JPH0533549B2 - - Google Patents
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- JPH0533549B2 JPH0533549B2 JP61154559A JP15455986A JPH0533549B2 JP H0533549 B2 JPH0533549 B2 JP H0533549B2 JP 61154559 A JP61154559 A JP 61154559A JP 15455986 A JP15455986 A JP 15455986A JP H0533549 B2 JPH0533549 B2 JP H0533549B2
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- JP
- Japan
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- amorphous semiconductor
- semiconductor layer
- substrate
- semiconductor device
- radiation
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は放射線検出器用の非晶質半導体装置に
関する。さらに詳しくは廉価なかつ半導体層均一
性の高い大面積の半導体装置を製造でき、透過型
放射線検出素子などとして利用できる非晶質半導
体装置に関する。
関する。さらに詳しくは廉価なかつ半導体層均一
性の高い大面積の半導体装置を製造でき、透過型
放射線検出素子などとして利用できる非晶質半導
体装置に関する。
［従来の技術および発明が解決しようとする問題
点］ 従来、太陽電池などの受光素子としての非晶質
半導体装置には第３図に示すようなものがある。
第３図において３１は非晶質半導体装置の支持体
としてのガラス基板であり、このガラス基板３１
上にはITO、SnO2などからなる電極となる透明
導電膜３２が形成されている。そして透明導電膜
３２上には光電変換が生じるpn型またはpin型な
どの非晶質半導体層３３が形成されており、該非
晶質半導体層３３上にはAlなどの金属が蒸着さ
れてなる電極層３４が形成されている。そして第
３図で示す下方よりガラス基板３１を透過して非
晶質半導体層３３に光が照射されると透明導電膜
３２と電極層３４との間に起電力が生じる。
点］ 従来、太陽電池などの受光素子としての非晶質
半導体装置には第３図に示すようなものがある。
第３図において３１は非晶質半導体装置の支持体
としてのガラス基板であり、このガラス基板３１
上にはITO、SnO2などからなる電極となる透明
導電膜３２が形成されている。そして透明導電膜
３２上には光電変換が生じるpn型またはpin型な
どの非晶質半導体層３３が形成されており、該非
晶質半導体層３３上にはAlなどの金属が蒸着さ
れてなる電極層３４が形成されている。そして第
３図で示す下方よりガラス基板３１を透過して非
晶質半導体層３３に光が照射されると透明導電膜
３２と電極層３４との間に起電力が生じる。
しかしながら以上のような非晶質半導体装置に
おいてはガラス基板自体の強度が弱く大面積化困
難であるという問題がある。またガラス基板を放
射線検出素子に利用するばあいにおいてはガラス
は光に対する透過性はよいが放射線、とくにＸ線
に対する透過性が劣るという問題がある。
おいてはガラス基板自体の強度が弱く大面積化困
難であるという問題がある。またガラス基板を放
射線検出素子に利用するばあいにおいてはガラス
は光に対する透過性はよいが放射線、とくにＸ線
に対する透過性が劣るという問題がある。
また第３図において前記ガラス板を支持体とせ
ず電極層３４として導電性の金属製基板を使用し
これに支持体としての機能をもたせ、この金属製
基板上に非晶質半導体層を形成して非晶質半導体
装置を製造するばあいには、大面積化は可能とな
るが金属製基板上に直接ａ−Siなどの非晶質半導
体層をグロー放電法、スパツタ法などにより成長
させることになり、金属製基板表面がプラズマに
より損傷を受け金属性基板表面上に均一で良質な
非晶質半導体層が形成しにくいという問題があ
る。これは特にAlの金属製基板を使用するばあ
いに著るしい。
ず電極層３４として導電性の金属製基板を使用し
これに支持体としての機能をもたせ、この金属製
基板上に非晶質半導体層を形成して非晶質半導体
装置を製造するばあいには、大面積化は可能とな
るが金属製基板上に直接ａ−Siなどの非晶質半導
体層をグロー放電法、スパツタ法などにより成長
させることになり、金属製基板表面がプラズマに
より損傷を受け金属性基板表面上に均一で良質な
非晶質半導体層が形成しにくいという問題があ
る。これは特にAlの金属製基板を使用するばあ
いに著るしい。
また従来、半導体を放射線検出素子として使用
する放射線検出器においては、この検出素子とし
てシリコン単結晶などのバルクを使用しているた
めに放射線検出素子の大面積化が困難であり、ま
た照射放射線が前記バルクにほとんど吸収されて
しまうため透過型の半導体放射線検出素子を作る
ことは困難であるという問題がある。
する放射線検出器においては、この検出素子とし
てシリコン単結晶などのバルクを使用しているた
めに放射線検出素子の大面積化が困難であり、ま
た照射放射線が前記バルクにほとんど吸収されて
しまうため透過型の半導体放射線検出素子を作る
ことは困難であるという問題がある。
本発明は以上のような問題点を解決するために
なされたもので大面積の光検出素子または透過型
放射線検出素子が廉価にかつ非晶質半導体層の均
一性を高くして製作ができる非晶質半導体装置を
提供することを目的としている。
なされたもので大面積の光検出素子または透過型
放射線検出素子が廉価にかつ非晶質半導体層の均
一性を高くして製作ができる非晶質半導体装置を
提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明による非晶質半導体は、非晶質半導体層
と該非晶質半導体層を支持する基板を有し、該基
板が前記非晶質半導体層の第１電極を兼ねてなる
半導体装置であつて、前記基板と前記非晶質半導
体層とのあいだに導電性薄膜が形成されており、
前記非晶質半導体層が１cm2あたり1MΩ以上のシ
ヤント抵抗を有するように構成されてなるもので
ある。そして前記基板は金属などを使用して強固
なものとし、これにより10cm×10cm以上の大面積
の非晶質半導体層を形成した非晶質半導体装置を
製造でき、また前記基板と前記非晶質半導体層と
のあいだに導電性薄膜を形成することにより基板
上に非晶質半導体層を均一にかつ良質な膜として
形成することができる。そして前記基板に一方の
電極としての機能をもたせるとともに前記非晶質
半導体層上に他方の電極を設けることにより本発
明の非晶質半導体装置が光検出器または放射線検
出器などとして利用されうる。前記他方の電極は
放射線検出器用としては低原子量金属の膜を使用
したものが好ましい。
と該非晶質半導体層を支持する基板を有し、該基
板が前記非晶質半導体層の第１電極を兼ねてなる
半導体装置であつて、前記基板と前記非晶質半導
体層とのあいだに導電性薄膜が形成されており、
前記非晶質半導体層が１cm2あたり1MΩ以上のシ
ヤント抵抗を有するように構成されてなるもので
ある。そして前記基板は金属などを使用して強固
なものとし、これにより10cm×10cm以上の大面積
の非晶質半導体層を形成した非晶質半導体装置を
製造でき、また前記基板と前記非晶質半導体層と
のあいだに導電性薄膜を形成することにより基板
上に非晶質半導体層を均一にかつ良質な膜として
形成することができる。そして前記基板に一方の
電極としての機能をもたせるとともに前記非晶質
半導体層上に他方の電極を設けることにより本発
明の非晶質半導体装置が光検出器または放射線検
出器などとして利用されうる。前記他方の電極は
放射線検出器用としては低原子量金属の膜を使用
したものが好ましい。
［実施例］
以下、本発明による非晶質半導体装置をその実
施例を示す図によつて説明する。
施例を示す図によつて説明する。
第１図は本発明による非晶質半導体装置が光検
出素子であるばあいの実施例１を示している。第
１図において１はステンレスからなる基板であ
り、基板１の厚さは0.1〜２mmである。基板１に
はCrからなる導電性薄膜２が蒸着法またはスパ
ツタ法により形成されており、導電性薄膜２の厚
さは200〜1000Åである。導電性薄膜２上にはａ
−Siからなる非晶質半導体層３がグロー放電法に
より形成されており、この非晶質半導体層３の厚
さは3000Å〜1μｍである。非晶質半導体層３は
１cm2あたり1MΩ以上のシヤント抵抗を有するの
が好ましい。そして非晶質半導体層３上にはITO
からなる透明導電膜４が蒸着法またはスパツタ法
により形成されており、透明導電膜４の厚さは
500〜1000Åである。
出素子であるばあいの実施例１を示している。第
１図において１はステンレスからなる基板であ
り、基板１の厚さは0.1〜２mmである。基板１に
はCrからなる導電性薄膜２が蒸着法またはスパ
ツタ法により形成されており、導電性薄膜２の厚
さは200〜1000Åである。導電性薄膜２上にはａ
−Siからなる非晶質半導体層３がグロー放電法に
より形成されており、この非晶質半導体層３の厚
さは3000Å〜1μｍである。非晶質半導体層３は
１cm2あたり1MΩ以上のシヤント抵抗を有するの
が好ましい。そして非晶質半導体層３上にはITO
からなる透明導電膜４が蒸着法またはスパツタ法
により形成されており、透明導電膜４の厚さは
500〜1000Åである。
そしてこのような構成からなる本実施例におけ
る非晶質半導体装置はその面積が100cm2以上のも
のが作成できる。
る非晶質半導体装置はその面積が100cm2以上のも
のが作成できる。
以上のように構成された非晶質半導体装置にお
いては、光が第１図で示す上方より透明導電膜４
を透過して非晶質半導体層３に照射されることに
より非晶質半導体層３内で光電変換がおこなわれ
透明導電膜４と基板１との間に起電力が生じ、こ
れにより本実施例の非晶質半導体装置が光検出素
子として機能する。
いては、光が第１図で示す上方より透明導電膜４
を透過して非晶質半導体層３に照射されることに
より非晶質半導体層３内で光電変換がおこなわれ
透明導電膜４と基板１との間に起電力が生じ、こ
れにより本実施例の非晶質半導体装置が光検出素
子として機能する。
なお実施例１においては、基板１の材料として
はステンレスを使用したが、これはCuやAlであ
つてもよく実施例１のものに限定されるものでは
ない。
はステンレスを使用したが、これはCuやAlであ
つてもよく実施例１のものに限定されるものでは
ない。
また実施例１の導電性薄膜２の材料としては
Crを使用したが、これはTiやNiであつてもよく
実施例１のものに限定されるものではない。また
実施例１の半導体層３としてはａ−Siを使用した
が、これはａ−SiCやａ−SiNであつてもよく光
電変換が生じうるものであれば実施例１のものに
限定されるものではない。
Crを使用したが、これはTiやNiであつてもよく
実施例１のものに限定されるものではない。また
実施例１の半導体層３としてはａ−Siを使用した
が、これはａ−SiCやａ−SiNであつてもよく光
電変換が生じうるものであれば実施例１のものに
限定されるものではない。
また実施例１の透明導電膜の材料としてはITO
を使用したが、これはSnO2であつてもよく光透
過性のものであれば実施例１のものに限定される
ものではない。
を使用したが、これはSnO2であつてもよく光透
過性のものであれば実施例１のものに限定される
ものではない。
なお実施例１による非晶質半導体装置は非晶質
半導体層が大面積のものとして製造できるため物
体の面積測定などに利用できる。
半導体層が大面積のものとして製造できるため物
体の面積測定などに利用できる。
つぎに第２図は本発明による非晶質半導体装置
が透過型放射線検出素子であるばあいの実施例２
を示している。第２図において２１はAlからな
る基板であり、基板２１の厚さは0.5〜２mmであ
る。基板２１上にはTiからなる導電性薄膜２２
が蒸着法またはスパツタ法により形成されてお
り、導電性薄膜２２の厚さは100〜500Åである。
導電性薄膜２２上にはａ−Siからなる非晶質半導
体層２３がグロー放電法により形成されており、
この非晶質半導体層２３の厚さは3000Å〜1μｍ
である。そして非晶質半導体層２３上にはSnO2
からなる電極層２４が蒸着法またはスパツタ法に
より形成されており、電極層２４の厚さは1000Å
〜1μｍである。そしてこのような構成からなる
本実施例における非晶質半導体装置はその面積が
100cm2以上のものが作製できる。
が透過型放射線検出素子であるばあいの実施例２
を示している。第２図において２１はAlからな
る基板であり、基板２１の厚さは0.5〜２mmであ
る。基板２１上にはTiからなる導電性薄膜２２
が蒸着法またはスパツタ法により形成されてお
り、導電性薄膜２２の厚さは100〜500Åである。
導電性薄膜２２上にはａ−Siからなる非晶質半導
体層２３がグロー放電法により形成されており、
この非晶質半導体層２３の厚さは3000Å〜1μｍ
である。そして非晶質半導体層２３上にはSnO2
からなる電極層２４が蒸着法またはスパツタ法に
より形成されており、電極層２４の厚さは1000Å
〜1μｍである。そしてこのような構成からなる
本実施例における非晶質半導体装置はその面積が
100cm2以上のものが作製できる。
以上のように構成された実施例２の半導体装置
においては放射線が基板２１側または電極層２４
側の外部からそれぞれ基板２１または電極層２４
を透過して非晶質半導体層２３に照射されること
によつて、非晶質半導体層２３内の空乏層に電
子・正孔対が生成し、これにより電極層２４と基
板２１との間に電流が生じることによつて、本実
施例の非晶質半導体装置が放射線検出素子として
機能する。このばあい照射される放射線の一部は
前記非晶質半導体層２３に吸収されるが、非晶質
半導体層２３の厚さが薄いため照射される放射線
の大部分は実施例２の非晶質半導体装置を通過し
てしまうので、本実施例の非晶質半導体装置を使
用することにより放射線量を測定しながら本実施
例の非晶質半導体装置を通過する放射線を目的物
に照射することができる。
においては放射線が基板２１側または電極層２４
側の外部からそれぞれ基板２１または電極層２４
を透過して非晶質半導体層２３に照射されること
によつて、非晶質半導体層２３内の空乏層に電
子・正孔対が生成し、これにより電極層２４と基
板２１との間に電流が生じることによつて、本実
施例の非晶質半導体装置が放射線検出素子として
機能する。このばあい照射される放射線の一部は
前記非晶質半導体層２３に吸収されるが、非晶質
半導体層２３の厚さが薄いため照射される放射線
の大部分は実施例２の非晶質半導体装置を通過し
てしまうので、本実施例の非晶質半導体装置を使
用することにより放射線量を測定しながら本実施
例の非晶質半導体装置を通過する放射線を目的物
に照射することができる。
なお実施例２においては、基板２１の材料とし
てはAlを使用したがこれはNiやTiであつてもよ
く、放射線吸収量の少ないものであれば実施例２
のものに限定されるものではない。
てはAlを使用したがこれはNiやTiであつてもよ
く、放射線吸収量の少ないものであれば実施例２
のものに限定されるものではない。
また実施例２の導電性薄膜２２の材料としては
Tiを使用したが、これはCrやNiであつてもよく
実施例２のものに限定されるものではない。また
導電性薄膜２２の厚さはできる限り薄い方が望ま
しく、200Å以下であることが好ましい。
Tiを使用したが、これはCrやNiであつてもよく
実施例２のものに限定されるものではない。また
導電性薄膜２２の厚さはできる限り薄い方が望ま
しく、200Å以下であることが好ましい。
また実施例２の半導体層２３としてはａ−Siを
使用したが、これはａ−SiCやａ−SiNであつて
もよく、前述の放射線検知機能を有するものであ
れば実施例２のものに限定されるものではない。
使用したが、これはａ−SiCやａ−SiNであつて
もよく、前述の放射線検知機能を有するものであ
れば実施例２のものに限定されるものではない。
また実施例２の電極層２４の材料としては
SnO2を使用したが、これはAlであつてもよく、
低原子量金属などの放射線吸収量の少いものであ
れば実施例２のものに限定されるものではない。
SnO2を使用したが、これはAlであつてもよく、
低原子量金属などの放射線吸収量の少いものであ
れば実施例２のものに限定されるものではない。
なお実施例２による非晶質半導体装置は非晶質
半導体層が大面積のものとしてかつ放射線透過性
のものとして製造できるため、たとえばレントゲ
ン撮影においては、フイルムの前に実施例２の非
晶質半導体装置を置くことにより放射線量を調整
しながら撮影をおこなうことができ、その他広範
囲の分野に応用できる。
半導体層が大面積のものとしてかつ放射線透過性
のものとして製造できるため、たとえばレントゲ
ン撮影においては、フイルムの前に実施例２の非
晶質半導体装置を置くことにより放射線量を調整
しながら撮影をおこなうことができ、その他広範
囲の分野に応用できる。
［発明の効果］
以上のように本発明にかかわる非晶質半導体装
置は基板に金属などを使用して強固なものとなる
ことができ、またこの基板上に基板の保護膜とし
て機能する導電性薄膜を形成し、この導電性薄膜
上に非晶質半導体層を形成することにより、均一
でかつ良質の膜厚の非晶質半導体層を形成してな
ることができる。そしてさらに本発明の非晶質半
導体装置は半導体面積を大きいものとして作成さ
れうるとともに基板および非晶質半導体層上に形
成される電極層に放射線吸収量の少ない材料を使
用することにより放射線透過型の放射線検出素子
として作成されうる効果がある。
置は基板に金属などを使用して強固なものとなる
ことができ、またこの基板上に基板の保護膜とし
て機能する導電性薄膜を形成し、この導電性薄膜
上に非晶質半導体層を形成することにより、均一
でかつ良質の膜厚の非晶質半導体層を形成してな
ることができる。そしてさらに本発明の非晶質半
導体装置は半導体面積を大きいものとして作成さ
れうるとともに基板および非晶質半導体層上に形
成される電極層に放射線吸収量の少ない材料を使
用することにより放射線透過型の放射線検出素子
として作成されうる効果がある。
第１図は本発明にかかわる非晶質半導体装置の
実施例１である光検出素子の断面図、第２図は本
発明にかかわる非晶質半導体装置の実施例２であ
る透過型放射線検出素子の断面図、第３図は従来
の非晶質半導体装置である太陽電池の断面図であ
る。 図面の主要符号、１，２１…基板、２，２２…
導電性薄膜、３，２３…非晶質半導体層。
実施例１である光検出素子の断面図、第２図は本
発明にかかわる非晶質半導体装置の実施例２であ
る透過型放射線検出素子の断面図、第３図は従来
の非晶質半導体装置である太陽電池の断面図であ
る。 図面の主要符号、１，２１…基板、２，２２…
導電性薄膜、３，２３…非晶質半導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非晶質半導体層と該非晶質半導体層を支持す
る基板を有し、該基板が前記非晶質半導体層の第
１電極を兼ねてなる半導体装置であつて、 前記基板と前記非晶質半導体層とのあいだに導
電性薄膜が形成されており、 前記非晶質半導体層が１cm2あたり1MΩ以上の
シヤント抵抗を有するように構成されてなる放射
線検出器用非晶質半導体装置。 ２ 前記基板の寸法が10cm×10cm以上である特許
請求の範囲第１項記載の非晶質半導体装置。 ３ 前記基板がAl、Ni、Ti、ステンレス鋼、Cu
またはこれらの金属の２以上の合金からなる特許
請求の範囲第１項または第２項記載の非晶質半導
体装置。 ４ 前記導電性薄膜の厚さが1000Å以下である特
許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
非晶質半導体装置。 ５ 前記導電性薄膜が高融点の金属からなる特許
請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４項
記載の非晶質半導体装置。 ６ 前記高融点の金属がTi、Cr、NiまたはPdか
らなる特許請求の範囲第５項記載の非晶質半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154559A JPS639984A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 非晶質半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154559A JPS639984A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 非晶質半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639984A JPS639984A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0533549B2 true JPH0533549B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=15586892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154559A Granted JPS639984A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 非晶質半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639984A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756897B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1995-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体放射線検出器 |
| JP5749658B2 (ja) | 2009-03-04 | 2015-07-15 | マシモ・コーポレイション | 医療監視システム |
| US10007758B2 (en) | 2009-03-04 | 2018-06-26 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
| US9323894B2 (en) | 2011-08-19 | 2016-04-26 | Masimo Corporation | Health care sanitation monitoring system |
| US10032002B2 (en) | 2009-03-04 | 2018-07-24 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211279A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Kobe Steel Ltd | Amorphous si solar cell |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154559A patent/JPS639984A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639984A (ja) | 1988-01-16 |
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