JPH05335664A

JPH05335664A - 半導体レーザの駆動方式

Info

Publication number: JPH05335664A
Application number: JP13707792A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Hongo; 芳之本郷
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-05-28
Filing date: 1992-05-28
Publication date: 1993-12-17

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体レーザーの駆動方式に関し、半導体レ
ーザーの使用環境温度の変化や、半導体レーザーに経年
変化によって、半導体レーザーの微分効率が変化して
も、半導体レーザーの変調度を一定に保つ半導体レーザ
ーの駆動方式を提供することを目的とする。【構成】半導体レーザーの出力光を検出するフォトダ
イオードの出力に現れる交流信号を増幅、ピーク検波し
て、その検波出力である直流電圧と基準電圧の差を利得
制御回路の制御電圧とすることによって、温度変化や経
年変化による半導体レーザーの出力変化とは逆に変化す
る信号を得て、その信号を半導体レーザーに入力して、
半導体レーザーの出力における信号振幅を一定に保つ、
即ち半導体レーザーの変調度を一定に保つことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信の送信装置に用
いられる半導体レーザーを駆動する方式に係わり、特に
半導体レーザーの変調度を一定に保って、光通信システ
ムおける雑音特性や非直線歪特性の劣化を防止する半導
体レーザーの駆動方式に関する。光通信は、一定強度の
光を出力する発光素子の駆動電流に、通信情報をのせた
電気信号を重畳することにより、その電気信号の振幅に
応じて強度が変化する出力光を得て、この出力光を光フ
ァイバを介して伝送し、受信側では光の強度変化を受光
素子によって電気信号に変換するという方式によって実
現されている。

【０００２】光通信システムは、その伝送媒体である光
ファイバの伝送帯域が広い為に、広帯域伝送あるいは高
速伝送を行う通信システムに適用されている。そして、
伝送される信号の形態は、通信システムによってアナロ
グであったり、デジタルであったりする。アナログ伝送
の場合には、通信システムの中で発生する非直線歪、雑
音によって信号の波形が変わる為に、伝送品質が劣化す
る。一方、デジタル伝送の場合には、一般的にはアナロ
グ伝送に比べて非直線歪、雑音の影響は少ないが、こう
した不必要な成分による符号の識別誤りが生じて、伝送
品質はやはり劣化する。従って、通信システム中で発生
する非直線歪、雑音をできるだけ小さく設計すること
と、通信システムの使用環境温度の変化や、通信システ
ムを構成する要素の経年変化による非直線歪、雑音の変
化を小さくする設計が重要である。

【０００３】光通信システムにおいては、一般的には、
発光素子には半導体レーザーが使用され、受光素子には
フォトダイオードが使用される。半導体レーザーにおけ
るバイアス電流と光出力の関係や、フォトダイオードの
光入力と電気出力の関係は直線関係ではない為に、非直
線歪が生ずる。非直線歪発生のメカニズムを半導体レー
ザーを例に説明する。

【０００４】図５は半導体レーザーのバイアス電流と光
出力の関係を示す模式図である。図５において、縦軸は
光出力、横軸はバイアス電流の大きさを示し、横軸上の
Ｉthは、これ以下のバイアス電流では光出力が出ない限
界の電流（スレショルド電流）を示す。スレショルド電
流を超えると光出力が出るが、バイアス電流があまり大
きくない範囲では、バイアス電流の変化に対する光出力
の変化（これを微分効率という）は小さく、バイアス電
流が大きくなると微分効率は大きくなる。（このよう
に、バイアス電流によって、微分効率が変化すること
を、非直線特性という。）いま、Ｉth付近にバイアス電
流を設定して交流電流Ｉacを印加すると、スレショルド
電流以下の電流に対しては、光出力が出ない為、光出力
はＰ１の如く一方のサイクルがクリッピングされた波形
になって、非直線歪は非常に大きい。次に、バイアス電
流をＩb に設定して、交流電流Ｉacを印加すると、Ｉb
以下の電流ではでは光出力が小さく、Ｉb 以上の電流で
は光出力が大きくなるので、光出力はＰ２の如く非対称
な波形となって、やはり非直線歪が発生するが、Ｐ１に
比較すれば、非直線歪は小さくなる。

【０００５】このように、半導体レーザーの動作点の変
化に伴う、非直線歪の発生を抑圧する為に、半導体レー
ザーの光出力を一定に保つ方式が、所謂自動光出力制御
方式（ＡＰＣ方式）である。次に温度変化に伴う半導体
レーザーの特性変化について述べれば、温度が変化する
と図２における光出力を示す特性曲線において、スレシ
ョルド電流Ｉthが変化すると共に、微分効率も変化す
る。一般に、温度が上昇すると、Ｉthは大きくなり、微
分効率は低下する。

【０００６】いま、半導体レーザーの動作点がＱにあ
り、出力信号がＰ３であるとする。温度が上昇すると、
半導体レーザーの発振強度は、ＡＰＣ方式によって一定
に保たれているので、動作点はＱ’に移動して。出力信
号はＰ３’になる。既に説明したように、温度が上昇す
ると微分効率が低下する為に、出力信号Ｐ３’の振幅
は、出力信号Ｐ３の振幅より低下する。

【０００７】さて、発光素子や受光素子における光と電
気の変換には半導体中の正孔と電子の結合が関与してお
り、微視的には結合の確率が時間的に一定ではない為
に、雑音が生じている。この雑音振幅は、温度変化によ
って変化するが、微分効率の変化による出力信号の振幅
変化より変化が小さい。従って、温度上昇によって、半
導体レーザーの出力信号Ｐ３が、Ｐ３’に変化すると、
Ｐ３’の振幅はＰ３の振幅より低下する為、Ｐ３に対す
るより、Ｐ３’に対する雑音の影響が大きくなる。即
ち、キャリア対雑音比が悪化する。

【０００８】逆に、温度が下降して、半導体レーザーの
微分効率が高くなり、半導体レーザーの出力信号のレベ
ルが上昇すると、半導体レーザーの特性曲線の非直線性
の為に、出力信号に含まれる非直線歪成分が増加して、
光通信システムの非直線歪特性が悪化する。ここで、非
直線歪特性の変化について略述する。半導体レーザーの
特性曲線の非直線とは、入力に信号が印加された時に、
入力信号に比例する信号の他に、入力信号のべき乗に比
例する信号も出力されることを意味する。実際には、３
乗までを考慮すればよい。従って、ｐ₂、ｐ₃を非直線
性を表す計数とし、入力信号を単一周波数の正弦波ｓｉ
ｎ（ｗｔ）と仮定し、出力信号Ｅにおける入力周波数成
分の振幅をｃとすると、出力信号Ｅは次の式で表現され
る。

【０００９】

【数１】また、非直線歪特性の良否を表す量は、２乗、３乗の項
の振幅と１乗項の振幅の比で表される。即ち、２乗項に
対してはｐ₂・ｃで、３乗項に対してはｐ₃・ｃ²で表
され、この比が小さい方が非直線歪特性がよいという。
いま、出力信号における入力周波数成分の振幅ｃがｃ
（１＋ｍ）に変化するものとする。但し、ｍは−１以上
の、任意の数である。この時、非直線歪を表す量は、２
乗項、３乗項に対して、各々ｐ₂・ｃ（１＋ｍ）、ｐ₃
・ｃ²（１＋ｍ） ²になる。即ち、非直線歪は、２乗
項、３乗項に対して、各々（１＋ｍ）倍、（１＋ｍ）²
倍になる。ここで、出力振幅が上昇することは、ｍが正
の数である事と等価であるので、出力振幅の上昇によっ
て、非直線歪特性が悪化する。逆に、出力振幅が低下す
れば、非直線歪特性は改善される。

【００１０】このように、発光素子と受光素子を構成す
る半導体の温度特性によって、光通信システムの雑音特
性や非直線歪特性が変化する。これ以外に、発光素子、
受光素子の経年変化の為によっても、非直線歪や雑音が
変化して、伝送品質を変化させる。特に、発光素子とし
て用いられる半導体レーザーの非直線歪、雑音の変化が
支配的である。

【００１１】従って、温度変化による半導体レーザーの
歪、雑音特性の変化を抑圧できる半導体レーザーの駆動
方式の実現が望まれており、半導体レーザーの出力に含
まれる信号成分のレベルを一定に保つ（変調度を一定に
保つという）試みがなされている。

【００１２】

【従来の技術】従来、半導体レーザーの微分効率の温度
特性を個々の半導体レーザーの特性曲線から読み取り、
この温度特性と逆関数の関係になる電圧を発生させて、
変調度を制御していた。図６は従来の半導体レーザーの
変調度を制御する方式を説明する図である。

【００１３】図６において、入力電気信号は自動利得制
御手段５によって、一定の振幅に制御され、微分効率補
償手段６を介して、電気−光変換手段２に入力されて、
該電気−光変換手段２に設けられた半導体レーザーによ
って光出力として出力される。該光出力の一部を、電気
−光変換手段２に設けられた光検出ダイオードで検出
し、該検出信号に基づき、光出力制御手段４によって、
電気−光変換手段２に設けられた半導体レーザーの発振
強度を制御する。

【００１４】微分効率補償手段６では、該微分効率補償
手段に設けられた、感温素子６１の抵抗変化を利用して
補償電圧発生回路６２が発生する電圧によって、可変利
得増幅器６３の利得を変化させて、電気−光変換手段２
の入力端子に導かれる電気信号の振幅を、微分効率の
変化とは逆に変化させて、電気−光変換手段２に設けら
れた半導体レーザーの微分効率の変化を補償する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、感温素子６１
の温度−抵抗特性は一般に非直線で、しかも半導体レー
ザーの微分効率の温度特性とは独立な特性である為、補
償電圧発生回路６２の出力電圧の温度特性を、半導体レ
ーザーの微分効率の温度特性の逆関数に一致させること
は困難で、工業的に妥当な回路規模では、温度補償誤差
が必ず生ずる。しかも、予め設定した微分効率のデータ
に応じて微分効率の変化を補償しようとしているので、
半導体レーザーの経年変化による微分効率の変化には追
随できない。

【００１６】本発明は、光通信システムの使用環境温度
の変動や、使用される半導体レーザーの経年変化による
半導体レーザーの微分効率の変化に適合した変調度制御
を行い、変調度を一定に保つ半導体レーザーの駆動方式
を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理を説
明する図である。図１において、１は利得制御手段、２
は電気−光変換手段、３は検波手段、４は光出力制御手
段である。利得制御手段１の入力端子に印加された主
信号は、利得制御手段１の出力端子に接続された電気−
光変換手段２に導かれ、該電気−光変換手段２におい
て、電気−光変換手段２に設けられた半導体レーザーに
より、光信号に変換され、変換された光の一部が電気−
光変換手段２にもうけられた、光検出ダイオードによ
り、電気信号として検出されて、電気−光変換手段３の
出力端子に出力される。

【００１８】出力端子での直流成分を光出力制御手段
４を介して電気−光変換手段２に導いて、該電気−光変
換手段に設けられた半導体レーザーの発振強度を一定に
制御することは、所謂ＡＰＣ技術として知られている。
本発明では、更に電気−光変換手段２の出力端子に現
れる主信号成分を、検波手段３によって検波し、その検
波出力を利得制御手段１の制御電圧入力端子に導き、
利得制御手段１の利得を制御することによって、半導体
レーザーの微分効率の変化を補償して、半導体レーザー
の変調度を一定に保つ。

【００１９】図１の検波手段３に帯域通過ろ波器を設
け、該帯域通過ろ波器の通過周波数を、利得制御手段１
の入力端子において、主信号に重畳して印加されるパ
イロット信号の周波数に一致させ、光−電気変換手段２
の出力端子に現れるパイロット信号成分を、検波手段
３によって検波し、該検波出力に基づいてき、利得制御
手段１の利得を制御することによって、半導体レーザー
の微分効率の変化を補償して、半導体レーザーの変調度
を一定に保つことも有効である。

【００２０】更に、図１の検波手段３に設ける帯域通過
ろ波器の通過周波数帯域を、利得制御手段１の入力端子
において、主信号の一部として印加される信号の周波
数帯域に一致させ、光−電気変換手段２の出力端子に
現れる、主信号の一部として印加されている信号成分を
検波手段３によって検波し、該検波出力に基づいて、利
得制御手段１の利得を制御することによって、半導体レ
ーザーの微分効率の変化を補償して、半導体レーザーの
変調度を一定に保つことも可能である。

【００２１】

【作用】図１において、利得制御手段１の入力端子に
印加された主信号は、電気−光変換手段２に設けられた
半導体レーザーによって光信号として出力されるに際
し、電気−光変換手段２に設けられた光検出ダイオード
によって検出され、電気−光変換手段２の出力端子
に、電気信号として出力される。該電気信号は、直流成
分と主信号成分を含むが、そのうち主信号成分を検波手
段３によって検波し、その検波出力を利得制御手段１の
制御電圧入力端子ｃに導き、利得制御手段１の利得を制
御する。

【００２２】いま、温度が上昇したとする。この時には
半導体レーザーの微分効率が低下して、電気−光変換手
段２の光出力における主信号成分は通常よりレベルが低
下する。同時に、電気−光変換手段２の出力端子での
主信号成分のレベルも通常より低下し、検波手段３の出
力端子における検波出力も通常より低下する。この通
常より低下した検波出力が利得制御手段１の制御電圧入
力端子に印加された時に、利得制御手段１の利得を通
常より上げることによって、電気−光変換手段２の入力
端子における主信号のレベルが上昇し、電気−光変換手
段２の光出力における主信号成分のレベルも上昇する方
向に変化する。。この帰還効果によって、電気−光変換
手段２の光出力における主信号成分のレベルが一定に保
たれる。即ち、半導体レーザーの変調度が一定に保たれ
る。

【００２３】また、図１の検波手段３に帯域通過ろ波器
を設け、該帯域通過ろ波器の通過周波数を、利得制御手
段１の入力端子ａにおいて、主信号に重畳して印加され
るパイロット信号の周波数に一致させ、光−電気変換手
段２の出力端子でのパイロット信号成分を検波し、そ
の検波出力によって利得制御手段１の利得を制御する方
式によっても、半導体レーザーの変調度を一定に保つこ
とができる。

【００２４】一般に、電気−光変換手段２に設けられる
光検出ダイオードは高周波数特性が悪く、主信号が広帯
域な場合、光検出ダイオードの検出出力における主信号
成分は、高周波数成分が減衰し、利得制御手段１の入力
端子に印加された主信号とは、周波数スペクトラムが
異なっている。上述のように、パイロット信号を重畳
し、特に、該パイロット信号の周波数を低く設定すれ
ば、光検出ダイオードの周波数特性の劣悪さは、無関係
になる。

【００２５】さらに、図１の検波手段３に設ける帯域通
過ろ波器の通過周波数帯域を、利得制御手段１の入力端
子において、主信号の一部として印加される信号の周
波数帯域に一致させ、電気−光変換手段２の出力端子
に現れる主信号の一部の信号成分を検波し、該検波出力
に基づいて利得制御手段１の利得を制御する事によっ
て、半導体レーザーの変調度を一定に保つことができ
る。

【００２６】この場合、主信号の一部として印加される
信号として、例えば、打合せ回線用の信号を利用でき
る。つまり、半導体レーザーの変調度を制御する為だけ
に、パイロット信号を重畳する方式に比較して、主信号
の一部として、本来必要な信号を用いて、半導体レーザ
ーの変調度を制御する点に特徴がある。

【００２７】

【実施例】図２は本発明の実施例を示す図である。図２
において、１、２、３、４、は図１に対応している。１
１は前段増幅器、１２は利得制御回路、１３は誤差増幅
器、２１はレーザー駆動増幅器、２２は半導体レーザ
ー、２３はフォトダイオード、３１は直流遮断コンデン
サ、３２は検波増幅器、３３は検波回路、である。

【００２８】利得制御手段１の入力端子に印加された
主信号は、前段増幅器１１、利得制御回路１２、レーザ
ー駆動増幅器２１を通って半導体レーザー２２に印加さ
れ、電気信号から光信号に変換され、該半導体レーザー
に結合された、図示されていない光ファイバに出力され
る。一方、半導体レーザー２２の光出力の一部はフォト
ダイオード２３に印加され、電気信号に逆変換されて電
気−光変換手段２の出力端子に出力される。

【００２９】出力端子での電気信号は、直流成分と主
信号成分を含んでおり、このうち直流成分を光出力制御
回路４に導いて、その出力によって半導体レーザー２２
の発振出力を一定に保つ。これは、ＡＰＣとしてよく知
られている技術である。しかし、これは半導体レーザー
の直流発振強度を一定に保つものであって、半導体レー
ザーの微分効率の変化を補償するものではない。

【００３０】本発明では、出力端子での主信号成分を
用いて、半導体レーザーの変調度を一定に保つ。出力端
子での主信号成分は、直流遮断コンデンサを通って検
波増幅器３２、検波回路３３に導かれて検波される。検
波手段３の出力端子ｂでの検波出力は主信号のレベルに
対応している。この検波出力を誤差増幅器１３の逆相入
力端子に導く。誤差増幅器１３の同相入力端子には、基
準電圧Ｖｒが与えられており、誤差増幅器１３では検波
出力電圧と基準電圧Ｖｒの差を取り出す。ここでは簡単
の為に、基準電圧Ｖｆは検波出力電圧の最高値より大き
く設定されているものとして説明する。

【００３１】いま、温度が上昇して半導体レーザー２２
の微分効率が低下すると、作用の項にて詳述したごと
く、検波出力電圧は通常より低下するので、誤差増幅器
１３の出力電圧は高くなる。高くなった誤差増幅器１３
の出力電圧が利得制御回路１２に印加された時、利得制
御回路１２の利得が上昇するように回路形を定める。図
３は上述のような機能を果たす利得制御回路の一例であ
る。

【００３２】図３において１２１、１２２は増幅器、１
２３、１２４は直流遮断コンデンサ、１２５はダイオー
ド、１２６、１２７は抵抗である。増幅器１２１の入力
端子に主信号が印加され、増幅器１２２の出力端子から
主信号が出力され、抵抗１２７の一端に誤差増幅器１３
の出力端子が接続される。温度が上昇した場合、上述の
ように誤差増幅器の出力電圧は高くなるので、抵抗１２
７、ダイオード１２５、抵抗１２６を通じて流れる電流
は大きくなる。従って、ダイオードが呈する抵抗は小さ
くなり、ダイオード１２５と抵抗１２６で構成される、
主信号に対する分圧回路の損失は小さくなる。即ち、利
得制御回路の利得は大きくなる。

【００３３】こうして、図２における電気−光変換手段
２の入力にはレベルが上昇した主信号が導かれ、半導体
レーザーの光出力に含まれる主信号成分のレベルも上昇
する方向に変化する。この帰還効果によって、温度上昇
に伴う半導体レーザー２２の微分効率の低下で一旦レベ
ルが低下した該半導体レーザーの出力における主信号成
分のレベルは元に戻され、一定に保たれる。即ち、変調
度が保たれる。

【００３４】図４は、第二の実施例を示す図である。図
４において、３４以外は図３と対応している。３４は帯
域通過ろ波器で、その通過周波数を、利得制御手段１の
入力において主信号に重畳して印加されるパイロット
信号の周波数に一致させている。従って、電気−光変換
手段２に設けられた光検出ダイオード２３によって検出
され、電気−光変換手段２の出力端子に出力される検
出信号には、直流成分、主信号成分、パイロット周波数
成分が含まれている。

【００３５】いま、温度が上昇すれば、半導体レーザー
２２の微分効率が低下して、電気−光変換手段２に設け
られた半導体レーザー２２の光出力に含まれる主信号成
分とパイロット信号成分の振幅は、同時に通常より低下
する。従って、電気−光変換手段２に設けられた光検出
ダイオード２３の検出信号に含まれる、主信号成分とパ
イロット信号成分の振幅も、同時に通常より低下する。
検波手段３にはパイロット信号の周波数に等しい通過周
波数の帯域通過ろ波器３４を設けているので、検波手段
３の出力端子における検波出力も、通常より低下す
る。この通常より低下した検波出力が、利得制御手段１
の制御電圧入力端子に印加された時に、第一の実施例
の説明にて詳述した方法で、利得制御手段１の利得を上
昇させることによって、電気−光変換手段２の入力端子
における、主信号成分とパイロット信号成分の振幅が
上昇し、電気−光変換手段２の光出力に含まれる、主信
号成分とパイロット信号成分の振幅も上昇する方向に変
化する。この帰還効果によって、電気−光変換手段２の
光出力に含まれる主信号成分の振幅が一定に保たれる。
即ち、半導体レーザーの変調度が一定に保たれる。

【００３６】図４は第三の実施例を示す。第三の実施例
においては、検波手段３に設ける帯域通過ろ波器の通過
周波数を単一周波数とはせず、利得制御手段１の入力端
子に主信号の一部として印加される信号の帯域に一致
させる。従って、検波手段３の出力端子での検波出力
電圧は主信号の一部として印加される信号の振幅変化に
対応して変化する。

【００３７】この検波出力を、利得制御手段１の誤差増
幅器１３に印加し、基準電圧Ｖｒとの差の電圧を利得制
御回路１２に印加することによって、半導体レーザーの
変調度が一定に保たれることは、第二の発明と全く同じ
である。上記の実施例の説明では、使用環境温度が変化
して、半導体レーザーの微分効率が変化する場合につい
て説明したが、半導体レーザーの経年変化に伴う微分効
率の変化に対しても、全く同様に追随して、半導体レー
ザーの変調度を一定に保つことができる。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザーの駆動
回路の使用環境温度が変化して半導体レーザーの変調度
が変化する場合にも、半導体レーザーの経年変化によっ
て変調度が変化する場合にも、半導体レーザーの変調度
を常に一定に保つ半導体レーザーの駆動方式を実現で
き、光通信システムの伝送品質を一定品質に保つことが
可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明する図

【図２】本発明の実施例を示す図

【図３】利得制御回路の一例を示す図

【図４】本発明の第二、第三の実施例を示す図

【図５】半導体レーザーのバイアス電流と光出力の関
係を示す図

【図６】従来の方式を説明する図

【符号の説明】

１利得制御手段２電気−光変換手段３検波手段４光出力制御手段５自動利得制御手段６微分効率補償手段１１前段増幅器１２利得制御回路１３誤差増幅器２１レーザー駆動増幅器２２半導体レーザー２３光検出ダイオード３１直流遮断コンデンサ３２検波増幅器３３検波回路３４帯域通過ろ波器６１感温素子６２微分効率補償回路１２１、１２２増幅器１２３、１２４直流遮断コンデンサ１２５ダイオード１２６、１２７抵抗Ｖｒ基準電圧Ｉth、Ｉth’ スレショルド電流Ｉb バイアス電流Ｉac 印加交流電流Ｐ１、Ｐ２、Ｐ２’ 光交流出力Ｑ、Ｑ’ 半導体レーザーの動作点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力電気信号の振幅を利得制御手段
（１）によって制御し、、次いで電気−光変換手段
（２）に設けられた半導体レーザーを駆動することによ
り、光信号として出力するに際し、半導体レーザーから
の光出力を、電気−光変換手段（２）に設けられた光検
出ダイオードで検出し、該検出信号に基づき、、光出力
制御手段（４）によって、電気−光変換手段（２）に設
けられた半導体レーザーの発振強度を制御する半導体レ
ーザー駆動方式において、電気−光変換手段（２）に設けられた、光検出ダイオー
ドの出力信号を検波する検波手段（３）を設け、該検波
手段の出力に基づき、利得制御手段（１）に印加される
入力電気信号の利得を制御することにより、電気−光変
換手段（２）に設けられた半導体レーザーの変調度を一
定に保つことを特徴とする半導体レーザー駆動方式。
【請求項２】請求項１の半導体レーザー駆動方式に於
いて、検波手段（３）に帯域通過ろ波器を設け、かつ帯域通過
ろ波器の通過周波数を入力電気信号に重畳して印加され
る、パイロット信号の周波数に一致させることにより、
該パイロット信号を検波手段（３）にて検波し、その検
波出力に基づき、利得制御手段（１）の利得を制御する
ことにより、半導体レーザーの変調度を一定に保つこと
を特徴とする半導体レーザー駆動方式。
【請求項３】請求項１の半導体レーザー駆動方式にお
いて、検波手段（３）に帯域通過ろ波器を設け、かつ帯域通過
ろ波器の通過周波数帯域をを入力電気信号の一部として
印加される信号の帯域に一致させることにより、該入力
電気信号の一部として印加される信号を検波手段（３）
にて検波し、該検波出力に基づき、利得制御手段（１）
の利得を制御することにより、半導体レーザーの変調度
を一定に保つことを特徴とする半導体レーザー駆動方
式。