JPH05330955A - 炭化けい素−金属けい素複合材及びその製造方法 - Google Patents
炭化けい素−金属けい素複合材及びその製造方法Info
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭化けい素−金属けい素複合材の表層部を緻
密化するための安価な製造方法を提供する。 【構成】 炭化けい素−金属けい素複合材の表面部分の
金属けい素を炭化けい素に転化させ、炭化けい素被膜を
形成させたことを特徴としている。
密化するための安価な製造方法を提供する。 【構成】 炭化けい素−金属けい素複合材の表面部分の
金属けい素を炭化けい素に転化させ、炭化けい素被膜を
形成させたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用部材のウエ
ハーボート、均熱管等として使用される炭化けい素−金
属けい素複合材とその製造方法に関し、詳しくは該複合
材の表面部分の金属けい素を炭化けい素に転化させた炭
化けい素膜が形成されたことを特徴とする炭化けい素−
金属けい素複合材とその製造方法に関する。
ハーボート、均熱管等として使用される炭化けい素−金
属けい素複合材とその製造方法に関し、詳しくは該複合
材の表面部分の金属けい素を炭化けい素に転化させた炭
化けい素膜が形成されたことを特徴とする炭化けい素−
金属けい素複合材とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造用部材としては、ガス
不透過性が要求される為に広く、石英ガラス部材が使用
されてきた。しかしながら、上記石英ガラス部材は不純
物汚染による失透、へたりの問題があるため、多孔質炭
化けい素の開放気孔中に金属けい素を含浸させた炭化け
い素−金属けい素複合材が広く使く、使用されている。
しかし、該複合体からウエハーボートを形成した場合、
ＨＦ−ＨＮＯ３混酸による洗浄時に、金属けい素部分が
溶出し、多孔質炭化けい素部分が表面に露出し、拡散炉
への出し入れの際に、パーティクルが発生する恐れがあ
る。これに対して、かかる欠点を改善するために、炭化
けい素−金属けい素複合体の表面に炭化けい素を気相蒸
着せしめて、緻密質の炭化けい素膜を有する半導体製造
用部材の製造方法が提案されている。しかし、この方法
により得られた炭化けい素膜は例えば、ピンホールが発
生した場合、前記のＨＦ−ＨＮＯ３混酸による洗浄時
に、ピンホールの中に混酸が入り、昇温過程で膜のハク
リが発生する恐れがある。又、使用するガスが非常に高
価な為、得られた製品も非常に高価になってしまう。
不透過性が要求される為に広く、石英ガラス部材が使用
されてきた。しかしながら、上記石英ガラス部材は不純
物汚染による失透、へたりの問題があるため、多孔質炭
化けい素の開放気孔中に金属けい素を含浸させた炭化け
い素−金属けい素複合材が広く使く、使用されている。
しかし、該複合体からウエハーボートを形成した場合、
ＨＦ−ＨＮＯ３混酸による洗浄時に、金属けい素部分が
溶出し、多孔質炭化けい素部分が表面に露出し、拡散炉
への出し入れの際に、パーティクルが発生する恐れがあ
る。これに対して、かかる欠点を改善するために、炭化
けい素−金属けい素複合体の表面に炭化けい素を気相蒸
着せしめて、緻密質の炭化けい素膜を有する半導体製造
用部材の製造方法が提案されている。しかし、この方法
により得られた炭化けい素膜は例えば、ピンホールが発
生した場合、前記のＨＦ−ＨＮＯ３混酸による洗浄時
に、ピンホールの中に混酸が入り、昇温過程で膜のハク
リが発生する恐れがある。又、使用するガスが非常に高
価な為、得られた製品も非常に高価になってしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
点を解消するためになされたもので、炭化けい素−金属
けい素複合材のうち、表面に露出する金属けい素部分を
炭化けい素に転化することにより、表面をすべて炭化け
い素にした該複合材を製造することにある。本発明は金
属けい素部分を炭化けい素に転化するために、ピンホー
ルが発生した場合に起きる膜のハクリは無く、又、安価
に製造できることを知見した。
点を解消するためになされたもので、炭化けい素−金属
けい素複合材のうち、表面に露出する金属けい素部分を
炭化けい素に転化することにより、表面をすべて炭化け
い素にした該複合材を製造することにある。本発明は金
属けい素部分を炭化けい素に転化するために、ピンホー
ルが発生した場合に起きる膜のハクリは無く、又、安価
に製造できることを知見した。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】即ち、本発明は、得ら
れた炭化けい素−金属けい素複合体を中性あるいは不活
性ガス中の一酸化炭素ガス濃度が２％以上である雰囲気
で１１００℃から１４２０℃の温度域で加熱することを
特徴とする。
れた炭化けい素−金属けい素複合体を中性あるいは不活
性ガス中の一酸化炭素ガス濃度が２％以上である雰囲気
で１１００℃から１４２０℃の温度域で加熱することを
特徴とする。
【０００５】
【作用】以下、本発明を詳細に説明する。炭化けい素−
金属けい素複合材をある一定量以上の一酸化炭素ガスが
炉内に存在する中性あるいは不活性ガス雰囲気に置く
と、表面部分の金属けい素で２Ｓｉ＋ＣＯ→ＳｉＣ＋Ｓ
ｉＯ（式）の反応が進行する、この結果、表面部分の
金属けい素は炭化けい素に転化され、一酸化けい素ガス
が放出される。種々の実験を重ねた結果１１００℃〜１
４２０℃の温度域で炉内雰囲気ガス中の一酸化炭素ガス
濃度が２％以上であれば式の反応が進行され、表面部
分の金属けい素が均一に炭化けい素に転化されることが
わかった。処理温度を１１００℃以上とした理由は、１
１００℃以下だと、部分的に炭化けい素に転化されるが
全表面部分の金属けい素が転化されないでいた。又、１
４２０℃以下とした理由は金属けい素の融点が１４２０
℃であるために、金属けい素が溶融すると、金属けい素
の挙動により、膜厚が不均一になるためである。又、一
酸化炭素濃度を２％以上とした理由は、２％以下だと、
部分的に炭化けい素に転化されるが、全表面部分の金属
けい素が転化されないでいた。ところで膜厚について
は、１５０μｍまではある一定の時間で表面部分の金属
けい素が炭化けい素に転化されるが、その後は、次第に
膜厚がゆるやかになることがわかった。経済的理由と本
目的である、膜のハクリに対して、１５０μｍ以下であ
れば充分であることがわかった。なお、上記の一酸化炭
素ガスについては、一酸化炭素ガスを炉内に導入する方
法や、炉内に存在する微少の酸素ガスを前もって入れて
おいたカーボンと反応させて、一酸化炭素濃度を２％以
上形成させてもかまわない。
金属けい素複合材をある一定量以上の一酸化炭素ガスが
炉内に存在する中性あるいは不活性ガス雰囲気に置く
と、表面部分の金属けい素で２Ｓｉ＋ＣＯ→ＳｉＣ＋Ｓ
ｉＯ（式）の反応が進行する、この結果、表面部分の
金属けい素は炭化けい素に転化され、一酸化けい素ガス
が放出される。種々の実験を重ねた結果１１００℃〜１
４２０℃の温度域で炉内雰囲気ガス中の一酸化炭素ガス
濃度が２％以上であれば式の反応が進行され、表面部
分の金属けい素が均一に炭化けい素に転化されることが
わかった。処理温度を１１００℃以上とした理由は、１
１００℃以下だと、部分的に炭化けい素に転化されるが
全表面部分の金属けい素が転化されないでいた。又、１
４２０℃以下とした理由は金属けい素の融点が１４２０
℃であるために、金属けい素が溶融すると、金属けい素
の挙動により、膜厚が不均一になるためである。又、一
酸化炭素濃度を２％以上とした理由は、２％以下だと、
部分的に炭化けい素に転化されるが、全表面部分の金属
けい素が転化されないでいた。ところで膜厚について
は、１５０μｍまではある一定の時間で表面部分の金属
けい素が炭化けい素に転化されるが、その後は、次第に
膜厚がゆるやかになることがわかった。経済的理由と本
目的である、膜のハクリに対して、１５０μｍ以下であ
れば充分であることがわかった。なお、上記の一酸化炭
素ガスについては、一酸化炭素ガスを炉内に導入する方
法や、炉内に存在する微少の酸素ガスを前もって入れて
おいたカーボンと反応させて、一酸化炭素濃度を２％以
上形成させてもかまわない。
【０００６】
【実施例】炭化けい素−金属けい素複合材をＡｒ雰囲気
中に一酸化炭素濃度が２％である雰囲気中で１０５０
℃、１１００℃、１２００℃、１４５０℃の加熱処理を
行なった。又、比較として、上記と同様の複合材をＡｒ
雰囲気中に一酸化炭素濃度が１％である雰囲気中で１２
００℃の加熱処理を行なった。得られた各炭化けい素−
金属けい素複合材をＨＦ−ＨＮＯ３混酸に浸した後、重
量変化により金属けい素の溶出量を測定した。又、転化
された炭化けい素の膜厚を測定した。結果を表１に示
す。１０５０℃で一酸化炭素濃度２％のものと、１２０
０℃で一酸化炭素濃度１％のものは、ＨＦ−ＨＮＯ３洗
浄前後で重量減少が見られ、全体に炭化けい素に転化さ
れていないために、金属けい素の溶出され、重量が減少
した。又、１４５０℃で一酸化炭素濃度２％のものは、
転化した炭化けい素の膜厚のバラツキが大きいことがわ
かる。以上のように本発明品はＨＦ−ＨＮＯ３洗浄前後
で重量変化がなく、かつ、転化した炭化けい素の膜厚が
均一である。
中に一酸化炭素濃度が２％である雰囲気中で１０５０
℃、１１００℃、１２００℃、１４５０℃の加熱処理を
行なった。又、比較として、上記と同様の複合材をＡｒ
雰囲気中に一酸化炭素濃度が１％である雰囲気中で１２
００℃の加熱処理を行なった。得られた各炭化けい素−
金属けい素複合材をＨＦ−ＨＮＯ３混酸に浸した後、重
量変化により金属けい素の溶出量を測定した。又、転化
された炭化けい素の膜厚を測定した。結果を表１に示
す。１０５０℃で一酸化炭素濃度２％のものと、１２０
０℃で一酸化炭素濃度１％のものは、ＨＦ−ＨＮＯ３洗
浄前後で重量減少が見られ、全体に炭化けい素に転化さ
れていないために、金属けい素の溶出され、重量が減少
した。又、１４５０℃で一酸化炭素濃度２％のものは、
転化した炭化けい素の膜厚のバラツキが大きいことがわ
かる。以上のように本発明品はＨＦ−ＨＮＯ３洗浄前後
で重量変化がなく、かつ、転化した炭化けい素の膜厚が
均一である。
【０００７】
【発明の効果】以上、述べた如く、本発明によれば、炭
化けい素−金属けい素複合体の表面部分が均一な膜厚か
ら成る炭化けい素に転化されており、気相蒸着せしめた
炭化けい素膜に対して安価に得られ、かつ、膜がハクリ
する心配がないため、半導体製造用炭化けい素材料とし
て最適であり、産業上、極めて有用である。
化けい素−金属けい素複合体の表面部分が均一な膜厚か
ら成る炭化けい素に転化されており、気相蒸着せしめた
炭化けい素膜に対して安価に得られ、かつ、膜がハクリ
する心配がないため、半導体製造用炭化けい素材料とし
て最適であり、産業上、極めて有用である。
【表１】 上記において、Ｎｏ．３の場合と一般的な炭化けい素−
金属けい素複合材に炭化けい素の気相蒸着を１００μｍ
被覆した場合を比較した。製造コスト面では、本発明の
実施例は炭化けい素の気相蒸着の場合の１／３と大巾に
安価となった。また、Ｎｏ．３と炭化けい素の気相蒸着
品を用いて、急熱、急冷試験を行なった。試験条件は、
２００℃に保持されたマッフル炉に入れて、１０分間、
加熱後、マッフル炉よりすぐ取り出して約２０℃の水に
浸漬急冷して、これをキレツ発生まで繰り返した。炭化
けい素の気相蒸着品は２０回目でキレツ発生した。しか
し、Ｎｏ．３の場合はキレツが発生しなかった。
金属けい素複合材に炭化けい素の気相蒸着を１００μｍ
被覆した場合を比較した。製造コスト面では、本発明の
実施例は炭化けい素の気相蒸着の場合の１／３と大巾に
安価となった。また、Ｎｏ．３と炭化けい素の気相蒸着
品を用いて、急熱、急冷試験を行なった。試験条件は、
２００℃に保持されたマッフル炉に入れて、１０分間、
加熱後、マッフル炉よりすぐ取り出して約２０℃の水に
浸漬急冷して、これをキレツ発生まで繰り返した。炭化
けい素の気相蒸着品は２０回目でキレツ発生した。しか
し、Ｎｏ．３の場合はキレツが発生しなかった。
Claims (3)
- 【請求項１】 炭化けい素−金属けい素複合材におい
て、表面部分の金属けい素を炭化けい素に転化させた炭
化けい素膜が形成されたことを特徴とする炭化けい素−
金属けい素複合材。 - 【請求項２】 上記、炭化けい素膜は１５０μｍ以下で
ある特許請求第１項記載の炭化けい素−金属けい素複合
材。 - 【請求項３】 炭化けい素−金属けい素複合材を中性あ
るいは不活性ガス雰囲気中の一酸化炭素濃度が２％以上
である雰囲気で１１００℃〜１４２０℃の温度域で加熱
することにより、表面部分の金属けい素を炭化けい素に
転化させたことを特徴とする特許請求第１項記載の炭化
けい素−金属けい素複合材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224991A JP2976036B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 炭化けい素−金属けい素複合材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224991A JP2976036B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 炭化けい素−金属けい素複合材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05330955A true JPH05330955A (ja) | 1993-12-14 |
| JP2976036B2 JP2976036B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=14322333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10224991A Expired - Fee Related JP2976036B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 炭化けい素−金属けい素複合材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976036B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP10224991A patent/JP2976036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2976036B2 (ja) | 1999-11-10 |
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