JPH05335399A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH05335399A JPH05335399A JP3108867A JP10886791A JPH05335399A JP H05335399 A JPH05335399 A JP H05335399A JP 3108867 A JP3108867 A JP 3108867A JP 10886791 A JP10886791 A JP 10886791A JP H05335399 A JPH05335399 A JP H05335399A
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- Japan
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- chamber
- vacuum
- substrate
- vacuum processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理部材を大気に晒すことなく次の真空処
理室まで運搬できる真空処理装置を提供する。 【構成】 スパッタ室ＳＰ、プラズマ重合室ＰＰ、エッ
チング室ＲＩＥ、現像・アッシング室ＲＰを連結した搬
送室ＴＲと電子線描画室ＥＢとの間で、基板を真空室内
に収納したまま搬送するキャリアボックスＣＢを設け
る。キャリアボックスＣＢを介して基板１を搬送室ＴＲ
から電子線描画室ＥＢへ、また、その逆方向へ搬送する
ことができるから、この間、基板を大気に晒すことがな
い。
理室まで運搬できる真空処理装置を提供する。 【構成】 スパッタ室ＳＰ、プラズマ重合室ＰＰ、エッ
チング室ＲＩＥ、現像・アッシング室ＲＰを連結した搬
送室ＴＲと電子線描画室ＥＢとの間で、基板を真空室内
に収納したまま搬送するキャリアボックスＣＢを設け
る。キャリアボックスＣＢを介して基板１を搬送室ＴＲ
から電子線描画室ＥＢへ、また、その逆方向へ搬送する
ことができるから、この間、基板を大気に晒すことがな
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。詳しくは、複数の真空処理室へ被処理部材を順次搬
送し、各真空室内において被処理部材に各種処理を行う
処理プロセス、例えば、半導体集積回路（ＬＳＩ）の製
造プロセスなどに利用できる。
る。詳しくは、複数の真空処理室へ被処理部材を順次搬
送し、各真空室内において被処理部材に各種処理を行う
処理プロセス、例えば、半導体集積回路（ＬＳＩ）の製
造プロセスなどに利用できる。
【０００２】
【背景技術】例えば、半導体集積回路（ＬＳＩ）の製造
プロセスは、図６に示す如く、シリコンやガラスなどの
基板１の表面に半導体膜や金属膜などの薄膜２を被着さ
せるスパッタリング工程（Ａ）、薄膜２の上にレジスト
膜３をコーティングするレジストコート工程（Ｂ）、そ
のレジスト膜３に光、電子線、レーザ線４などを照射し
て必要なパターンを描画する露光工程（Ｃ）、レジスト
膜３を現像する現像工程（Ｄ）、現像工程で残ったレジ
スト膜３をマスクとして薄膜２を部分的にエッチングで
除去するエッチング工程（Ｅ）、最後にマスクとして使
用したレジスト膜３を除去するアッシング工程（Ｆ）か
らなる。
プロセスは、図６に示す如く、シリコンやガラスなどの
基板１の表面に半導体膜や金属膜などの薄膜２を被着さ
せるスパッタリング工程（Ａ）、薄膜２の上にレジスト
膜３をコーティングするレジストコート工程（Ｂ）、そ
のレジスト膜３に光、電子線、レーザ線４などを照射し
て必要なパターンを描画する露光工程（Ｃ）、レジスト
膜３を現像する現像工程（Ｄ）、現像工程で残ったレジ
スト膜３をマスクとして薄膜２を部分的にエッチングで
除去するエッチング工程（Ｅ）、最後にマスクとして使
用したレジスト膜３を除去するアッシング工程（Ｆ）か
らなる。
【０００３】ところで、上記工程のうち、レジストコー
ト工程（Ｂ）を除く各工程（Ａ）（Ｃ）〜（Ｆ）につい
ては、既に、真空中で処理が行われている。また、レジ
ストコート工程（Ｂ）についても、スピンコート式（基
板１を高速で回転させながら、レジスト用高分子塗膜材
料を液状に滴下して基板１の表面にレジスト膜３をコー
ティングする方式）が多用されているが、プラズマ重合
により基板１の表面にレジスト膜３を形成する方法も開
発されたことに伴い、例えば、図４または図５に示す真
空処理装置を利用してこれらの各工程を真空中で行うよ
うになってきている。
ト工程（Ｂ）を除く各工程（Ａ）（Ｃ）〜（Ｆ）につい
ては、既に、真空中で処理が行われている。また、レジ
ストコート工程（Ｂ）についても、スピンコート式（基
板１を高速で回転させながら、レジスト用高分子塗膜材
料を液状に滴下して基板１の表面にレジスト膜３をコー
ティングする方式）が多用されているが、プラズマ重合
により基板１の表面にレジスト膜３を形成する方法も開
発されたことに伴い、例えば、図４または図５に示す真
空処理装置を利用してこれらの各工程を真空中で行うよ
うになってきている。
【０００４】図４に示す真空処理装置は、仕切バルブ１
０１を有する搬入室１０２に仕切バルブ１０３を介して
真空処理室１０４を連結し、この真空処理室１０４に仕
切バルブ１０５を介して仕切バルブ１０７を有する排出
室１０６を連結した構造である。仕切バルブ１０１を開
けて基板１を搬入室１０２に搬入した後、仕切バルブ１
０１を閉じる。ここで、搬入室１０２を排気して所定の
真空圧に設定した状態において、仕切バルブ１０３を開
けて基板１を真空処理室１０４内に搬入した後、仕切バ
ルブ１０３を閉じる。ここで、真空処理室１０４内にお
いて、基板１に対してプラズマ処理、例えば、スパッ
タ、エッチング、ＣＶＤ処理した後、仕切バルブ１０５
を開けて搬出室１０４へ搬出した後、仕切バルブ１０５
を閉じる。この後、仕切バルブ１０７を開けて基板１を
大気に取り出す。
０１を有する搬入室１０２に仕切バルブ１０３を介して
真空処理室１０４を連結し、この真空処理室１０４に仕
切バルブ１０５を介して仕切バルブ１０７を有する排出
室１０６を連結した構造である。仕切バルブ１０１を開
けて基板１を搬入室１０２に搬入した後、仕切バルブ１
０１を閉じる。ここで、搬入室１０２を排気して所定の
真空圧に設定した状態において、仕切バルブ１０３を開
けて基板１を真空処理室１０４内に搬入した後、仕切バ
ルブ１０３を閉じる。ここで、真空処理室１０４内にお
いて、基板１に対してプラズマ処理、例えば、スパッ
タ、エッチング、ＣＶＤ処理した後、仕切バルブ１０５
を開けて搬出室１０４へ搬出した後、仕切バルブ１０５
を閉じる。この後、仕切バルブ１０７を開けて基板１を
大気に取り出す。
【０００５】また、図５に示す真空処理装置は、仕切バ
ルブ１１１を有する予備室１１２に仕切バルブ１１３を
介して真空処理室１１４を連結した構造である。仕切バ
ルブ１１１を開けて基板１を予備室１１２に搬入した
後、仕切バルブ１１１を閉じる。ここで、予備室１１２
を排気して所定の真空圧に設定した状態において、仕切
バルブ１１３を開けて基板１を真空処理室１１４内に搬
入した後、仕切バルブ１１３を閉じる。ここで、真空処
理室１１４内において、基板１に対してプラズマ処理、
例えば、スパッタ、エッチング、ＣＶＤ処理した後、仕
切バルブ１１３を開けて予備室１１２へ搬出した後、仕
切バルブ１１３を閉じる。この後、仕切バルブ１１１を
開けて基板１を大気に取り出す。
ルブ１１１を有する予備室１１２に仕切バルブ１１３を
介して真空処理室１１４を連結した構造である。仕切バ
ルブ１１１を開けて基板１を予備室１１２に搬入した
後、仕切バルブ１１１を閉じる。ここで、予備室１１２
を排気して所定の真空圧に設定した状態において、仕切
バルブ１１３を開けて基板１を真空処理室１１４内に搬
入した後、仕切バルブ１１３を閉じる。ここで、真空処
理室１１４内において、基板１に対してプラズマ処理、
例えば、スパッタ、エッチング、ＣＶＤ処理した後、仕
切バルブ１１３を開けて予備室１１２へ搬出した後、仕
切バルブ１１３を閉じる。この後、仕切バルブ１１１を
開けて基板１を大気に取り出す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した図４または図
５に示す真空処理装置では、基板１に対して１つのプロ
セス処理が終了するごとに、基板１を大気中に取り出
し、次の工程まで搬送しなければならない。これは、真
空中で処理した基板１を大気に晒した状態で次の工程ま
で搬送しなければならないため、搬送中に大気中の汚染
物質が基板１の表面に付着し、プロセス処理の品質を低
下させるという問題がある。
５に示す真空処理装置では、基板１に対して１つのプロ
セス処理が終了するごとに、基板１を大気中に取り出
し、次の工程まで搬送しなければならない。これは、真
空中で処理した基板１を大気に晒した状態で次の工程ま
で搬送しなければならないため、搬送中に大気中の汚染
物質が基板１の表面に付着し、プロセス処理の品質を低
下させるという問題がある。
【０００７】ここに、本発明の目的は、このような従来
の問題を解消し、真空処理した被処理部材を大気に晒す
ことなく、次の工程へ運ぶことができる真空処理装置を
提供することにある。
の問題を解消し、真空処理した被処理部材を大気に晒す
ことなく、次の工程へ運ぶことができる真空処理装置を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明の真空
処理装置では、互いに離隔した場所に設置されそれぞれ
真空保持可能な複数の真空処理室を有し、被処理部材を
真空処理室内に順次搬入して処理を行う真空処理装置に
おいて、真空室を有し、この真空室内に前記被処理部材
を収納したまま前記各真空処理室間を搬送するキャリア
ボックスを設けたことを特徴としている。
処理装置では、互いに離隔した場所に設置されそれぞれ
真空保持可能な複数の真空処理室を有し、被処理部材を
真空処理室内に順次搬入して処理を行う真空処理装置に
おいて、真空室を有し、この真空室内に前記被処理部材
を収納したまま前記各真空処理室間を搬送するキャリア
ボックスを設けたことを特徴としている。
【０００９】
【作用】最初の真空処理室で処理された被処理部材は、
キャリアボックスの真空室内に収納されたまま次の真空
処理室まで搬送される。従って、被処理部材は大気に晒
されることなく次の工程まで搬送され、この間、大気中
の汚染物質が被処理部材の表面に付着することがないか
ら、高品質な製品が得られる。
キャリアボックスの真空室内に収納されたまま次の真空
処理室まで搬送される。従って、被処理部材は大気に晒
されることなく次の工程まで搬送され、この間、大気中
の汚染物質が被処理部材の表面に付着することがないか
ら、高品質な製品が得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を半導体集積回路の真空リソグ
ラフィ装置に適用した一実施例を図１〜図３に基づいて
説明する。なお、これらの説明に当たって、前述した図
６と同一構成要件については、同一符号を付し、その説
明を省略する。図１は本実施例の真空リソグラフィ装置
を示している。同図において、ＴＲは搬送室である。搬
送室ＴＲには、両端面および長手方向の所定間隔位置に
仕切バルブ装置Ｖ１〜Ｖ５がそれぞれ設けられていると
ともに、内部に前記各仕切バルブ装置Ｖ３〜Ｖ５に対応
して搬送ロボットＲ１，Ｒ２，Ｒ３が、それらの搬送ロ
ボットＲ１，Ｒ２，Ｒ３の間に基板受けＳ１，Ｓ２がそ
れぞれ設けられている。
ラフィ装置に適用した一実施例を図１〜図３に基づいて
説明する。なお、これらの説明に当たって、前述した図
６と同一構成要件については、同一符号を付し、その説
明を省略する。図１は本実施例の真空リソグラフィ装置
を示している。同図において、ＴＲは搬送室である。搬
送室ＴＲには、両端面および長手方向の所定間隔位置に
仕切バルブ装置Ｖ１〜Ｖ５がそれぞれ設けられていると
ともに、内部に前記各仕切バルブ装置Ｖ３〜Ｖ５に対応
して搬送ロボットＲ１，Ｒ２，Ｒ３が、それらの搬送ロ
ボットＲ１，Ｒ２，Ｒ３の間に基板受けＳ１，Ｓ２がそ
れぞれ設けられている。
【００１１】前記仕切バルブ装置Ｖ２にはスパッタ室Ｓ
Ｐが、前記仕切バルブ装置Ｖ３にはプラズマ重合室ＰＰ
が、前記仕切バルブ装置Ｖ４にはエッチング室ＲＩＥ
が、前記仕切バルブ装置Ｖ５には現像・アッシング室Ｒ
Ｐが、それぞれ連結されている。ここで、スパッタ室Ｓ
Ｐは、真空中で基板１上に薄膜２を形成するための室で
ある。プラズマ重合室ＰＰは、真空中で前記薄膜２上に
レジスト膜３を形成するための室である。エッチング室
ＲＩＥは、真空中で前記現像レジスト膜３をマスクとし
て前記薄膜２を部分的にエッチングするための室であ
る。現像・アッシング室ＲＰは、真空中でパターン描画
後のレジスト膜３を現像する現像室と前記マスクとして
使用したレジスト膜３を除去するための除去室とを兼ね
る室である。
Ｐが、前記仕切バルブ装置Ｖ３にはプラズマ重合室ＰＰ
が、前記仕切バルブ装置Ｖ４にはエッチング室ＲＩＥ
が、前記仕切バルブ装置Ｖ５には現像・アッシング室Ｒ
Ｐが、それぞれ連結されている。ここで、スパッタ室Ｓ
Ｐは、真空中で基板１上に薄膜２を形成するための室で
ある。プラズマ重合室ＰＰは、真空中で前記薄膜２上に
レジスト膜３を形成するための室である。エッチング室
ＲＩＥは、真空中で前記現像レジスト膜３をマスクとし
て前記薄膜２を部分的にエッチングするための室であ
る。現像・アッシング室ＲＰは、真空中でパターン描画
後のレジスト膜３を現像する現像室と前記マスクとして
使用したレジスト膜３を除去するための除去室とを兼ね
る室である。
【００１２】これらスパッタ室ＳＰ、プラズマ重合室Ｐ
Ｐ、エッチング室ＲＩＥ、現像・アッシング室ＲＰおよ
び前記搬送室ＴＲは、それぞれ排気系ポンプＰに接続さ
れ、かつ、その排気系ポンプＰによってそれぞれが独立
的に真空保持可能に形成されている。なお、前記各仕切
バルブ装置Ｖ２〜Ｖ５は、開閉自在に構成され、かつ、
開かれた状態では前記基板１を各室に出し入れ可能な大
きさに保持されるとともに、閉じられた状態では各室を
真空状態に隔離可能に構成されている。
Ｐ、エッチング室ＲＩＥ、現像・アッシング室ＲＰおよ
び前記搬送室ＴＲは、それぞれ排気系ポンプＰに接続さ
れ、かつ、その排気系ポンプＰによってそれぞれが独立
的に真空保持可能に形成されている。なお、前記各仕切
バルブ装置Ｖ２〜Ｖ５は、開閉自在に構成され、かつ、
開かれた状態では前記基板１を各室に出し入れ可能な大
きさに保持されるとともに、閉じられた状態では各室を
真空状態に隔離可能に構成されている。
【００１３】前記仕切バルブ装置Ｖ１は、図２および図
３に示す如く、前記搬送室ＴＲの一端面に取り付けられ
かつ内外壁面に前記搬送室ＴＲ内と連通する開口部２
１，２２を有するバルブ本体２３と、このバルブ本体２
３の開口部２１を開閉するバルブ２４とを有する構造に
形成されている。バルブ本体２３の外壁面側には、キャ
リアボックスＣＢを載置するガイド２５が水平状に取り
付けられているとともに、そのガイド２５上のキャリア
ボックスＣＢを前記開口部２２に密着した状態にロック
するロック機構２６が設けられている。
３に示す如く、前記搬送室ＴＲの一端面に取り付けられ
かつ内外壁面に前記搬送室ＴＲ内と連通する開口部２
１，２２を有するバルブ本体２３と、このバルブ本体２
３の開口部２１を開閉するバルブ２４とを有する構造に
形成されている。バルブ本体２３の外壁面側には、キャ
リアボックスＣＢを載置するガイド２５が水平状に取り
付けられているとともに、そのガイド２５上のキャリア
ボックスＣＢを前記開口部２２に密着した状態にロック
するロック機構２６が設けられている。
【００１４】前記キャリアボックスＣＢは、前記搬送室
ＴＲと電子線描画室ＥＢとの間で基板１を搬送するため
のもので、ボックス本体３１を備える。ボックス本体３
１は、基板１を収納する容器３２と、この容器３２の上
面に開閉可能に設けられ内部に真空室３４を形成する蓋
体３３とから構成されている。容器３２には、その底面
に前記ガイド２５上を転動するキャスタ３５が設けられ
ているとともに、前記開口部２２に接する周囲壁に開口
部３６が、背面側の周囲壁に前記真空室３４内を排気す
るバルブ付のノズル３７がそれぞれ設けられている。真
空室３４内には、基板１を載置する基板受け３８が設け
られているとともに、前記開口部３６を開閉するバルブ
３９が設けられている。
ＴＲと電子線描画室ＥＢとの間で基板１を搬送するため
のもので、ボックス本体３１を備える。ボックス本体３
１は、基板１を収納する容器３２と、この容器３２の上
面に開閉可能に設けられ内部に真空室３４を形成する蓋
体３３とから構成されている。容器３２には、その底面
に前記ガイド２５上を転動するキャスタ３５が設けられ
ているとともに、前記開口部２２に接する周囲壁に開口
部３６が、背面側の周囲壁に前記真空室３４内を排気す
るバルブ付のノズル３７がそれぞれ設けられている。真
空室３４内には、基板１を載置する基板受け３８が設け
られているとともに、前記開口部３６を開閉するバルブ
３９が設けられている。
【００１５】前記電子線描画室ＥＢは、真空中で前記レ
ジスト膜３を露光して必要なパターンを描画するための
室で、前記搬送室ＴＲに対して離れた位置に設置されて
いる。つまり、他の室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰからの
ノイズや振動などの影響が少なくなるように、搬送室Ｔ
Ｒに対して離れた位置に設置されている。なお、電子線
描画室ＥＢにも、仕切バルブ装置Ｖ６、ガイド４５およ
びロック機構４６がそれぞれ設けられている。これらの
仕切バルブ装置Ｖ６、ガイド４５およびロック機構４６
については、前記搬送室ＴＲの仕切バルブ装置Ｖ１、ガ
イド２５およびロック機構２６と同一構造であるため説
明を省略する。
ジスト膜３を露光して必要なパターンを描画するための
室で、前記搬送室ＴＲに対して離れた位置に設置されて
いる。つまり、他の室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰからの
ノイズや振動などの影響が少なくなるように、搬送室Ｔ
Ｒに対して離れた位置に設置されている。なお、電子線
描画室ＥＢにも、仕切バルブ装置Ｖ６、ガイド４５およ
びロック機構４６がそれぞれ設けられている。これらの
仕切バルブ装置Ｖ６、ガイド４５およびロック機構４６
については、前記搬送室ＴＲの仕切バルブ装置Ｖ１、ガ
イド２５およびロック機構２６と同一構造であるため説
明を省略する。
【００１６】次に、本実施例の作用を説明する。予め、
各室ＴＲ，ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰを排気系ポンプＰ
によって所定の真空圧に排気しプロセス処理が可能な状
態に待機させておく。この状態において、基板１を収納
したキャリアボックスＣＢを搬送室ＴＲの仕切バルブ装
置Ｖ１に連結する。これには、キャリアボックスＣＢを
ガイド２５上に載置した後、ロック機構２６によってキ
ャリアボックスＣＢをバルブ本体２３の開口部２２に密
着させる。
各室ＴＲ，ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰを排気系ポンプＰ
によって所定の真空圧に排気しプロセス処理が可能な状
態に待機させておく。この状態において、基板１を収納
したキャリアボックスＣＢを搬送室ＴＲの仕切バルブ装
置Ｖ１に連結する。これには、キャリアボックスＣＢを
ガイド２５上に載置した後、ロック機構２６によってキ
ャリアボックスＣＢをバルブ本体２３の開口部２２に密
着させる。
【００１７】この後、ノズル３７を搬送室ＴＲの排気系
ポンプＰに接続して真空室３４内を排気して所定の真空
圧に設定する。ここで、キャリアボックスＣＢのバルブ
３９と搬送室ＴＲの仕切バルブ装置Ｖ１とを開き、搬送
ロボットＲ１を作動させてキャリアボックスＣＢ内の基
板１を搬送室ＴＲ内に搬入した後、予め定めた手順に従
ってプロセス処理を進める。
ポンプＰに接続して真空室３４内を排気して所定の真空
圧に設定する。ここで、キャリアボックスＣＢのバルブ
３９と搬送室ＴＲの仕切バルブ装置Ｖ１とを開き、搬送
ロボットＲ１を作動させてキャリアボックスＣＢ内の基
板１を搬送室ＴＲ内に搬入した後、予め定めた手順に従
ってプロセス処理を進める。
【００１８】まず、搬送室ＴＲ内の基板１をスパッタ室
ＳＰ内に搬入し、そこで、基板１の表面にクロムなどの
薄膜２を被着させる。その後、搬送室ＴＲ内に戻した
後、プラズマ重合室ＰＰ内に搬入し、そこで、プラズマ
反応を利用して反応ガスを堆積させて薄膜２の上にレジ
スト膜３を形成する。その後、搬送室ＴＲ内に戻す。
ＳＰ内に搬入し、そこで、基板１の表面にクロムなどの
薄膜２を被着させる。その後、搬送室ＴＲ内に戻した
後、プラズマ重合室ＰＰ内に搬入し、そこで、プラズマ
反応を利用して反応ガスを堆積させて薄膜２の上にレジ
スト膜３を形成する。その後、搬送室ＴＲ内に戻す。
【００１９】次に、搬送室ＴＲ内の基板１を、キャリア
ボックスＣＢ内に戻した後、仕切バルブ装置Ｖ１および
キャリアボックスＣＢのバルブ３９を閉じる。ここで、
ロック機構２６を解放してキャリアボックスＣＢを仕切
バルブ装置Ｖ１から外した後、キャリアボックスＣＢを
手または専用台車などで電子線描画室ＥＢまで運搬す
る。そこで、キャリアボックスＣＢ内の基板１を電子線
描画室ＥＢ内に搬入し、そこで、レジスト膜３に電子線
を照射しながパターンを描画する。その後、基板１を、
キャリアボックスＣＢ内に戻した後、キャリアボックス
ＣＢを搬送室ＴＲまで運搬し、仕切バルブ装置Ｖ１に連
結させる。
ボックスＣＢ内に戻した後、仕切バルブ装置Ｖ１および
キャリアボックスＣＢのバルブ３９を閉じる。ここで、
ロック機構２６を解放してキャリアボックスＣＢを仕切
バルブ装置Ｖ１から外した後、キャリアボックスＣＢを
手または専用台車などで電子線描画室ＥＢまで運搬す
る。そこで、キャリアボックスＣＢ内の基板１を電子線
描画室ＥＢ内に搬入し、そこで、レジスト膜３に電子線
を照射しながパターンを描画する。その後、基板１を、
キャリアボックスＣＢ内に戻した後、キャリアボックス
ＣＢを搬送室ＴＲまで運搬し、仕切バルブ装置Ｖ１に連
結させる。
【００２０】ここで、前記と同様にして、ノズル３７を
搬送室ＴＲのポンプＰに接続して真空室３４内を排気し
て所定の真空圧に設定した後、キャリアボックスＣＢの
バルブ３９と搬送室ＴＲの仕切バルブ装置Ｖ１とを開
き、搬送ロボットＲ１を作動させてキャリアボックスＣ
Ｂ内の基板１を搬送室ＴＲを介して現像・アッシング室
ＲＰに搬入し、そこで、レジスト膜３を現像した後、搬
送室ＴＲ内へ戻す。続いて、エッチング室ＲＩＥ内へ搬
入し、そこで、エッチングを行った後、搬送室ＴＲ内へ
戻す。最後に、現像・アッシング室ＲＰ内へ搬入し、そ
こで、不要になったレジスト膜３を除去した後、搬送室
ＴＲおよび予備室ＣＢを介して大気へ取出す。
搬送室ＴＲのポンプＰに接続して真空室３４内を排気し
て所定の真空圧に設定した後、キャリアボックスＣＢの
バルブ３９と搬送室ＴＲの仕切バルブ装置Ｖ１とを開
き、搬送ロボットＲ１を作動させてキャリアボックスＣ
Ｂ内の基板１を搬送室ＴＲを介して現像・アッシング室
ＲＰに搬入し、そこで、レジスト膜３を現像した後、搬
送室ＴＲ内へ戻す。続いて、エッチング室ＲＩＥ内へ搬
入し、そこで、エッチングを行った後、搬送室ＴＲ内へ
戻す。最後に、現像・アッシング室ＲＰ内へ搬入し、そ
こで、不要になったレジスト膜３を除去した後、搬送室
ＴＲおよび予備室ＣＢを介して大気へ取出す。
【００２１】従って、本実施例によれば、表面に薄膜２
およびレジスト膜３を形成した基板１をキャリアボック
スＣＢ内に搬入して電子線描画室ＥＢまで運搬するとと
もに、電子線描画室ＥＢ内でレジスト膜３に電子線を照
射してパターンを描画した基板１をキャリアボックスＣ
Ｂ内に戻して搬送室ＴＲまで運搬するようにしたから、
基板１を大気に晒すことなく、基板１を搬送室ＴＲと電
子線描画室ＥＢとの間で搬送することができる。よっ
て、この間の搬送中において、大気中の塵埃による汚染
を少なくすることができるから、高品質なプロセス処理
を行える。
およびレジスト膜３を形成した基板１をキャリアボック
スＣＢ内に搬入して電子線描画室ＥＢまで運搬するとと
もに、電子線描画室ＥＢ内でレジスト膜３に電子線を照
射してパターンを描画した基板１をキャリアボックスＣ
Ｂ内に戻して搬送室ＴＲまで運搬するようにしたから、
基板１を大気に晒すことなく、基板１を搬送室ＴＲと電
子線描画室ＥＢとの間で搬送することができる。よっ
て、この間の搬送中において、大気中の塵埃による汚染
を少なくすることができるから、高品質なプロセス処理
を行える。
【００２２】また、電子線描画室ＥＢについては、他の
室ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰなどから離間した位置に配置した
ので、他の室ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰからのノイズや振動な
どの影響を少なくできる。従って、電子線描画室ＥＢに
おけるパターン描画作業を高精度に行うことができる。
室ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰなどから離間した位置に配置した
ので、他の室ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰからのノイズや振動な
どの影響を少なくできる。従って、電子線描画室ＥＢに
おけるパターン描画作業を高精度に行うことができる。
【００２３】また、搬送室ＴＲにはスパッタ室ＳＰ、プ
ラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩＥおよび現像・ア
ッシング室ＲＰを連結した構成であるから、基板１に対
して薄膜２の被着、レジスト膜３の形成、現像、エッチ
ング、レジスト膜３の除去を連続的に行うことができ
る。この間、基板１を大気に晒すことがないから、大気
中の塵埃による汚染を少なくすることができる。しか
も、搬送室ＴＲ内には、プラズマ重合室ＰＰと、エッチ
ング室ＲＩＥと、スパッタ室ＳＰおよび現像・アッシン
グ室ＲＰとにそれぞれ対応して３台の搬送ロボットＲ１
〜Ｒ３を設けるとともに、これらの間に基板受けＳ１，
Ｓ２を設けたので、搬送ロボットＲ１〜Ｒ３によって基
板１を各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰに対して自動的に
搬入、搬出させることができる。
ラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩＥおよび現像・ア
ッシング室ＲＰを連結した構成であるから、基板１に対
して薄膜２の被着、レジスト膜３の形成、現像、エッチ
ング、レジスト膜３の除去を連続的に行うことができ
る。この間、基板１を大気に晒すことがないから、大気
中の塵埃による汚染を少なくすることができる。しか
も、搬送室ＴＲ内には、プラズマ重合室ＰＰと、エッチ
ング室ＲＩＥと、スパッタ室ＳＰおよび現像・アッシン
グ室ＲＰとにそれぞれ対応して３台の搬送ロボットＲ１
〜Ｒ３を設けるとともに、これらの間に基板受けＳ１，
Ｓ２を設けたので、搬送ロボットＲ１〜Ｒ３によって基
板１を各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰに対して自動的に
搬入、搬出させることができる。
【００２４】また、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰはそ
れぞれ独立的に真空保持可能に形成されているととも
に、仕切バルブ装置Ｖ１〜Ｖ５を介して搬送室ＴＲに連
結されているから、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰをそ
れぞれ独立的に真空状態に保つことができる。よって、
他の室の影響を受けることが少なく、かつ、各室での雰
囲気を一定に維持させることができるから、各プロセス
での処理条件を安定させることができる。
れぞれ独立的に真空保持可能に形成されているととも
に、仕切バルブ装置Ｖ１〜Ｖ５を介して搬送室ＴＲに連
結されているから、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰをそ
れぞれ独立的に真空状態に保つことができる。よって、
他の室の影響を受けることが少なく、かつ、各室での雰
囲気を一定に維持させることができるから、各プロセス
での処理条件を安定させることができる。
【００２５】以上、本発明について好適な実施例を挙げ
て説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改
良並びに設計の変更が可能なことは勿論である。
て説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改
良並びに設計の変更が可能なことは勿論である。
【００２６】例えば、上記実施例では、搬送室ＴＲにス
パッタ室ＳＰ、プラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩ
Ｅおよび現像・アッシング室ＲＰを連結し、基板１をこ
れらの室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰに順次搬入して処理
を連続的に行うようにしたが、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩ
Ｅ，ＲＰをそれぞれ独立的に構成し、これらの室間をキ
ャリアボックスＣＢを介して搬送するようにしてもよ
い。
パッタ室ＳＰ、プラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩ
Ｅおよび現像・アッシング室ＲＰを連結し、基板１をこ
れらの室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰに順次搬入して処理
を連続的に行うようにしたが、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩ
Ｅ，ＲＰをそれぞれ独立的に構成し、これらの室間をキ
ャリアボックスＣＢを介して搬送するようにしてもよ
い。
【００２７】また、上記実施例では、半導体集積回路の
製造プロセスについて適用した例について説明したが、
このほかに、蒸着など他の装置にも適用できる。
製造プロセスについて適用した例について説明したが、
このほかに、蒸着など他の装置にも適用できる。
【００２８】
【発明の効果】以上の通り、本発明の真空処理装置によ
れば、被処理部材を大気に晒すことなく次の処理工程へ
搬送することができるから、汚染が少なく、高品質な処
理を行うことができる。
れば、被処理部材を大気に晒すことなく次の処理工程へ
搬送することができるから、汚染が少なく、高品質な処
理を行うことができる。
【図１】本発明を真空リソグラフィ装置に適用した一実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図２】図１の要部を示す拡大断面図である。
【図３】図２のIII −III 線断面図である。
【図４】従来の真空処理装置を示す図である。
【図５】従来の他の真空処理装置を示す図である。
【図６】半導体集積回路の製造プロセスを示す説明図で
ある。
ある。
１ 基板、 ２ 薄膜 ３ レジスト膜 ＳＰ スパッタ室（真空処理室） ＰＰ プラズマ重合室（真空処理室） ＥＢ 電子線描画室（真空処理室） ＲＩＥ エッチング室（真空処理室） ＲＰ 現像・アッシング室（真空処理室） ＣＢ キャリアボックス ３４ 真空室
Claims (1)
- 【請求項１】 互いに離隔した場所に設置されそれぞれ
真空保持可能な複数の真空処理室を有し、被処理部材を
真空処理室内に順次搬入して処理を行う真空処理装置に
おいて、真空室を有し、この真空室内に前記被処理部材
を収納したまま前記各真空処理室間を搬送するキャリア
ボックスを設けたことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108867A JPH05335399A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108867A JPH05335399A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335399A true JPH05335399A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=14495600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3108867A Pending JPH05335399A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016084495A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | 金属膜と保護膜とを形成する成膜方法および成膜装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438365A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Kuraray Co Ltd | 置き敷き用床材 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3108867A patent/JPH05335399A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438365A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Kuraray Co Ltd | 置き敷き用床材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016084495A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | 金属膜と保護膜とを形成する成膜方法および成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960827 |