JPH05335365A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置Info
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- JPH05335365A JPH05335365A JP4139427A JP13942792A JPH05335365A JP H05335365 A JPH05335365 A JP H05335365A JP 4139427 A JP4139427 A JP 4139427A JP 13942792 A JP13942792 A JP 13942792A JP H05335365 A JPH05335365 A JP H05335365A
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- bonding wire
- insulating tape
- semiconductor device
- lead frame
- bonding
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンデングワイヤの形状不良等の欠陥を防止
することである。 【構成】 リードフレームのアイランド部３の端部周辺
上に絶縁テープ６を接着する。この状態で、アイランド
部３に固定された半導体チップ４とリードフレームのイ
ンナリード部１をワイヤボンデングする。ボンデングワ
イヤ２は絶縁テープ６に接着して固定される。これによ
り、ボンデングワイヤ２の曲り等が防止される。
することである。 【構成】 リードフレームのアイランド部３の端部周辺
上に絶縁テープ６を接着する。この状態で、アイランド
部３に固定された半導体チップ４とリードフレームのイ
ンナリード部１をワイヤボンデングする。ボンデングワ
イヤ２は絶縁テープ６に接着して固定される。これによ
り、ボンデングワイヤ２の曲り等が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置及びその製
造方法にかかり、特に、ワイヤボンデング及び実装され
たボンデングワイヤの信頼性を高める技術に関する。
造方法にかかり、特に、ワイヤボンデング及び実装され
たボンデングワイヤの信頼性を高める技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のワイヤボンデング工程を図５、図
６を参照して説明する。
６を参照して説明する。
【０００３】まず、リードフレームのアイランド３にダ
イボンデングペースト５を使用して半導体チップ４をダ
イボンデングし、この半導体チップ４とインナリード１
をボンデングワイヤ（例えば、金線）２を用いてボンデ
ングする。その後、このリードフレームをモールドし
て、半導体装置を製造する。
イボンデングペースト５を使用して半導体チップ４をダ
イボンデングし、この半導体チップ４とインナリード１
をボンデングワイヤ（例えば、金線）２を用いてボンデ
ングする。その後、このリードフレームをモールドし
て、半導体装置を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のボンデングワイ
ヤ２は半導体チップ４との接触点３ａとインナリードと
の接触点３ｂだけで保持されており、ボンデングワイヤ
２の間の部分は全くのフリー状態である。このため、ボ
ンデングからモールドまでの工程で外的衝撃が加わると
ボンデングワイヤ２の形状が変化したり、位置がづれて
しまうことがある。また、モールド工程において、モー
ルド時の樹脂等の圧力でボンデングワイヤ２の形状が変
化し、ボンデングワイヤの形状不良が発生する場合があ
った。この問題は、ボンデングワイヤ２が長くなる程、
顕著であった。
ヤ２は半導体チップ４との接触点３ａとインナリードと
の接触点３ｂだけで保持されており、ボンデングワイヤ
２の間の部分は全くのフリー状態である。このため、ボ
ンデングからモールドまでの工程で外的衝撃が加わると
ボンデングワイヤ２の形状が変化したり、位置がづれて
しまうことがある。また、モールド工程において、モー
ルド時の樹脂等の圧力でボンデングワイヤ２の形状が変
化し、ボンデングワイヤの形状不良が発生する場合があ
った。この問題は、ボンデングワイヤ２が長くなる程、
顕著であった。
【０００５】この発明は上記実情を考慮してなされたも
ので、ボンデングワイヤの形状不良等の欠陥を防止する
ことのできる半導体装置の製造方法及びボンデングワイ
ヤの形状不良等の欠陥を防止した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
ので、ボンデングワイヤの形状不良等の欠陥を防止する
ことのできる半導体装置の製造方法及びボンデングワイ
ヤの形状不良等の欠陥を防止した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる半導体装置の製造方法はリードフ
レームのアイランド部の端部周辺上に絶縁テープを接着
し、前記絶縁テープをボンデングワイヤの支持として用
いつつ前記アイランド部に固定された半導体チップとリ
ードフレームのインナリード部をワイヤボンデングする
工程と、結果物をモールドする工程を備え、前記絶縁テ
ープを前記ボンデングワイヤの支持として使用すること
により、ボンデングワイヤの不良を防止する。
め、この発明にかかる半導体装置の製造方法はリードフ
レームのアイランド部の端部周辺上に絶縁テープを接着
し、前記絶縁テープをボンデングワイヤの支持として用
いつつ前記アイランド部に固定された半導体チップとリ
ードフレームのインナリード部をワイヤボンデングする
工程と、結果物をモールドする工程を備え、前記絶縁テ
ープを前記ボンデングワイヤの支持として使用すること
により、ボンデングワイヤの不良を防止する。
【０００７】なお、絶縁テープを接着性のテープで構成
し、前記ボンデングワイヤを前記テープに接着し、前記
絶縁テープが前記ボンデングワイヤを固定するようにし
てもよい。
し、前記ボンデングワイヤを前記テープに接着し、前記
絶縁テープが前記ボンデングワイヤを固定するようにし
てもよい。
【０００８】また、この発明にかかる半導体装置は半導
体チップが固定されたリードフレームのアイランド部
と、前記アイランド部の端部周辺上に固定された絶縁テ
ープと、前記絶縁テープ上を通って前記半導体チップと
前記リードフレームのインナリード部を接続するボンデ
ングワイヤと、前記半導体チップと前記リードフレーム
のアイランド部とインナリード部及び前記ボンデングワ
イヤをモールドするモールド部材を備える。
体チップが固定されたリードフレームのアイランド部
と、前記アイランド部の端部周辺上に固定された絶縁テ
ープと、前記絶縁テープ上を通って前記半導体チップと
前記リードフレームのインナリード部を接続するボンデ
ングワイヤと、前記半導体チップと前記リードフレーム
のアイランド部とインナリード部及び前記ボンデングワ
イヤをモールドするモールド部材を備える。
【０００９】
【作用】上記構成においては、絶縁テープがボンデング
ワイヤを支持或いは固定するので、製造工程でのボンデ
ングワイヤの曲り、垂れ等を防止できる。
ワイヤを支持或いは固定するので、製造工程でのボンデ
ングワイヤの曲り、垂れ等を防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１ないし図３を参照して、この実施例に
かかるＬＥＤ表示装置の構成を説明する。図１はワイヤ
ボンデング後の半導体装置の平面図、図２は図１の断面
図、図３はモールド後の半導体装置の断面図である。
かかるＬＥＤ表示装置の構成を説明する。図１はワイヤ
ボンデング後の半導体装置の平面図、図２は図１の断面
図、図３はモールド後の半導体装置の断面図である。
【００１２】まず、アイランド３の中央部に半導体チッ
プ４をダイボンデングペースト５を用いて固定する。次
に、ポリイミド等からなる接着性の高耐熱絶縁性テープ
６をアイランド３の端部周辺に接着する。高耐熱絶縁性
テープ６の高さはボンデングワイヤの保護と後述するモ
ールデングの容易性（高くなる程モールデングが困難で
ある）を考慮して半導体チップ４の高さの２／３〜４／
３倍が望ましく、その厚さは１mm以下が望ましい。高耐
熱性絶縁テープ６は上面も接着性である。
プ４をダイボンデングペースト５を用いて固定する。次
に、ポリイミド等からなる接着性の高耐熱絶縁性テープ
６をアイランド３の端部周辺に接着する。高耐熱絶縁性
テープ６の高さはボンデングワイヤの保護と後述するモ
ールデングの容易性（高くなる程モールデングが困難で
ある）を考慮して半導体チップ４の高さの２／３〜４／
３倍が望ましく、その厚さは１mm以下が望ましい。高耐
熱性絶縁テープ６は上面も接着性である。
【００１３】マウントされた半導体チップ４とインナリ
ード１をボンデングワイヤ２でボンデングする。この
際、ボンデングワイヤ２は前述した高耐熱絶縁性テープ
６に接触、接着しており、ボンデングワイヤ２の保持部
として３ａ，３ｂ以外に、新たに３ｃができる。この保
持部３ｃにより、ボンデングワイヤ２の高方向の変化及
び水平方向のずれが防止される。
ード１をボンデングワイヤ２でボンデングする。この
際、ボンデングワイヤ２は前述した高耐熱絶縁性テープ
６に接触、接着しており、ボンデングワイヤ２の保持部
として３ａ，３ｂ以外に、新たに３ｃができる。この保
持部３ｃにより、ボンデングワイヤ２の高方向の変化及
び水平方向のずれが防止される。
【００１４】その後、結果物をトランスファモールド
し、図３に断面で示される構造の半導体装置を得る。
し、図３に断面で示される構造の半導体装置を得る。
【００１５】上記構成によれば、高耐熱絶縁性テープ６
の働きにより、ボンデングワイヤ２が固定に近い状態に
なるため、ボンデングワイヤ２の曲りや垂れ等の不良を
ほぼなくすことができ、ボンデングワイヤ２をボンダー
の限界まで延ばすことができる。
の働きにより、ボンデングワイヤ２が固定に近い状態に
なるため、ボンデングワイヤ２の曲りや垂れ等の不良を
ほぼなくすことができ、ボンデングワイヤ２をボンダー
の限界まで延ばすことができる。
【００１６】この発明は上記実施例に限定されない、上
記実施例においては、例えば、高耐熱絶縁性テープ６と
してポリイミド製のテープを使用したが、他の材質のテ
ープを使用してもよい。また、高耐熱絶縁性テープの形
状も薄形のものに限定されず、他の断面形状、例えば、
図４に示されるような形状でもよい。また、高耐熱絶縁
性テープ６は接着性である必要はなく、接着材料等を用
いてアイランド３に固定してもよい。また、ボンデング
ワイヤ２は必ずしも、高耐熱絶縁性テープ６に接触する
必要はなく、例えば、図４に示されるように、高耐熱絶
縁性テープ６を離れて位置してもよい。このような場合
でも、たとえ、何等かの原因により、ボンデングワイヤ
２が曲がったり歪んだりしれも、高耐熱絶縁性テープ６
が支持となるため、不良となる割合が低下する。
記実施例においては、例えば、高耐熱絶縁性テープ６と
してポリイミド製のテープを使用したが、他の材質のテ
ープを使用してもよい。また、高耐熱絶縁性テープの形
状も薄形のものに限定されず、他の断面形状、例えば、
図４に示されるような形状でもよい。また、高耐熱絶縁
性テープ６は接着性である必要はなく、接着材料等を用
いてアイランド３に固定してもよい。また、ボンデング
ワイヤ２は必ずしも、高耐熱絶縁性テープ６に接触する
必要はなく、例えば、図４に示されるように、高耐熱絶
縁性テープ６を離れて位置してもよい。このような場合
でも、たとえ、何等かの原因により、ボンデングワイヤ
２が曲がったり歪んだりしれも、高耐熱絶縁性テープ６
が支持となるため、不良となる割合が低下する。
【００１７】その他、この発明は上記実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。
ず、種々の変形が可能である。
【００１８】
【発明の効果】本願発明によれば、絶縁性テープがボン
デングワイヤを固定するため、ボンデングワイヤの曲り
や垂れ等の不良を防止でき、ひいては半導体装置の歩留
まりを高めると共に半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
デングワイヤを固定するため、ボンデングワイヤの曲り
や垂れ等の不良を防止でき、ひいては半導体装置の歩留
まりを高めると共に半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
【図１】この発明の一実施例に係るワイヤボンデング後
の半導体装置の平面図。
の半導体装置の平面図。
【図２】図１に示される半導体装置の断面図。
【図３】この発明の一実施例に係る半導体装置のモール
ド後の状態を示す断面図。
ド後の状態を示す断面図。
【図４】この発明の他の実施例に係るワイヤボンデング
後の半導体装置の断面図。
後の半導体装置の断面図。
【図５】従来の半導体装置のワイヤボンデング後の平面
図。
図。
【図６】図５に示される半導体装置の断面図。
１…インナリード、２…ボンデングワイヤ、３…アイラ
ンド、４…半導体チップ、５…マウントペースト、６…
高耐熱性絶縁テープ。
ンド、４…半導体チップ、５…マウントペースト、６…
高耐熱性絶縁テープ。
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレームのアイランド部の端部周辺
上に絶縁テープを接着し、前記絶縁テープをボンデング
ワイヤの支持として用いつつ前記アイランド部に固定さ
れた半導体チップとリードフレームのインナーリード部
をワイヤボンデングする工程と、結果物をモールドする
工程を備え、前記絶縁テープを前記ボンデングワイヤの
支持として使用することにより、ボンデングワイヤの不
良を防止することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】絶縁テープは接着性のテープから構成さ
れ、前記ボンデングワイヤは前記テープに接着し、前記
絶縁テープが前記ボンデングワイヤを固定することを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体チップが固定されたリードフレーム
のアイランド部と、前記アイランド部の端部周辺上に固
定された絶縁テープと、前記絶縁テープ上を通って前記
半導体チップと前記リードフレームのインナリード部を
接続するボンデングワイヤと、前記半導体チップと前記
リードフレームのアイランド部とインナリード部及び前
記ボンデングワイヤをモールドするモールド部材を備え
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4139427A JPH05335365A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4139427A JPH05335365A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335365A true JPH05335365A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15244948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4139427A Pending JPH05335365A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019135761A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4139427A patent/JPH05335365A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019135761A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
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