in a vacuum state, and when the holder 13 rotates 180° in this state, the unprocessed semiconductor wafer 11 on the opening 8 side is transported to the processing chamber 3, and the processed semiconductor wafer is transferred to the processing chamber 3. 11 is brought to the position of the opening 8. Next, slide the shaft 16,
The holder 13 is attached to the vessel wall 14 by the seal plate 15.
to press against. As a result, as shown in FIG. 5, an airtight preliminary chamber 4 surrounded by the lid 7, holder 13, and seal plate 15 is formed. Next, a gas such as nitrogen gas is introduced into this airtight preliminary chamber 4, the lid 7 is opened, the processed semiconductor wafer 11 is replaced with an unprocessed semiconductor wafer 11, and the lid 7 is opened again.
is closed and the airtight preliminary chamber 4 is evacuated. Airtight spare room 4
After the inside becomes the same vacuum state as the inside of the processing chamber 3, if the seal plate 15 is retreated, the holder 13 becomes rotatable again.

以上の説明で明らかなように、第4図および第
5図に示された真空装置においては、未処理の半
導体ウエーハ11の搬入後かつ加工処理前および
処理済の半導体ウエーハ11の搬出前にのみ気密
予備室4が形成され、これにより処理室3内の大
気の侵入を防ぐのみでなく、未処理の半導体ウエ
ーハ11と処理済の半導体ウエーハ11との交換
機構を備えていることにより、さらに気密予備室
4の容積がきわめて小さいためこの気密予備室の
排気時間が第1図に示された真空状態に比較して
大幅に短かいことにより、生産性を向上すること
ができる。
As is clear from the above explanation, in the vacuum apparatus shown in FIGS. 4 and 5, only after the unprocessed semiconductor wafer 11 is carried in, before processing, and before the processed semiconductor wafer 11 is carried out, An airtight preliminary chamber 4 is formed, which not only prevents atmospheric air from entering the processing chamber 3, but also provides an exchange mechanism for unprocessed semiconductor wafers 11 and processed semiconductor wafers 11, making it even more airtight. Since the volume of the preliminary chamber 4 is extremely small, the evacuation time of this airtight preliminary chamber is much shorter than in the vacuum state shown in FIG. 1, thereby improving productivity.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、第3図に示された従来の真空装置で
は、その気密予備室4の容積が大きいため、気密
予備室4の排気に時間を要し、生産性に劣る欠点
があつたが、この欠点は第4図および第5図に示
された真空装置によつて大幅に改善される。しか
しながら、第4図および第5図に示されている真
空装置では、気密予備室4内に大気が侵入した
際、大気圧がシールプレート15にこれを図の右
方へ押圧する方向に印加されるため、シールプレ
ート15の保持にきわめて大きな力を要する欠点
があつた。さらに被加工物の開口8と反対側の面
がシールプレート15で覆われるため、この両側
に例えば被加工物を加熱するための手段を設ける
ことが困難であるという欠点もあつた。
By the way, in the conventional vacuum apparatus shown in FIG. 3, since the volume of the airtight preliminary chamber 4 is large, it takes time to evacuate the airtight preliminary chamber 4, which has the disadvantage of poor productivity. is greatly improved by the vacuum apparatus shown in FIGS. 4 and 5. However, in the vacuum apparatus shown in FIGS. 4 and 5, when the atmosphere enters the airtight preliminary chamber 4, atmospheric pressure is applied to the seal plate 15 in a direction that presses it to the right in the figure. Therefore, there was a drawback that an extremely large force was required to hold the seal plate 15. Furthermore, since the surface of the workpiece opposite to the opening 8 is covered with the seal plate 15, there is also the drawback that it is difficult to provide means for heating the workpiece, for example, on both sides.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は上述したこの種の真空装置の有する欠
点を効果的に解決すべくなされたもので、被加工
物搬出入のための開口部に、それと同軸関係をも
つて軸線方向に伸縮する気密性環状体を設け、こ
の環状体の伸長状態においてこの環状体により気
密予備室の気密性周壁を形成する構成とすること
により上記問題点を解決したものである。
The present invention has been made in order to effectively solve the above-mentioned drawbacks of this type of vacuum apparatus. The above-mentioned problem has been solved by providing a ring-shaped body and forming an air-tight peripheral wall of the air-tight preliminary chamber with the ring-shaped body when the ring-shaped body is in an extended state.

〔作用〕[Effect]

上記環状体は金属ベローズ等により構成され、
この環状体が収縮状態にあるときは気密予備室は
形成されず、被加工物を搬出入口と処理室との間
の移送が可能になり、環状体の伸長によつてはじ
めて気密予備室が形成される。
The annular body is composed of metal bellows, etc.
When this annular body is in a contracted state, an airtight preliminary chamber is not formed, and the workpiece can be transferred between the loading/unloading entrance and the processing chamber, and an airtight preliminary chamber is formed only when the annular body is expanded. be done.

〔実施例〕〔Example〕

第1図および第2図には、本発明による真空装
置の実施例が示されており、本実施例は第4図お
よび第5図を参照して説明した従来の真空装置の
気密予備室形成構造の改良である。したがつて、
被加工物搬出入用開口部近傍の構成を除き、被加
工物の保持機構および交換機構は第4図および第
5図のものとほぼ同様であるから、この全体構成
についての図示および説明を省略し、第1図およ
び第2図にその要部についてのみ示してある。
1 and 2 show an embodiment of the vacuum apparatus according to the present invention, and this embodiment is similar to the airtight prechamber formation of the conventional vacuum apparatus described with reference to FIGS. 4 and 5. This is a structural improvement. Therefore,
Except for the structure near the opening for carrying in and out of the workpiece, the workpiece holding mechanism and exchange mechanism are almost the same as those in FIGS. 4 and 5, so illustration and explanation of this overall structure will be omitted. However, only the essential parts are shown in FIGS. 1 and 2.

本実施例においては、気密性環状体に金属性ベ
ローズを用い、器壁14に、開口8の周縁をめぐ
る環状体21が取付けられている例について説明
する。この環状体21は気密性を有する金属製内
側ベローズ22と、この内側ベローズ22の外側
に所定の間隔をへだてて同軸的に配置された気密
性を有する金属製外側ベローズ23と内外ベロー
ズ22および23の先端部にこれらを相互に連結
して取付けられたフランジ24とよりなる。ベロ
ーズ22および23の基端は器壁14の内壁面に
固定され、器壁14とフランジ24と両ベローズ
22および23とによつて密閉された空間25が
形成されている。この空間25は器壁14を貫通
して設けられたパイプ26を通じて圧縮空気が導
入されるようになされており、加圧によつてベロ
ーズ22および23が軸線方向に伸長してフラン
ジ24を開口8側とは反対方向(図の右方)へ移
動させるようになされている。
In this embodiment, an example will be described in which a metal bellows is used as the airtight annular body, and an annular body 21 surrounding the periphery of the opening 8 is attached to the vessel wall 14. This annular body 21 includes an airtight metal inner bellows 22, an airtight metal outer bellows 23 coaxially arranged outside the inner bellows 22 at a predetermined distance, and inner and outer bellows 22 and 23. A flange 24 is attached to the tip of the flange 24 to interconnect them. The base ends of the bellows 22 and 23 are fixed to the inner wall surface of the vessel wall 14, and a sealed space 25 is formed by the vessel wall 14, the flange 24, and both bellows 22 and 23. Compressed air is introduced into this space 25 through a pipe 26 provided through the vessel wall 14, and when pressurized, the bellows 22 and 23 expand in the axial direction, causing the flange 24 to open at the opening 8. It is designed to move in the opposite direction (to the right in the figure).

一方、開口8に対向する器壁27には、透明な
石英ガラス28を嵌着した窓29が設けられてお
り石英ガラス28は、固定リング30およびシー
ルリング31によつて固定されている。また窓2
9の外部には赤外線ランプ32と反射ミラー33
とよりなる加熱手段が設けられ、ホルダ13に保
持された半導体ウエーハ11が窓29を通じて加
熱されるようになされている。半導体ウエーハ1
1はつめまたはスプリング等の適当な手段によつ
てホルダ13に取付けられている。
On the other hand, a window 29 in which a transparent quartz glass 28 is fitted is provided in the vessel wall 27 facing the opening 8, and the quartz glass 28 is fixed by a fixing ring 30 and a seal ring 31. Also window 2
9 has an infrared lamp 32 and a reflective mirror 33 on the outside.
A heating means is provided to heat the semiconductor wafer 11 held in the holder 13 through the window 29. semiconductor wafer 1
1 is attached to the holder 13 by suitable means such as a pawl or a spring.

以上が本発明による真空装置の一実施例の構成
であるが、次にその動作について説明しよう。
The configuration of one embodiment of the vacuum apparatus according to the present invention has been described above, and now its operation will be explained.

はじめにベローズ22および23は第1図に示
すように収縮状態にあり、したがつてフランジ2
4はホルダ13に接触しておらず、ホルダ13は
回転可能な状態にある。器体1内は真空状態に保
たれており、処理室内の半導体ウエーハ11に対
して所定の加工処理がなされる。この処理が完了
すると、ホルダ13が180°回転して処理済の半導
体ウエーハ11が開口8の位置に運ばれ、開口8
の位置にあつた未処理の半導体ウエーハ11が処
理室内に運ばれる。次にベローズ22および23
の間の空間25を加圧してベローズ22および2
3を伸長させ、フランジ24を窓29側に移動さ
せる。このフランジ24の移動に伴なつてホルダ
13もフランジ24に押されてシールリング31
に圧着される。なおこの場合、ホルダ13の窓2
9側への移動のための他の手段を用いてもよい。
フランジ24がシールリング31に圧着され、か
つフランジ24がホルダ13に圧着されることに
より、ベローズ22および23を気密性周壁とす
る気密予備室4が形成される。
Initially, bellows 22 and 23 are in a contracted state as shown in FIG.
4 is not in contact with the holder 13, and the holder 13 is in a rotatable state. The interior of the chamber 1 is maintained in a vacuum state, and predetermined processing is performed on the semiconductor wafers 11 within the processing chamber. When this process is completed, the holder 13 is rotated 180 degrees and the processed semiconductor wafer 11 is carried to the position of the opening 8.
The unprocessed semiconductor wafer 11 at the position is carried into the processing chamber. Next, bellows 22 and 23
Pressure is applied to the space 25 between the bellows 22 and 2.
3 and move the flange 24 to the window 29 side. As the flange 24 moves, the holder 13 is also pushed by the flange 24 and the seal ring 31
is crimped. In this case, the window 2 of the holder 13
Other means for movement to the 9 side may be used.
By press-fitting the flange 24 to the seal ring 31 and press-fitting the flange 24 to the holder 13, an air-tight preliminary chamber 4 having the bellows 22 and 23 as an air-tight peripheral wall is formed.

このようにして気密予備室4が形成された後、
この気密予備室4内に窒素ガス等の気体を導入
し、蓋7を開いて処理済の半導体ウエーハ11を
ホルダ13から取り、代りに未処理の半導体ウエ
ーハ11をホルダ13にセツトする。次に蓋7を
閉じて気密予備室4内を排気し、真空状態となつ
た時点でベローズ22および23の間の空間25
を減圧してベローズ22および23を収縮させ、
フランジ24を開口8側へ移動させる。これによ
りホルダ13は再び回転可能な状態になる。
After the airtight preliminary chamber 4 is formed in this way,
A gas such as nitrogen gas is introduced into the airtight preliminary chamber 4, the lid 7 is opened, the processed semiconductor wafer 11 is removed from the holder 13, and an unprocessed semiconductor wafer 11 is set in the holder 13 instead. Next, the lid 7 is closed and the airtight preliminary chamber 4 is evacuated, and when the vacuum state is reached, the space 25 between the bellows 22 and 23 is
The bellows 22 and 23 are contracted by reducing the pressure.
The flange 24 is moved toward the opening 8 side. This makes the holder 13 rotatable again.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、容積の小さい、したがつて排
気に時間を要しない気密予備室を簡単な構成で得
ることができることは明らかであるが、この気密
予備室を形成するための動力は従来のものに比較
してはるかに小さい力で済むことも明らかであ
る。また、気密予備室を形成する手段を被加工物
搬出入用の開口部に設けてあるが、その手段が環
状体で構成されているために、被加工物の搬出入
を防げない利点がある。このように環状体が開口
側に設けられているため、開口側とは反対側に例
えば被加工物を加熱するための加熱手段を設ける
こともできる。さらに、気密予備室を形成するた
めの機構に摩擦部を伴なう可動機構がないため、
半導体製造装置において特に重要視されている発
塵のおそれもない等の数々の利点を有する。
According to the present invention, it is clear that an airtight preliminary chamber having a small volume and therefore requiring no time for evacuation can be obtained with a simple configuration, but the power for forming this airtight preliminary chamber is It is also clear that much smaller force is required compared to the conventional one. In addition, a means for forming an airtight preliminary chamber is provided at the opening for carrying in and out the workpiece, but since the means is constituted by an annular body, there is an advantage that it cannot prevent the carrying in and out of the workpiece. . Since the annular body is provided on the opening side in this way, a heating means for heating the workpiece, for example, can also be provided on the opposite side to the opening side. Furthermore, since the mechanism for forming the airtight preliminary chamber does not have a movable mechanism with friction parts,
It has many advantages such as no fear of dust generation, which is particularly important in semiconductor manufacturing equipment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例による真空装置の要
部の概略的断面図、第2図はその気密予備室が形
成された状態を示す概略的断面図、第3図、第4
図および第5図は従来の真空装置を示す概略的断
面図である。 図中、1は器体、3は処理室、4は気密予備
室、7は蓋、8は被加工物搬出入用開口、11は
半導体ウエーハ、13はホルダ、21は環状体、
22は内側ベローズ、23は外側ベローズ、24
はフランジ、25は空間、26はパイプ、28は
石英ガラス、29は窓、30は固定リング、31
はシールリング、32は赤外線ランプ、33は反
射ミラーをそれぞれ示す。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the essential parts of a vacuum device according to an embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a conventional vacuum device. In the figure, 1 is a container body, 3 is a processing chamber, 4 is an airtight preliminary chamber, 7 is a lid, 8 is an opening for carrying in and out of workpieces, 11 is a semiconductor wafer, 13 is a holder, 21 is an annular body,
22 is the inner bellows, 23 is the outer bellows, 24
is a flange, 25 is a space, 26 is a pipe, 28 is quartz glass, 29 is a window, 30 is a fixing ring, 31
3 represents a seal ring, 32 represents an infrared lamp, and 33 represents a reflecting mirror.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 真空状態で被加工物の加工処理を行うための
処理室と、この処理室に対する被加工物搬出入の
ための開口部と、前記被加工物の搬入後かつ加工
処理前および前記被加工物の加工処理後かつ搬出
前にのみ前記開口部近傍に形成される気密予備室
とを備えた真空装置において、 前記開口部にそれと同軸関係をもつて軸線方向
にその内部に形成される空間の加圧または減圧に
よつて、伸縮しうる気密性環状体を設け、この環
状体を伸長状態にしたときにこれにより前記予備
気密室の気密性壁を形成することを特徴とする真
空装置。 2 前記気密性環状体内に形成される空間が、前
記気密性環状体の先端部にこれらを連結するよう
に取り付けられたフランジにより密閉されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の真
空装置。
[Scope of Claims] 1. A processing chamber for processing a workpiece in a vacuum state, an opening for carrying the workpiece into and out of the processing chamber, and a processing chamber for processing the workpiece after carrying the workpiece into and out of the processing chamber. and an airtight preliminary chamber formed in the vicinity of the opening only after processing the workpiece and before transporting the workpiece, wherein the opening has a coaxial relationship with the opening and an airtight preliminary chamber is formed in the axial direction inside the opening. An airtight annular body that can be expanded and contracted by pressurizing or depressurizing the space to be formed is provided, and when this annular body is expanded, it forms an airtight wall of the preliminary airtight chamber. vacuum equipment. 2. The space formed within the airtight annular body is sealed by a flange attached to the tip of the airtight annular body so as to connect these parts. vacuum equipment.
JP13014384A 1984-06-26 1984-06-26 vacuum equipment Granted JPS6111132A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13014384A JPS6111132A (en) 1984-06-26 1984-06-26 vacuum equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13014384A JPS6111132A (en) 1984-06-26 1984-06-26 vacuum equipment

Publications (2)

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JPS6111132A JPS6111132A (en) 1986-01-18
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