JPH0533143A - 常圧ｃｖｄ装置の温度制御方法 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置の温度制御方法Info
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- JPH0533143A JPH0533143A JP18596191A JP18596191A JPH0533143A JP H0533143 A JPH0533143 A JP H0533143A JP 18596191 A JP18596191 A JP 18596191A JP 18596191 A JP18596191 A JP 18596191A JP H0533143 A JPH0533143 A JP H0533143A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】トレイ上の実測温度との温度ズレ及び経時変化
に対応して迅速に温度制御をする方法の確立にある。 【構成】サーモカップルにかえて、トレイ上に赤外放射
温度計１４または接触表面温度計を設置し、これにてト
レイ上の温度を実測し、その信号を温調計１１及びマイ
コン１５に入力し、トレイ上の表面温度を制御すること
を特徴として構成される。 【効果】トレイ上の表面温度を実測するので温度ズレが
なくなり、またマイコンによる温度制御を行うことによ
り経時変化に対応した温度制御が可能となり、膜厚，膜
質共に安定した化学気相成長膜が得られる。
に対応して迅速に温度制御をする方法の確立にある。 【構成】サーモカップルにかえて、トレイ上に赤外放射
温度計１４または接触表面温度計を設置し、これにてト
レイ上の温度を実測し、その信号を温調計１１及びマイ
コン１５に入力し、トレイ上の表面温度を制御すること
を特徴として構成される。 【効果】トレイ上の表面温度を実測するので温度ズレが
なくなり、またマイコンによる温度制御を行うことによ
り経時変化に対応した温度制御が可能となり、膜厚，膜
質共に安定した化学気相成長膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、常圧ＣＶＤ装置の温度
制御方法に関し、特に、赤外放射温度計または表面温度
計を備えたマイコンによる温度制御方法に関する。
制御方法に関し、特に、赤外放射温度計または表面温度
計を備えたマイコンによる温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧ＣＶＤ装置のヒーターユニッ
ト部は、図３に示すように、ヒーター線を組み込んだヒ
ーターブロック５の上に石英板４と、下方への断熱を目
的としたセラミックファイバー９と、ヒーターブロック
をのせるヒーター架台６と、ヒーターブロック５の温度
を感知するサーモカップル１０と、サーモカップル１０
の感知に対応し温調を行う温調計１１を有している。
ト部は、図３に示すように、ヒーター線を組み込んだヒ
ーターブロック５の上に石英板４と、下方への断熱を目
的としたセラミックファイバー９と、ヒーターブロック
をのせるヒーター架台６と、ヒーターブロック５の温度
を感知するサーモカップル１０と、サーモカップル１０
の感知に対応し温調を行う温調計１１を有している。
【０００３】次に動作について説明する。ヒーターブロ
ック５間に設置したサーモカップル１０により、ヒータ
ー線による温度を感知して温調計１１によりサイリスタ
（ＳＣＲ）１２をオン，オフさせ、温度の制御を行うも
のである。
ック５間に設置したサーモカップル１０により、ヒータ
ー線による温度を感知して温調計１１によりサイリスタ
（ＳＣＲ）１２をオン，オフさせ、温度の制御を行うも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の常圧ＣＶＤ
装置の温度制御方法では、石英板及びヒーターブロック
間に設置したサーモカップルにより、温度測定（測定値
６００℃）及び温度制御を行っているため実際、必要と
なるトレイ上の表面温度（赤外放射温度計または接触表
面温度計で測定した温度…測定値４００℃）との間にお
よそ２００℃の温度ズレがあるという問題点があった。
装置の温度制御方法では、石英板及びヒーターブロック
間に設置したサーモカップルにより、温度測定（測定値
６００℃）及び温度制御を行っているため実際、必要と
なるトレイ上の表面温度（赤外放射温度計または接触表
面温度計で測定した温度…測定値４００℃）との間にお
よそ２００℃の温度ズレがあるという問題点があった。
【０００５】また、トレイ上のウェーハに化学気相成長
（ＣＶＤ）を行っている間に、トレイ上にも化学気相成
長された酸化膜が形成される。そしてその酸化膜の膜厚
が厚くなればなるほど、トレイ上の表面温度が下がる傾
向があるが、石英板及びヒーターブロック間に設置した
サーモカップルでは、その傾向がつかめず、迅速な温調
及び温度制御ができないという問題点があった。
（ＣＶＤ）を行っている間に、トレイ上にも化学気相成
長された酸化膜が形成される。そしてその酸化膜の膜厚
が厚くなればなるほど、トレイ上の表面温度が下がる傾
向があるが、石英板及びヒーターブロック間に設置した
サーモカップルでは、その傾向がつかめず、迅速な温調
及び温度制御ができないという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、測定温度とトレイ表面温
度との温度ズレを少なくし、時間の経過と共に表面温度
が低くなることを防ぎ、迅速に温度制御ができ、化学気
相成長膜のバッチ間膜厚のばらつきを小さくし、また温
度変化による膜質の変化をなくし、安定した膜を形成で
きる常圧ＣＶＤ装置の温度制御方法を提供することにあ
る。
度との温度ズレを少なくし、時間の経過と共に表面温度
が低くなることを防ぎ、迅速に温度制御ができ、化学気
相成長膜のバッチ間膜厚のばらつきを小さくし、また温
度変化による膜質の変化をなくし、安定した膜を形成で
きる常圧ＣＶＤ装置の温度制御方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置
の温度制御方法は、トレイ上の表面温度を実測する赤外
放射温度計または接触表面温度計と、前記温度計により
測定した温度信号に基いてトレイ上の表面温度を制御す
るマイコン制御回路及び温調計とを備えていることを特
徴とする。
の温度制御方法は、トレイ上の表面温度を実測する赤外
放射温度計または接触表面温度計と、前記温度計により
測定した温度信号に基いてトレイ上の表面温度を制御す
るマイコン制御回路及び温調計とを備えていることを特
徴とする。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の常圧ＣＶＤ装置の温度制
御方法を説明するための概略図である。ヒーターユニッ
ト部は、従来の常圧ＣＶＤ装置と同様にトレイ２上のウ
ェーハ１を加熱するヒーター線を備えたヒーターブロッ
ク５と、熱を均一に伝えるための石英板４、及び石英板
４を押えるための石英押え７、ヒーターブロック５を支
えるヒーター架台６、断熱材であるセラミックファイバ
ー９、ヒーターの高さ調整を行うヒーター高さ調整ネジ
８、ヒーターブロック５を冷却する水冷ジャケット３等
で構成されている。またヒーターブロック５は、サイリ
スタ（ＳＣＲ）１２を通じてヒーター電源１３に接続さ
れている。
る。図１は本発明の一実施例の常圧ＣＶＤ装置の温度制
御方法を説明するための概略図である。ヒーターユニッ
ト部は、従来の常圧ＣＶＤ装置と同様にトレイ２上のウ
ェーハ１を加熱するヒーター線を備えたヒーターブロッ
ク５と、熱を均一に伝えるための石英板４、及び石英板
４を押えるための石英押え７、ヒーターブロック５を支
えるヒーター架台６、断熱材であるセラミックファイバ
ー９、ヒーターの高さ調整を行うヒーター高さ調整ネジ
８、ヒーターブロック５を冷却する水冷ジャケット３等
で構成されている。またヒーターブロック５は、サイリ
スタ（ＳＣＲ）１２を通じてヒーター電源１３に接続さ
れている。
【０００９】トレイ２上の表面温度を非接触の赤外放射
温度計１４により実測し、その信号を温調計１１に入力
し、その後、ＣＰＵ・メモリー・Ｉ／Ｏポートを備えた
マイコン１５に出力しマイコン１５では、温度設定値に
見合った起電力を出力させながらサイリスタ（ＳＣＲ）
１２のオン，オフさせ温度制御を行う方法である。
温度計１４により実測し、その信号を温調計１１に入力
し、その後、ＣＰＵ・メモリー・Ｉ／Ｏポートを備えた
マイコン１５に出力しマイコン１５では、温度設定値に
見合った起電力を出力させながらサイリスタ（ＳＣＲ）
１２のオン，オフさせ温度制御を行う方法である。
【００１０】図２は、本発明の他の実施例の常圧ＣＶＤ
装置の温度制御方法の概略図である。ヒーターユニット
部は実施例１と同仕様である。実施例１との相違点は、
トレイ２上の表面温度を測定する温度計に、接触タイプ
の表面温度計１６を用いている点である。ウェーハ１を
ローディングする前にトレイ２上に表面温度計１６を接
触させ温度を測定し、その信号を温調計１１及びマイコ
ン１５に入力し、温度制御を行う方法である。この場
合、トレイ２にウェオーハ１がローディングされている
場合は、温度測定及び温度制御ができないという欠点を
有するが、バッチごとに温度測定を実施することによ
り、酸化膜の膜厚が厚くなるほど温度が下がるという経
時変化に対しても対応ができ問題はない。また、表面温
度計１６の高さ調整及び未使用時は、高さ調整スタンド
１７によりトレイ２より上に離しておく。
装置の温度制御方法の概略図である。ヒーターユニット
部は実施例１と同仕様である。実施例１との相違点は、
トレイ２上の表面温度を測定する温度計に、接触タイプ
の表面温度計１６を用いている点である。ウェーハ１を
ローディングする前にトレイ２上に表面温度計１６を接
触させ温度を測定し、その信号を温調計１１及びマイコ
ン１５に入力し、温度制御を行う方法である。この場
合、トレイ２にウェオーハ１がローディングされている
場合は、温度測定及び温度制御ができないという欠点を
有するが、バッチごとに温度測定を実施することによ
り、酸化膜の膜厚が厚くなるほど温度が下がるという経
時変化に対しても対応ができ問題はない。また、表面温
度計１６の高さ調整及び未使用時は、高さ調整スタンド
１７によりトレイ２より上に離しておく。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、赤外放射
温度計または接触タイプの表面温度計を用いて、トレイ
上の表面温度を実測し、その信号を温調計及びマイコン
制御回路に入力して温度制御を行う方法にしたので、ト
レイ表面温度の約２００℃もの温度ズレがなくなり、か
つ、トレイ上に酸化膜が形成されるに従い、表面温度が
下がっていくという経時変化に対応して迅速に温度制御
ができるという効果を有する。
温度計または接触タイプの表面温度計を用いて、トレイ
上の表面温度を実測し、その信号を温調計及びマイコン
制御回路に入力して温度制御を行う方法にしたので、ト
レイ表面温度の約２００℃もの温度ズレがなくなり、か
つ、トレイ上に酸化膜が形成されるに従い、表面温度が
下がっていくという経時変化に対応して迅速に温度制御
ができるという効果を有する。
【００１２】その結果、従来の常圧ＣＶＤ装置で時間の
経過と共にトレイ上の表面温度が低くなるために発生し
ていた、酸化膜（化学気相成長膜）のバッチ間膜厚ばら
つきが大幅に小さくなり、また温度変化による膜質の変
化もなくなり、安定した酸化膜を形成できるという効果
をも有している。
経過と共にトレイ上の表面温度が低くなるために発生し
ていた、酸化膜（化学気相成長膜）のバッチ間膜厚ばら
つきが大幅に小さくなり、また温度変化による膜質の変
化もなくなり、安定した酸化膜を形成できるという効果
をも有している。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す概略図で、
（ａ）はヒーター部及び温度制御部，（ｂ）は回路図で
ある。
（ａ）はヒーター部及び温度制御部，（ｂ）は回路図で
ある。
【図２】本発明の他の実施例の構成を示す概略図で、
（ａ）はヒータ部及び温度制御部，（ｂ）は回路図であ
る。
（ａ）はヒータ部及び温度制御部，（ｂ）は回路図であ
る。
【図３】従来の常圧ＣＶＤ装置の温度制御方法の構成を
示す概略図で、（ａ）はヒーター部，（ｂ）は温度制御
部，（ｃ）は回路図である。
示す概略図で、（ａ）はヒーター部，（ｂ）は温度制御
部，（ｃ）は回路図である。
１ ウェーハ ２ トレイ ３ 水冷ジャケット ４ 石英板 ５ ヒーターブロック ６ ヒーター架台 ７ 石英押え ８ ヒーター高さ調整ネジ ９ セラミックファイバー １０ サーモカップル １１ 温調計 １２ サイリスタ（ＳＣＲ） １３ ヒーター電源 １４ 赤外放射温度計 １５ マイコン １６ 接触表面温度計 １７ 接触表面温度計高さ調整スタンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｆ 8518−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 トレイ上の表面温度を実測する赤外放射
温度計または接触表面温度計と、前記温度計により測定
した温度信号に基いてトレイ上の表面温度を制御するマ
イコン制御回路及び温調計とを備えることを特徴とする
常圧ＣＶＤ装置の温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596191A JPH0533143A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 常圧ｃｖｄ装置の温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596191A JPH0533143A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 常圧ｃｖｄ装置の温度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533143A true JPH0533143A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16179909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18596191A Pending JPH0533143A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 常圧ｃｖｄ装置の温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546699A (ja) * | 2005-06-15 | 2008-12-25 | シェーリング コーポレイション | 抗ｉｇｆ１ｒ抗体処方物 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18596191A patent/JPH0533143A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546699A (ja) * | 2005-06-15 | 2008-12-25 | シェーリング コーポレイション | 抗ｉｇｆ１ｒ抗体処方物 |
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