JPH05335411A - ペレットの製造方法 - Google Patents
ペレットの製造方法Info
- Publication number
- JPH05335411A JPH05335411A JP14123792A JP14123792A JPH05335411A JP H05335411 A JPH05335411 A JP H05335411A JP 14123792 A JP14123792 A JP 14123792A JP 14123792 A JP14123792 A JP 14123792A JP H05335411 A JPH05335411 A JP H05335411A
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- JP
- Japan
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- silicon substrate
- back surface
- pellet
- grinding
- substrate
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明のペレットの製造方法は、あらかじめ溝
入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの
分割予定境界線に沿って有底の溝を刻設し、裏面研削工
程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に
連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものであ
る。 【効果】上記構成を有する従来のように裏面研削工程に
ハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、
ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止
することができる。このことは、シリコン基板が大口径
である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄
めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留
向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。
入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの
分割予定境界線に沿って有底の溝を刻設し、裏面研削工
程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に
連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものであ
る。 【効果】上記構成を有する従来のように裏面研削工程に
ハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、
ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止
することができる。このことは、シリコン基板が大口径
である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄
めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留
向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＶＬＳＩ（Ｖｅ
ｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体装置に用いられるペレ
ットの製造方法に関する。
ｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体装置に用いられるペレ
ットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ダイナミックＲＡＭ（Ｒａｎｄ
ｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）など多くのＶＬＳ
Ｉは、接合リーク電流が低くならなければならない。狭
いベース幅のバイポーラトランジスタは不純物の析出に
敏感であり、エミッタとコレクタ間がショートした状態
となる（これは“パイプ効果”と呼ばれる。）。とく
に、遷移金属などの金属不純物は、このような効果を起
こしやすい。これらの元素は、格子間あるいは置換型に
位置し、発生再結合中心となる。これらの不純物の析出
相はシリサイドであり、電気的導電性をもつ。素子領域
からこれらの不純物を除去するために、「ゲッタリン
グ」処理とよばれる数多くの方法がある。すなわち、
「ゲッタリング」とは、素子領域から有害な不純物や欠
陥を取除く工程の一般的な名称である。それによって、
素子製造工程中に混入する不純物を吸収するシンクをも
ったシリコン基板を得ることができる。
ｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）など多くのＶＬＳ
Ｉは、接合リーク電流が低くならなければならない。狭
いベース幅のバイポーラトランジスタは不純物の析出に
敏感であり、エミッタとコレクタ間がショートした状態
となる（これは“パイプ効果”と呼ばれる。）。とく
に、遷移金属などの金属不純物は、このような効果を起
こしやすい。これらの元素は、格子間あるいは置換型に
位置し、発生再結合中心となる。これらの不純物の析出
相はシリサイドであり、電気的導電性をもつ。素子領域
からこれらの不純物を除去するために、「ゲッタリン
グ」処理とよばれる数多くの方法がある。すなわち、
「ゲッタリング」とは、素子領域から有害な不純物や欠
陥を取除く工程の一般的な名称である。それによって、
素子製造工程中に混入する不純物を吸収するシンクをも
ったシリコン基板を得ることができる。
【０００３】この「ゲッタリング」としては、欠陥を外
部から人為的に基板に付与するエクストリンシック・ゲ
ッタリング（Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎ
ｇ）法と、基板内部に微小欠陥を導入するイントリンシ
ック・ゲッタリング（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅ
ｒｉｎｇ）法とがある。
部から人為的に基板に付与するエクストリンシック・ゲ
ッタリング（Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎ
ｇ）法と、基板内部に微小欠陥を導入するイントリンシ
ック・ゲッタリング（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅ
ｒｉｎｇ）法とがある。
【０００４】このうち、上記エクストリンシック・ゲッ
タリング法は、デバイス形成領域とは反対側の基板裏面
に格子歪を与えるものである。この格子歪の付与方法と
の一例を図６〜図８に示す。すなわち、この方法は、ま
ず基板ＡのパターンＢを形成した表面側に、パターンＢ
を保護するための保護テープＣを貼付する（図６参
照）。つぎに、厚さｄだけ基板ＡのパターンＢを形成し
ていない裏面側を研削加工により除去する（図７参
照）。さらに、ダイシング加工によりペレットの輪郭に
沿って溝を刻設する（図示せず。）
タリング法は、デバイス形成領域とは反対側の基板裏面
に格子歪を与えるものである。この格子歪の付与方法と
の一例を図６〜図８に示す。すなわち、この方法は、ま
ず基板ＡのパターンＢを形成した表面側に、パターンＢ
を保護するための保護テープＣを貼付する（図６参
照）。つぎに、厚さｄだけ基板ＡのパターンＢを形成し
ていない裏面側を研削加工により除去する（図７参
照）。さらに、ダイシング加工によりペレットの輪郭に
沿って溝を刻設する（図示せず。）
【０００５】しかしながら、この裏面研削方法によれ
ば、ペレット厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以
上となると、裏面研削加工後、チャックより基板を着脱
する際に基板割れが発生したり、あるいは、ダイシング
加工時にハンドリングミスにより基板割れが発生してし
まう結果、歩留低下の一因となる欠点をもっている。
ば、ペレット厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以
上となると、裏面研削加工後、チャックより基板を着脱
する際に基板割れが発生したり、あるいは、ダイシング
加工時にハンドリングミスにより基板割れが発生してし
まう結果、歩留低下の一因となる欠点をもっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体装置用のペレットの製造方法において、ペレット
厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以上となると、
裏面研削加工後、チャックより基板を着脱する際に基板
割れが発生したり、あるいは、ダイシング加工時にハン
ドリングミスにより基板割れが発生してしまう結果、歩
留低下の一因となる欠点をもっている。
半導体装置用のペレットの製造方法において、ペレット
厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以上となると、
裏面研削加工後、チャックより基板を着脱する際に基板
割れが発生したり、あるいは、ダイシング加工時にハン
ドリングミスにより基板割れが発生してしまう結果、歩
留低下の一因となる欠点をもっている。
【０００７】この発明は、上記事情を顧慮してなされた
もので、上述した従来の半導体装置の製造方法がもって
いる技術的課題を解決し、歩留を改善できるペレットの
製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
もので、上述した従来の半導体装置の製造方法がもって
いる技術的課題を解決し、歩留を改善できるペレットの
製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のペレットの製造
方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板
の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設
し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同
時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるよう
にしたものである。
方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板
の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設
し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同
時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるよう
にしたものである。
【０００９】
【作用】上記構成のペレットの製造方法によれば、従来
のように裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシ
ングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生する
シリコン基板の割れを防止することができる。このこと
は、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後
のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効
し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与
するところ大となる。
のように裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシ
ングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生する
シリコン基板の割れを防止することができる。このこと
は、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後
のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効
し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与
するところ大となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。
述する。
【００１１】図１〜図５は、この実施例のペレットの製
造方法を示している。このペレットの製造方法は、例え
ば厚さ６００μｍのシリコン基板１のパターン２形成面
（シリコン基板１の表面）側にペレット３…の分割予定
境界線に沿って幅が例えば５０μｍの有底の溝４…をダ
イシング装置により刻設する溝入れ工程（図１参照）
と、溝入れ工程後にシリコン基板１の洗浄並びに乾燥処
理を行い溝入れ工程にて発生した研磨屑を除去する洗浄
工程と、この洗浄工程後にシリコン基板１のパターン２
形成面にこのパターン２を保護するための保護テープ５
を貼着する保護テープ貼着工程（図２参照）と、この保
護テープ貼着工程後にシリコン基板１の保護テープ５側
をチャックにより真空吸着しシリコン基板１の裏面を研
削する裏面研削工程（図３参照）と、この裏面研削工程
後にシリコン基板１の裏面側にマウンティング用テープ
６を貼着するマウンティング用テープ貼着工程（図４参
照）と、このマウンティング用テープ貼着工程後に前記
保護テープ５をシリコン基板１の表面側から剥離する保
護テープ剥離工程（図５参照）と、この保護テープ剥離
工程後にマウンティング用テープに一体的に付着してい
る各ペレット３…を図示せぬリードフレームの所定部位
に一個ずつマウンティング用テープから分離して載置す
るペレット固着工程（図示せず）とからなっている。し
かして、溝入れ工程は、ダイシング装置によりペレット
３…の寸法（例えば縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ）に応じて
格子状に溝入れする。各溝４…の深さＤ１（例えば２２
０μｍ）は、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ
１（例えば２００μｍ）よりも例えば２０μｍ〜２５μ
ｍ程度大きくなるように設定する。一方、裏面研削工程
における除去量Ｔ２は、この除去量Ｔ２と、裏面研削工
程後のシリコン基板１の厚さＴ１との和が、加工前のシ
リコン基板１の厚さＴ３に等しくなるように例えば４０
０μｍに設定する。したがって、裏面研削工程後におい
ては、溝４…はシリコン基板１の裏面側に開口する。そ
の結果、各ペレット３…は分離し、切り離しが可能な状
態となる。さらに、上記溝入れ工程に用いられるダイシ
ング装置の砥石車は、例えばメッシュサイズが、＃２０
００／＃３０００のダイヤモンド砥粒を含有するもので
あって、例えば切込み量３００μｍ，回転速度毎分５０
００ｍでダイシングするようになっている。また、前記
裏面研削装置は、例えばメッシュサイズが、＃１０００
／＃１５００のダイヤモンド砥粒をビトリファイド結合
剤にて結合したカップ型砥石により平面研削するもので
ある。
造方法を示している。このペレットの製造方法は、例え
ば厚さ６００μｍのシリコン基板１のパターン２形成面
（シリコン基板１の表面）側にペレット３…の分割予定
境界線に沿って幅が例えば５０μｍの有底の溝４…をダ
イシング装置により刻設する溝入れ工程（図１参照）
と、溝入れ工程後にシリコン基板１の洗浄並びに乾燥処
理を行い溝入れ工程にて発生した研磨屑を除去する洗浄
工程と、この洗浄工程後にシリコン基板１のパターン２
形成面にこのパターン２を保護するための保護テープ５
を貼着する保護テープ貼着工程（図２参照）と、この保
護テープ貼着工程後にシリコン基板１の保護テープ５側
をチャックにより真空吸着しシリコン基板１の裏面を研
削する裏面研削工程（図３参照）と、この裏面研削工程
後にシリコン基板１の裏面側にマウンティング用テープ
６を貼着するマウンティング用テープ貼着工程（図４参
照）と、このマウンティング用テープ貼着工程後に前記
保護テープ５をシリコン基板１の表面側から剥離する保
護テープ剥離工程（図５参照）と、この保護テープ剥離
工程後にマウンティング用テープに一体的に付着してい
る各ペレット３…を図示せぬリードフレームの所定部位
に一個ずつマウンティング用テープから分離して載置す
るペレット固着工程（図示せず）とからなっている。し
かして、溝入れ工程は、ダイシング装置によりペレット
３…の寸法（例えば縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ）に応じて
格子状に溝入れする。各溝４…の深さＤ１（例えば２２
０μｍ）は、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ
１（例えば２００μｍ）よりも例えば２０μｍ〜２５μ
ｍ程度大きくなるように設定する。一方、裏面研削工程
における除去量Ｔ２は、この除去量Ｔ２と、裏面研削工
程後のシリコン基板１の厚さＴ１との和が、加工前のシ
リコン基板１の厚さＴ３に等しくなるように例えば４０
０μｍに設定する。したがって、裏面研削工程後におい
ては、溝４…はシリコン基板１の裏面側に開口する。そ
の結果、各ペレット３…は分離し、切り離しが可能な状
態となる。さらに、上記溝入れ工程に用いられるダイシ
ング装置の砥石車は、例えばメッシュサイズが、＃２０
００／＃３０００のダイヤモンド砥粒を含有するもので
あって、例えば切込み量３００μｍ，回転速度毎分５０
００ｍでダイシングするようになっている。また、前記
裏面研削装置は、例えばメッシュサイズが、＃１０００
／＃１５００のダイヤモンド砥粒をビトリファイド結合
剤にて結合したカップ型砥石により平面研削するもので
ある。
【００１２】以上のように、この実施例のペレットの製
造方法によれば、あらかじめ溝入れ工程において、シリ
コン基板１の表面側にペレット３…の分割予定境界線に
沿って溝４…を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基
板１の裏面の除去と同時に溝４…を裏面に連通させ、各
ペレット３…を分離させるようにしたので、従来のよう
に裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシングす
る必要がなくなる。したがって、この実施例のペレット
の製造方法においては、このダイシングする際に発生す
るシリコン基板１の割れを防止することができる。この
ことは、シリコン基板１が大口径である場合とか、裏面
研削後のシリコン基板１の厚さが薄めである場合に顕著
に奏効する。さらに、ダイシング装置による溝入れの切
込み精度は従来に比べ悪くてもよい。さらにまた、裏面
研削の仕上げ工程では、ペレット状で研削するため、研
削液の回り込みがよくなり、研削性能が改善される。こ
れらの諸効果が相俟って、裏面研削加工工程の歩留向
上、作業能率改善に寄与するところ大である。
造方法によれば、あらかじめ溝入れ工程において、シリ
コン基板１の表面側にペレット３…の分割予定境界線に
沿って溝４…を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基
板１の裏面の除去と同時に溝４…を裏面に連通させ、各
ペレット３…を分離させるようにしたので、従来のよう
に裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシングす
る必要がなくなる。したがって、この実施例のペレット
の製造方法においては、このダイシングする際に発生す
るシリコン基板１の割れを防止することができる。この
ことは、シリコン基板１が大口径である場合とか、裏面
研削後のシリコン基板１の厚さが薄めである場合に顕著
に奏効する。さらに、ダイシング装置による溝入れの切
込み精度は従来に比べ悪くてもよい。さらにまた、裏面
研削の仕上げ工程では、ペレット状で研削するため、研
削液の回り込みがよくなり、研削性能が改善される。こ
れらの諸効果が相俟って、裏面研削加工工程の歩留向
上、作業能率改善に寄与するところ大である。
【００１３】
【発明の効果】本発明のペレットの製造方法によれば、
あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側
にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設し、裏面
研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を
裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたの
で、従来のように裏面研削工程後にハンドリングし直し
てダイシングする必要がなくなる。したがって、この発
明のペレットの製造方法においては、このダイシングす
る際に発生するシリコン基板の割れを防止することがで
きる。このことは、シリコン基板が大口径である場合と
か、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合
に顕著に奏効し、その結果、裏面研削加工工程の歩留向
上、作業能率改善に寄与するところ大となる。
あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側
にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設し、裏面
研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を
裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたの
で、従来のように裏面研削工程後にハンドリングし直し
てダイシングする必要がなくなる。したがって、この発
明のペレットの製造方法においては、このダイシングす
る際に発生するシリコン基板の割れを防止することがで
きる。このことは、シリコン基板が大口径である場合と
か、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合
に顕著に奏効し、その結果、裏面研削加工工程の歩留向
上、作業能率改善に寄与するところ大となる。
【図１】本発明の一実施例のペレットの製造方法の溝入
れ工程を示す図である。
れ工程を示す図である。
【図２】本発明の一実施例のペレットの製造方法の保護
テープ貼着工程を示す図である。
テープ貼着工程を示す図である。
【図３】本発明の一実施例のペレットの製造方法の裏面
研削工程を示す図である。
研削工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施例のペレットの製造方法のマウ
ンティング用テープ貼着工程を示す図である。
ンティング用テープ貼着工程を示す図である。
【図５】本発明の一実施例のペレットの製造方法の保護
テープ剥離工程を示す図である。
テープ剥離工程を示す図である。
【図６】従来のペレットの製造方法の保護テープ貼着工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図７】従来のペレットの製造方法の裏面研削工程を示
す図である。
す図である。
１：シリコン基板，３：ペレット，４：溝，５：保護テ
ープ。
ープ。
Claims (3)
- 【請求項１】基板の表面側のペレット分割予定に従って
有底の溝を形成する溝入れ工程と、この溝入れ工程後に
上記基板の表面側を保持し上記基板の裏面側を少なくと
も上記溝の底部が開口し上記ペレットが形成されるまで
研削する裏面研削工程とを具備することを特徴とするペ
レットの製造方法。 - 【請求項２】有底の溝の研削による取りしろは、２０〜
２５μｍであることを特徴とする請求項１記載のペレッ
トの製造方法。 - 【請求項３】基板の裏面側には、研削によりゲッタリン
グのための格子歪が形成されることを特徴とする請求項
１記載のペレットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14123792A JPH05335411A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | ペレットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14123792A JPH05335411A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | ペレットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335411A true JPH05335411A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15287297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14123792A Pending JPH05335411A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | ペレットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335411A (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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