JPH05334744A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH05334744A JPH05334744A JP16669892A JP16669892A JPH05334744A JP H05334744 A JPH05334744 A JP H05334744A JP 16669892 A JP16669892 A JP 16669892A JP 16669892 A JP16669892 A JP 16669892A JP H05334744 A JPH05334744 A JP H05334744A
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- Japan
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- magneto
- optical disk
- layer
- protective coat
- protective
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 光磁気ディスクの少なくとも一方の表面
に2層の保護コートが施され、下層の保護コートが1×
1012Ω以下の表面電気抵抗を有している光磁気ディ
スク。 【効果】 光磁気ディスク表面の帯電防止能及び耐
擦傷性に優れる。
に2層の保護コートが施され、下層の保護コートが1×
1012Ω以下の表面電気抵抗を有している光磁気ディ
スク。 【効果】 光磁気ディスク表面の帯電防止能及び耐
擦傷性に優れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスクに関する
ものであり、さらに詳しくは、ディスク表面が優れた帯
電防止能及び耐擦傷性を有する光磁気ディスクに関す
る。
ものであり、さらに詳しくは、ディスク表面が優れた帯
電防止能及び耐擦傷性を有する光磁気ディスクに関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に光磁気ディスクは、基板上に光磁
気記録膜を配置してなり、この光磁気記録膜にレーザー
光を照射することにより記録の書込みあるいは読み出し
が行われる。従って、これら光磁気ディスク表面の帯電
により光磁気ディスクの表面に塵埃が付着した場合、レ
ーザー光の光磁気記録膜への照射が塵埃により妨げられ
るため、記録の書込みエラ−あるいは読みだしエラーが
発生する。
気記録膜を配置してなり、この光磁気記録膜にレーザー
光を照射することにより記録の書込みあるいは読み出し
が行われる。従って、これら光磁気ディスク表面の帯電
により光磁気ディスクの表面に塵埃が付着した場合、レ
ーザー光の光磁気記録膜への照射が塵埃により妨げられ
るため、記録の書込みエラ−あるいは読みだしエラーが
発生する。
【0003】また、光磁気ディスクの表面に塵埃が付着
した場合には、塵埃を除去するためにディスク表面を布
などで拭く必要がある。しかしながら、従来のポリカー
ボネートなどから成形された光磁気ディスクはその表面
の帯電性が高く、耐擦傷性にも劣るため、表面に塵埃が
付着し易く、また付着した塵埃を布などで拭き取ると表
面に傷がついてしまうという欠点があった。
した場合には、塵埃を除去するためにディスク表面を布
などで拭く必要がある。しかしながら、従来のポリカー
ボネートなどから成形された光磁気ディスクはその表面
の帯電性が高く、耐擦傷性にも劣るため、表面に塵埃が
付着し易く、また付着した塵埃を布などで拭き取ると表
面に傷がついてしまうという欠点があった。
【0004】上述のような欠点を改良するために、光磁
気ディスク表面を、界面活性剤などの帯電防止剤を含有
した高硬度を有する樹脂で保護コートし、耐擦傷性と帯
電防止能を両立させる手法が試みられていた。しかし、
経時変化に伴う帯電防止剤のブリードアウトが発生する
などの問題点が指摘されている。
気ディスク表面を、界面活性剤などの帯電防止剤を含有
した高硬度を有する樹脂で保護コートし、耐擦傷性と帯
電防止能を両立させる手法が試みられていた。しかし、
経時変化に伴う帯電防止剤のブリードアウトが発生する
などの問題点が指摘されている。
【0005】更に、上述の保護コート層を2層構造と
し、下層に、高硬度樹脂保護コート層、上層に帯電防止
能を有する樹脂保護コート層とすることにより光磁気デ
ィスク表面に帯電防止能及び耐擦傷性を付与する試みも
なされている。しかし、現実には上層部分にも耐擦傷性
を付与するために高硬度材料を添加する必要があった。
高硬度を有する樹脂保護コ−ト材料としては、例えばペ
ンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタ
エリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジシクロペ
ンタジエニルジ(メタ)アクリレートなどの多官能アク
リレートなどが挙げられるが、これらの硬化物は、一般
的に表面電気抵抗が1×1017Ω以上であり、表面電
気抵抗の低い樹脂に表面抵抗の高い樹脂を混合すること
となるため、実質的には十分な低表面抵抗保護コート剤
とすることは困難であった。また、前述した帯電防止剤
のブリードアウトの発生による塗膜汚染も問題であっ
た。
し、下層に、高硬度樹脂保護コート層、上層に帯電防止
能を有する樹脂保護コート層とすることにより光磁気デ
ィスク表面に帯電防止能及び耐擦傷性を付与する試みも
なされている。しかし、現実には上層部分にも耐擦傷性
を付与するために高硬度材料を添加する必要があった。
高硬度を有する樹脂保護コ−ト材料としては、例えばペ
ンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタ
エリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジシクロペ
ンタジエニルジ(メタ)アクリレートなどの多官能アク
リレートなどが挙げられるが、これらの硬化物は、一般
的に表面電気抵抗が1×1017Ω以上であり、表面電
気抵抗の低い樹脂に表面抵抗の高い樹脂を混合すること
となるため、実質的には十分な低表面抵抗保護コート剤
とすることは困難であった。また、前述した帯電防止剤
のブリードアウトの発生による塗膜汚染も問題であっ
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記状況に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところはディ
スク表面が優れた帯電防止能及び耐擦傷性を有する光磁
気ディスクを提供することにある。
みてなされたものであり、その目的とするところはディ
スク表面が優れた帯電防止能及び耐擦傷性を有する光磁
気ディスクを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決するために鋭意検討を行った。その結果、ポリカ
ーボネートなどの帯電性の高いプラスチックスから成形
された光磁気ディスクの表面に2層構造の保護コート層
を被覆し、該保護コート層のうち下層部を低表面抵抗の
材料から形成することにより、光磁気ディスクの表面に
帯電防止能と耐擦傷性を付与させ得ることを見出し、本
発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った。その結果、ポリカ
ーボネートなどの帯電性の高いプラスチックスから成形
された光磁気ディスクの表面に2層構造の保護コート層
を被覆し、該保護コート層のうち下層部を低表面抵抗の
材料から形成することにより、光磁気ディスクの表面に
帯電防止能と耐擦傷性を付与させ得ることを見出し、本
発明を完成するに至った。
【0008】すなわち本発明は、基板上に少なくとも光
磁気記録膜を配置してなる光磁気ディスクの少なくとも
一方の表面に2層の保護コートが施されてなる光磁気デ
ィスクにおいて、下層の保護コートが1×1012Ω以
下の表面電気抵抗を有していることを特徴とする光磁気
ディスクに関する。
磁気記録膜を配置してなる光磁気ディスクの少なくとも
一方の表面に2層の保護コートが施されてなる光磁気デ
ィスクにおいて、下層の保護コートが1×1012Ω以
下の表面電気抵抗を有していることを特徴とする光磁気
ディスクに関する。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】本発明の光磁気ディスクの構造の一例(断
面図)を図1に示す。この光磁気ディスクは、基板3上
に、希土類元素−遷移元素合金、マンガン−ビスマス
(Mn−Bi)合金などから構成される光磁気記録膜
を、透光性の無機化合物などにより構成される保護膜で
挟持した光磁気記録層4を積層してなり、その表面は、
保護コート層により被膜されている。
面図)を図1に示す。この光磁気ディスクは、基板3上
に、希土類元素−遷移元素合金、マンガン−ビスマス
(Mn−Bi)合金などから構成される光磁気記録膜
を、透光性の無機化合物などにより構成される保護膜で
挟持した光磁気記録層4を積層してなり、その表面は、
保護コート層により被膜されている。
【0011】基板3としては、ポリカーボネートなどの
透明樹脂、ガラスなどの透明材料を例示することができ
る。
透明樹脂、ガラスなどの透明材料を例示することができ
る。
【0012】該保護コート層は、第1保護コート層1及
び第2樹脂保護コート層2の2層により構成されてい
る。本発明の光磁気ディスクは、第1保護コート層1と
して低表面抵抗保護コート層を設け、第2保護コート層
2として高硬度材料による樹脂保護コート層を設けるこ
とにより従来の2層保護コートにおける問題を解決する
ことを特徴としている。
び第2樹脂保護コート層2の2層により構成されてい
る。本発明の光磁気ディスクは、第1保護コート層1と
して低表面抵抗保護コート層を設け、第2保護コート層
2として高硬度材料による樹脂保護コート層を設けるこ
とにより従来の2層保護コートにおける問題を解決する
ことを特徴としている。
【0013】第1保護コート層1としては、その表面電
気抵抗が1×105〜1×1012Ω、好ましくは、9
×1011Ω以下、表面鉛筆硬度が2B〜6Bであり、
具体的には、ポリオキシエチレングリコール(メタ)ア
クリレートあるいはポリオキシエチレングリコールジ
(メタ)アクリレートなどを挙げることができ、更に具
体的には、ノナエチレングリコールジアクリレートある
いはテトラデカエチレングリコールジアクリレートなど
を挙げることができる。
気抵抗が1×105〜1×1012Ω、好ましくは、9
×1011Ω以下、表面鉛筆硬度が2B〜6Bであり、
具体的には、ポリオキシエチレングリコール(メタ)ア
クリレートあるいはポリオキシエチレングリコールジ
(メタ)アクリレートなどを挙げることができ、更に具
体的には、ノナエチレングリコールジアクリレートある
いはテトラデカエチレングリコールジアクリレートなど
を挙げることができる。
【0014】第2保護コート層2としては、その表面電
気抵抗が9×1017Ω以下であれば、特に限定され
ず、表面鉛筆硬度がHB〜3Hであり、具体的には、ペ
ンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジシク
ロペンタジエニルジ(メタ)アクリレート、ペンタエリ
スリトールヘキサ(メタ)アクリレートあるいはトリメ
チルプロパントリ(メタ)アクリレートなどを挙げ、更
に具体的には、ペンタエリスリトールトリアクリレート
及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを
挙げることができる。
気抵抗が9×1017Ω以下であれば、特に限定され
ず、表面鉛筆硬度がHB〜3Hであり、具体的には、ペ
ンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジシク
ロペンタジエニルジ(メタ)アクリレート、ペンタエリ
スリトールヘキサ(メタ)アクリレートあるいはトリメ
チルプロパントリ(メタ)アクリレートなどを挙げ、更
に具体的には、ペンタエリスリトールトリアクリレート
及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを
挙げることができる。
【0015】上記各保護コート層の厚みは、用いる材料
の光透過率あるいは硬度や表面電気抵抗値などを考慮し
て適宜選択することができるが、具体的には、第1保護
コート層1の厚さを0.1μm〜10μm、好ましく
は、1μm〜5μm、第2保護コート層2の厚さを5μ
m〜20μm、好ましくは、5μm〜10μmとするの
がよい。
の光透過率あるいは硬度や表面電気抵抗値などを考慮し
て適宜選択することができるが、具体的には、第1保護
コート層1の厚さを0.1μm〜10μm、好ましく
は、1μm〜5μm、第2保護コート層2の厚さを5μ
m〜20μm、好ましくは、5μm〜10μmとするの
がよい。
【0016】本発明の光磁気ディスクにおける保護コー
ト層の形成方法としては、はじめに第1保護コート層1
を形成する材料をスピンコート法などの手法により塗布
し、これを硬化した後、この上に第2保護コート層2を
形成する材料をスピンコート法などの手法により塗布
し、硬化させる方法が例示できるが、特に限定されな
い。
ト層の形成方法としては、はじめに第1保護コート層1
を形成する材料をスピンコート法などの手法により塗布
し、これを硬化した後、この上に第2保護コート層2を
形成する材料をスピンコート法などの手法により塗布
し、硬化させる方法が例示できるが、特に限定されな
い。
【0017】保護コート層の硬化方法としては、加熱又
は紫外線や電子線などの活性エネルギー線を照射するこ
とにより樹脂材料を硬化すればよい。しかしながら、加
熱によって光磁気ディスクを構成する光磁気記録膜、あ
るいは他の層に悪影響を及ぼすことがあるので、活性エ
ネルギー線を照射することにより硬化する樹脂材料を選
択する方がより好ましい。
は紫外線や電子線などの活性エネルギー線を照射するこ
とにより樹脂材料を硬化すればよい。しかしながら、加
熱によって光磁気ディスクを構成する光磁気記録膜、あ
るいは他の層に悪影響を及ぼすことがあるので、活性エ
ネルギー線を照射することにより硬化する樹脂材料を選
択する方がより好ましい。
【0018】保護コート剤を塗布した後、該保護コート
剤を光照射により硬化せしめるためには、必要に応じて
開始剤が保護コート剤に添加される。例えば、紫外線に
て硬化させる場合には、1−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェ
ニルエタン−1−オン、ベンゾフェノン、ジエトキシア
セトフェノンなどが、各層の保護コート剤に対して0.
1−10重量%添加される。
剤を光照射により硬化せしめるためには、必要に応じて
開始剤が保護コート剤に添加される。例えば、紫外線に
て硬化させる場合には、1−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェ
ニルエタン−1−オン、ベンゾフェノン、ジエトキシア
セトフェノンなどが、各層の保護コート剤に対して0.
1−10重量%添加される。
【0019】更に保護コート剤には、その性能を損なわ
ない範囲において、熱安定剤、酸化防止剤、粘度調整剤
その他の添加剤を加えても良い。
ない範囲において、熱安定剤、酸化防止剤、粘度調整剤
その他の添加剤を加えても良い。
【0020】以上の材料により構成された光磁気ディス
ク表面の電気抵抗は、1×109Ω〜9×1012Ω、
鉛筆硬度はHB〜2Hとなり、これにより実質的に十分
な帯電防止能及び耐擦傷性を光磁気ディスクに付与する
ことができる。
ク表面の電気抵抗は、1×109Ω〜9×1012Ω、
鉛筆硬度はHB〜2Hとなり、これにより実質的に十分
な帯電防止能及び耐擦傷性を光磁気ディスクに付与する
ことができる。
【0021】本発明の光磁気ディスクは、その表面が上
述のような保護コート層により被覆されるものである
が、本発明において光磁気ディスクの表面とは、記録の
書込み又は読出しの際に光磁気ディスクに照射するレー
ザー光の入射面、透過面及びレーザー光の光磁気ディス
クからの戻り光が通過する面を示す。
述のような保護コート層により被覆されるものである
が、本発明において光磁気ディスクの表面とは、記録の
書込み又は読出しの際に光磁気ディスクに照射するレー
ザー光の入射面、透過面及びレーザー光の光磁気ディス
クからの戻り光が通過する面を示す。
【0022】よって、図1に示す構造の光磁気ディスク
が、レーザー光を基板3を通過させて光磁気記録膜に照
射し、レーザー光の戻り光を再び基板3を通過させるこ
とにより記録の書込み又は読出しを行うものである場
合、2層の保護コート層は少なくとも基板3の表面に形
成すればよく、もちろん、図1のごとく基板と反対側の
磁気記録層4表面にも形成してよい。
が、レーザー光を基板3を通過させて光磁気記録膜に照
射し、レーザー光の戻り光を再び基板3を通過させるこ
とにより記録の書込み又は読出しを行うものである場
合、2層の保護コート層は少なくとも基板3の表面に形
成すればよく、もちろん、図1のごとく基板と反対側の
磁気記録層4表面にも形成してよい。
【0023】更に、本発明の光磁気ディスクの構造とし
ては、図2あるいは図3に示すものも例示することがで
きる。ここで、図2に示すものは、基板3上に光磁気記
録層4及び反射層6を配置したディスクを接着剤5を介
して2枚接着した光磁気ディスクであり、レーザー光
は、基板3から入射し、反射層6で反射して基板3を再
び透過するものであることから、2層の保護コート層は
両基板3の表面に形成される。
ては、図2あるいは図3に示すものも例示することがで
きる。ここで、図2に示すものは、基板3上に光磁気記
録層4及び反射層6を配置したディスクを接着剤5を介
して2枚接着した光磁気ディスクであり、レーザー光
は、基板3から入射し、反射層6で反射して基板3を再
び透過するものであることから、2層の保護コート層は
両基板3の表面に形成される。
【0024】図3に示すものは基板3上に光磁気記録層
4及び反射膜6を配置してなる光磁気ディスクであり、
レーザー光を基板3に通過させて光磁気記録膜に照射す
るものである。この場合、少なくともレーザー光が通過
する面である基板3の表面に2層の保護コート層が形成
されればよく、勿論、図3のごとく反射層6表面にも形
成されてもよい。
4及び反射膜6を配置してなる光磁気ディスクであり、
レーザー光を基板3に通過させて光磁気記録膜に照射す
るものである。この場合、少なくともレーザー光が通過
する面である基板3の表面に2層の保護コート層が形成
されればよく、勿論、図3のごとく反射層6表面にも形
成されてもよい。
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【0026】調製例1 低表面電気抵抗を発現する保護コート層(第1保護コー
ト層1)を形成するための材料として、ノナエチレング
リコールジアクリレート90gに粘度調整剤として、
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート10gを混合
し、更にこれに1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトンを1g添加してなる紫外線重合性コート剤を調製
した(以下、コート剤Aと称する)。
ト層1)を形成するための材料として、ノナエチレング
リコールジアクリレート90gに粘度調整剤として、
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート10gを混合
し、更にこれに1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトンを1g添加してなる紫外線重合性コート剤を調製
した(以下、コート剤Aと称する)。
【0027】調製例2 高硬度の樹脂保護コート層(第2保護コート層2)を形
成するための材料として、ペンタエリスリトールトリア
クリレ−トおよび粘度調整剤として、1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレートをそれぞれ850gおよび15
0gを混合し、更にこれに1−ヒドロキシヘキシルフェ
ニルケトン10gを添加してなる紫外線重合性コート剤
を調製した(以下、コート剤Bと称する)。
成するための材料として、ペンタエリスリトールトリア
クリレ−トおよび粘度調整剤として、1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレートをそれぞれ850gおよび15
0gを混合し、更にこれに1−ヒドロキシヘキシルフェ
ニルケトン10gを添加してなる紫外線重合性コート剤
を調製した(以下、コート剤Bと称する)。
【0028】調製例3 高硬度の樹脂保護コート層(第2保護コート層2)を形
成するための材料として、ジペンタエリスリトールヘキ
サアクリレートおよびイソボルニルアクリレートをそれ
ぞれ600gおよび400gを混合し、更にこれに1−
ヒドロキシヘキシルフェニルケトン10gを添加してな
る紫外線重合性コ−ト剤を調製した(以下、コート剤C
と称する)。
成するための材料として、ジペンタエリスリトールヘキ
サアクリレートおよびイソボルニルアクリレートをそれ
ぞれ600gおよび400gを混合し、更にこれに1−
ヒドロキシヘキシルフェニルケトン10gを添加してな
る紫外線重合性コ−ト剤を調製した(以下、コート剤C
と称する)。
【0029】実施例1 図1に示す光磁気ディスクを作製した。はじめにポリカ
ーボネートからなる基板3の上に、窒化珪素からなる保
護膜、TbFeCoからなる光磁気記録膜、窒化珪素か
らなる保護膜を積層してなる光磁気記録層4を配置し
た。次に基板3の光磁気記録層を配置した側と反対側
に、コート剤Aを5000回転で10秒間スピンコート
し、これを紫外線により露光硬化して第1保護コート層
1を厚さ3.2μmで形成した。この露光のときの紫外
線の積算照射量は1500mj/cm2であった。
ーボネートからなる基板3の上に、窒化珪素からなる保
護膜、TbFeCoからなる光磁気記録膜、窒化珪素か
らなる保護膜を積層してなる光磁気記録層4を配置し
た。次に基板3の光磁気記録層を配置した側と反対側
に、コート剤Aを5000回転で10秒間スピンコート
し、これを紫外線により露光硬化して第1保護コート層
1を厚さ3.2μmで形成した。この露光のときの紫外
線の積算照射量は1500mj/cm2であった。
【0030】ついで、この第1保護コート層1上にコ−
ト剤Bを5000回転で10秒間スピンコートし、同様
の条件で紫外線重合し、厚さ4.2μmの第2保護コー
ト層2を形成した。
ト剤Bを5000回転で10秒間スピンコートし、同様
の条件で紫外線重合し、厚さ4.2μmの第2保護コー
ト層2を形成した。
【0031】更に、前記光磁気記録層4の上にも、同様
に第1保護コート層1及び第2保護コート層2を形成し
て光磁気ディスクを製造した。
に第1保護コート層1及び第2保護コート層2を形成し
て光磁気ディスクを製造した。
【0032】このようにして2層の保護コート層を形成
した光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表面電気抵
抗を測定した結果を表1に示す。なお、鉛筆硬度の測定
はJIS K−6911に従って行い、表面電気抵抗値
の測定は表面電気抵抗値測定装置(川口電機社製、商品
名「TERAOHMMETER R−530」)を用
い、印加電圧を500Vとして測定した。
した光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表面電気抵
抗を測定した結果を表1に示す。なお、鉛筆硬度の測定
はJIS K−6911に従って行い、表面電気抵抗値
の測定は表面電気抵抗値測定装置(川口電機社製、商品
名「TERAOHMMETER R−530」)を用
い、印加電圧を500Vとして測定した。
【0033】実施例2 第2保護コート層2として、コート剤Cを5000回転
で10秒間スピンコートし、同様な条件にて重合した厚
さ5.2μmの保護コート層を形成したほかは、実施例
1と同様にして、光磁気ディスクを作製した。得られた
光磁気ディスクの鉛筆硬度及び表面電気抵抗値を測定し
た結果を表1に示す。
で10秒間スピンコートし、同様な条件にて重合した厚
さ5.2μmの保護コート層を形成したほかは、実施例
1と同様にして、光磁気ディスクを作製した。得られた
光磁気ディスクの鉛筆硬度及び表面電気抵抗値を測定し
た結果を表1に示す。
【0034】比較例1 保護コート層として、コート剤Aをもちいて1層のみ形
成した以外は実施例1と同様にして光磁気ディスクを作
製した。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度およ
び表面電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
成した以外は実施例1と同様にして光磁気ディスクを作
製した。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度およ
び表面電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
【0035】比較例2 保護コート層として、コート剤Bをもちいて1層のみ形
成した以外は実施例1と同様にして光磁気ディスクを作
製した。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度およ
び表面電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
成した以外は実施例1と同様にして光磁気ディスクを作
製した。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度およ
び表面電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
【0036】比較例3 保護コート層として、コート剤Cをもちいて1層のみ形
成した以外は実施例1と同様にして光磁気ディスクを作
製した。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度およ
び表面電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
成した以外は実施例1と同様にして光磁気ディスクを作
製した。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度およ
び表面電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
【0037】
【0038】
【発明の効果】本発明の光磁気ディスクは、その表面が
帯電防止能及び耐擦傷性に優れたものである。従って、
ディスク表面に塵埃が付着しにくいものとなり、また、
塵埃が付着した場合でも、これを布などで拭いても表面
に傷がつきにくいものである。
帯電防止能及び耐擦傷性に優れたものである。従って、
ディスク表面に塵埃が付着しにくいものとなり、また、
塵埃が付着した場合でも、これを布などで拭いても表面
に傷がつきにくいものである。
【図1】 本発明の光磁気ディスクの構造の一例を示す
部分断面である。
部分断面である。
【図2】 本発明の光磁気ディスクの構造の一例を示す
部分断面である。
部分断面である。
【図3】 本発明の光磁気ディスクの構造の一例を示す
部分断面である。
部分断面である。
1 : 第1保護コート層 2 : 第2保護コート層 3 : 基板 4 : 光磁気記録層 5 : 接着層 6 : 反射層
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも光磁気記録膜を配置
してなる光磁気ディスクの少なくとも一方の表面に2層
の保護コートが施されてなる光磁気ディスクにおいて、
下層の保護コートが1×1012Ω以下の表面電気抵抗
を有していることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16669892A JPH05334744A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16669892A JPH05334744A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334744A true JPH05334744A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15836093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16669892A Pending JPH05334744A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05334744A (ja) |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP16669892A patent/JPH05334744A/ja active Pending
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