JPH05340733A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
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- JPH05340733A JPH05340733A JP14573392A JP14573392A JPH05340733A JP H05340733 A JPH05340733 A JP H05340733A JP 14573392 A JP14573392 A JP 14573392A JP 14573392 A JP14573392 A JP 14573392A JP H05340733 A JPH05340733 A JP H05340733A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一回の画像入力で１個の半導体装置の検査を
行い、データ処理時間を短くし、高速処理を行う。 【構成】 検査すべき半導体装置１を設置する設置台２
の、半導体装置１が設置される周辺に光反射手段５が設
けられている。撮像手段３によって半導体装置１を撮像
し、その画像信号が画像認識手段４に入力され、半導体
装置の不良が認識される。
行い、データ処理時間を短くし、高速処理を行う。 【構成】 検査すべき半導体装置１を設置する設置台２
の、半導体装置１が設置される周辺に光反射手段５が設
けられている。撮像手段３によって半導体装置１を撮像
し、その画像信号が画像認識手段４に入力され、半導体
装置の不良が認識される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体装置
（デバイス）の検査装置に関し、さらに詳しくはデバイ
スのリード曲がり、リード浮き、デバイス表面に印刷さ
れた文字等を検査する検査装置に関するものである。
（デバイス）の検査装置に関し、さらに詳しくはデバイ
スのリード曲がり、リード浮き、デバイス表面に印刷さ
れた文字等を検査する検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置は、前工程で製造
されたウェハをダイシングし、これをプラスチックある
いはセラミックに封止したのちに電気的な検査を行い、
次いで外観検査を行って出荷されている。外観検査はリ
ード曲がり、リード浮きおよび製品名，規格その他デバ
イス表面に印刷された文字等が検査される。
されたウェハをダイシングし、これをプラスチックある
いはセラミックに封止したのちに電気的な検査を行い、
次いで外観検査を行って出荷されている。外観検査はリ
ード曲がり、リード浮きおよび製品名，規格その他デバ
イス表面に印刷された文字等が検査される。
【０００３】従来、外観検査は画像認識技術によって行
うことにより、省力化が図られているが、リード曲が
り、リード浮き、文字等、それぞれの部分を撮像し、各
々画像処理によりなされていた。
うことにより、省力化が図られているが、リード曲が
り、リード浮き、文字等、それぞれの部分を撮像し、各
々画像処理によりなされていた。
【０００４】例えば、リード曲がりはデバイス上面から
撮像し検査し、リード浮きは側面から撮像し検査し、文
字部分は別個にデバイス上面から撮像し検査していた。
側面からの撮像は、フラットパッケージのようなもので
は、四方からする必要があり、カメラを４台設置する
か、あるいは設置台を回転させていた。
撮像し検査し、リード浮きは側面から撮像し検査し、文
字部分は別個にデバイス上面から撮像し検査していた。
側面からの撮像は、フラットパッケージのようなもので
は、四方からする必要があり、カメラを４台設置する
か、あるいは設置台を回転させていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の装置
では、カメラの台数が３〜６台必要であり、ハードウェ
アでこれらのカメラを切り換える機能が必要である上
に、照明の調整や入力タイミングにも制限があった。ま
た、ピント調整等の前調整が多く、時間がかかってい
た。
では、カメラの台数が３〜６台必要であり、ハードウェ
アでこれらのカメラを切り換える機能が必要である上
に、照明の調整や入力タイミングにも制限があった。ま
た、ピント調整等の前調整が多く、時間がかかってい
た。
【０００６】さらに、入力画像が多いため、ＬＳＩ１個
当たりの処理時間が長くなり、時間当たりの処理個数に
限度があった。
当たりの処理時間が長くなり、時間当たりの処理個数に
限度があった。
【０００７】以上の点に鑑み、本発明は一回の画像入力
で１個の半導体装置の検査を行うことができ、データ処
理時間が短く高速処理を行える半導体装置の検査装置を
提供することを課題とする。
で１個の半導体装置の検査を行うことができ、データ処
理時間が短く高速処理を行える半導体装置の検査装置を
提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、検査すべき半
導体装置を設置する設置台と、該半導体装置を撮像する
撮像手段と、該撮像手段によって得られた画像信号によ
って前記半導体装置の不良を認識する画像認識手段とを
具備する半導体装置の検査装置において、前記設置台に
は前記半導体装置が設置される周辺に光反射手段を具備
したことを特徴とするものである。
導体装置を設置する設置台と、該半導体装置を撮像する
撮像手段と、該撮像手段によって得られた画像信号によ
って前記半導体装置の不良を認識する画像認識手段とを
具備する半導体装置の検査装置において、前記設置台に
は前記半導体装置が設置される周辺に光反射手段を具備
したことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、光反射手段によって半導体装
置側面と上面を同時に撮像することができ、一画面で同
時に画像処理を行うことができるため、簡単な装置構成
で、高速に検査をすることができる。
置側面と上面を同時に撮像することができ、一画面で同
時に画像処理を行うことができるため、簡単な装置構成
で、高速に検査をすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
【００１１】図１は、本発明の検査装置の要部を示す図
であり、図１（Ａ）は側面図、図１（Ｂ）はその上面図
である。
であり、図１（Ａ）は側面図、図１（Ｂ）はその上面図
である。
【００１２】図において、１は検査すべき半導体装置
（デバイス）、１Ａはリード、２は設置台、３は撮像手
段、４は画像認識手段、５は光反射手段（ミラー）、６
は照明である。
（デバイス）、１Ａはリード、２は設置台、３は撮像手
段、４は画像認識手段、５は光反射手段（ミラー）、６
は照明である。
【００１３】撮像手段３は、例えばＣＣＤ（Ｃｈａｒｇ
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）カメラを用いるこ
とができる。画像認識手段４は、例えばマイクロコンピ
ュータである。
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）カメラを用いるこ
とができる。画像認識手段４は、例えばマイクロコンピ
ュータである。
【００１４】ミラー５はデバイス１の４辺に設けられて
おり、デバイス１の上面から撮像手段３によって撮像し
たときに、デバイス１の側面が画像信号として入力され
るようになされている。すなわち、ミラー５は設置台２
の上面に対し、４５〜６０°の角度を有している。な
お、ミラー５はＤＩＰ等のように２辺にのみピンが設け
られているパッケージの場合には２辺にのみ設けてもよ
い。
おり、デバイス１の上面から撮像手段３によって撮像し
たときに、デバイス１の側面が画像信号として入力され
るようになされている。すなわち、ミラー５は設置台２
の上面に対し、４５〜６０°の角度を有している。な
お、ミラー５はＤＩＰ等のように２辺にのみピンが設け
られているパッケージの場合には２辺にのみ設けてもよ
い。
【００１５】検査は以下のような手順で行われる。
【００１６】デバイス１が設置台２に設置されると、照
明６が点灯され、撮像手段３によってデバイス１を撮像
する。図２は、上記の検査装置によって撮像した画像を
示す図である。この画像は例えば２５６階調で表現され
ている。
明６が点灯され、撮像手段３によってデバイス１を撮像
する。図２は、上記の検査装置によって撮像した画像を
示す図である。この画像は例えば２５６階調で表現され
ている。
【００１７】図２において、７は撮像手段３によって直
接撮像されたデバイス上面の画像であり、７Ａはリード
の像である。８はミラーを介して撮像されたデバイス側
面の画像であり、８Ａはリードの像である。デバイス上
面の画像からリードの曲がりと文字を、デバイス側面の
画像からリードの浮きを認識，評価することができる。
撮像手段３からのこの画像信号は画像認識手段４に入力
され、公知の画像認識技術によりデバイス１が不良かど
うかを認識する。
接撮像されたデバイス上面の画像であり、７Ａはリード
の像である。８はミラーを介して撮像されたデバイス側
面の画像であり、８Ａはリードの像である。デバイス上
面の画像からリードの曲がりと文字を、デバイス側面の
画像からリードの浮きを認識，評価することができる。
撮像手段３からのこの画像信号は画像認識手段４に入力
され、公知の画像認識技術によりデバイス１が不良かど
うかを認識する。
【００１８】図３は、画像認識手段４における動作を示
すフローチャートを示す図である。
すフローチャートを示す図である。
【００１９】まず、図２のような画像信号は一括して画
像認識手段４の記憶装置に取り込まれる（ステップＳ１
００）。
像認識手段４の記憶装置に取り込まれる（ステップＳ１
００）。
【００２０】次いで、図２の点線で示された各ウィンド
ウにより、必要なブロックに分割される。図２において
は、リード検査ウィンドウ（曲がり）１０、リード検査
ウィンドウ（浮き）２０、文字検査ウィンドウ３０の３
ブロックに分割される（ステップＳ２００）。
ウにより、必要なブロックに分割される。図２において
は、リード検査ウィンドウ（曲がり）１０、リード検査
ウィンドウ（浮き）２０、文字検査ウィンドウ３０の３
ブロックに分割される（ステップＳ２００）。
【００２１】次に、各ウィンドウ毎に公知の画像認識技
術を用いて検査を行う（ステップＳ３００）。リード検
査ウィンドウ（曲がり）１０では、リードのセンターピ
ッチを測定し、予め記憶させた標準値と比較して、曲が
りを検出する。リード検査ウィンドウ（浮き）２０で
は、ミラー５に写し出されたリードを予め記憶させた仮
想基準線に対し偏差を求めて、浮き量を算出する。文字
検査ウィンドウ３０では、文字のパターンマッチングに
より文字検査を行う。最後に、以上のようにして得られ
た検査結果を出力する（ステップＳ４００）。
術を用いて検査を行う（ステップＳ３００）。リード検
査ウィンドウ（曲がり）１０では、リードのセンターピ
ッチを測定し、予め記憶させた標準値と比較して、曲が
りを検出する。リード検査ウィンドウ（浮き）２０で
は、ミラー５に写し出されたリードを予め記憶させた仮
想基準線に対し偏差を求めて、浮き量を算出する。文字
検査ウィンドウ３０では、文字のパターンマッチングに
より文字検査を行う。最後に、以上のようにして得られ
た検査結果を出力する（ステップＳ４００）。
【００２２】このように１画面の撮像により各部分の検
査をすることができる。
査をすることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一画面
の入力によりリード曲がり、リード浮き、文字検査を同
時に行うことができ、半導体装置１個当たりの処理時間
を短縮することができる。また、装置が簡単な構成にな
るので、セッティングが容易になると共に、安価な装置
となる。
の入力によりリード曲がり、リード浮き、文字検査を同
時に行うことができ、半導体装置１個当たりの処理時間
を短縮することができる。また、装置が簡単な構成にな
るので、セッティングが容易になると共に、安価な装置
となる。
【図１】本発明の検査装置を示す図である。
【図２】本発明の検査装置によって得られる画像を示す
図である。
図である。
【図３】画像認識手段の動作を示すフローチャートであ
る。
る。
１ 半導体装置（デバイス） ２ 設置台 ３ 撮像手段 ４ 画像認識手段 ５ 光反射手段（ミラー） ６ 照明
Claims (1)
- 【請求項１】 検査すべき半導体装置を設置する設置台
と、該半導体装置を撮像する撮像手段と、該撮像手段に
よって得られた画像信号によって前記半導体装置の不良
を認識する画像認識手段とを具備する半導体装置の検査
装置において、前記設置台には前記半導体装置が設置さ
れる周辺に光反射手段を具備したことを特徴とする半導
体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573392A JPH05340733A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573392A JPH05340733A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05340733A true JPH05340733A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15391890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14573392A Withdrawn JPH05340733A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05340733A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001521140A (ja) * | 1997-10-21 | 2001-11-06 | エルウィン エム ビーティ | 三次元検査システム |
| JP2003077778A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置等の出荷管理方法 |
| WO2012164631A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 上野精機株式会社 | 半導体印字検査方法及びプログラム並びにその装置 |
| US10871456B2 (en) | 2019-02-07 | 2020-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor inspection system and semiconductor inspection apparatus |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP14573392A patent/JPH05340733A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001521140A (ja) * | 1997-10-21 | 2001-11-06 | エルウィン エム ビーティ | 三次元検査システム |
| JP2003077778A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置等の出荷管理方法 |
| WO2012164631A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 上野精機株式会社 | 半導体印字検査方法及びプログラム並びにその装置 |
| JPWO2012164631A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2014-07-31 | 上野精機株式会社 | 半導体印字検査方法及びプログラム並びにその装置 |
| US10871456B2 (en) | 2019-02-07 | 2020-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor inspection system and semiconductor inspection apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |