JPH05335683A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH05335683A JPH05335683A JP13923092A JP13923092A JPH05335683A JP H05335683 A JPH05335683 A JP H05335683A JP 13923092 A JP13923092 A JP 13923092A JP 13923092 A JP13923092 A JP 13923092A JP H05335683 A JPH05335683 A JP H05335683A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- active layer
- semiconductor laser
- ingaalp
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子抵抗を小さくすることができ、温度特性
に優れた広ストライプ半導体レーザを提供すること。 【構成】 ＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料からなり、アン
ドープＩｎＧａＰ活性層１５をｐ型及びｎ型のＩｎＧａ
ＡｌＰクラッド層１３，１７で挟んだダブルヘテロ構造
部と、活性層１５における発光領域をストライプ状に制
限する電流狭窄機構を備えた半導体レーザにおいて、活
性層１５とｐ型クラッド層１７との間に、ｐ型クラッド
層１７中の不純物が活性層１５に拡散するのを防止す
る、ｐ型クラッド層１７よりもＡｌの組成比の小さいア
ンドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６とを設けたこと
を特徴とする。
に優れた広ストライプ半導体レーザを提供すること。 【構成】 ＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料からなり、アン
ドープＩｎＧａＰ活性層１５をｐ型及びｎ型のＩｎＧａ
ＡｌＰクラッド層１３，１７で挟んだダブルヘテロ構造
部と、活性層１５における発光領域をストライプ状に制
限する電流狭窄機構を備えた半導体レーザにおいて、活
性層１５とｐ型クラッド層１７との間に、ｐ型クラッド
層１７中の不純物が活性層１５に拡散するのを防止す
る、ｐ型クラッド層１７よりもＡｌの組成比の小さいア
ンドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６とを設けたこと
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ストライプ状の発光領
域を有する半導体レーザに係わり、特にＩｎＧａＡｌＰ
系材料を用いた半導体レーザに関する。
域を有する半導体レーザに係わり、特にＩｎＧａＡｌＰ
系材料を用いた半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスク等の光情報処理用光源
やバーコードを読み取るＰＯＳスキャナの光源として、
０．６μｍ帯で発振するＩｎＧａＡｌＰ可視光半導体レ
ーザが使用されている。そして、光出力では２０ｍＷ、
発振波長では６５０ｎｍの可視光レーザが製品化され始
めている。
やバーコードを読み取るＰＯＳスキャナの光源として、
０．６μｍ帯で発振するＩｎＧａＡｌＰ可視光半導体レ
ーザが使用されている。そして、光出力では２０ｍＷ、
発振波長では６５０ｎｍの可視光レーザが製品化され始
めている。
【０００３】しかしながら、この種の半導体レーザは、
従来のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザに比べて熱抵抗や
素子抵抗が大きいという温度特性の問題を抱えており、
このため使用時には温度制御回路等が必要である。特
に、ストライプ幅が１０μｍ以上の広ストライプレーザ
では、動作電流が数Ａ以上になるので素子抵抗による発
熱が素子の光出力を制限していた。
従来のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザに比べて熱抵抗や
素子抵抗が大きいという温度特性の問題を抱えており、
このため使用時には温度制御回路等が必要である。特
に、ストライプ幅が１０μｍ以上の広ストライプレーザ
では、動作電流が数Ａ以上になるので素子抵抗による発
熱が素子の光出力を制限していた。
【０００４】素子抵抗を小さくする手段としては、クラ
ッド層のキャリア濃度を高くすることが考えられる。し
かし、クラッド層のキャリア濃度、特にＩｎＧａＡｌＰ
系材料を用いたｐ型クラッド層のキャリア濃度を高くす
ると、ｐ型ドーパントであるＺｎが活性層に拡散し、素
子の信頼性を悪化させる。そして、活性層にＺｎが拡散
しない状態でのｐ型クラッド層のキャリア濃度は低く、
広ストライプレーザでの数Ａ以上の動作電流による発熱
のため、光出力が制限されていた。
ッド層のキャリア濃度を高くすることが考えられる。し
かし、クラッド層のキャリア濃度、特にＩｎＧａＡｌＰ
系材料を用いたｐ型クラッド層のキャリア濃度を高くす
ると、ｐ型ドーパントであるＺｎが活性層に拡散し、素
子の信頼性を悪化させる。そして、活性層にＺｎが拡散
しない状態でのｐ型クラッド層のキャリア濃度は低く、
広ストライプレーザでの数Ａ以上の動作電流による発熱
のため、光出力が制限されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、Ｉｎ
ＧａＡｌＰ系の半導体レーザにおいては、素子抵抗によ
る発熱により光出力が制限される問題があり、特にスト
ライプ幅の広いレーザでは高出力化を達成するのは困難
であった。
ＧａＡｌＰ系の半導体レーザにおいては、素子抵抗によ
る発熱により光出力が制限される問題があり、特にスト
ライプ幅の広いレーザでは高出力化を達成するのは困難
であった。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、素子抵抗を小さくする
ことができ、温度特性に優れた広ストライプ半導体レー
ザを提供することにある。
ので、その目的とするところは、素子抵抗を小さくする
ことができ、温度特性に優れた広ストライプ半導体レー
ザを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、素子抵
抗を小さくするためにクラッド層中のキャリア濃度を高
めることと、クラッド層中の不純物濃度を高めても活性
層への不純物拡散を防止することにある。
抗を小さくするためにクラッド層中のキャリア濃度を高
めることと、クラッド層中の不純物濃度を高めても活性
層への不純物拡散を防止することにある。
【０００８】即ち本発明は、化合物半導体材料からな
り、活性層をｐ型及びｎ型のクラッド層で挟んだダブル
ヘテロ構造部と、活性層における発光領域をストライプ
状に制限する電流狭窄手段とを有する半導体レーザにお
いて、活性層とｐ型クラッド層との間に、ｐ型クラッド
層中の不純物が活性層に拡散するのを防止する拡散防止
層を設けたことを特徴とする。
り、活性層をｐ型及びｎ型のクラッド層で挟んだダブル
ヘテロ構造部と、活性層における発光領域をストライプ
状に制限する電流狭窄手段とを有する半導体レーザにお
いて、活性層とｐ型クラッド層との間に、ｐ型クラッド
層中の不純物が活性層に拡散するのを防止する拡散防止
層を設けたことを特徴とする。
【０００９】ここで、化合物半導体材料としては II-VI
族や III-V族の半導体を用いることができるが、特にク
ラッド層及び拡散防止層をＩｎy （Ｇａ1-x Ａｌx ）y
Ｐから形成した場合、拡散防止層のＡｌ組成比ｘをクラ
ッド層のそれよりも小さく、拡散防止層のバンドギャッ
プをクラッド層のそれよりも小さくすればよい。
族や III-V族の半導体を用いることができるが、特にク
ラッド層及び拡散防止層をＩｎy （Ｇａ1-x Ａｌx ）y
Ｐから形成した場合、拡散防止層のＡｌ組成比ｘをクラ
ッド層のそれよりも小さく、拡散防止層のバンドギャッ
プをクラッド層のそれよりも小さくすればよい。
【００１０】
【作用】本発明によれば、ｐ型クラッド層と活性層との
間にｐ型クラッド層からのｐ型不純物の拡散を防止する
拡散防止層を設けることにより、活性層へのｐ型不純物
の拡散なしに、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を高くす
ることができる。拡散防止層としては、ｐ型クラッド層
におけるｐ型ドーパントの拡散速度よりも遅いものを用
いればよい。例えば、ＩｎＧａＡｌＰ系材料を用いた場
合、拡散防止層におけるＡｌの組成比をｐ型クラッド層
のそれよりも小さくすれば、ｐ型ドーパントであるＺｎ
の拡散速度がｐ型クラッド層よりも拡散防止層の方で遅
くなり、その結果としてｐ型クラッド層から活性層への
Ｚｎの拡散を防止できるのである。これにより、不純物
が拡散していない活性層による信頼性の向上と低い素子
抵抗による１Ｗ以上の安定した動作が実現できるように
なる。
間にｐ型クラッド層からのｐ型不純物の拡散を防止する
拡散防止層を設けることにより、活性層へのｐ型不純物
の拡散なしに、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を高くす
ることができる。拡散防止層としては、ｐ型クラッド層
におけるｐ型ドーパントの拡散速度よりも遅いものを用
いればよい。例えば、ＩｎＧａＡｌＰ系材料を用いた場
合、拡散防止層におけるＡｌの組成比をｐ型クラッド層
のそれよりも小さくすれば、ｐ型ドーパントであるＺｎ
の拡散速度がｐ型クラッド層よりも拡散防止層の方で遅
くなり、その結果としてｐ型クラッド層から活性層への
Ｚｎの拡散を防止できるのである。これにより、不純物
が拡散していない活性層による信頼性の向上と低い素子
抵抗による１Ｗ以上の安定した動作が実現できるように
なる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例に係わる半導体
レーザの素子構造を示す断面図である。図中１１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、この基板１１上には、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層１２，ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１
３，アンドープＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４，アンド
ープＩｎＧａＰ活性層１５，アンドープＩｎＧａＡｌＰ
拡散防止層１６，ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１７，
ｐ型ＩｎＧａＰキャップ層１８及びｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層１９が成長形成されている。
レーザの素子構造を示す断面図である。図中１１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、この基板１１上には、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層１２，ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１
３，アンドープＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４，アンド
ープＩｎＧａＰ活性層１５，アンドープＩｎＧａＡｌＰ
拡散防止層１６，ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１７，
ｐ型ＩｎＧａＰキャップ層１８及びｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層１９が成長形成されている。
【００１３】電流ブロック層１９にはエッチングにより
ストライプ状の開口が形成され、この開口部を含んで電
流ブロック層１９の上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２０が形成されている。そして、基板１１の裏面側にｎ
型電極ＡｕＧｅ２１が形成され、コンタクト層２０上に
ｐ型電極ＡｕＺｎ２２が形成されている。
ストライプ状の開口が形成され、この開口部を含んで電
流ブロック層１９の上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２０が形成されている。そして、基板１１の裏面側にｎ
型電極ＡｕＧｅ２１が形成され、コンタクト層２０上に
ｐ型電極ＡｕＺｎ２２が形成されている。
【００１４】このようなレーザ構造において、アンドー
プＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６のＡｌx1Ｇａ1-x1組成
比x1をｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１７のＡｌx2Ｇａ
1-x2組成比x2よりも小さくすることで、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｌＰクラッド層１７の不純物Ｚｎの活性層１５への拡散
を防止している。これは、ＩｎＧａＡｌＰ層中における
Ｚｎの拡散速度はＡｌx Ｇａ1-x 組成比ｘが大きいほど
速いためである。このため、アンドープＩｎＧａＡｌＰ
拡散防止層１６成長後のプロセスにおいても、活性層１
５へのＺｎの拡散を防止することができる。
プＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６のＡｌx1Ｇａ1-x1組成
比x1をｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１７のＡｌx2Ｇａ
1-x2組成比x2よりも小さくすることで、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｌＰクラッド層１７の不純物Ｚｎの活性層１５への拡散
を防止している。これは、ＩｎＧａＡｌＰ層中における
Ｚｎの拡散速度はＡｌx Ｇａ1-x 組成比ｘが大きいほど
速いためである。このため、アンドープＩｎＧａＡｌＰ
拡散防止層１６成長後のプロセスにおいても、活性層１
５へのＺｎの拡散を防止することができる。
【００１５】なお、この拡散防止効果は後述するよう
に、アンドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６の厚さが
４０ｎｍ以上において現われ、それ以下では活性層１５
への拡散による信頼性の低下が見られた。さらに、アン
ドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６の厚さが２００ｎ
ｍ以上では活性層１５に有効に注入したキャリアを閉じ
込めることが困難になりしきい値電流の上昇を招き、素
子特性を著しく劣化させることが明らかになった。
に、アンドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６の厚さが
４０ｎｍ以上において現われ、それ以下では活性層１５
への拡散による信頼性の低下が見られた。さらに、アン
ドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６の厚さが２００ｎ
ｍ以上では活性層１５に有効に注入したキャリアを閉じ
込めることが困難になりしきい値電流の上昇を招き、素
子特性を著しく劣化させることが明らかになった。
【００１６】上記の条件にてアンドープＩｎＧａＰ活性
層１５へのＺｎの拡散を招くことなく、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｌＰクラッド層１７のキャリア濃度を３×１０18ｃｍ-3
以上にすることができた。従来構造では５×１０17ｃｍ
-3が最大であったことから、本実施例の効果は絶大であ
る。
層１５へのＺｎの拡散を招くことなく、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｌＰクラッド層１７のキャリア濃度を３×１０18ｃｍ-3
以上にすることができた。従来構造では５×１０17ｃｍ
-3が最大であったことから、本実施例の効果は絶大であ
る。
【００１７】活性層１５はＩｎ0.62Ｇａ0.38Ｐからな
り、その厚さを７〜３０（例えば１０ｎｍ）とした。ク
ラッド層１３，１７の組成はｐ，ｎ共に等しく、Ｉｎ
1-y （Ｇａ1-x Ａｌx）y Ｐの表記でｘ＝０．７，ｙ＝
０．５程度とした。また、アンドープ層１４，１６の組
成は共に等しく、Ｉｎ1-y （Ｇａ1-x Ａｌx）y Ｐの表
記でｘ＝０．６，ｙ＝０．５程度とした。つまり、拡散
防止層１６のＡｌ組成比ｘはｐ型クラッド層１７のそれ
よりも小さくした。
り、その厚さを７〜３０（例えば１０ｎｍ）とした。ク
ラッド層１３，１７の組成はｐ，ｎ共に等しく、Ｉｎ
1-y （Ｇａ1-x Ａｌx）y Ｐの表記でｘ＝０．７，ｙ＝
０．５程度とした。また、アンドープ層１４，１６の組
成は共に等しく、Ｉｎ1-y （Ｇａ1-x Ａｌx）y Ｐの表
記でｘ＝０．６，ｙ＝０．５程度とした。つまり、拡散
防止層１６のＡｌ組成比ｘはｐ型クラッド層１７のそれ
よりも小さくした。
【００１８】上記構成のレーザにおいて、アンドープＩ
ｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６の厚さを種々変えてその特
性を調べたところ、図２及び図３に示すような結果が得
られた。図２は拡散防止層１６の厚さと活性層での温度
上昇とのとの関係を示す特性図、図３は拡散防止層１６
の厚さと発振しきい値との関係を示す特性図である。図
２から、拡散防止層１６の厚さが２００ｎｍ以上になる
と、拡散防止層での発熱の影響が出始め、温度特性を劣
化させることが分かる。また、図３から、拡散防止層１
６の厚さが４０ｎｍ以下では、活性層へｐクラッド層か
ら不純物が拡散し、活性層の非発光センター等の増加に
より結晶性が悪くなり、しきい値が上昇する。２００ｎ
ｍ以上では、注入したキャリアが有効に活性層に注入さ
れず、しきい値が上昇する。
ｎＧａＡｌＰ拡散防止層１６の厚さを種々変えてその特
性を調べたところ、図２及び図３に示すような結果が得
られた。図２は拡散防止層１６の厚さと活性層での温度
上昇とのとの関係を示す特性図、図３は拡散防止層１６
の厚さと発振しきい値との関係を示す特性図である。図
２から、拡散防止層１６の厚さが２００ｎｍ以上になる
と、拡散防止層での発熱の影響が出始め、温度特性を劣
化させることが分かる。また、図３から、拡散防止層１
６の厚さが４０ｎｍ以下では、活性層へｐクラッド層か
ら不純物が拡散し、活性層の非発光センター等の増加に
より結晶性が悪くなり、しきい値が上昇する。２００ｎ
ｍ以上では、注入したキャリアが有効に活性層に注入さ
れず、しきい値が上昇する。
【００１９】つまり、拡散防止層の厚さとしては、４０
〜２００ｎｍが望ましいことが分かる。なお、４０〜２
００ｎｍの規格化発振しきい値を１．０としたが、この
値は活性層の組成，厚さや拡散防止層の組成，厚さで若
干変化する。
〜２００ｎｍが望ましいことが分かる。なお、４０〜２
００ｎｍの規格化発振しきい値を１．０としたが、この
値は活性層の組成，厚さや拡散防止層の組成，厚さで若
干変化する。
【００２０】このように本実施例によれば、活性層１５
とｐ型クラッド層１７との間に拡散防止層１６を設け、
この拡散防止層１６のＡｌ組成比をｐ型クラッド層１７
のそれよりも小さくしているので、ｐ型クラッド層１７
のｐ型ドーパントであるＺｎが活性層１５内に拡散する
のを防止することができる。このため、ｐ型クラッド層
１７のキャリア濃度を高くすることができ、素子抵抗の
低減をはかることが可能となる。つまり、活性層１５へ
の不純物拡散による素子特性の劣化を招くことなくｐ型
クラッド層１７の抵抗を十分小さくすることができ、信
頼性の向上と共に高出力化をはかることができる。
とｐ型クラッド層１７との間に拡散防止層１６を設け、
この拡散防止層１６のＡｌ組成比をｐ型クラッド層１７
のそれよりも小さくしているので、ｐ型クラッド層１７
のｐ型ドーパントであるＺｎが活性層１５内に拡散する
のを防止することができる。このため、ｐ型クラッド層
１７のキャリア濃度を高くすることができ、素子抵抗の
低減をはかることが可能となる。つまり、活性層１５へ
の不純物拡散による素子特性の劣化を招くことなくｐ型
クラッド層１７の抵抗を十分小さくすることができ、信
頼性の向上と共に高出力化をはかることができる。
【００２１】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。バッファ層としてはｎ−ＧａＡｓに限
らず、ｎ−ＩｎＧａＰでもよい。キャップ層としてはｐ
−ＩｎＧａＰに限らず、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ，ｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ若しくはｐ−ＧａＡｓを用いてもよい。電流ブ
ロック層としては、半絶縁性のＧａＡｓ，ｎ型若しくは
半絶縁性のＧａＡｌＡｓを用いてもよい。活性層として
は、Ｉｎ1-y （Ｇａ1-x ＡｌX ）y Ｐの表記でｘを０〜
０．３，ｙを０．３５〜０．６５程度としてもよい。さ
らに、活性層が量子井戸層と障壁層からなる量子井戸構
造でも同様の効果が期待できる。
るものではない。バッファ層としてはｎ−ＧａＡｓに限
らず、ｎ−ＩｎＧａＰでもよい。キャップ層としてはｐ
−ＩｎＧａＰに限らず、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ，ｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ若しくはｐ−ＧａＡｓを用いてもよい。電流ブ
ロック層としては、半絶縁性のＧａＡｓ，ｎ型若しくは
半絶縁性のＧａＡｌＡｓを用いてもよい。活性層として
は、Ｉｎ1-y （Ｇａ1-x ＡｌX ）y Ｐの表記でｘを０〜
０．３，ｙを０．３５〜０．６５程度としてもよい。さ
らに、活性層が量子井戸層と障壁層からなる量子井戸構
造でも同様の効果が期待できる。
【００２２】また、基板はＧａＡｓに限るものではな
く、このＧａＡｓの格子定数に比較的近い格子定数を有
するものやＩｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｐ，Ｚｎ，Ｓｅ，Ｓを含
む二元混晶からなる化合物半導体基板を用いても実施可
能である。さらに、（１００）面から〈０１１〉方向へ
１６°以内の傾斜基板を用いても実施可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
く、このＧａＡｓの格子定数に比較的近い格子定数を有
するものやＩｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｐ，Ｚｎ，Ｓｅ，Ｓを含
む二元混晶からなる化合物半導体基板を用いても実施可
能である。さらに、（１００）面から〈０１１〉方向へ
１６°以内の傾斜基板を用いても実施可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、活
性層に不純物の拡散なしに、ｐクラッド層のキャリア濃
度を高くすることができるため、広ストライプ半導体レ
ーザでの数Ａ以上の動作電流による発熱を抑制すること
ができ、光出力１Ｗ以上の安定した動作が実現できるよ
うになった。
性層に不純物の拡散なしに、ｐクラッド層のキャリア濃
度を高くすることができるため、広ストライプ半導体レ
ーザでの数Ａ以上の動作電流による発熱を抑制すること
ができ、光出力１Ｗ以上の安定した動作が実現できるよ
うになった。
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図、
構造を示す断面図、
【図２】拡散防止層の膜厚と活性層での温度上昇との関
係を示す特性図、
係を示す特性図、
【図３】拡散防止層の膜厚と発振しきい値との関係を示
す特性図。
す特性図。
１１…ｎ型ＧａＡｓ基板、 １２…ｎ型ＧａＡｓバッファ層、 １３…ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、 １４…アンドープＩｎＧａＡｌＰクラッド層、 １５…アンドープＩｎＧａＰ活性層、 １６…アンドープＩｎＧａＡｌＰ拡散防止層、 １７…ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、 １８…ｐ型ＩｎＧａＰキャップ層、 ２０…ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ２１…ｎ型電極ＡｕＧｅ、 ２２…ｐ型電極ＡｕＺｎ。
Claims (2)
- 【請求項１】化合物半導体材料からなり、活性層をｐ型
及びｎ型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部と、
前記活性層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｐ型ク
ラッド層中の不純物が活性層に拡散するのを防止する拡
散防止層と、前記活性層における発光領域をストライプ
状に制限する電流狭窄手段とを具備してなることを特徴
とする半導体レーザ。 - 【請求項２】前記クラッド層及び拡散防止層はＩｎ
y （Ｇａ1-x Ａｌx ）y Ｐからなり、拡散防止層のＡｌ
組成比ｘをクラッド層のそれよりも小さくしたことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13923092A JPH05335683A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13923092A JPH05335683A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335683A true JPH05335683A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15240515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13923092A Pending JPH05335683A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691623B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13923092A patent/JPH05335683A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691623B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
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